技术特征：
1.一种低噪声的有源滤波电路，用于对带隙基准电压进行滤波，其特征在于，所述电路包括：第一mos管、第二mos管、恒流电源、滤波电容、带隙基准输入端及滤波电压输出端，所述第一mos管漏极及运算放大器的同相输入端与所述带隙基准输入端连接，所述第一mos管源极与所述滤波电压输出端及所述滤波电容一端连接，所述滤波电容另一端接地，所述运算放大器的输出端与所述第一mos管栅极及所述第二mos管栅极连接，所述运算放大器的反向输入端与所述第二mos管漏极及所述恒流电源一端连接，所述恒流电源另一端接地，所述第二mos管源极接地，所述第二mos管的尺寸大于所述第一mos管的尺寸。2.根据权利要求1所述的低噪声的有源滤波电路，其特征在于，所述第一mos管和所述第二mos管均为nmos管。3.根据权利要求1所述的低噪声的有源滤波电路，其特征在于，所述第二mos管的沟道宽长比为所述第一mos管的沟道宽长比的100倍或以上。4.根据权利要求1所述的低噪声的有源滤波电路，其特征在于，所述恒流电源为1na电源。5.根据权利要求1所述的低噪声的有源滤波电路，其特征在于，所述滤波电容的电容量为4pf或以上。6.根据权利要求1所述的低噪声的有源滤波电路，其特征在于，所述运算放大器包括：第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管和电流源，所述第三mos管和所述第四mos管源极与供电电源连接，所述第三mos管栅极和所述第四mos管栅极连接，所述第三mos管栅极和所述第三mos管漏极连接，所述第三mos管漏极与所述第五mos管漏极连接，所述第四mos管漏极与所述第六mos管漏极连接，所述第五mos管源极与所述第六mos管源极连接，所述第六mos管源极与所述电流源一端连接，所述电流源另一端接地，所述第四mos管的漏极与所述第一mos管栅极及所述第二mos管栅极连接，所述第五mos管的栅极与所述带隙基准输入端连接，所述第六mos管栅极与所述第二mos管漏极连接。7.根据权利要求6所述的低噪声的有源滤波电路，其特征在于，所述供电电源为vdd。8.根据权利要求6所述的低噪声的有源滤波电路，其特征在于，所述第三mos管和所述第四mos管为pmos管，所述第五mos管和第六mos管为nmos管。9.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括：带隙基准电压产生电路及如权利要求1-8任一项所述的低噪声的有源滤波电路，所述带隙基准电压产生电路的输出端与所述带隙基准输入端连接。10.一种电源管理芯片，其特征在于，所述电源管理芯片包括如权利要求9所述的带隙基准电路。
技术总结
本实用新型涉及集成电路技术领域，具体公开了一种低噪声的有源滤波电路、带隙基准电路及电源管理芯片，其中，该低噪声的有源滤波电路包括：第一MOS管、第二MOS管、恒流电源、滤波电容、带隙基准输入端及滤波电压输出端；该低噪声的有源滤波电路基于运算放大器和第一MOS管构成等效大电阻，并利用第二MOS管和恒流电源控制第二MOS管的等效电阻，使得第二MOS管的导通电阻与第一MOS管的电阻之比与两者的尺寸之比成反比，从而实现在无需置入电阻器件的情况下获取一个等效大电阻以构成高指数的RC电路，有效降低滤波电路的截止频率，提高滤波效果，并可采用电容量低于一般滤波电路的滤波电容，从而减少了整个电路的面积。从而减少了整个电路的面积。从而减少了整个电路的面积。
技术研发人员：刘永锋 王兵
受保护的技术使用者：芯天下技术股份有限公司
技术研发日：2022.12.26
技术公布日：2023/3/28