电压调节装置、方法、装置、设备及介质与流程

1.本发明涉及一种电压调节装置，尤其涉及一种电压调节装置、方法、装置、电子设备及计算机存储介质。


背景技术：

2.在相关技术中，一般通过采样负载电流的方法来调节晶体管的驱动电压，从而实现降低晶体管的损耗，但在实际电路中负载电流并不能完全反映晶体管的温度情况，例如，在有多个晶体管并联的电路中，单个晶体管的电流未必和负载电流正相关，可能存在负载不均衡、三相不均衡、并联器件不均流等情况，则即使在采样负载电流处于正常状态下，可能某个晶体管也已经超负荷运行，出现温升过高，损耗过大的问题，因此，通过采样负载电流的方法并不能精准的调节晶体管的驱动电压。综上所述，如何实现精准地调节晶体管的驱动电压是亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供了一种电压调节装置、方法、装置、电子设备及计算机存储介质。
4.本发明实施例提供了一种电压调节装置，所述装置包括第一支路和参考电压输出电路，所述第一支路为热敏电阻和第一电阻串联形成的支路，所述第一支路两端的电压为晶体管的驱动电压；其中，
5.所述热敏电阻的电阻值与所述晶体管的结温成负相关，所述参考电压输出电路用于向所述热敏电阻的两端提供直流参考电压。
6.在一种实现方式中，所述参考电压输出电路包括三端稳压管；其中，
7.所述三端稳压管的输入端与第一电源的正极连接，所述三端稳压管的接地端接地，所述三端稳压管的输出端与所述热敏电阻的一端连接，所述热敏电阻的另一端接地。
8.可以看出，基于三端稳压管向热敏电阻的两端提供直流参考电压，使得晶体管的驱动电压仅受热敏电阻的电阻值的影响，有益于根据热敏电阻的电阻值与晶体管结温的关系，对晶体管的驱动电压进行调节。
9.在一种实现方式中，所述装置还包括第一限压电路；其中，
10.所述第一限压电路与所述第一支路并联，所述第一限压电路用于限制所述第一支路两端的电压，使所述第一支路两端的电压小于或等于所述第一限压电路的限压值。
11.可以看出，通过第一限压电路对第一支路两端的电压进行限制，使得晶体管的驱动电压不超过其最大工作电压，从而可以保护晶体管不被损坏。
12.在一种实现方式中，所述装置还包括第二限压电路；其中，
13.所述第二限压电路连接在所述第一电源与所述晶体管之间，所述第二限压电路用于限制所述第一支路两端的电压，使所述第一支路两端的电压大于或等于所述第二限压电路的限压值。
14.可以看出，通过第二限压电路对第一支路两端的电压进行限制，使得晶体管的驱动电压不低于其额定工作电压，从而可以使晶体管正常工作，不会因为驱动电压过小而无法导通。
15.本发明实施例还提供了一种电压调节方法，所述方法应用于电压调节装置，所述电压调节装置用于调节晶体管的驱动电压，所述方法包括：
16.获取所述晶体管的第一温度值；
17.在所述第一温度值处于预设温度范围内的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述晶体管的额定工作电压；
18.所述第一温度值大于第一阈值的情况下，控制所述晶体管的驱动电压升高，所述第一阈值大于或等于所述预设温度范围的上限。
19.上述方案中，所述控制所述晶体管的驱动电压升高，包括：
20.控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，所述第一电压值与所述第一温度值成正相关。
21.可以看出，控制晶体管的驱动电压随第一温度值的升高而升高，即可以根据晶体管的温度变化情况对晶体管的驱动电压进行即时调节，能够直接有效地对晶体管的工作状态进行控制。
22.上述方案中，所述方法还包括：
23.对所述晶体管的驱动电压进行第一限压处理，使所述晶体管的驱动电压小于或等于所述预设的限压值。
24.可以看出，通过对晶体管的驱动电压进行第一限压处理，，使晶体管的驱动电压小于或等于预设的限压值，从而可以保护晶体管不被损坏。
25.上述方案中，在所述控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值之前，所述方法还包括：确定与所述第一温度值对应的第一电压值；
26.所述控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，包括：
27.在所述第一电压值小于或等于预设的最大电压的情况下，控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值。
28.上述方案中，所述方法还包括：
29.在所述第一电压值大于所述预设的最大电压的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述预设的最大电压。
30.可以看出，通过预先判断晶体管的驱动电压升高的目标值是否超出了晶体管的安全工作范围，从而可以控制晶体管在安全工作范围内工作，保护晶体管不被损坏。
31.上述方案中，所述控制所述晶体管的驱动电压升高之后，还包括：
32.获取所述晶体管的第二温度值；
33.在所述第二温度值的变化趋势为降低趋势的情况下，控制所述晶体管的驱动电压降低；
34.在所述第二温度值处于预设温度范围内的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述额定工作电压。
35.可以看出，根据重新获取的晶体管的第二温度值，判断是否控制晶体管的驱动电压降低，即可以根据晶体管的温度变化情况，确定晶体管的驱动电压，能够直接反映晶体管
的工作状况。
36.本发明实施例还提供了一种电压调节装置，所述装置至少包括：
37.获取模块，用于获取所述晶体管的第一温度值；
38.控制模块，用于在所述第一温度值处于预设温度范围内的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述晶体管的额定工作电压；
39.所述第一温度值大于第一阈值的情况下，控制所述晶体管的驱动电压升高，所述第一阈值大于或等于所述预设温度范围的上限。
40.在一种实现方式中，所述控制模块，用于控制所述晶体管的驱动电压升高，包括：
41.控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，所述第一电压值与所述第一温度值成正相关。
42.在一种实现方式中，所述装置还用于：对所述晶体管的驱动电压进行第一限压处理，使所述晶体管的驱动电压小于或等于所述预设的限压值。
43.在一种实现方式中，所述控制模块，在所述控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值之前，还用于确定与所述第一温度值对应的第一电压值；
44.所述控制模块，用于控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，包括：
45.在所述第一电压值小于或等于预设的最大电压的情况下，控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值。
46.在一种实现方式中，所述装置还用于：在所述第一电压值大于所述预设的最大电压的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述预设的最大电压。
47.在一种实现方式中，所述控制模块，在控制所述晶体管的驱动电压升高之后，还用于：
48.获取所述晶体管的第二温度值；
49.在所述第二温度值的变化趋势为降低趋势的情况下，控制所述晶体管的驱动电压降低；
50.在所述第二温度值处于预设温度范围内的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述额定工作电压。
51.本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述任意一种电压调节方法。
52.本发明实施例还提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任意一种电压调节方法。
53.基于本发明实施例提供的一种电压调节装置、方法、装置、电子设备及计算机存储介质，所述电压调节装置包括第一支路和参考电压输出电路，所述第一支路为热敏电阻和第一电阻串联形成的支路，所述第一支路两端的电压为晶体管的驱动电压；其中，所述热敏电阻的电阻值与所述晶体管的结温成负相关，所述参考电压输出电路用于向所述热敏电阻的两端提供直流参考电压。
54.可以看出，本发明实施例中，电压调节装置包括第一支路和参考电压输出电路，其中，第一支路是由热敏电阻和第一电阻串联的支路，第一支路两端的电压为晶体管的驱动电压，参考电压输出电路用于向热敏电阻的两端提供直流参考电压，热敏电阻的电阻值与
晶体管的结温成负相关，因此，当晶体管工作于较高温度时，热敏电阻的电阻值会降低，则第一支路两端的电压会升高，即晶体管的驱动电压也会升高，而晶体管的导通电阻会随着其驱动电压的上升而减小，也就是说，通过增大晶体管的驱动电压可以降低其导通压降，从而可以降低晶体管导通损耗。可以看出，本发明实施例基于热敏电阻的电阻值与晶体管结温的关系，实现对晶体管的驱动电压进行调节，从而调节晶体管的导通电阻，进而降低晶体管的导通损耗。
55.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本发明。
附图说明
56.图1为本发明实施例提供的一种电压调节装置的结构示意图；
57.图2为本发明实施例中热敏电阻r
ntc
的电阻值与温度的曲线关系图；
58.图3为本发明实施例提供的一种电压调节装置的一个具体实现的电路原理图；
59.图4为本发明实施例提供的一种电压调节方法的流程示意图；
60.图5为本发明实施例提供的另一种电压调节装置的结构示意图；
61.图6为本发明实施例提供的一种电压调节方法的一个具体实现的流程示意图；
62.图7为本发明实施例提供的又一种电压调节装置的示意图；
63.图8为本发明实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
64.随着电子技术的发展，晶体管在电力电子电路设计中也逐渐被广泛应用，例如，碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)、以及硅基mosfet等。但是晶体管的导通电阻一般都具有正温度系数，即温度越高时，导通电阻越大，因此，当晶体管工作于较高温度时，其导通电阻也会增大，从而导致晶体管的导通损耗增加。根据晶体管的输出特性可知，晶体管的导通电阻会随着其驱动电压的上升而减小，则可以通过增加晶体管的驱动电压降低其导通电阻，从而降低晶体管的导通损耗。
65.针对晶体管工作于较高温度时，晶体管的导通损耗较高，但无法通过精准的调节晶体管的驱动电压，降低晶体管导通损耗的问题，提出本发明实施例的技术方案。以下结合附图及实施例，对本发明实施例进行进一步详细说明。应当理解，此处所提供的实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。另外，以下所提供的实施例是用于实施本发明的部分实施例，而非提供实施本发明的全部实施例，在不冲突的情况下，本发明实施例记载的技术方案可以任意组合的方式实施。
66.需要说明的是，在本发明实施例中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的方法或者装置不仅包括所明确记载的要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为实施方法或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括该要素的方法或者装置中还存在另外的相关要素(例如方法中的步骤或者装置中的单元，例如
的单元可以是部分电路、部分处理器、部分程序或软件等等)。
67.本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中术语“至少一种”表示多种中的任意一种或多种中的至少两种的任意组合，例如，包括a、b、c中的至少一种，可以表示包括从a、b和c构成的集合中选择的任意一个或多个元素。
68.例如，本发明实施例提供的一种电压调节装置包括了一系列电路，但是本发明实施例提供的一种电压调节装置不限于包括所明确记载的电路，还可以包括为获取相关信息、或基于信息进行处理时所需要设置的电路。同样地，本发明实施例提供的一种电压调节方法包含了一系列的步骤，但是本发明实施例提供的一种电压调节方法不限于所记载的步骤。
69.本发明实施例提出了一种电压调节装置，所述装置包括第一支路和参考电压输出电路，所述第一支路为热敏电阻和第一电阻串联形成的支路，所述第一支路两端的电压为晶体管的驱动电压；其中，
70.所述热敏电阻的电阻值与所述晶体管的结温成负相关，所述参考电压输出电路用于向所述热敏电阻的两端提供直流参考电压。
71.图1为本发明实施例提供的一种电压调节装置的结构示意图，参见图1，该电压调节装置包括：第一支路1和参考电压输出电路2，其中，第一支路1为第一电阻r1和热敏电阻r
ntc
串联形成的支路。第一支路1的两端与晶体管连接，这里，晶体管可以是igbt，也可以是mosfet，对此本发明实施例不作限定。
72.示例性地，当晶体管为npn型的igbt时，igbt的集电极与第一电阻r1的一端连接，igbt的基极与热敏电阻r
ntc
的一端连接；当晶体管为n型的mosfet时，mosfet的栅极与第一电阻r1的一端连接，mosfet的源极与热敏电阻r
ntc
的一端连接。
73.本发明实施例中，第一支路1两端的电压为晶体管的驱动电压，这里，晶体管的驱动电压表示的是使晶体管开始工作时的供电电压，用vg表示；参考电压输出电路2用于向热敏电阻r
ntc
的两端提供直流参考电压，这里，参考电压是指电路中一个与负载、功率供给、温度漂移、时间等无关，能保持始终恒定的一个电压。
74.本发明实施例中，热敏电阻r
ntc
为负温度系数热敏电阻(negative temperature coefficient thermistor，ntc thermistor)，即热敏电阻r
ntc
的电阻值随温度的升高而减小。可以将热敏电阻r
ntc
集成在晶体管模块中，也可以在电压调节装置中额外放置热敏电阻r
ntc
，一般热敏电阻r
ntc
紧贴晶体管的中心位置，离中心位置越近，测量的温度的精度越高。
75.本发明实施例中，热敏电阻r
ntc
的温度受晶体管的影响，当晶体管在工作一段时间后，晶体管的温度升高，则靠近晶体管的热敏电阻r
ntc
的温度也会升高，因此，热敏电阻r
ntc
的电阻值随温度的升高而降低，即热敏电阻r
ntc
的电阻值与晶体管的结温成负相关，这里，结温表示晶体管的实际工作温度。可以看出，热敏电阻r
ntc
的电阻值能够反映晶体管温度的变化情况，可以用于检测晶体管的温度。
76.示例性地，以热敏电阻r
ntc
对晶体管的结温进行采样，图2示出了本发明实施例中热敏电阻r
ntc
的电阻值与温度的曲线关系，参考图2，当温度为t
th
时，热敏电阻r
ntc
对应的电阻值为r
th
；当温度为t
max
，即温度最高时，热敏电阻r
ntc
对应的电阻值为r
min
，即电阻值最小，这里，t
max
》t
th
，r
th
》r
min
。
77.本发明实施例中，在晶体管工作于较高温度范围时，可以基于热敏电阻r
ntc
对晶体管的驱动电压进行调节。当晶体管的结温升高时，靠近晶体管的热敏电阻r
ntc
的温度也相应升高，则热敏电阻r
ntc
的电阻值降低，则第一支路1两端的电压升高，由于第一支路1两端的电压为晶体管的驱动电压，则晶体管的驱动电压升高。
78.本发明实施例中，在晶体管工作于正常温度范围时，热敏电阻r
ntc
的温度也处于正常温度范围内，则热敏电阻r
ntc
的电阻值不变化，从而第一支路1两端的电压也不变化，此时，热敏电阻r
ntc
不调节晶体管的驱动电压。
79.可以看出，本发明实施例中，电压调节装置包括第一支路1和参考电压输出电路2，第一支路1为由热敏电阻r
ntc
和第一电阻r1串联的支路，参考电压输出电路2用于向热敏电阻的两端提供直流参考电压，第一支路1的两端与晶体管连接，则晶体管的驱动电压即为第一支路1两端的电压，因此，可以基于热敏电阻r
ntc
对晶体管的驱动电压进行调节。当晶体管的结温升高时，靠近晶体管的热敏电阻r
ntc
的温度也相应升高，而热敏电阻r
ntc
的电阻值降低，使得第一支路1两端的电压升高，从而使晶体管的驱动电压升高，而晶体管的导通电阻会随着其驱动电压的上升而减小，即通过增大晶体管的驱动电压可以降低其导通压降，从而可以降低晶体管导通损耗。可以看出，本发明实施例基于热敏电阻r
ntc
，在晶体管温度升高时，提高晶体管的驱动电压，降低晶体管的导通损耗。
80.在一些实施方式中，所述参考电压输出电路包括三端稳压管；其中，
81.所述三端稳压管的输入端与第一电源的正极连接，所述三端稳压管的接地端接地，所述三端稳压管的输出端与所述热敏电阻的一端连接，所述热敏电阻的另一端接地。
82.本发明实施例中，该装置还包括第一电源6，第一电源6用于向电压调节装置提供直流电压，第一电源6的电压值可以用vin来表示，三端稳压管用于向热敏电阻r
ntc
的两端提供直流参考电压，直流参考电压用v
ref
来表示，使得晶体管的驱动电压仅受热敏电阻r
ntc
的电阻值的影响，晶体管的驱动电压用vg来表示，则vg＝v
ref
(1+r1/r
ntc
)。
83.需要说明的是，三端稳压管的输出电压是始终恒定的一个电压，并且，由于三端稳压管只有三个引出端子，具有外接元件少，使用方便，性能稳定，价格低廉等优点。
84.在一些实施方式中，所述装置还包括第一限压电路；其中，
85.所述第一限压电路与所述第一支路并联，所述第一限压电路用于限制所述第一支路两端的电压，使所述第一支路两端的电压小于或等于所述第一限压电路的限压值。
86.本发明实施例中，参见图1，该电压调节装置还包括第一限压电路3，第一限压电路3用于限制第一支路1两端的电压，从而实现限制晶体管的驱动电压小于或等于第一限压电路的限压值。
87.本发明实施例中，当晶体管的温度升高时，热敏电阻r
ntc
的温度也随之升高，则热敏电阻r
ntc
的电阻值降低，使得晶体管的驱动电压一直增大，但基于晶体管的属性，晶体管具有最大工作电压，即允许晶体管两端的最大连续工作的电压，记为v
g-max
，当晶体管的驱动电压超过其最大工作电压后，可能会导致晶体管被损坏，因此，需要把晶体管的驱动电压限制在一定的安全工作范围内，当晶体管的驱动电压增大到第一限压电路3的限压值后，保持晶体管的驱动电压不变，不再继续增加，即vg≤v
g-max
。
88.本发明实施例中，第一限压电路3中的限压器件可以是钳位二极管，也可以是稳压二极管，对此本发明实施例不作限定。需要说明的是，钳位二极管是指用于在电路中将某点
的电位进行限制的二极管；稳压二极管是指利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。
89.本发明实施例中，可以将晶体管的最大工作电压值确定为第一限压电路3的限压值，也可以根据已有的经确定第一限压电路3的限压值，对此本发明实施例不作限定。
90.可以看出，通过第一限压电路3对第一支路1两端的电压进行限制，使得晶体管的驱动电压不超过其最大工作电压，从而可以保护晶体管不被损坏。
91.在一些实施方式中，所述装置还包括第二限压电路；其中，
92.所述第二限压电路连接在所述第一电源与所述晶体管之间，所述第二限压电路用于限制所述第一支路两端的电压，使所述第一支路两端的电压大于或等于所述第二限压电路的限压值。
93.本发明实施例中，参见图1，该电压调节装置还包括第二限压电路4，第二限压电路4用于限制第一支路1两端的电压，使得第一支路1两端的电压大于或等于第二限压电路的限压值，从而实现限制晶体管的驱动电压大于或等于其额定工作电压值。需要说明的是，额定工作电压指的是晶体管在正常工作时的最佳电压，也称为标称电压，记为v
g-nom
，当晶体管的驱动电压低于额定工作电压值时，晶体管将不能正常工作。
94.本发明实施例中，在晶体管的温度在正常范围内时，需要使晶体管的驱动电压大于或等于其额定工作电压值，即vg≥v
g-nom
，否则晶体管将无法正常工作。因此，第二限压电路4中对第一支路1两端的电压进行限制，这里，第二限压电路4中的限压器件可以是钳位二极管，也可以是稳压二极管，对此本发明实施例不作限定。
95.本发明实施例中，可以将晶体管的额定工作电压值确定为第二限压电路4的限压值，也可以根据已有的经确定第二限压电路4的限压值，对此本发明实施例不作限定。
96.本发明实施例中，晶体管的驱动电压vg＝vin-v1，这里，v1表示限压器件的压降，通过选取合适的限压器件压降，使得vg≥v
g-nom
，则需要限压器件的压降v1≤vin-v
g-nom
，从而实现晶体管的驱动电压大于或等于其额定工作电压值，即vg≥v
g-nom
，vg≥vin-v1。
97.可以看出，通过第二限压电路4对第一支路1两端的电压进行限制，使得晶体管的驱动电压不低于其额定工作电压，从而可以使晶体管正常工作，不会因为驱动电压过小而无法导通。
98.本发明实施例中，参见图1，该电压调节装置还包括电流放大电路5，电流放大电路5用于将第一电源提供的电流放大，从而驱动晶体管正常工作。电流放大电路5中可以包括电流放大三极管。
99.图3为本发明实施例提供的一种电压调节装置的一个具体实现的电路原理图，如图所示，该电压调节装置包括：第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、热敏电阻r
ntc
、稳压二极管z1、三端稳压管q1、电流放大三极管t1、第一钳位二极管d1、
……
、第n钳位二极管dn，第一电源vin。
100.本发明实施例中，第一电阻r1与热敏电阻r
ntc
组成第一支路，第一支路与晶体管连接，则第一支路两端的电压即为晶体管的驱动电压vg；三端稳压管q1的输入端与电流放大三极管t1的基极连接，三端稳压管q1的接地端接地，三端稳压管q1的输出端与热敏电阻r
ntc
的一端连接；电流放大三极管t1的集电极与第一电源vin的正极连接，电流放大三极管t1的发射极与第一电阻r1的一端连接；稳压二极管z1连接在第一支路的两端，n个钳位二极管并
联在电流放大三极管t1上；第二电阻r2连接在三端稳压管q1的输入端与电流放大三极管t1的基极之间，第三电阻r3连接在第一电源vin与三端稳压管q1的输入端之间。
101.本发明实施例中，三端稳压管q1用于向热敏电阻r
ntc
的两端提供直流参考电压，电流放大三极管t1用于放大第一电源vin的电流信号，稳压二极管z1用于使晶体管的驱动电压不超过其最大工作电压，钳位二极管d1、
……
、钳位二极管dn用于使晶体管的驱动电压不低于其额定工作电压。
102.本发明实施例中，在晶体管工作于较高温度范围时，靠近晶体管的热敏电阻r
ntc
的温度升高，则热敏电阻r
ntc
的电阻值降低，使得第一支路1两端的电压升高，从而使晶体管的驱动电压升高；在晶体管工作于正常温度范围时，热敏电阻r
ntc
的温度也处于正常温度范围内，则热敏电阻r
ntc
的电阻值不变化，从而第一支路1两端的电压也不变化，即热敏电阻r
ntc
不调节晶体管的驱动电压。
103.基于前述实施例相同的技术构思，本发明实施例还提供了一种电压调节方法，应用于电压调节装置，所述电压调节装置用于调节晶体管的驱动电压；参见图4，为本发明实施例提供的一种电压调节方法的流程示意图，该流程可以包括：
104.步骤401：获取晶体管的第一温度值。
105.本发明实施例中，可以基于热敏电阻检测晶体管的温度，也可以基于温度传感器检测晶体管的温度。在基于热敏电阻检测晶体管的温度时，可以将热敏电阻集成在晶体管模块中，若使用的是晶体管单管或其他无热敏电阻的封装，则需要额外防止热敏电阻于靠近晶体管的位置进行检测，当热敏电阻不是集成在晶体管内部时，其检测获取到的温度不能直接反应晶体管的结温，因此，需要将热敏电阻检测获取的温度与晶体管的结温进行一一对应，从而根据热敏电阻检测获取的温度推算得到晶体管的结温。
106.步骤402：在第一温度值处于预设温度范围内的情况下，将晶体管的驱动电压确定为晶体管的额定工作电压；
107.第一温度值大于第一阈值的情况下，控制晶体管的驱动电压升高，第一阈值大于或等于预设温度范围的上限。
108.本发明实施例中，预设温度范围可以是根据已有的经验预先设定的，这里，预设温度范围表示的是晶体管的温度值较低，处于正常范围内，此时晶体管的损耗较低，因此，在第一温度值处于预设温度范围内的情况下，将晶体管的驱动电压确定为其额定工作电压，即不需要对晶体管的驱动电压进行调节。
109.本发明实施例中，第一阈值可以是根据已有的经验预先设定的，第一阈值大于或等于预设温度范围的上限，即当晶体管的第一温度在大于第一阈值时，说明晶体管当前的温度较高，则晶体管的导通电阻较高，使得晶体管的导通损耗增加，因此，需要降低晶体管的损耗。
110.本发明实施例中，基于晶体管的输出特性，晶体管的导通电阻会随着其驱动电压的升高而降低，因此，在晶体管的第一温度在大于第一阈值时，控制晶体管的驱动电压升高，可以降低晶体管的导通电阻，从而可以降低晶体管的损耗。
111.示例性地，如图5所示，电压调节装置包括电源模块501、温度检测模块502、电压调节模块503，电源模块501用于向电压调节装置提供电压，温度检测模块502用于检测晶体管的结温，电压调节模块503用于根据温度检测模块502获取到的晶体管的结温，对晶体管的
驱动电压进行调节。
112.可以看出，本发明实施例中通过检测晶体管的第一温度，根据晶体管的第一温度对其驱动电压进行调节，在第一温度值大于第一阈值时，控制晶体管的驱动电压升高，则可以降低晶体管的导通电阻，从而能够有效降低晶体管的损耗，并且，温度能够直接反映晶体管的工作状况，通过温度的变化对晶体管的驱动电压进行调节，能够直接高效的降低晶体管的损耗。
113.在一些实施方式中，所述控制所述晶体管的驱动电压升高，包括：
114.控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，所述第一电压值与所述第一温度值成正相关。
115.在一些实施例中，控制晶体管的驱动电压随第一温度值的升高而升高，即晶体管的第一温度值越高，晶体管的驱动电压越高，第一电压值与第一温度值成正相关。
116.在一些实施方式中，所述方法还包括：
117.对所述晶体管的驱动电压进行第一限压处理，使所述晶体管的驱动电压小于或等于所述预设的限压值。
118.在一些实施例中，预设的限压值可以是根据已有的经验预先设定的，随着晶体管温度的升高，控制晶体管的驱动电压也逐渐升高，但晶体管的驱动电压超过一定的范围后，由于电压过高，可能导致晶体管被损坏，因此，需要把晶体管的驱动电压限制在一定的安全工作范围内，即需要对晶体管的驱动电压进行限压处理。
119.可以看出，通过对晶体管的驱动电压进行第一限压处理，，使晶体管的驱动电压小于或等于预设的限压值，从而可以保护晶体管不被损坏。
120.在一些实施方式中，在所述控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值之前，所述方法还包括：确定与所述第一温度值对应的第一电压值；
121.所述控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，包括：
122.在所述第一电压值小于或等于预设的最大电压的情况下，控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值。
123.在一些实施方式中，所述方法还包括：
124.在所述第一电压值大于所述预设的最大电压的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述预设的最大电压。
125.在一些实施例中，预设的最大电压表示的是允许晶体管两端的最大连续工作的电压，当晶体管的驱动电压超过其最大工作电压后，可能会导致晶体管被损坏。
126.在一些实施例中，可以预先设定晶体管的温度值对应的晶体管的驱动电压，从而可以根据获取到的晶体管的第一温度值，调节晶体管的驱动电压。当根据晶体管的第一温度值，确定与第一温度值对应的第一电压值后，判断第一电压值是否小于或等于预设的最大电压，若是，则说明第一电压值在晶体管的安全工作范围内，可以控制晶体管的驱动电压升高至第一电压值；若否，则说明第一电压值已超出晶体管的安全工作范围，则将晶体管的驱动电压确定为预设的最大电压，控制晶体管的驱动电压升高至预设的最大电压。
127.可以看出，通过预先判断晶体管的驱动电压升高的目标值是否超出了晶体管的安全工作范围，从而可以控制晶体管在安全工作范围内工作，保护晶体管不被损坏。
128.在一些实施方式中，所述控制所述晶体管的驱动电压升高之后，还包括：
129.获取所述晶体管的第二温度值；
130.在所述第二温度值的变化趋势为降低趋势的情况下，控制所述晶体管的驱动电压降低；
131.在所述第二温度值处于预设温度范围内的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述额定工作电压。
132.在一些实施例中，晶体管的第二温度值指的是在控制晶体管的驱动电压已经升高后，重新检测获取到的晶体管的温度值。根据第二温度值的变化趋势，可以确定是否控制晶体管的驱动电压降低。
133.在一些实施例中，当第二温度值的变化趋势为降低趋势的情况下，说明晶体管的损耗已经降低，因此，可以降低晶体管的驱动电压，这里，可以根据预先设定的晶体管的温度值对应的晶体管的驱动电压，控制晶体管的驱动电压降低。
134.在一些实施例中，当第二温度值处于预设温度范围内的情况下，说明晶体管的温度已经处于正常温度范围内，即不需要对晶体管的驱动电压进行调节，因此，将晶体管的驱动电压确定为其额定工作电压。
135.图6为本发明实施例提供的一种电压调节方法的一个具体实现的流程示意图，如图6所示，该流程可以包括：
136.步骤601：获取晶体管的第一温度值。
137.步骤602：判断第一温度值是否大于第一阈值，若是，则执行步骤603；若否，则执行步骤604。
138.步骤603：判断晶体管的驱动电压是否达到最大电压，若是，则执行步骤604；若否，则执行步骤605。
139.步骤604：保持晶体管的驱动电压不变，执行步骤601。
140.步骤605：控制晶体管的驱动电压升高，执行步骤601。
141.本领域技术人员可以理解，在具体实施方式的上述方法中，各步骤的撰写顺序并不意味着严格的执行顺序而对实施过程构成任何限定，各步骤的具体执行顺序应当以其功能和可能的内在逻辑确定。
142.基于前述的实施例，本发明实施例再提供一种电压调节装置，该装置包括所包括的各单元、以及各单元所包括的各模块，可以通过电子设备中的处理器和存储器来实现；当然也可通过具体的逻辑电路实现；在实施的过程中，上述处理器可以为特定用途集成电路(application specific integrated circuit，asic)、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、数字信号处理装置(digital signal processing device，dspd)、可编程逻辑装置(programmable logic device，pld)、现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)、中央处理器(central processing unit，cpu)、控制器、微控制器、微处理器中的至少一种。
143.图7为本发明实施例提供的一种电压调节装置的示意图，参见图7，所述装置至少包括：
144.获取模块701，用于获取所述晶体管的第一温度值；
145.控制模块702，用于在所述第一温度值处于预设温度范围内的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述晶体管的额定工作电压；
146.所述第一温度值大于第一阈值的情况下，控制所述晶体管的驱动电压升高，所述第一阈值大于或等于所述预设温度范围的上限。
147.在一种实现方式中，所述控制模块702，用于控制所述晶体管的驱动电压升高，包括：
148.控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，所述第一电压值与所述第一温度值成正相关。
149.在一种实现方式中，所述装置还用于：对所述晶体管的驱动电压进行第一限压处理，使所述晶体管的驱动电压小于或等于所述预设的限压值。
150.在一种实现方式中，所述控制模块702，在所述控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值之前，还用于确定与所述第一温度值对应的第一电压值；
151.所述控制模块702，用于控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值，包括：
152.在所述第一电压值小于或等于预设的最大电压的情况下，控制所述晶体管的驱动电压升高至第一电压值。
153.在一种实现方式中，所述装置还用于：在所述第一电压值大于所述预设的最大电压的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述预设的最大电压。
154.在一种实现方式中，所述控制模块702，在控制所述晶体管的驱动电压升高之后，还用于：
155.获取所述晶体管的第二温度值；
156.在所述第二温度值的变化趋势为降低趋势的情况下，控制所述晶体管的驱动电压降低；
157.在所述第二温度值处于预设温度范围内的情况下，将所述晶体管的驱动电压确定为所述额定工作电压。
158.需要说明的是，以上装置实施例的描述，与上述方法实施例的描述是类似的，具有同方法实施例相似的有益效果。对于本发明装置实施例中未披露的技术细节，请参照本发明方法实施例的描述而理解。
159.需要说明的是，本发明实施例中，如果以软件功能模块的形式实现上述的方法，并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是终端、服务器等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read only memory，rom)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。这样，本发明实施例不限制于任何特定的硬件和软件结合。
160.在一些实施例中，本发明实施例提供的装置具有的功能或包含的模块可以用于执行上文方法实施例描述的方法，其具体实现可以参照上文方法实施例的描述，为了简洁，这里不再赘述。
161.基于前述实施例相同的技术构思，参见图8，本发明实施例提供的电子设备800，可以包括：存储器801和处理器802；其中，
162.存储器801，用于存储计算机程序和数据；
163.处理器802，用于执行存储器中存储的计算机程序，以实现前述实施例中的任意一
种电压调节方法。
164.在实际应用中，上述存储器801可以是易失性存储器(volatile memory)，例如ram；或者非易失性存储器(non-volatile memory)，例如rom，快闪存储器(flash memory)，硬盘(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid-state drive，ssd)；或者上述种类的存储器的组合，并向处理器802提供指令和数据。
165.上文对各个实施例的描述倾向于强调各个实施例间的不同处，其相同或相似处可以互相参考，为了简洁，本文不再赘述。
166.本发明所提供的各方法实施例中所揭露的方法，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例。
167.本发明所提供的各产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。
168.本发明所提供的各方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
169.在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，示例性地，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
170.上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网格单元上；可以根据实际的可以选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
171.另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
172.本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤。
173.以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。