远程控制装置的制作方法

1.本实用新型涉及远程控制技术领域，特别涉及一种远程控制装置。


背景技术：

2.原子层沉积是(ald)一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积设备在进行作业时，实际是在沉积基底的表面进行镀膜。由于膜的生长速率很慢，在对膜的厚度需求变大时，对应的就需要花费更多的时间进行镀膜；而工作人员无法不休息、不间断的对原子层沉积设备进行监控与调整等操作。因此，虽然原子层沉积设备具有优异的镀膜能力，但是膜的生长速率过慢成为制约其发展的因素。


技术实现要素：

3.本实用新型的实施例提供一种远程控制装置，实现远程控制原子层沉积设备。
4.为了解决上述技术问题，本实用新型的实施例公开了如下技术方案：
5.一方面，提供了一种远程控制装置，包括：
6.采集组件，所述采集组件包括温控结构和气控结构，所述温控结构用于电连接原子层沉积设备并采集原子层沉积设备的第一数据信号,所述气控结构用于电连接原子层沉积设备并采集原子层沉积设备的第二数据信号；
7.前端组件、数据处理组件和终端组件，其中，所述前端组件与所述温控结构电连接，所述前端组件通过所述数据处理组件与所述气控结构电连接，所述前端组件和所述终端组件电连接。
8.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述温控结构包括温度控制器，所述前端组件与所述温度控制器、所述原子层沉积设备电连接。
9.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述温度控制器包括电连接的温度检测单元和继电器，所述温度检测单元用于采集所述原子层沉积设备的第一数据信号，所述继电器与所述前端组件、所述原子层沉积设备的加热组件电连接。
10.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述温度检测单元为温度传感器，所述继电器为ssr固态继电器。
11.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述流量控制器包括电磁阀，所述电磁阀与所述数据处理组件、所述原子层沉积设备的前驱体源组件电连接。
12.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述前端组件与所述温控结构通过rs485数据线电连接，所述前端组件与所述plc处理器通过过rs232数据线电连接，所述plc处理器与所述气控结构通过rs485数据线电连接。
13.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述数据处理组件包括plc处理器。
14.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述前端组件包括人机交互屏。
15.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述终端组件为电脑、手机和平板中的一种。
16.上述技术方案中的远程控制装置具有如下优点或有益效果：终端组件与前端组件通信后，终端组件、前端组件都能实现控制plc处理器和温控结构；由于plc处理器控制气控结构，进而终端组件、前端组件都能实现控制气控结构。终端组件操作实现远程调控制温控结构、气控结构，进而实现远程控制原子层沉积设备的各类组件，提高原子层沉积设备的使用率，使原子层沉积设备发展不再受其自身镀膜效率慢的制约。
附图说明
17.下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。
18.图1是根据本实用新型实施例提供的一种远程控制装置的结构图；
19.图2是根据本实用新型实施例提供的温控结构的结构连接图；
20.图3是根据本实用新型实施例提供的plc处理器的结构连接图。
具体实施方式
21.为了使本实用新型的目的、技术方案和有益效果更加清晰明白，以下结合附图和具体实施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本实用新型，并不是为了限定本实用新型。
22.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是指两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
23.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
24.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅
25.表示第一特征水平高度小于第二特征。
26.在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积是一种特殊的化学气相沉积技术，是通过将气相前驱体交替地通入原子层沉积腔室并在沉积基底表面发生气-固化学反应形成薄膜的一种方法。自限制表面化学反应是原子层沉积技术最基本、最核心的特点，由此决定了镀膜生长的均匀性和三维表面的共型性。
27.以氧化铝薄膜的原子层沉积为例，一个循环周期有四个过程：
28.一、前驱体三甲基铝(tma)进入原子层沉积腔室，其在沉积基底表面发生化学吸附反应a。
29.二、惰性气体进入原子层沉积腔室开始清洗，把未与沉积基底反应的tma和发生化学吸附反应a所产生的副产物甲烷排出原子层沉积腔室。其中，惰性气体可使用如高纯氮气或氩气。
30.三、将水蒸气通入原子层沉积腔室，其会与之前衬底表面已经化学吸附的tma继续进行表面化学反应b；
31.四、再次将惰性气体通入原子层沉积腔室，清洗多余的水蒸气和副产物甲烷。重复上述步骤，就可以通过设定循环次数精准的控制氧化铝薄膜的厚度，一般的，一个循环周期能生长0.1nm～0.12nm的氧化铝。
32.以氧化钛为例，其在工艺窗口内的生长速率约0.04nm/cycle。设定一个循环周期在30s，当需求是要生长40nm的氧化钛，就要花费8-9小时的生长时间。假如需要生长数百纳米的的氧化钛，那就要花费更长的时间。
33.原子层沉积虽然具有优异的镀膜品质，但是其生长速率过慢也成为相关领域内制约其发展的因素。参考图1、图2和图3，图1为本实施例的一种远程控制装置的结构图，图2为实施例的温控结构1的结构连接图，图3为本实施例柱的plc处理器3的结构连接图。因此，本文公开的示例性远程控制装置，包括：
34.采集组件，所述采集组件包括温控结构1和气控结构2，所述温控结构1用于电连接原子层沉积设备并采集原子层沉积设备的第一数据信号,所述气控结构2用于电连接原子层沉积设备并采集原子层沉积设备的第二数据信号。在本实施例中，温控结构1和气控结构2的数量至少一个。
35.前端组件、数据处理组件和终端组件。其中，所述前端组件与所述温控结构1电连接并进行控制。前端组件与温控结构1电连接，其与温控结构1进行数据交互、运算与展示。其中，温控结构1用于接受接收前端组件设定的第一数据信号并反馈其检测的第一数据信号，并实现控制原子层沉积设备中的加热组件的通断。第一数据信号包括温度参数。
36.所述前端组件通过所述数据处理组件与所述气控结构2电连接并进行控制。数据处理组件进行各种逻辑动作和数据运算处理。所述前端组件与数据处理组件2电连接，其与数据处理组件进行数据交互、运算与展示；所述数据处理组件与所述气控结构2电连接。其中，数据处理组件与气控结构2进行通讯，气控结构2主要接收前端组件向数据处理组件发送、数据处理组件向其发送设定的第二数据信号，以及检测数据向数据处理组件反馈其检测的第二数据信号。第二数据信号包括气体流量参数。所述前端组件、终端组件用于人机交互。
37.所述前端组件和所述终端组件电连接。所述前端组件和所述终端组件实时通信。
前端组件一般设置在实验室或者工厂等原子层沉积设备所在的场所。终端组件，一般可由工作人员随身携带或者是工作人员能就近找寻操作的。终端组件与前端组件进行通讯后，终端组件、前端组件都能实现控制温控结构1和数据处理组件；由于数据处理组件与气控结构2进行通讯，进而终端组件、前端组件都能实现控制气控结构2。
38.在本实施例中，所述温控结构1包括温度控制器，所述前端组件与所述温度控制器、所述原子层沉积设备电连接。
39.在本实施例中，如图2所示，所述温度控制器包括电连接的温度检测单元11和继电器12，所述温度检测单元11用于采集所述原子层沉积设备的第一数据信号，其中，温度检测单元11采集原子层沉积设备的原子层沉积腔室的第一数据信号。所述继电器12与所述前端组件、所述原子层沉积设备的加热组件电连接。
40.在本实施例中，所述温度检测单元11为温度传感器，所述继电器12为ssr固态继电器。值得说明的是，该温度传感器、ssr固态继电器仅是示例性地给出，只要能检测原子层沉积设备的温度参数的温度检测单元11、控制原子层沉积设备的加热组件的通断的继电器12均在本技术的保护范围内。在其他实施例中，温度检测单元11为热电偶。
41.在本实施例中，所述气控结构2包括流量控制器，所述数据处理组件与所述前端组件和所述流量控制器电连接，所述原子层沉积设备与所述流量控制器电连接。
42.在本实施例中，如图3所示，所述流量控制器包括电磁阀21，所述电磁阀21与所述数据处理组件、所述原子层沉积设备的前驱体源组件电连接。
43.值得说明的是，该电磁阀21仅是示例性地给出，只要能检测原子层沉积设备的前驱体源组件的真实气体流量参数的流量控制器均在本技术的保护范围内。
44.在本实施例中，所述前端组件与所述温控结构1通过rs485数据线电连接，所述前端组件与所述数据处理组件通过rs232数据线电连接，所述数据处理组件与所述气控结构2通过rs485数据线电连接。
45.在本实施例中，所述数据处理组件包括plc处理器3。plc处理器3控制原子层沉积设备中的加热组件的各类电磁阀21。
46.在本实施例中，如图1所示，所述前端组件包括人机交互屏4。
47.在本实施例中，所述终端组件为电脑、手机和平板中的一种。
48.上述远程控制装置，操作人机交互屏4调控温控结构1、气控结构2，实现近程操控原子层沉积设备。人机交互屏4和终端组件实时通信，终端组件将前人机交互屏4上的各类数据更为直观的展示出来；同时通过操作终端组件实现远程调控制温控结构1、气控结构2，实现远程控制原子层沉积设备的各类组件，进而提高原子层沉积设备的使用率，使原子层沉积设备发展不再受其自身镀膜效率慢的制约。根据需求远程使用终端组件，终端组件发送程序指令，温度传感器能接受接收程序指令设定的温度参数，并反馈其检测的原子层沉积腔室的真实温度参数，真实温度参数与设定的温度参数不同或设定需求改变时，终端组件控制继电器12通断，实现控制原子层沉积设备的加热组件的通断，进而实现调整设定的温度参数。
49.电磁阀21能接受接收程序指令设定的气体流量参数，并反馈其检测的前驱体源组件的真实气体流量参数，当真实气体流量参数与设定的气体流量参数不同或设定需求改变时，plc处理器3控制电磁阀21的启闭，进而实现调整设定的气体流量参数。
50.在本实施例中，原子层沉积设备包括原子层沉积腔室、前驱体源组件、加热组件和电源组件。原子层沉积腔室用于为原子层沉积提供反应场所。其中采集组件的温度传感器用于采集所述原子层沉积设备的温度信号。
51.所述前驱体源组件与所述原子层沉积腔室连接，并用于向所述原子层沉积腔室供气。前驱体源组件包括进气管路。进气管路与所述原子层沉积腔室连接，同时还与多个外部供气源连接，实现将不同的气体输送至原子层沉积腔室，以致能发生原子层沉积。
52.进气管路还包括进气管道。其中采集组件的电磁阀21用于控制进气管道通断。进气管路还包括设置在进气管道上的第一手动阀门。第一手动阀门实现手动控制进气管道的通断。
53.其中，原子层沉积设备还包括排气管路。排气管路用于将原子层沉积腔室内的气体排出。排气管路还包括排气管道。其中采集组件的电磁阀21用于控制排气管道通断。排气管路还包括设置在排气管道上的第二手动阀门。第二手动阀门实现手动控制排气管道的通断。
54.所述加热组件与所述原子层沉积腔室连接，并用于向所述原子层沉积腔室供热。热组件包括多个加热元件。其中采集组件的继电器12用于控制加热元件通断。
55.所述电源组件与前驱体源组件、加热组件电连接，电源组件用于向其供电。所述采集组件与所述前驱体源组件、所述加热组件和所述电源组件连接。电源组件用于向采集组件供电。
56.以上步骤所提供的介绍，只是用于帮助理解本实用新型的方法、结构及核心思想。对于本技术领域内的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也同样属于本实用新型权利要求保护范围之内。