技术特征：
1.一种半导体集成电路，其特征在于，具备：运算放大器，接受第一电压的供给进行动作，并基于基准电压输出控制电压；第一输出晶体管，第一电极与第一电压线连接，并基于上述控制电压送出第一电流，其中，上述第一电压线是上述第一电压的供给线；以及过电流保护电路，与上述运算放大器连接，并具备温度系数调整用的电阻部。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，上述过电流保护电路具备：电流送出晶体管，基于上述控制电压送出第二电流；第一晶体管对，构成电流反射镜，并连接在上述电流送出晶体管的第二电极与第二电压线之间，送出具有与上述第二电流的电流量相应的电流量的第三电流，上述第二电压线是与上述第一电压不同的第二电压的供给线；以及第二晶体管对，构成电流反射镜，并连接在上述第一晶体管对与上述第一电压线之间，送出具有与上述第三电流的电流量相应的电流量的第四电流。3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电流送出晶体管的控制电极与供给上述控制电压的控制电压线连接，上述第一晶体管对具有：第一晶体管，第二电极以及控制电极与上述电流送出晶体管的上述第二电极连接，并且第一电极与上述第二电压线连接；以及第二晶体管，控制电极与上述第一晶体管的上述控制电极连接，上述第二晶体管对具有：第三晶体管，第二电极与上述控制电压线连接；以及第四晶体管，第二电极及控制电极与上述第二晶体管的第一电极连接，并且第一电极与上述第一电压线连接。4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电阻部具有第一电阻，上述第一电阻的一端与上述第一电压线连接，上述第一电阻的另一端与上述电流送出晶体管的第一电极连接。5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，上述第一电阻是具有负温度特性，并为了调整上述第二电流的温度系数而设置的电阻元件。6.根据权利要求4或5所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电阻部具有第二电阻，上述第二电阻的一端与上述第二电压线连接，上述第二电阻的另一端与上述第一晶体管对的上述第二晶体管的第二电极连接。7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，其特征在于，上述第二电阻是具有负温度特性，并为了调整上述第三电流的温度系数而设置的电阻元件。8.根据权利要求6或7所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电阻部具有第三电阻，上述第三电阻的一端与上述第一电压线连接，上述第三电阻的另一端与上述第二晶体管对的上述第三晶体管的第一电极连接。9.根据权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于，上述第三电阻是具有负温度特性，并为了调整上述第四电流的温度系数而设置的电阻元件。
10.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，上述过电流保护电路具备：电流送出晶体管，第一电极与上述第一电压线连接，并基于上述控制电压从第二电极送出第二电流；第一晶体管对，构成电流反射镜，并连接在上述电流送出晶体管的上述第二电极与第二电压线之间，送出具有与上述第二电流的电流量相应的电流量的第三电流，上述第二电压线是与上述第一电压不同的第二电压的供给线；第二晶体管对，构成电流反射镜，并连接在上述第一晶体管对与第三电压线之间，送出具有与上述第三电流的电流量相应的电流量的第四电流，上述第三电压线是第三电压的供给线；以及第三晶体管对，构成电流反射镜，并连接在上述第二晶体管对与上述第二电压线之间，送出具有与上述第四电流的电流量相应的电流量的第五电流。11.根据权利要求10所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电流送出晶体管的控制电极与供给上述控制电压的控制电压线连接，上述第一晶体管对具有：第一晶体管，第二电极及控制电极与上述电流送出晶体管的上述第一电极连接，并且第一电极与上述第二电压线连接；以及第二晶体管，控制电极与上述第一晶体管的上述控制电极连接，上述第二晶体管对具有：第三晶体管，第二电极及控制电极与上述第二晶体管的第二电极连接，并且第一电极与上述第三电压线连接；以及第四晶体管，控制电极与上述第三晶体管的上述控制电极连接，上述第三晶体管对具有：第五晶体管，第二电极及控制电极与上述第四晶体管的第二电极连接，并且第一电极与上述第二电压线连接；以及第六晶体管，控制电极与上述第五晶体管的上述控制电极连接，并且第二电极与上述运算放大器连接。12.根据权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电阻部具有第一电阻，上述第一电阻的一端与上述第二电压线连接，上述第一电阻的另一端与上述第一晶体管对的上述第二晶体管的第一电极连接。13.根据权利要求12所述的半导体集成电路，其特征在于，上述第一电阻是具有负温度特性，并为了调整上述第三电流的温度系数而设置的电阻元件。14.根据权利要求12或13所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电阻部具有第二电阻，上述第二电阻的一端与上述第三电压线连接，上述第二电阻的另一端与上述第二晶体管对的上述第四晶体管的第一电极连接。15.根据权利要求14所述的半导体集成电路，其特征在于，上述第二电阻是具有负温度特性，并为了调整上述第四电流的温度系数而设置的电阻元件。16.根据权利要求14或15所述的半导体集成电路，其特征在于，上述电阻部具有第三电阻，上述第三电阻的一端与上述第二电压线连接，上述第三电阻的另一端与上述第三晶体管对的上述第六晶体管的第一电极连接。17.根据权利要求16所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述第三电阻是具有负温度特性，并为了调整上述第五电流的温度系数而设置的电阻元件。18.根据权利要求11～17中的任意一项所述的半导体集成电路，其特征在于，上述第一电压是高电源电压，上述第二电压是接地电压，上述第三电压是比上述第一电压低的低电源电压，上述第一输出晶体管以及上述电流送出晶体管由与上述第一电压相应的高耐压的mos晶体管构成，上述第一晶体管、上述第二晶体管、上述第三晶体管、上述第四晶体管、上述第五晶体管以及上述第六晶体管由与上述第三电压相应的低耐压的mos晶体管构成。19.根据权利要求11～18中的任意一项所述的半导体集成电路，其特征在于，上述第三晶体管对的上述第六晶体管与设置于上述运算放大器的过电流保护端连接。20.一种半导体装置，其特征在于，具备：权利要求3～9、11～19中的任意一项所述的半导体集成电路；以及第二输出晶体管，接受上述第一电流，并送出具有与该第一电流的电流量相应的电流量的输出电流。21.根据权利要求20所述的半导体装置，其特征在于，上述第二输出晶体管是双极晶体管，第一电极与上述第一电压线连接，第二电极与上述第一输出晶体管的第二电极连接，第三电极与上述输出电流的输出节点连接。22.根据权利要求21所述的半导体装置，其特征在于，具备：反馈电压生成部，设置在上述输出节点与上述第二电压线之间，并对上述输出节点的输出电压和上述第二电压进行分压而生成反馈电压；以及负载，经由上述输出节点而连接，上述运算放大器具有：接受上述基准电压的施加的第一输入端、接受上述反馈电压的施加的第二输入端、以及经由上述控制电压线与上述第一输出晶体管的控制电极连接的输出端，上述运算放大器将与上述基准电压和上述反馈电压的电压差相应的上述控制电压施加到上述第一输出晶体管的上述控制电极。23.一种温度特性调整方法，是权利要求1所述的半导体集成电路中的温度系数调整方法，其特征在于，包括使上述电阻部的电阻值变化来调整上述第一电流的温度系数的步骤。
技术总结
本发明提供能够进行过电流保护并且进行温度特性的调整的半导体集成电路以及半导体装置。具备：运算放大器，接受第一电压的供给进行动作，基于基准电压输出控制电压；第一输出晶体管，第一电极与第一电压线连接，并基于控制电压送出第一电流，其中，上述第一电压线是第一电压的供给线；以及过电流保护电路，与上述运算放大器连接，并具备温度系数调整用的电阻部。阻部。阻部。
技术研发人员：藤野隆良
受保护的技术使用者：蓝碧石科技株式会社
技术研发日：2022.07.15
技术公布日：2023/1/23