1.适用于低功耗cmosldo的折返式限流保护电路，其特征在于，包括电流采样单元(1)、第一基准电流单元(3)、导通控制单元(4)、第二基准电流单元(5)和功率管单元(6)；
所述电流采样单元(1)与所述第一基准电流单元(3)、所述导通控制单元(4)、所述功率管单元(6)连接；所述电流采样单元(1)用于检测所述功率管单元(6)电流；所述功率管单元(6)用于和所述电流采样单元(1)的采样电流进行比较，设定限流点的所述第一基准电流单元(3)；所述功率管单元(6)用于控制所述导通控制单元(4)和设置所述第二基准电流单元(5)；
所述导通控制单元(4)与所述第二基准电流单元(5)连接。
2.根据权利要求1所述的适用于低功耗cmosldo的折返式限流保护电路，其特征在于，
所述电流采样单元(1)包括第一pmos管(11)、第二pmos管(12)、第三pmos管(15)、第三基准电流源(13)和采样电阻(14)；
所述第一pmos管(11)的源极接ldo电源vcc，漏极和栅极接所述第三基准电流源(13)；
所述第二pmos管(12)的源极与所述采样电阻(14)的一端连接，栅极与所述第一pmos管(11)的栅极相连，漏极为采样电流的输出端；
所述第三pmos管(15)的源极与所述采样电阻(14)的一端连接，所述第三pmos管(15)的栅极接所述功率管单元(6)的栅极，漏极接ldo电压输出端；
所述采样电阻(14)一端连接ldo电源vcc，一端连接所述第二pmos管(12)的源极和所述第三pmos管(15)的源极。
3.根据权利要求2所述的适用于低功耗cmosldo的折返式限流保护电路，其特征在于，
所述导通控制单元(4)包括第一nmos管(41)和第二nmos管(42)，所述第一nmos管(41)的栅极连接ldo内部基准，漏极连接所述电流采样单元(1)的所述第一pmos管(11)的漏极相连，源极与所述第二pmos管(42)的源极短接；
所述第二nmos管(42)的源极连接所述采样电流单元(1)的所述第三pmos管(15)的漏极，栅极与所述第二基准电流单元(5)连接。
4.根据权利要求3所述的适用于低功耗cmosldo的折返式限流保护电路，其特征在于，
所述ldo内部基准为ldo内部的直流电平。
5.根据权利要求1所述的适用于低功耗cmosldo的折返式限流保护电路，其特征在于，
所述功率管单元(6)包括一第四pmos管(61)，所述第四pmos管(61)的源极连接ldo电源vcc，栅极连接所述功率管单元(6)的输入端，漏极连接ldo电压输出端。
6.根据权利要求1所述的适用于低功耗cmosldo的折返式限流保护电路，其特征在于，
所述限流点为所述电流采样单元(1)的采样电流输出端与所述第一基准电流单元(3)的连接点。
7.根据权利要求1-6任一项所述的适用于低功耗cmosldo的折返式限流保护电路，其特征在于，
还包括反相驱动单元(3)，所述反相驱动单元(3)的输入端连接所述限流点，输出端连接所述功率管单元(6)的输入端。