单be结连续输出开关电容带隙基准电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及调节电压或电流的装置技术领域，尤其涉及一种单BE结连续输出开关电容带隙基准电路。
【背景技术】
[0002]基准电路是所有集成电路系统中最重要的模块之一，为其他电路模块提供高精度和高稳定性的电压基准或电流基准，广泛应用于数字和模拟集成电路中，比如DC-DC调制器、线性稳压器、数模/模数转换电路、闪存、各种驱动器、通信发射、接收器等电路。其中，带隙基准由于结构原理简单、实现方便、性能优良，应用最为广泛，其特性直接关系系统的整体性能。
[0003]传统的带隙基准电路受到运算放大器输入失调电压影响较大，同时为了减小单路电流降低静态功耗，一般采用大的比例电阻，容易占用过大芯片面积。基于开关电容的带隙基准电路可以解决运放的失调电压问题，但采用8:1甚至更大比例的三极管(或二极管)，仍然不能避免面积过大的问题。且由于制造工艺误差带来的三极管比例的偏差以及电流镜比例的偏差也会对基准的输出精度带来影响。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种单BE结连续输出开关电容带隙基准电路，所述电路的输出基准电压更精确，工艺灵活性和稳定性更高，芯片面积小，没有采用电阻，可与标准数字CMOS工艺兼容，兼容性强。
[0005]为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是:一种单BE结连续输出开关电容带隙基准电路，其特征在于:所述基准电路包括电流源组1、第一可控开关组sa、BE结产生电路、第二可控开关组Sb、电压存储电路组a、可控开关Stl-S6、第一电压存储电路、电压平均存储电路、第一加法电路、增益电路K、第二电压存储电路、第二加法电路和第三电压存储电路，电源VDD依次经电流源组1、第一可控开关组33与BE结产生电路的发射极连接，BE结产生电路的发射极第一路依次经可控开关Stl、第一电压存储电路、可控开关S2与第一加法电路的减输入端连接，BE结产生电路的发射极其余路依次经第二可控开关组Sb、电压存储电路组a、电压平均存储电路、可控开关SI与第一加法电路的加输入端连接，第一加法电路的输出端依次经增益电路K、可控开关S3、第二电压存储电路、可控开关&与第二加法电路的一个加输入端连接，第一电压存储电路与可控开关S2的结点经可控开关S4与第二加法电路的另一个加输入端连接，第二加法电路的输出端经可控开关36与第三电压存储电路的一端连接，第三电压存储电路的另一端为所述基准电路的电压输出端。
[0006]进一步的技术方案在于:所述电流源组I包括若干个电流源In，所述第一可控开关组Sa包括与所述电流源I n个数相同的可控开关S m，所述第二可控开关组Sb包括与所述电流源In个数相同的可控开关S bn，所述电压存储电路组a包括与所述电流源1?个数相同的电压存储电路an，电流源I1与可控开关S al串联，电流源I 2与可控开关S a2串联，依次类推，电流源In与可控开关S m串联，相互串联的电流源I n和可控开关S m形成若干条电流源支路，上述若干条电流源支路相互并联；可控开关Sbl与电压存储电路al串联，可控开关Sb2与电压存储电路a2串联，依次类推，可控开关Sbn与电压存储电路an串联，相互串联的可控开关Sbn和电压存储电路an形成若干条电压存储支路，上述若干条电压存储支路相互并联，所述η为大于等于2的自然数。
[0007]进一步的技术方案在于:所述基准电路还包括位于电压平均存储电路与电压存储电路组a之间的第三可控开关组Sc，所述第三可控开关组Sc包括与所述电流源I ?个数相同的可控开关Sm，所述可控开关Sbl依次与电压存储电路al、可控开关S &串联，所述可控开关Sb2依次与电压存储电路a2、可控开关S。2串联，依次类推，所述可控开关S bn依次与电压存储电路an、可控开关Sm串联，相互串联的可控开关S bn、电压存储电路an、可控开关Sm形成若干条电压存储支路，上述若干条电压存储支路相互并联，所述η为大于等于2的自然数。
[0008]进一步的技术方案在于:所述电压存储电路为电容。
[0009]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:所述基准电路通过控制开关导通顺序控制BE结产生电路上流过不同电流从而产生不同的电压进而减少三极管或二极管的使用个数，通过多路平均求值，确保更高精度的基准电压输出，具有极大的工艺灵活性和稳定性，本发明没有采用电阻，可与标准数字CMOS工艺兼容，兼容性强。
【附图说明】
[0010]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0011]图1是本发明的原理框图；
图2是本发明实施例一的原理图；
图3是本发明实施例一的输出波形。
【具体实施方式】
[0012]下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0013]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0014]本发明公开了一种单BE结连续输出开关电容带隙基准电路，所述基准电路包括电流源组1、第一可控开关组sa、BE结产生电路、第二可控开关组Sb、电压存储电路组a、可控开关Stl-S6、第一电压存储电路(即图1中的存储电路I)、电压平均存储电路、第一加法电路、增益电路K、第二电压存储电路(即图1中的存储电路2)、第三可控开关组S。，第二加法电路和第三电压存储电路(即图1中的存储电路3)。
[0015]具体连接关系如图1所示，电源VDD依次经电流源组1、第一可控开关组&与BE结产生电路的发射极连接，BE结产生电路的发射极第一路依次经可控开关Stl、第一电压存储电路、可控开关S2与第一加法电路的减输入端连接，BE结产生电路的发射极其余路依次经第二可控开关组sb、电压存储电路组a、第三可控开关组S。、电压平均存储电路、可控开关SI与第一加法电路的加输入端连接，第一加法电路的输出端依次经增益电路K、可控开关S3、第二电压存储电路、可控开关35与第二加法电路的一个加输入端连接，第一电压存储电路与可控开关S2的结点经可控开关S 4与第二加法电路的另一个加输入端连接，第二加法电路的输出端经可控开关S6与第三电压存储电路的一端连接，第三电压存储电路的另一端为所述基准电路的电压输出端。
[0016]如图1所示，所述电流源组I包括若干个电流源In，所述第一可控开关组Sa包括与所述电流源In个数相同的可控开关S an，所述第二可控开关组Sb包括与所述电流源I ?个数相同的可控开关Sbn，所述第三可控开关组Sc包括与所述电流源I n个数相同的可控开关Sm，所述电压存储电路组a包括与所述电流源In个数相同的电压存储电路an (在本发明中η为大于等于2的自然数)。
[0017]电流源I1与可控开关S al串联，电流源12与可控开关S a2串联，依次类推，电流源I n与可控开关San串联，相互串联的电流源I n和可控开关S m形成若干条电流源支路，上述若干条电流源支路相互并联。所述可控开关Sbl依次与电压存储电路al、可控开关S d串联，所述可控开关Sb2依次与电压存储电路a2、可控开关Se2串联，依次类推，所述可控开关Sbn依次与电压存储电路an、可控开关Sm串联，相互串