触控面板、触控显示装置及制作触控面板的方法与流程

本发明涉及一种触控面板、触控显示装置及制作触控面板的方法，特别是涉及一种可减少桥接线反射率的触控面板、触控显示装置及制作触控面板的方法。

背景技术：

触控面板已广泛使用在各式电子产品中，藉此让使用户可直接与电子产品沟通而取代键盘与鼠标等传统输入设备，以缩减电子产品的体积并提升人机在沟通上的便利性。在习知的触控面板中，感测电极彼此之间可靠桥接线而互相电连接，且桥接线可利用透明导电材料(如氧化铟锡(indiumtinoxide，ito))制作。一般而言，透明导电材料虽然拥有较低的反射率，但缺点是其阻抗较高。因此，当触控面板往大尺寸发展时，桥接线会改用金属材料制作，以降低桥接线的阻抗。然而，由于金属材料本身的特性，因此若以金属材料制作桥接线时，会使得桥接线具有较高的反射率进而造成触控面板视效上的问题。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是触控面板中的桥接线使用金属材料制作时，会使得桥接线具有较高的反射率进而造成触控面板视效上的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种触控面板的制作方法，包括以下步骤。首先，在一基板上形成多个第一感测电极和多个第二感测电极，接着形成多个桥接线，其中两相邻的第一感测电极是由桥接线的其中至少一个所连接，而桥接线的制作方法包括以下步骤。首先在基板上形成一金属层，其中金属层的材料包括银。接着在金属层的一表面上形成一光阻层，其中光阻层的材料包括硫。然后，对金属层和光阻层进行一光刻工艺与一蚀刻工艺以形成桥接线。其中在形成光阻层之后，金属层中的银会与光阻层中的硫反应形成一硫化银层。

为解决上述技术问题，本发明提供一种触控面板，其包括一基板、多个第一感测电极和多个桥接线。第一感测电极和桥接线设置于基板上，其中两相邻的第一感测电极是由多个桥接线的其中至少一个所连接，且桥接线包括一图案化金属层和一图案化硫化银层，其中图案化金属层设置在基板与图案化硫化银层之间。

为解决上述技术问题，本发明提供一种触控显示装置，其包括一第一基板、一显示介质层以及一触控面板。显示介质层设置于第一基板上，触控面板设置于显示介质层上。触控面板包括一第二基板以及多个第一感测电极和多个桥接线设置于第二基板上。其中两相邻的第一感测电极是由多个桥接线的其中至少一个所连接，且桥接线包括一图案化金属层和一图案化硫化银层，其中图案化金属层设置在第二基板与图案化硫化银层之间。

在本发明的触控面板、触控显示装置及制作触控面板的方法中，桥接线具有图案化硫化银层位在图案化金属层的表面上。由于硫化银的颜色是黑色并具有较低的反射率，因此能改善习知金属桥接线的高反射率所造成触控面板视效上的问题。同时，桥接线中的图案化金属层仍能使得桥接线保有较低的阻抗。另外，在本发明桥接线的制作方法中，将银作为形成桥接线的金属层中的其中一种材料，并在后续的光刻工艺中使用含硫的光阻材料，透过银和硫容易反应的特性在光阻层和金属层之间形成硫化银层。因此，透过本发明的方法制作桥接线不会增加整体制作触控面板的制程数量或困难度。

附图说明

图1为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成桥接线和走线的上视示意图。

图2至图6为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成桥接线的制作方法示意图。

图7为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成绝缘块的上视示意图。

图8为沿图7中a-a'剖线的剖面示意图。

图9为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成第一感测电极、第二感测电极和连接线的上视示意图。

图10为沿图9中a-a'剖线的剖面示意图。

图11为本发明触控面板的制作方法的步骤流程图。

图12为本发明桥接线的制作方法的步骤流程图。

图13至图15为本发明第一实施例的第一变化实施例桥接线的制作方法示意图。

图16至图18为本发明第一实施例的第二变化实施例桥接线的制作方法示意图。

图19至图24为本发明第二实施例触控面板的制作方法的示意图。

图25至图28为本发明第三实施例触控面板的制作方法的示意图。

图29为本发明第一实施例触控显示装置的剖面示意图。

图30为本发明第二实施例触控显示装置的剖面示意图。

图31为本发明第三实施例触控显示装置的剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

10触控面板

20、40、60触控显示装置

30、70显示面板

50触控元件层

100基板

100a第五表面

100b第六表面

102桥接线

104走线

106金属层

1061金属银层

1062金属铝层

1063金属钼层

108光阻层

110硫化银层

114光刻工艺

116图案化光阻层

118蚀刻工艺

120图案化金属层

1201图案化金属银层

1202图案化金属铝层

1203图案化金属钼层

122图案化硫化银层

124绝缘块

126第一感测电极串

1261第一感测电极

128第二感测电极串

1281第二感测电极

1282连接线

130接触垫

132图案化绝缘层

1341、1342接触洞

301下基板

301a、701a第一表面

301b、701b第二表面

302、702薄膜晶体管

303、703第一电极

304显示介质层

305上基板

305a、706a第三表面

305b、706b第四表面

701第一基板

704有机发光二极管元件层

705第二电极

706薄膜封装层

d1第一方向

d2第二方向

r1主动区

r2周边区

具体实施方式

为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的优选实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关的组件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的组件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示的组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。

请参考图1至图12，图1为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成桥接线和走线的上视示意图，图2至图6为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成桥接线的制作方法示意图，图7为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成绝缘块的上视示意图，图9为本发明第一实施例触控面板的制作方法中形成第一感测电极、第二感测电极和连接线的上视示意图，其中图8和图10分别为沿图7和图9中a-a'剖线的剖面示意图，图11为本发明触控面板的制作方法的步骤流程图，而图12为本发明桥接线的制作方法的步骤流程图。本实施例的触控面板的制作方法包括以下步骤。首先如图1所示，先在一基板100上形成多条桥接线102和多条走线104，其中基板100定义有一主动区r1以及一周边区r2位于主动区r1之至少一侧，而本实施例的周边区r2环绕主动区r1，但不以此为限。桥接线102和走线104设置于基板100的表面上，其中桥接线102设置在主动区r1内且走线104设置在周边区r2内。基板100可为硬质基板例如玻璃基板、塑料基板、石英基板或蓝宝石基板，也可为例如包括聚亚酰胺材料(polyimide，pi)或聚对苯二甲酸乙二酯材料(polyethyleneterephthalate，pet)的可挠式基板，但不以此为限。以下将详细说明本实施例桥接线102的制作方法。首先如图2所示，在基板100上全面形成一金属层106，其中金属层106的材料包括银。举例而言，本实施例的金属层106具有一叠层结构并包括一金属银层1061、一金属铝层1062以及一金属钼层1063，其中金属银层1061位在叠层结构的最上层，金属钼层1063位在叠层结构的最下层，且金属铝层1062位在金属银层1061和金属钼层1063之间。金属层106的叠层结构的制作方式可例如是依序分别由下而上形成金属钼层1063、金属铝层1062以及金属银层1061，其中金属银层1061、金属铝层1062以及金属钼层1063可例如是透过溅镀制程(sputteringprocess)所沉积形成，但不限于此。举例而言，在本实施例中，金属银层1061的厚度为约75埃(angstrom)至约1000埃，金属铝层1062的厚度为约1000埃至约4000埃，以及金属钼层1063的厚度为约100埃至约1000埃，但不限于此。接着，如图3所示，在金属层106的表面上形成一光阻层108，亦即在本实施例中，光阻层108是形成在金属银层1061的表面上。光阻层108为包含硫的感光材料。因为通常正型光阻的材料包含硫，在本实施例中的光阻层108为正型光阻层，但不限于此。在某些实施例中，光阻层108可为包含硫的负型光阻层。在形成光阻层108之后，由于光阻层108与金属层106的表面直接接触以及银与硫间具有很强的反应势的特性，因此金属银层1061中的一部分能够和光阻层108中的硫产生反应而形成硫化银层110位在金属银层1061以及光阻层108之间，其中此化学反应的反应式为2ag+s→ag2s。硫化银层110的颜色是黑色，因此可降低光线反射率。在本实施例中，光阻层108可例如是透过一旋涂制程(spincoatingprocess)所形成，但不限于此。

接着，如图4所示，先利用光阻层108的感光特性对其进行一光刻工艺114以形成一图案化光阻层116，然后利用图案化光阻层116作为掩模进行一蚀刻工艺118。本实施例的蚀刻工艺118是对硫化银层110、金属银层1061、金属铝层1062以及金属钼层1063进行蚀刻，移除没有被图案化光阻层116覆盖的硫化银层110与金属层106，以形成一图案化硫化银层122、一图案化金属银层1201、一图案化金属铝层1202以及一图案化金属钼层1203，其中图案化金属银层1201、图案化金属铝层1202以及图案化金属钼层1203构成具有一图案化叠层结构的图案化金属层120。此外，在金属层106的表面上形成光阻层108之后，且在对其进行一光刻工艺114以形成一图案化光阻层116前，可对光阻层108进行一烘烤工艺(亦称预烘烤工艺)，以将光阻层108中的溶剂蒸发，此烘烤工艺的烘烤温度为约80℃至160℃，且时间可为1分钟至5分钟，但不限于此。另一方面，在形成一图案化光阻层116之后，且在移除没有被图案化光阻层116覆盖的硫化银层110与金属层106前，可对光阻层108进行一烘烤工艺(亦称硬烘烤工艺)，以将图案化光阻层116硬化，此烘烤工艺的烘烤温度为约80℃至160℃，且时间可为1分钟至10分钟，但不限于此。举例来说，预烘烤工艺的烘烤温度与时间可分别为120℃与140秒，而硬烘烤工艺的烘烤温度与时间可分别为110℃与5分钟，但不限于此。上述烘烤工艺能够使得光阻层108中及/或图案化光阻层116中的硫与金属银层1061加速反应，并能使得硫化银层110均匀地形成在金属银层1061以及光阻层108之间。在其它实施例中，也可仅进行上述两烘烤工艺的其中一者，或是还进行除了上述两烘烤工艺外的另外至少一烘烤工艺。然后，如图5所示，将图案化光阻层116自基板100上移除，显露出图案化硫化银层122，其中图5是沿图1中a-a'剖线的剖面示意图。至此，本实施例包括图案化金属层120和图案化硫化银层122的桥接线102已经形成。此外，如图1所示，本实施例周边区r2中的走线104可例如是与主动区r1内的桥接线102一同形成并可具有相同的结构和材料，但不以此为限。在其他实施例中，周边区r2中的走线104可与主动区r1内的桥接线102分开制作而具有不同的结构和材料。再者，如图6所示，在某些实施例中，金属银层1061的厚度较薄及/或金属银层1061与光阻层108的接触反应时间较长，以致全部的金属银层1061均可与光阻层108中的硫反应，而使得反应所形成的硫化银层110完全取代了金属银层1061。在此情况下，后续制作出的桥接线102可仅包括图案化硫化银层122、图案化金属铝层1202以及图案化金属钼层1203。

接着，如图7和图8所示，在基板100上的主动区r1内形成多个绝缘块124，其中每一个绝缘块124对应桥接线102的其中一条设置。绝缘块124部分覆盖对应的桥接线102，并暴露出对应的桥接线102的两端。举例而言，本实施例绝缘块124的制作方法可例如是先在基板100上形成一绝缘层，再对绝缘层进行一图案化制程以形成绝缘块124，但不以此为限。绝缘块124包括绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅或氢氧化硅，但不以此为限。接着，在基板100上形成一透明导电层，其材料包括透明导电材料，如氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)或氧化铝锌(aluminumzincoxide,azo)，但不以此为限。然后，如图9和图10所示，对透明导电层进行一图案化制程以形成包括多个第一感测电极1261、多个第二感测电极1281和多个连接线1282的一图案化透明导电层。换言之，本实施例的第一感测电极1261、第二感测电极1281和连接线1282的材料相同，皆为透明导电材料，但不以此为限。第一感测电极1261、第二感测电极1281和连接线1282设置在主动区r1中。另外，每一个第一感测电极1261部分覆盖且接触对应的桥接线102的一端，藉此，两相邻的第一感测电极1261可由桥接线102的其中至少一个所电连接，而第一感测电极1261和桥接线102可形成沿一第一方向d1延伸的多条第一感测电极串126。在本实施例中，两相邻的第一感测电极1261是由一条桥接线102所连接，但不以此为限。在其他实施例中，两相邻的第一感测电极1261亦可由多条桥接线102所连接，以降低第一感测电极串126的阻值，并且可以避免桥接线102在制作过程中或是触控面板弯折时断线而造成两相邻的第一感测电极1261无法电连接。举例来说，两相邻的第一感测电极1261可由两条桥接线102所连接，因此当制作桥接线102时其中一条桥接线102断线，或是触控面板为可挠式触控面板且当触控面板弯折时导致其中一条桥接线102因受到应力断线，两相邻的第一感测电极1261仍可通过另一条桥接线102彼此电连接，以提升触控面板的良率与可靠性。此外，两相邻的第一感测电极1261通过多条桥接线102彼此电连接时，其相当于是通过并联的多条桥接线彼此电连接，因此可以降低第一感测电极串126的阻值，以提升触控感测的准确性。在本实施例中，桥接线102的延伸方向平行于第一方向d1，但不以此为限。举例来说，当触控面板为可挠式触控面板且弯折线的延伸方向平行于第二方向d2时，桥接线102的延伸方向若是平行于第一方向d1，则在触控面板沿弯折线弯折时桥接线102会受到极大的应力而可能导致桥接线102断线，因此可将桥接线102的延伸方向设计为与第一方向d1间的夹角为大于0度且小于90度，以使触控面板沿弯折线弯折时桥接线102受到较小的应力以提升触控面板的可靠性。另一方面，两相邻的第二感测电极1281是由连接线1282的其中一个所连接，而第二感测电极1281和连接线1282可形成沿一第二方向d2延伸的多条第二感测电极串128。其中第一方向d1和第二方向d2不平行，且本实施例的第一方向d1垂直于第二方向d2，但不限于此。在本实施例中，两相邻的第二感测电极1281是由连接线1282的其中一个所连接，且连接线1282的延伸方向平行于第二方向d2，但不以此为限。与上述第一感测电极1261与桥接线102的说明类似，在其它实施例中，两相邻的第二感测电极1281可由多条连接线1282所连接。在另一些实施例中，连接线1282的延伸方向可与第二方向d2间的夹角为大于0度且小于90度。此外，连接线1282部分覆盖对应的绝缘块124，亦即绝缘块124设置于桥接线102和连接线1282之间。换言之，绝缘块124能使得桥接线102和连接线1282电隔离，进而使得第一感测电极串126和第二感测电极串128电隔离。

此外，本实施例的图案化透明导电层还可在周边区r2中包括多个接触垫130，其中每一个接触垫130和走线104的其中一条连接，并设置在走线104的一端，但不限于此。在某些实施例中，接触垫130可与桥接线102一同形成并可具有相同的结构和材料，但不以此为限。在另一些实施例中，接触垫130可为双层叠层结构，其两层分别可与桥接线102和图案化透明导电层一同形成并可具有相同的结构和材料。另外，每条走线104的另一端可与其中一条第一感测电极串126的一个第一感测电极1261连接或是与其中一条第二感测电极串128的一个第二感测电极1281连接。藉此，第一感测电极串126和第二感测电极串128可透过接触垫130与一集成电路(integratedcircuit，ic)芯片连接，但不以此为限。在本实施例中，触控面板的触控感测方式为互电容感测，并且第一感测电极1261和第二感测电极1281可分别为发射电极(transmitterelectrode)与接收电极(receiverelectrode)中的一个与另一个，但不限于此。在其它实施例中，触控面板的触控感测方式为自电容感测。藉由上述本实施例的制作方法可制作出如图9所示的触控面板10，但本发明并不限于此，还可将习知触控面板中的其他组件及其制作方法整合进本实施例的触控面板10及其制作方法。综上所述，本实施例的触控面板10的制作方法可如图11所示包括步骤s10和s12，且不限于以下的顺序。

s10：在基板上形成多个桥接线；以及

s12：在基板上形成多个第一感测电极和多个第二感测电极，其中两相邻的第一感测电极是由桥接线的其中至少一个所连接。

再者，本实施例桥接线102的制作方法可如图12所示包括步骤s100至步骤s104，且不限于以下的顺序。

s100：在基板上形成金属层，其中金属层的材料包括银；

s102：在金属层的表面上形成光阻层，其中光阻层的材料包括硫；以及

s104：对金属层和光阻层进行光刻工艺与蚀刻工艺以形成桥接线，其中在形成光阻层之后，金属层中的银会与光阻层中的硫反应形成硫化银层。

藉此，透过前述方法可制作出本实施例的触控面板10(如图9与图10所示)，其包括一基板100、多个第一感测电极1261和多个桥接线102。第一感测电极1261和桥接线102设置于基板100上，其中两相邻的第一感测电极1261是由多个桥接线102的其中至少一个所连接，且桥接线102包括一图案化金属层120和一图案化硫化银层122，其中图案化金属层120设置在基板100与图案化硫化银层122之间。根据本实施例的触控面板10及其制作方法，使图2所示的金属银层1061设置在金属层106中的最上层，并将含硫的光阻层108形成在金属银层1061的表面上并且与金属银层1061接触，使得金属银层1061能与光阻层108中的硫反应形成硫化银层110，进而使得后续制作出的桥接线102可包括图案化金属层120以及覆盖于其上的图案化硫化银层122。由于硫化银的颜色是黑色并具有较低的反射率，因此能改善习知金属桥接线的高反射率所造成触控面板视效上的问题。同时，桥接线102中的图案化金属层120仍能使得桥接线102保有较低的阻抗。此外，本实施例桥接线102的制作方法也不会增加制作触控面板10的制程数量或困难度。

本发明的触控面板及其制作方法并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例或变化形，然为了简化说明并突显各实施例或变化形之间的差异，下文中使用相同标号标注相同组件，并不再对重复部分作赘述。

请参考图13、图14和图15，其为本发明第一实施例的第一变化实施例桥接线的制作方法示意图。如图13和图14所示，本变化实施例和第一实施例主要的差异在于金属层106的叠层结构包括金属银层1061以及金属钼层1063，而未包括金属铝层1062。在本变化实施例中，金属银层1061的厚度为约75埃至约1000埃，而金属钼层1063的厚度为约100埃至约1000埃，但不限于此。另外，金属银层1061仍是位在叠层结构的最上层，以能够和含硫的光阻层108接触，并将部分的金属银层1061与硫反应形成硫化银层110。接着，进行烘烤工艺、光刻工艺、蚀刻工艺以及移除剩余的光阻层以形成如图15所示的桥接线102，以上步骤可与第一实施例相同并可参考图2至图5，在此不再赘述。换言之，本变化实施例的桥接线102包括图案化硫化银层122和图案化金属层120，其中图案化金属层120仅包括图案化金属银层1201和图案化金属钼层1203，而未包括图案化金属铝层1202。此外，在某些实施例中，金属银层1061的厚度较薄及/或金属银层1061与光阻层108的接触反应时间较长，以致全部的金属银层1061均可与光阻层108中的硫反应，而使得反应所形成的硫化银层110完全取代了金属银层1061。在此情况下，后续制作出的桥接线102可仅包括图案化硫化银层122和图案化金属钼层1203。

请参考图16、图17和图18，其为本发明第一实施例的第二变化实施例桥接线的制作方法示意图。如图16和图17所示，本变化实施例和第一实施例主要的差异在于金属层106为金属银层1061，而未包括金属铝层1062和金属钼层1063，亦即本变化实施例的金属层106具有一单层结构。在本变化实施例中，金属银层1061的厚度为约75埃至约1000埃，但不限于此。类似前述实施例，本实施例的金属银层1061能够和位在其表面上的含硫光阻层108反应形成硫化银层110。接着，进行烘烤工艺、光刻工艺、蚀刻工艺以及移除剩余的光阻层以形成如图18所示的桥接线102，以上步骤可与第一实施例相同并可参考图2至图5，在此不再赘述。换言之，本变化实施例的桥接线102包括图案化硫化银层122和图案化金属层120，其中图案化金属层120仅包括图案化金属银层1201。

请参考图19至图24，其为本发明第二实施例触控面板的制作方法的示意图，其中图19、图21和图23为上视图，而图20、图22和图24分别为沿图19、图21和图23中b-b'剖线的剖面示意图。本实施例的触控面板的制作方法包括以下步骤。首先如图19与图20所示，先在基板100上形成图案化透明导电层，其在主动区r1内包括多个第一感测电极1261、多个第二感测电极1281和多个连接线1282。两相邻的第二感测电极1281是由连接线1282的其中一个所连接，而第二感测电极1281和连接线1282可形成多条第二感测电极串128。此外，图案化透明导电层在周边区r2内还包括多个接触垫130。形成图案化透明导电层的方法可和第一实施例相同，不再赘述。接着，如图21和图22所示，在基板100上的主动区r1内形成多个绝缘块124，其中每一个绝缘块124对应连接线1282的其中一条设置。绝缘块124部分覆盖对应的连接线1282，并填入第一感测电极1261和连接线1282之间的空隙。形成绝缘块124的方法可和第一实施例相同，不再赘述。

接着，如图23和图24所示，在基板100上形成多条桥接线102和多条走线104，其中桥接线102设置在主动区r1内，而走线104设置在周边区r2内。每一个桥接线102对应其中一个绝缘块124设置，桥接线102部分覆盖对应的绝缘块124，并跨越对应的绝缘块124和位在此绝缘块124两侧的第一感测电极1261连接。藉此，两相邻的第一感测电极1261可由桥接线102的其中至少一个所连接，而第一感测电极1261和桥接线102可形成多条第一感测电极串126。本实施例的桥接线102结构组成可和第一实施例相同，其中桥接线102可包括具有图案化金属银层1201、图案化金属铝层1202以及图案化金属钼层1203的图案化金属层120以及覆盖于图案化金属银层1201上的图案化硫化银层122。此外，形成桥接线102的方法可参考第一实施例，不再赘述。另外，本实施例的桥接线102亦可具有第一变化实施例的叠层结构或第二变化实施例的单层结构，其中桥接线102可至少具有图案化金属银层1201以及覆盖于图案化金属银层1201上的图案化硫化银层122，在此亦不再赘述。此外，每条走线104的一端可与其中一条第一感测电极串126连接或是与其中一条第二感测电极串128连接，且每条走线104的另一端可与其中一个接触垫130连接。有关本实施例触控面板10和桥接线102的制作方法的其余细节可参考第一实施例，在此不再赘述。

请参考图25至图28，其为本发明第三实施例触控面板的制作方法的示意图，其中图25和图27为上视图，而图26和图28分别为沿图25和图27中c-c'剖线的剖面示意图，其中在第三实施例中，图25和图26是接续图19和图20的制程。如图25和图26所示，在形成第一感测电极1261、第二感测电极1281、连接线1282和接触垫130之后，在基板100上形成一图案化绝缘层132覆盖第一感测电极1261和第二感测电极串128。本实施例的图案化绝缘层132包括多个接触洞1341和多个接触洞1342，其中每一个接触洞1341暴露出其中一个第一感测电极1261的一部分，而每一个接触洞1342暴露出位在主动区r1边缘的第一感测电极1261或第二感测电极1281的一部分。本实施例形成图案化绝缘层132的方法可例如是先在基板100上全面形成一绝缘层，再对绝缘层进行一图案化制程以形成接触洞1341和接触洞1342，但不以此为限。

接着，如图27和图28所示，在图案化绝缘层132上形成多条桥接线102和多条走线104，其中桥接线102设置在主动区r1内，而走线104设置在周边区r2内。在本实施例中，每一个桥接线102设置在两相邻的第一感测电极1261之间，其中桥接线102可填入接触洞1341并和被接触洞1341所暴露的第一感测电极1261接触。换言之，桥接线102分别透过接触洞1341而电连接到被暴露出的第一感测电极1261。藉此，两相邻的第一感测电极1261可由桥接线102的其中至少一个所连接，而第一感测电极1261和桥接线102可形成多条第一感测电极串126。本实施例的桥接线102可和第一实施例相同，其中桥接线102可包括具有图案化金属银层1201、图案化金属铝层1202以及图案化金属钼层1203的图案化金属层120以及覆盖于图案化金属银层1201上的图案化硫化银层122。此外，形成桥接线102的方法可参考第一实施例，不再赘述。另外，本实施例的桥接线102亦可具有第一变化实施例的叠层结构或第二变化实施例的单层结构，其中桥接线102可至少具有图案化金属银层1201以及覆盖于图案化金属银层1201上的图案化硫化银层122，在此亦不再赘述。此外，每条走线104的一端可与位在主动区r1边缘的其中一个第一感测电极1261或其中一个第二感测电极1281透过接触洞1342电连接，进而使得每条走线104可与其中一条第一感测电极串126电连接或是与其中一条第二感测电极串128电连接。另一方面，每条走线104的另一端可与其中一个接触垫130连接。有关本实施例触控面板10和桥接线102的制作方法的其余细节可参考以上各实施例，在此不再赘述。

请参考图29，其为本发明第一实施例触控显示装置的剖面示意图。如图29所示，触控显示装置20包括触控面板10与显示面板30，其中触控面板10可为前述任一实施例所揭示的触控面板，显示面板30可包括下基板301、薄膜晶体管302、第一电极303、显示介质层304和上基板305，其中下基板301具有相对的第一表面301a与第二表面301b，上基板305具有相对的第三表面305a与第四表面305b，并且触控面板10设置在上基板305背对显示介质层304的第四表面305b上。显示介质层304可为液晶层或发光二极管元件层，但不以此为限。举例来说，当显示面板30为液晶显示面板，显示介质层304可为液晶层，第一电极303可为像素电极，薄膜晶体管302设置在下基板301上且电连接第一电极303。为了简化图式，图29未绘示出薄膜晶体管302的结构以及其与第一电极303的连接方式，其为习知的工艺技术，于此不再赘述。薄膜晶体管302可为顶栅型(topgate)或底栅型(bottomgate)薄膜晶体管，且薄膜晶体管302可为非晶硅(amorphoussilicon)薄膜晶体管、低温多晶硅(lowtemperaturepolysilicon，ltps)薄膜晶体管、氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)薄膜晶体管或其它合适的薄膜晶体管。此外，显示面板30还包括作为共通电极的第二电极(图未示)，其可设置于下基板301与显示介质层304间，或是设置于上基板305与显示介质层304间。下基板301与显示介质层304间可还设置栅极线、资料线、配向层或上述组合，上基板305与显示介质层304间可设置彩色滤光层、遮蔽层(亦称黑色矩阵层)、配向层或上述组合，但不以此为限。在coa(colorfilteronarray)与boa(blackmatrixonarray)的实施例中，彩色滤光层与遮蔽层中的至少一者设置于下基板301与显示介质层304间。而当显示面板30为主动式有机发光(activeorganiclightemitting)显示面板，显示介质层304为有机发光二极管元件层，其包括有机发光层(lightemittinglayer)。有机发光二极管元件层可为叠层结构，举例来说，有机发光二极管元件层可包括电洞传输层(holetransportinglayer)、有机发光层与电子传输层(electrontransportinglayer)，但不以此为限。而当显示面板30为微型发光二极管(micro-led)显示面板，显示介质层304为发光二极管元件层，其可包括p-n二极管层。举例来说，p-n二极管层可包括p掺杂层与n掺杂层。此外，在一些实施例中，p-n二极管层还可包括设置于p掺杂层与n掺杂层间的至少一量子井(quantumwell)层，但不以此为限。在上述主动式有机发光显示面板与微型发光二极管显示面板的实施例中，薄膜晶体管302设置在下基板301上且电连接第一电极303，且第一电极303电连接显示介质层304。此外，显示面板30还包括第二电极(图未示)，其可设置于显示介质层304与上基板305间，且电连接显示介质层304。第一电极303与第二电极中的一者与另一者分别为阳极与阴极，以驱动有机发光层或p-n二极管层发光。在图29的实施例中，触控显示装置20为外挂式(out-cell)触控显示装置，其中触控面板10与上基板305间可设置黏着层(图未示)，使得触控面板10可通过黏着层设置于上基板305的第四表面305b上，但不以此为限。另一方面，在本实施例中，显示面板30的下基板301和上基板305亦可视为触控显示装置20的一第一基板和一第三基板，而触控面板10的基板100亦可视为触控显示装置20的一第二基板。

请参考图30，其为本发明第二实施例触控显示装置的剖面示意图。如图30所示，触控显示装置40包括显示面板30与触控元件层50，其中显示面板30中的各层与图29的实施例类似，于此不再赘述。触控元件层50设置在上基板305背对显示介质层304的第四表面305b上。触控元件层50可包括前述任一实施例所揭示的第一感测电极1261、第二感测电极1281、桥接线102、连接线1282、走线104和接触垫130。上基板305和触控感测元件层50构成触控面板10，也就是在本实施例的触控面板10中，上基板305可对应于前述任一实施例所揭示的触控面板10中的基板100，并且触控面板10可为前述任一实施例所揭示的触控面板。换言之，在本实施例中，显示面板30的下基板301和上基板305亦可视为触控显示装置40的一第一基板和一第二基板。在本实施例中，触控显示装置40为表嵌式(on-cell)触控显示装置，其中触控元件层50直接设置在上基板305背对显示介质层304的第四表面305b上，以与上基板305形成触控面板10。换句话说，显示面板30与触控面板10共享上基板305。举例来说，当显示面板30为液晶显示面板时，可在下基板301上设置薄膜晶体管、栅极线、资料线、电极、配向层或上述组合，在上基板305上设置彩色滤光层、遮蔽层、电极、配向层或上述组合后，滴注液晶层于下基板301上，接着组立下基板301与上基板305以形成显示面板30。接下来在显示面板30的上基板305的第四表面305b上设置触控元件层50，以形成触控显示装置40，但不以此为限。在另一些实施例中，可以在组立下基板301与上基板305前先在上基板305的第四表面305b上设置触控元件层50，接下来再组立下基板301与上基板305以形成显形成触控显示装置40。与图29的实施例相较，本实施例的触控显示装置40减少一片基板，因此触控显示装置40的厚度可更薄。

请参考图31，其为本发明第三实施例触控显示装置的剖面示意图。如图31所示，触控显示装置60包括触控面板10与显示面板70，其中触控面板10可为前述任一实施例所揭示的触控面板，显示面板70可包括第一基板701、薄膜晶体管702、第一电极703、有机发光二极管元件层704、第二电极705和薄膜封装层706，其中第一基板701具有相对的第一表面701a与第二表面701b，薄膜封装层706具有相对的第三表面706a与第四表面706b，并且触控面板10设置在薄膜封装层706背对有机发光二极管元件层704的第四表面706b上。换言之，在本实施例中，显示面板70的第一基板701和触控面板10的基板100亦可视为触控显示装置60的一第一基板和一第二基板。第一电极703与第二电极705中的一者与另一者分别为阳极与阴极，以驱动有机发光层704发光。本实施例的显示面板70为主动式有机发光显示面板，举例来说，显示面板70为可挠式主动式有机发光显示面板，且触控面板10为可挠式触控面板，也就是显示面板70的第一基板701与触控面板10的基板100为可挠式基板，使得触控显示装置60具有可弯折性，因此显示面板70需采用具有可弯折特性的薄膜封装层706覆盖有有机发光二极管元件层704来防止水气与氧气进入有机发光二极管元件层704。在图31的实施例中，触控面板10可通过黏着层(图未示)设置于薄膜封装层706背对有机发光二极管元件层704的第四表面706b上，但不以此为限。此外，虽然图29至图31的触控面板10的结构是以第一实施例为例示，但不以此为限。图29至图31的触控面板10也可以是第二实施例或第三实施例的触控面板10。另外，图29至图31的触控面板10的桥接线102亦可具有第一变化实施例的叠层结构或第二变化实施例的单层结构。

综上所述，在本发明的触控面板、触控显示装置及制作触控面板的方法中，桥接线具有图案化硫化银层位在图案化金属层的表面上。由于硫化银的颜色是黑色并具有较低的反射率，因此能改善习知金属桥接线的高反射率所造成触控面板视效上的问题。同时，桥接线中的图案化金属层仍能使得桥接线保有较低的阻抗。另外，在本发明桥接线的制作方法中，将银作为形成桥接线的金属层中的其中一种材料，使含银材料的膜层位在金属层最上方，并在后续的光刻工艺中使用含硫的光阻材料，透过银和硫容易反应的特性在光阻层和金属层之间形成硫化银层。因此，透过本发明的方法制作桥接线不会增加整体制作触控面板的制程数量或困难度。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。