1.一种参考电压生成电路，其特征在于，所述参考电压生成电路包括：
具有正温度系数的第一基准电压生成电路，用于生成第一基准电压信号；
电流发生器；
具有负温度系数的第二基准电压生成电路，所述第二基准电压生成电路的输入端与所述第一基准电压生成电路的输出端连接，所述第二基准电压生成电路的输出端与所述电流发生器的第一端连接，所述电流发生器的第二端接地，所述第二基准电压生成电路用于生成第二基准电压信号，并根据所述第一基准电压信号和所述第二基准电压信号生成目标参考电压信号；其中，所述目标参考电压信号为所述第一基准电压信号和第二基准电压信号的电压差。
2.如权利要求1所述的参考电压生成电路，其特征在于，所述第二基准电压信号为负电压信号。
3.如权利要求1所述的参考电压生成电路，其特征在于，所述第一基准电压生成电路包括正温度系数分流组件和第一电流源单元，所述正温度系数分流组件的第一端与所述第一电流源单元的输出端连接作为所述第一基准电压生成电路的输出端与所述第二基准电压生成电路连接，所述正温度系数分流组件的第二端接地。
4.如权利要求3所述的参考电压生成电路，其特征在于，所述正温度系数分流组件为pn结器件。
5.如权利要求3所述的参考电压生成电路，其特征在于，所述正温度系数分流组件为三极管；其中，所述三极管的基极和集电极连接。
6.如权利要求3所述的参考电压生成电路，其特征在于，所述正温度系数分流组件为增强型mos；其中，所述增强型mos的栅极和漏极连接。
7.如权利要求1所述的参考电压生成电路，其特征在于，所述第二基准电压生成电路包括负温度系数分流组件。
8.如权利要求7所述的参考电压生成电路，其特征在于，所述负温度系数分流组件为耗尽型nmos管。
9.一种稳压电路，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的参考电压生成电路。
10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的参考电压生成电路。