1.一种用于存储介质的损耗均衡的装置,其中所述装置在多个电源周期的通电时段期间被供应电力,并且所述装置包括:
存储元件,所述存储元件在所述多个电源周期中的电源周期的断电时段或休眠时段期间存储键值;
地址转换逻辑,被配置为将逻辑地址映射到所述存储介质中的物理地址,其中所述映射取决于所述键值;以及
键更新逻辑,被配置为更新存储在所述存储元件中的所述键值;
其中所述键值在所述多个电源周期中的一个或多个电源周期被更新,并且从所述逻辑地址到所述物理地址的映射在所述一个或多个电源周期中的一个电源周期到另一个电源周期是变化的。
2.如权利要求1所述的装置,其中,所述存储元件包括非易失性存储器。
3.如权利要求2所述的装置,其中,所述存储元件包括相关电子开关(CES)存储元件。
4.如权利要求1所述的装置,其中:
所述键值包括地址偏移值;
所述地址转换逻辑包括具有所述逻辑地址和所述地址偏移值作为输入的加法器;并且
所述键更新逻辑被配置为在电源周期的通电时段结束时将最近访问的物理地址存储在所述存储元件中。
5.如权利要求1所述的装置,其中:
所述键值包括地址偏移值;
所述地址转换逻辑包括具有所述逻辑地址和所述地址偏移值作为输入的加法器;并且
所述地址偏移值包括在电源周期的通电时段期间访问的物理地址的一个或多个位。
6.如权利要求1所述的装置,其中:
所述地址转换逻辑包括地址加扰器;
所述键值包括加扰器的状态;并且
所述键更新逻辑被配置为根据当前状态生成所述加扰器的下一个状态。
7.如权利要求6所述的装置,其中,所述地址加扰器从以下加扰器组进行选择,包括:
计数器;
线性反馈移位寄存器(LFSR);
散列函数;
密码原语;以及
物理不可克隆函数。
8.如权利要求1所述的装置,其中,所述地址转换逻辑被配置为执行所述逻辑地址与所述键值之间的按位XOR或XNOR操作以提供所述物理地址。
9.如权利要求1所述的装置,其中:
所述地址转换逻辑包括多路复用器阵列;
所述多路复用器阵列的每个多路复用器接收所述逻辑地址作为输入,选择所述逻辑地址的一个位,并且输出选择的位作为所述物理地址的一个位;并且
对要输出的所述逻辑地址的一个位的选择取决于所述键值。
10.如权利要求9所述的装置,其中,所述多路复用器阵列被配置为产生所述逻辑地址与所述物理地址之间的双射映射。
11.如权利要求1所述的装置,其中,所述地址转换逻辑被配置为对逻辑地址的位位置进行加扰以产生所述物理地址。
12.如权利要求1所述的装置,其中,所述键值响应于通电、断电或休眠操作而被更新。
13.如权利要求1所述的装置,还包括所述存储介质,其中所述存储介质包括易失性存储器。
14.如权利要求1所述的装置,其中,所述存储元件、所述地址转换逻辑和所述键更新逻辑被嵌入在单个集成电路中。
15.一种控制电动装置的存储介质的使用的方法,所述方法包括:
接收逻辑存储器地址;
将所述逻辑存储器地址映射到所述存储介质中的物理存储器地址,其中所述映射取决于键值;
在所述物理存储器地址处访问所述存储介质;以及
在所述电动装置的一个或多个电源周期处更新所述键值。
16.如权利要求15所述的方法,其中,将所述逻辑存储器地址映射到所述物理存储器地址包括,重新排列所述逻辑存储器地址的位、翻转所述逻辑存储器地址的位、或其组合。
17.如权利要求15所述的方法,还包括将更新的键值存储在非易失性存储器中。
18.如权利要求17所述的方法,其中,将所述更新的键值存储在所述非易失性存储器中包括将所述更新的键值存储在相关电子随机存取存储器(CeRAM)中。
19.如权利要求17所述的方法,其中,所述键值包括地址偏移值,并且其中:
将所述逻辑存储器地址映射到所述物理存储器地址包括,将所述逻辑存储器地址与所述地址偏移值相加;并且
在所述电动设备的一个或多个电源周期处更新所述键值包括,在电源周期的通电时段结束时将最近访问的物理存储器地址存储在非易失性存储器中。
20.如权利要求17所述的方法,其中,所述键值包括地址偏移值,并且其中:
将所述逻辑存储器地址映射到所述物理存储器地址包括,将所述逻辑地址与所述地址偏移值相加;并且
在所述电动设备的一个或多个电源周期处更新存储在所述非易失性存储器中的所述键值包括,存储在断电或休眠操作之前访问的物理存储器地址的一个或多个位。
21.如权利要求17所述的方法,其中,所述键值包括加扰器的状态,并且其中:
将所述逻辑存储器地址映射到所述物理存储器地址包括,在所述加扰器中对所述逻辑存储器地址进行加扰;并且
在每个电源周期处更新存储在所述非易失性存储器中的所述键值包括,根据当前状态生成所述加扰器的下一个状态。
22.如权利要求21所述的方法,其中,所述加扰器从以下加扰器组进行选择,包括:
计数器;
线性反馈移位寄存器(LFSR);
散列函数;
密码原语;以及
物理不可克隆函数。
23.如权利要求15所述的方法,其中,将所述逻辑存储器地址映射到所述物理存储器地址包括:
针对多路复用器阵列的每个多路复用器:
将所述逻辑存储器地址输入到所述多路复用器;
根据所述键值来控制所述多路复用器以选择所述逻辑存储器地址的一个位;
输出选择的所述逻辑存储器地址的一个位作为所述物理存储器地址的一个位,
其中所述多路复用器阵列被配置为产生所述逻辑存储器地址与所述物理存储器地址之间的双射映射。
24.如权利要求15所述的方法,其中,所述键值响应于断电、休眠操作或通电操作而被更新。