一种基于Nano‑SIM卡和TF卡的合成卡的制作方法

本实用新型涉及手机配件领域，具体设计一种基于Nano-SIM卡和TF卡的合成卡。

背景技术：

作为时尚消费类产品，智能手机的外观，厚度也越来越被消费者重视，也就要求手机研发中，主板上器件的布局越来越紧凑，作为手机必不可少的SIM卡座、TF卡座占用的空间较大，如何压缩SIM卡座和TF卡座所占的空间，也就成为手机研发中解决器件布局的重点。

现有的手机中经常使用的三选二手机卡座包括SIM卡槽和TF卡槽，其中SIM卡槽安装micro SIM卡，TF卡槽能横向安装nano SIM卡或者竖向安装TF卡，但是TF卡槽不能同时兼容nano SIM卡和TF卡同时使用的情况，只能分开使用，因此现有的三选二手机卡座只能支持micro SIM卡和nano SIM卡同时使用，或者micro SIM卡和TF卡同时使用的情况，不能实现micro SIM卡、nano SIM卡和TF卡同时使用的功能，而且当只需要使用一个SIM卡和TF卡时，需要同时占用SIM卡槽和TF卡槽，占用空间大。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足提供一种基于Nano-SIM卡和TF卡的合成卡，本基于Nano-SIM卡和TF卡的合成卡能在一个卡槽中同时使用Nano-SIM卡和TF卡，占用手机空间小，而且将本实用新型应用在现有的三选二手机卡座中，能实现micro SIM卡、nano SIM卡和TF卡同时使用的功能。

为实现上述技术目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种基于Nano-SIM卡和TF卡的合成卡，包括Nano-SIM卡和TF卡，所述TF卡包括TF金属部分和TF塑料部分，所述TF塑料部分位于所述TF金属部分的下面，所述Nano-SIM卡包括SIM金属部分和SIM塑料部分，所述SIM塑料部分位于所述SIM金属部分的右端，所述TF金属部分下面的TF塑料部分的表面开有横向的凹槽且所述凹槽的高度与所述Nano-SIM卡的高度相等，所述Nano-SIM卡安装在凹槽内从而实现Nano-SIM卡和TF卡的连接，且所述SIM金属部分的背面与凹槽接触，所述Nano-SIM卡的左端与所述TF卡的左端齐平。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，还包括L型基板，所述SIM塑料部分的下端开有第一缺口，所述TF塑料部分的右端开有第二缺口且所述第二缺口位于SIM金属部分的右下角，所述L型基板的一端安装在所述第一缺口内，所述L型基板的另一端安装在第二缺口内。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述L型基板的一端通过铆钉安装在所述第一缺口内，所述L型基板的另一端通过铆钉安装在第二缺口内。

本实用新型将Nano-SIM卡和TF卡合成在一起，能在一个卡槽中同时使用Nano-SIM卡和TF卡，节约手机内卡槽的空间，而且将本实用新型应用在现有技术的三选二手机卡座的TF卡槽中，三选二手机卡座能实现micro SIM卡、nano SIM卡和TF卡同时使用的功能。

附图说明

图1为本实用新型的结构分解示意图。

图2为本实用新型的结构示意图。

图3为本实用新型的结构整体示意图。

具体实施方式

下面根据图1、图2和图3对本实用新型的具体实施方式作出进一步说明：

参见图1，一种基于Nano-SIM卡和TF卡的合成卡，包括Nano-SIM卡和TF卡，TF卡包括TF金属部分1和TF塑料部分2，TF塑料部分2位于TF金属部分1的下面，Nano-SIM卡包括SIM金属部分3和SIM塑料部分4，SIM塑料部分4位于SIM金属部分3的右端，TF金属部分1下面的TF塑料部分2的表面开有横向的凹槽5且凹槽5的高度与Nano-SIM卡的高度相等，Nano-SIM卡安装在凹槽5内从而实现Nano-SIM卡和TF卡的连接，且SIM金属部分3的背面与凹槽5接触，Nano-SIM卡的左端与TF卡的左端齐平。

进一步地，参见图2和图3，还包括L型基板8，SIM塑料部分4的下端开有第一缺口6，TF塑料部分2的右端开有第二缺口7且第二缺口7位于SIM金属部分3的右下角，L型基板8的一端安装在第一缺口6内，L型基板8的另一端安装在第二缺口7内。

进一步地，L型基板8的一端通过铆钉安装在第一缺口6内，L型基板8的另一端通过铆钉安装在第二缺口7内。

本实用新型的组装过程为：在TF卡的TF塑料部分2的表面开有凹槽5，使凹槽5的高度与Nano-SIM卡的高度相等，将Nano-SIM卡放入TF卡的凹槽5内，SIM金属部分3的背面与凹槽5接触且Nano-SIM卡的左端与TF卡的左端齐平，在SIM塑料部分4的下端开有第一缺口6，TF塑料部分2的右端开有第二缺口7，将L型基板8一端通过铆钉固定在SIM塑料部分4的第一缺口6内，L型基板8的另一端通过铆钉固定在TF塑料部分2的第二缺口7内。

本实用新型的保护范围包括但不限于以上实施方式，本实用新型的保护范围以权利要求书为准，任何对本技术做出的本领域的技术人员容易想到的替换、变形、改进均落入本实用新型的保护范围。