技术特征：
1.一种带有温度补偿功能的功率检测电路，其特征在于包括至少一级功率检测单元和整合单元，所述整合单元的输入端连接所述功率检测单元的输出端；所述功率检测单元中与偏置电压连接的电阻为热敏电阻，和/或所述整合单元中与参考地电位连接的电阻为热敏电阻。2.如权利要求1所述的功率检测电路，其特征在于：所述偏置电压为具有温度系数的电压。3.如权利要求1或2所述的功率检测电路，其特征在于：所述整合单元包括第七hbt晶体管、第十电容，以及第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻；其中，所述功率检测单元的输出端与第七hbt晶体管的基极连接，第七hbt晶体管的集电极与所述偏置电压连接，第七hbt晶体管的发射极一方面通过第十一电阻与参考地电位连接，另一方面通过第十二电阻与整合单元的输出端连接；第十电阻的两端分别与第七hbt晶体管的基极和集电极连接；第十三电阻的一端与参考地电位连接，另一端与输出端连接；第十电容的一端与第七hbt晶体管的发射极连接，另一端与参考地电位连接。4.如权利要求3所述的功率检测电路，其特征在于：所述整合单元中的第十电阻与所述偏置电压同时为正温度系数或负温度系数。5.如权利要求4所述的功率检测电路，其特征在于在所述整合单元中，满足如下公式：v7e＝（vreg-vbe7）－i*r10其中，v7e为第七hbt晶体管的发射极电压，vreg为偏置电压，vbe7为第七hbt晶体管的基极与发射极之间的电压，r10为第十电阻的阻值，i为功率检测单元的输出电流。6.如权利要求1所述的功率检测电路，其特征在于：所述功率检测单元中，包括第一hbt晶体管和第二hbt晶体管，第一电容、第二电容和第三电容，以及第一电阻、第二电阻和第七电阻；所述功率检测电路的信号输入端与第一电容连接，第一电容的另一端与第一电阻及第一hbt晶体管的集电极连接，第一电阻的另一端与第一hbt晶体管的基极相连，第一hbt晶体管的发射极与参考地电位连接；第一hbt晶体管的集电极一方面通过第七电阻与偏置电压连接，另一方面通过第二电阻与第二hbt晶体管的基极连接；第二hbt晶体管的发射极与参考地电位连接，第二hbt晶体管的集电极连接所述整合单元的输入端；第二电容的一端与第一电阻连接，另一端与第一hbt晶体管的发射极连接；第三电容的一端与第二电阻连接，另一端与第二hbt晶体管的发射极连接。7.如权利要求6所述的功率检测电路，其特征在于：所述功率检测单元中与偏置电压连接的第七电阻为正温度系数时，所述偏置电压为负温度系数；或者，所述功率检测单元中与偏置电压连接的第七电阻为负温度系数时，所述偏置电压为正温度系数。8.如权利要求6所述的功率检测电路，其特征在于：所述功率检测单元为至少两级时，每一级功率检测单元中的第二hbt晶体管的集电极作为该级功率检测单元的输出端，共同连接至所述整合单元的输入端。9.一种射频前端模块，其特征在于所述射频前端模块中包括有权利要求1～8中任意一项所述的功率检测电路。10.一种电子设备，其特征在于包括权利要求1～8中任意一项所述的功率检测电路。
技术总结
本发明公开了一种带有温度补偿功能的功率检测电路及其射频前端模块。该功率检测电路包括至少一级功率检测单元和整合单元，整合单元的输入端连接功率检测单元的输出端；功率检测单元中与偏置电压连接的电阻为热敏电阻，和/或整合单元中与参考地电位连接的电阻为热敏电阻。本发明解决了不同电路模块的偏置电压Vreg的温度系数要求不同，需要多个不同温度系数的偏置电压Vreg供电的技术问题。因此，本发明所提供的功率检测电路及其射频前端模块具有结构设计简单、生产成本降低，使用性能可靠等有益效果。等有益效果。等有益效果。
技术研发人员：李浩 白云芳
受保护的技术使用者：唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司
技术研发日：2022.01.19
技术公布日：2022/2/24