技术特征：
技术总结
本发明公开了一种结合制造工艺及仿真的电子类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过EDA仿真模型及多物理场耦合模型对电子类单机进行描述，建立电子类单机功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响电子类单机输出特性参数的关键底层单元，并对其进行失效模式及失效机理分析，结合关键底层单元工艺数据及加速贮存试验中实测的贮存退化数据，建立关键底层单元贮存退化模型，将其带入电子类单机功能仿真模型中得到电子类单机输出特性参数的贮存退化数据，利用最小二乘方法得到电子类单机输出特性参数的贮存退化模型，带入失效阈值，完成电子类单机贮存可靠性评估。本发明为电子类单机的贮存可靠性评估提供了一种新的思路。
技术研发人员：翟国富;叶雪荣;郑博恺;司爽;林义刚
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
技术研发日：2018.07.04
技术公布日：2018.12.11