1.混合传感器/通信设备，其包括：
射频识别(RFID)通信设备(12)，其中所述RFID设备(12)包括：
天线(22)；和
晶态无机半导体集成电路(20)，其与所述天线(22)结合以利于与所述混合设备外部的设备通信；以及
传感器设备(14)，其与所述晶态无机半导体集成电路(20)可操作地连接；
其特征在于，所述传感器设备(14)包括处理器，其包括有机半导体材料或非晶无机半导体材料中的至少一种，并且所述RFID设备(12)包括电源(60)，所述电源(60)提供高电压和低电压，其中所述低电压用于所述晶态无机半导体集成电路(20)的内部运行，所述高电压用于所述传感器设备(14)的运行，并且其中所述集成电路和所述处理器由两种不同的材料组成。
2.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，其中所述传感器设备(14)包括所述有机半导体材料。
3.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，其中所述传感器设备(14)包括所述非晶无机半导体材料。
4.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，其中所述传感器设备(14)还包括与所述处理器(40)可操作地连接的一个或多个传感器垫。
5.根据权利要求4所述的混合传感器/通信设备，其中所述处理器(40)与所述晶态无机半导体集成电路(20)可操作地连接。
6.根据权利要求4所述的混合传感器/通信设备，其中所述一个或多个传感器垫(41-46)包括酶传感器、化学传感器、集成温度/时间监测器、光学传感器、热传感器、压力传感器、湿度传感器、电磁传感器和声传感器中的一个或多个。
7.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，其中所述晶态无机半导体集成电路(20)是插件(26)的一部分，所述插件(26)包括与所述晶态无机半导体集成电路(20)和所述天线(22)都连接的导电引线(28)。
8.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，其中所述天线(22)是金属箔天线。
9.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，进一步包括连接至所述金属箔天线(22)的基底(56)，和所述传感器设备(14)在一个或多个金属片(58)上形成，以及所述金属箔天线(22)从单个金属箔层切割。
10.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，其中所述有机半导体材料或所述非晶无机半导体材料中的至少一种包括印制的材料。
11.根据权利要求1所述的混合传感器/通信设备，其中所述电源(60)与所述天线(22)可操作地连接，以整流由所述天线(22)接收的能量，产生所述高电压和所述低电压。
12.制造混合传感器/通信设备的方法，所述方法包括：
在金属层上形成传感器设备(14)，其中所述传感器设备(14)包括处理器，其包括有机半导体材料或非晶无机半导体材料中的至少一种；
去除部分所述金属层，以分开所述金属层的天线(22)与所述传感器设备(14)所处的金属层的一个或多个金属片(58)；和
将晶态无机半导体集成电路(20)与所述天线(22)连接，从而生产与所述传感器设备(14)可操作地连接的射频识别(RFID)通信设备(12)，并且所述RFID设备(12)包括电源(60)，所述电源(60)提供高电压和低电压，其中所述低电压用于所述晶态无机半导体集成电路(20)的内部运行，所述高电压用于所述传感器设备(14)的运行，并且其中所述集成电路和所述处理器由两种不同的材料组成。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述形成传感器设备(14)包括将有机半导体材料或非晶无机半导体材料中的至少一种印制在所述金属层上。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述去除包括模切所述金属层。