技术总结
本发明实施例提供一种片上RAM BIST方法和装置，其中方法包括：预先设置写入功能模式Pattern和测试功能Pattern；当RAM BIST模块接收到写入功能Pattern时，RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态，并将写入功能Pattern中的指令写入RAM，CPU将取值地址映射到对应的RAM，并根据所述取值地址读取指令；当RAM BIST模块接收到测试功能Pattern时，基于March LR算法，从所述测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试，并输出测试结果。本发明实施例能够提高测试芯片数量、节约检测时间、减少检验步骤，从而降低芯片测试成本和提高测试效率。
技术研发人员：王震;张祥杉;
受保护的技术使用者：大唐微电子技术有限公司;大唐半导体设计有限公司;
技术研发日：2016.02.23
技术公布日：2016.07.13