多路保护控制电路的制作方法

[0001]
本实用新型涉及一种多路保护控制电路，特别是涉及一种检测可控硅击穿失效保护电路。


背景技术：

[0002]
电陶炉作为一种加热电器，具有广泛的应用。现有电陶炉中采用可控硅作为大功率的驱动器件，控制电陶炉的加热。但电陶炉在加热过程中，电流较大，长时间使用后存在可控硅击穿的问题。而现有电路板方案无法识别可控硅击穿失效，导致电陶炉持续加热进而导致电陶炉晶板烧裂，甚至发生起火危险，易造成使用安全。


技术实现要素：

[0003]
本实用新型提供了一种多路保护控制电路，当检测到可控硅击穿失效后可立即关闭加热防止发生危险，以至少解决现有技术中电陶炉电路板无法识别可控硅击穿失效，导致电陶炉持续加热的问题。
[0004]
本实用新型提供了一种多路保护控制电路，包括控制器、电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、电源电路、开关控制电路、用于与电陶炉发热盘相连的引脚dz1、引脚dz2，所述控制器分别与电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、开关控制电路相连，所述电陶炉加热控制电路上设有可控硅t1，所述开关控制电路上设有开关k1，所述电源电路包括电源输入端n、电源输入端l，所述电源输入端n通过可控硅t1与引脚dz2相连，所述电源输入端l通过开关k1与引脚dz1相连，所述可控硅监测电路上设有二极管d10，所述控制器通过可控硅监测电路与可控硅t1、引脚dz2之间电路相连。
[0005]
进一步地，所述控制器为mcu控制系统。
[0006]
进一步地，所述可控硅监测电路上设有电阻r32、电阻r26、电阻r25、电阻r24，所述电阻r32、电阻r26、电阻r25、电阻r24依次串联或并联，所述控制器与电阻r32相连，所述电阻r24与二极管d10的输出端相连，所述二极管d10的输入端与可控硅t1、引脚dz2之间电路相连。
[0007]
更进一步地，所述可控硅监测电路上还设有电容c9、电阻r27，所述电容c9与电阻r27相连，所述电阻r32与电容c9、电阻r27组成的电路并联。
[0008]
进一步地，所述电陶炉加热控制电路上设有电阻r11、半导体管q2、电阻r3，所述控制器、电阻r11、半导体管q2、电阻r3、可控硅t1依次相连，所述半导体管q2为三极管或mos管。
[0009]
更进一步地，所述开关控制电路包括电阻r7、半导体管q1、继电器、二极管d1，所述控制器、电阻r7、半导体管q1、继电器依次相连，所述二极管d1与继电器并联，所述继电器与开关k1磁感连接，所述半导体管q1还与电阻r11、半导体管q2之间电路相连，所述半导体管q1为三极管或mos管。
[0010]
更进一步地，所述半导体管q1、半导体管q2为三极管，所述半导体管q1、半导体管
q2均为npn三极管，所述半导体管q1的c端与继电器相连，所述半导体管q1的b端与电阻r7相连，所述半导体管q1的e端与电阻r11、半导体管q2之间电路相连；所述半导体管q2的c端与电阻r3相连，所述半导体管q2的e端与电阻r11相连。
[0011]
更进一步地，所述电陶炉加热控制电路、开关控制电路均与控制器的同一引脚相连。
[0012]
本实用新型与现有技术相比，通过采用可控硅监测电路，在可控硅t1被击穿时，由于电压的变化，使可控硅监测电路向控制器发送的信号电平改变，实现对可控硅t1的监控，达到立即关闭加热防止发生危险的效果。
附图说明
[0013]
图1为本实用新型实施例的电路图。
具体实施方式
[0014]
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
[0015]
需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0016]
本实用新型实施例公开了一种多路保护控制电路，如图1所示，包括控制器、电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、电源电路、开关控制电路、用于与电陶炉发热盘相连的引脚dz1、引脚dz2，所述控制器分别与电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、开关控制电路相连，所述电陶炉加热控制电路上设有可控硅t1，所述开关控制电路上设有开关k1，所述电源电路包括电源输入端n、电源输入端l，所述电源输入端n通过可控硅t1与引脚dz2相连，所述电源输入端l通过开关k1与引脚dz1相连，所述可控硅监测电路上设有二极管d10，所述控制器通过可控硅监测电路与可控硅t1、引脚dz2之间电路相连。
[0017]
其中，电源输入端n的电压为18v。
[0018]
可选的，如图1所示，所述控制器为mcu控制系统。
[0019]
可选的，如图1所示，所述可控硅监测电路上设有电阻r32、电阻r26、电阻r25、电阻r24，所述电阻r32、电阻r26、电阻r25、电阻r24依次串联，所述控制器与电阻r32相连，所述电阻r24与二极管d10的输出端相连，所述二极管d10的输入端与可控硅t1、引脚dz2之间电路相连。
[0020]
特别的，如图1所示，所述可控硅监测电路上还设有电容c9、电阻r27，所述电容c9与电阻r27相连，所述电阻r32与电容c9、电阻r27组成的电路并联。
[0021]
可选的，如图1所示，所述电陶炉加热控制电路上设有电阻r11、半导体管q2、电阻r3，所述控制器、电阻r11、半导体管q2、电阻r3、可控硅t1依次相连，所述半导体管q2为三极管或mos管。
[0022]
特别的，如图1所示，所述开关控制电路包括电阻r7、半导体管q1、继电器、二极管
d1，所述控制器、电阻r7、半导体管q1、继电器依次相连，所述二极管d1与继电器并联，所述继电器与开关k1磁感连接，所述半导体管q1还与电阻r11、半导体管q2之间电路相连，所述半导体管q1为三极管或mos管。
[0023]
特别的，如图1所示，所述半导体管q1、半导体管q2均为npn三极管，所述半导体管q1的c端与继电器相连，所述半导体管q1的b端与电阻r7相连，所述半导体管q1的e端与电阻r11、半导体管q2之间电路相连；所述半导体管q2的c端与电阻r3相连，所述半导体管q2的e端与电阻r11相连。
[0024]
特别的，如图1所示，所述电陶炉加热控制电路、开关控制电路均与控制器的同一引脚相连。
[0025]
在工作时：继电器控制开关k1，使电源输入l与dz1端相连通，电源输入n通过可控硅t1与dz2端相连通，由mcu控制系统控制可控硅t1，实现对电陶炉发热盘1开启或关闭加热的调节；当可控硅t1击穿失效时，可控硅t1两端近似短路，电源输入n(18v)流经二极管d10、分压电阻r24、r25、r26、r27并在r27两端产生一低电平，并送入mcu控制系统，由mcu控制系统检测到可控硅检测信号为低电平时，对继电器进行控制，关断继电器从而使开关k1断开，实现电陶炉发热盘1的dz1端与电源输入l的断开，从而关闭电陶炉。
[0026]
本实用新型实施例通过采用可控硅监测电路，在可控硅t1被击穿时，由于电压的变化，使可控硅监测电路向控制器发送的信号电平改变，实现对可控硅t1的监控，达到立即关闭加热防止发生危险的效果。
[0027]
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本实用新型进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解，技术人员阅读本申请说明书后依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者等同替换，但这些修改或变更均未脱离本实用新型申请待批权利要求保护范围之内。