技术特征：
1.基于耗尽型mos管的全mosfet低压带隙基准电路，其特征在于它包括ptat电流单元(1)，补偿匹配单元(2)，第一电流镜单元(3)，第二电流镜单元(4)和ctat电压单元(5)；所述ptat电流单元(1)，用于产生一个与温度正比的ptat电流，输出正温度系数电流iptat；它包括第一耗尽型nmos管mn1，所述第一耗尽型nmos管mn1，其栅极、源极和衬底均接gnd，其漏极输出正温度系数电流iptat；所述第一电流镜单元(3)，用于对ptat电流单元(1)输出的正温度系数电流iptat进行复制，并输出复制电流ibak至第二电流镜单元(4)；所述补偿匹配单元(2)，用于产生一个匹配电流imatch，对ptat电流进行噪声消除；它包括第二耗尽型nmos管mn2；所述第二耗尽型nmos管mn2，其栅极、源极和衬底均接gnd，其漏极输出匹配电流imatch；所述第二电流镜单元(4)，用于将补偿匹配单元(2)产生的匹配电流进行复制，并提供给ctat电压单元(5)；所述ctat电压单元(5)，用于产生一个具有负温度系数的电压v
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。2.如权利要求1所述的一种基于耗尽型mos管的全mosfet低压带隙基准电路，其特征在于，所述第一电流镜单元(3)包括第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第三pmos管mp3、第四pmos管mp4和第一电阻r1，共同构成自偏置的低压共源共栅电流镜结构；其中：所述第一pmos管mp1和第二pmos管mp2，其源极共同连接并作为第一输入端连接电源vdd，其栅极相连并连接至第三pmos管mp3的漏极；第一pmos管mp1的漏极连接第三pmos管mp3的源极和第一电阻r1的一端，第二pmos管mp2的漏极连接第四pmos管mp4的源极；所述第三pmos管mp3和第四pmos管mp4，其栅极相连并连接第一电阻r1的另一端并作为第二输入端连接正温度系数电流iptat；第四pmos管mp4的漏极作为输出端输出复制电流ibak。3.如权利要求1所述的一种基于耗尽型mos管的全mosfet低压带隙基准电路，其特征在于，所述第二电流镜单元(4)包括第五pmos管mp5、第六pmos管mp6；其中：所述第五pmos管mp5和第六pmos管mp6，其源极共同连接并作为第一输入端连接复制电流ibak，其栅极相连并连接至第五pmos管mp5的漏极并作为第二输入端连接匹配电流imatch；所述第六pmos管mp6的漏极作为输出端输出信号至ctat电压单元(5)。4.如权利要求1或2或3所述的一种基于耗尽型mos管的全mosfet低压带隙基准电路，其特征在于，所述第二电流镜单元(4)和第一电流镜单元(3)可采用相同的电路结构。5.如权利要求1所述的一种基于耗尽型mos管的全mosfet低压带隙基准电路，其特征在于，所述ctat电压单元(5)包括第三nmos管mn3；其中：所述第三nmos管mn3，其栅极、漏极和第六pmos管的mp6的漏极相连，作为带隙基准电压的输出端；其源极接gnd。
技术总结
本实用新型公开了一种基于耗尽型MOS管的全MOSFET低压带隙基准电路，包括PTAT电流单元(1)，补偿匹配单元(2)，电流镜单元(3)，电流镜单元(4)和CTAT电压单元(5)。PTAT电流单元(1)，用于产生一个与温度成正比的PTAT电流；补偿匹配单元(2)，用于产生一个匹配电流，对PTAT电流进行噪声消除；电流镜单元(3)，用于将PATA电流单元产生的与温度成正比的电流进行复制；电流镜单元(4)，用于将补偿匹配单元(2)产生的匹配电流进行复制；CTAT电压单元(5)，用于产生一个具有负温度系数的电压。本发明利用一个耗尽型NMOS管产生PTAT电流，适用于高频电路，且无需栅极偏置，电路结构简单。并且采用全MOSFET电路结构，工艺兼容性好。本实用新型适用于低带隙电压输出和高频电路设计场合。隙电压输出和高频电路设计场合。隙电压输出和高频电路设计场合。
技术研发人员：来新泉 周磊磊 李继生 席小玉
受保护的技术使用者：西安水木芯邦半导体设计有限公司
技术研发日：2022.08.29
技术公布日：2022/12/27