技术特征：
1.一种电能质量修复装置，其特征在于：包括三相电抗器t1以及三相电抗器t2，所述三相电抗器t1包括初级绕组1、初级绕组2、初级绕组3、初级绕组4、初级绕组5和初级绕组6，所述三相电抗器t2包括三个绕组，各个绕组上均设有复数个绕组抽头。2.根据权利要求1所述的一种电能质量修复装置，其特征在于：各个所述绕组抽头分别连接有晶闸管，各个所述晶闸管的另一端并联连接于三相电抗器t1初级绕组的一端。3.根据权利要求2所述的一种电能质量修复装置，其特征在于：所述绕组接头包括t2am1、t2am2、t2am3、t2am4、t2am5、t2am6、t2am7、t2am8、t2am9、t2am10、t2am11和t2bm1、t2bm2、t2bm3、t2bm4、t2bm5、t2bm6、t2bm7、t2bm8、t2bm9、t2abm10、t2bm11和t2cm1、t2cm2、t2cm3、t2cm4、t2cm5、t2cm6、t2cm7、t2cm8、t2cm9、t2cm10、t2cm11，各个绕组接头t2am1、t2am2、t2am3、t2am4、t2am5、t2am6、t2am7、t2am8、t2am9、t2am10、t2am11对应连接晶闸管vtam1、vtam2、vtam3、vtam4、vtam5、vtam6、vtam7、vtam8、vtam9、vtam10、vtam11的一端，各个绕组接头t2bm1、t2bm2、t2bm3、t2bm4、t2bm5、t2bm6、t2bm7、t2bm8、t2bm9、t2abm10、t2bm11对应连接晶闸管vtbm1、vtbm2、vtbm3、vtbm4、vtbm5、vtbm6、vtbm7、vtbm8、vtbm9、vtabm10、vtbm11的一端，各个绕组接头t2cm1、t2cm2、t2cm3、t2cm4、t2cm5、t2cm6、t2cm7、t2cm8、t2cm9、t2cm10、t2cm11对应连接晶闸管vtcm1、vtcm2、vtcm3、vtcm4、vtcm5、vtcm6、vtcm7、vtcm8、vtcm9、vtcm10、vtcm11的一端，所述绕组接头t2am2、t2am3、t2am4、t2am5、t2am6、t2am7、t2am8、t2am9、t2am10中的任意一个连接于三相电抗器t1的初级绕组2，t2bm2、t2bm3、t2bm4、tbam5、t2bm6、t2bm7、t2bm8、t2bm9、t2bm10中的任意一个连接于三相电抗器t1的初级绕组4、t2cm2、t2cm3、t2cm4、t2cm5、t2cm6、t2cm7、t2cm8、t2cm9、t2cm10中的任意一个连接于初级绕组6，所述绕组1连接于晶闸管vtam1、vtam2、vtam3、vtam4、vtam5、vtam6、vtam7、vtam8、vtam9、vtam10、vtam11的另一端，所述绕组3连接于晶闸管vtbm1、vtbm2、vtbm3、vtbm4、vtbm5、vtbm6、vtbm7、vtbm8、vtbm9、vtabm10、vtbm11的另一端，所述所述绕组5连接于晶闸管vtcm1、vtcm2、vtcm3、vtcm4、vtcm5、vtcm6、vtcm7、vtcm8、vtcm9、vtcm10、vtcm11的另一端。4.根据权利要求2所述的一种电能质量修复装置，其特征在于：所述绕组接头包括t2am1、t2am2、t2am3、t2am4、t2am5、t2am6、t2am7、t2am8、t2am9、t2am10、t2am11和t2bm1、t2bm2、t2bm3、t2bm4、t2bm5、t2bm6、t2bm7、t2bm8、t2bm9、t2abm10、t2bm11和t2cm1、t2cm2、t2cm3、t2cm4、t2cm5、t2cm6、t2cm7、t2cm8、t2cm9、t2cm10、t2cm11，各个绕组接头t2am1、t2am2、t2am3、t2am4、t2am5、t2am6、t2am7、t2am8、t2am9、t2am10、t2am11对应连接晶闸管vtam1、vtam2、vtam3、vtam4、vtam5、vtam6、vtam7、vtam8、vtam9、vtam10、vtam11的一端，各个绕组接头t2bm1、t2bm2、t2bm3、t2bm4、t2bm5、t2bm6、t2bm7、t2bm8、t2bm9、t2abm10、t2bm11对应连接晶闸管vtbm1、vtbm2、vtbm3、vtbm4、vtbm5、vtbm6、vtbm7、vtbm8、vtbm9、vtabm10、vtbm11的一端，各个绕组接头t2cm1、t2cm2、t2cm3、t2cm4、t2cm5、t2cm6、t2cm7、t2cm8、t2cm9、t2cm10、t2cm11对应连接晶闸管vtcm1、vtcm2、vtcm3、vtcm4、vtcm5、vtcm6、vtcm7、vtcm8、vtcm9、vtcm10、vtcm11的一端，所述绕组接头t2am2、t2am3、t2am4、t2am5、t2am6、t2am7、t2am8、t2am9、t2am10中的任意一个连接于三相电抗器t1的初级绕组1，t2bm2、t2bm3、t2bm4、tbam5、t2bm6、t2bm7、t2bm8、t2bm9、t2bm10中的任意一个连接于三相电抗器t1的初级绕组3，t2cm2、t2cm3、t2cm4、t2cm5、t2cm6、t2cm7、t2cm8、t2cm9、t2cm10中的任意一个连接于初级绕组5，所述绕组2连接于晶闸管vtam1、vtam2、vtam3、vtam4、vtam5、
vtam6、vtam7、vtam8、vtam9、vtam10、vtam11的另一端，所述绕组4连接于晶闸管vtbm1、vtbm2、vtbm3、vtbm4、vtbm5、vtbm6、vtbm7、vtbm8、vtbm9、vtabm10、vtbm11的另一端，所述所述绕组6连接于晶闸管vtcm1、vtcm2、vtcm3、vtcm4、vtcm5、vtcm6、vtcm7、vtcm8、vtcm9、vtcm10、vtcm11的另一端。5.根据权利要求3所述的一种电能质量修复装置，其特征在于：所述绕组接头t2am6连接于三相电抗器t1的初级绕组2，t2bm6连接于三相电抗器t1的初级绕组4，t2cm6连接于初级绕组6。6.根据权利要求4所述的一种电能质量修复装置，其特征在于：所述绕组接头t2am6连接于三相电抗器t1的初级绕组1，t2bm6连接于三相电抗器t1的初级绕组3，t2cm6连接于初级绕组5。7.根据权利要求1所述的一种电能质量修复装置，其特征在于：还包括人机系统装置、主控系统装置、驱动系统装置，所述三相输入电压、电流和三相输出电压、电流和各组三相电抗器t1和三相电抗器t2均连接于主控系统装置，所述人机系统装置以及驱动系统装置均连接于主控系统装置，所述人机系统装置为可触屏操作界面，所属主控系统装置通过驱动系统装置控制三相电抗器t1和三相电抗器t2工作。8.一种电能质量修复装置，其特征在于：包括单相电抗器t1和单相电抗器t2组成的电能质量修复装置，以及三组单相电抗器t1及t2组成的三相电能质量修复装置。
技术总结
本发明涉及稳压器技术领域,具体是涉及一种控制简单、不产生反峰电压、安全可靠、调压效果好的电能质量修复装置，包括三相输入保护装置、三相电抗器T1、三相电抗器T2以及输出延时装置，所述三相电抗器T1及三相电抗器T2均连接于三相输入保护装置及输出延时装置之间，所述三相电抗器T1包括复数组依次串联连接的电抗器、复数组初级绕组以及次级绕组，所述三相电抗器T2包括分别连接于A相输出的绕组一、连接B相输出的绕组二以及连接C相输出的绕组三。相输出的绕组二以及连接C相输出的绕组三。相输出的绕组二以及连接C相输出的绕组三。
技术研发人员：张谋龙
受保护的技术使用者：三尔梯（泉州）电气制造有限公司
技术研发日：2021.06.22
技术公布日：2021/9/24