一种存储系统电压监测方法及装置与流程

文档序号:16327571发布日期:2018-12-19 06:00阅读:166来源:国知局
一种存储系统电压监测方法及装置与流程

本申请涉及存储领域,尤其涉及一种存储系统电压监测方法及装置。

背景技术

随着互联网技术的蓬勃发展,数据的存储和管理成为各行各业的普遍需求。基于这种需求,存储技术得到了长足的发展。随着存储技术的发展,人们对存储系统的产品质量和产品稳定性也提出越来越高的要求。电压作为影响存储系统稳定性的重要的因素,若电压不稳造成硬盘的工作异常,会导致数据丢失,造成巨大损失,因此合理高效的电压检测方法是很有必要的。

当前针对存储系统的电压监测方法利用电压传感器监测电压数据。

对于不同的存储系统进行电压监测所需要的电压传感器的数量往往不同,使得依靠固定数量的电压传感器的电压监测技术的可移植性不高。



技术实现要素:

本申请实施例提供了一种存储系统电压监测方法及装置,使得在针对目标存储系统进行电压监测时,能够根据目标存储系统动态调整电压传感器的数量。

第一方面,本申请实施例提供了一种存储系统电压监测方法,该方法包括:

存储系统电压监测装置记录电压传感器的数量信息到第一内存页,数量信息为当前初始化情况下存储系统电压监测装置所包含的电压传感器的总数信息;

存储系统电压监测装置根据第一内存页中的电压传感器的数量信息为其分配标识并记录在第二内存页中;

存储系统电压监测装置获取目标存储系统的电压配置信息,该信息包括针对目标存储系统进行电压监测所需的电压传感器的数量信息、电压传感器的标识信息以及正常工作电压信息;

存储系统电压监测装置根据所获取的电压配置信息对第一内存页和第二内存页进行修改,以使得第一内存页中电压传感器的数量以及第二内存页中的电压传感器的标识与电压配置信息中的内容相匹配;

存储系统电压监测装置对目标存储系统的电压进行检测,显示目标存储系统的实时电压以及监测目标存储系统的电压是否处于正常工作电压。

在本申请实施例中,存储系统电压监测装置根据对目标存储系统监测所需要的电压传感器的数量自适应地改变电压传感器的数量,以实现对目标存储系统的电压监测,使得利用电压传感器进行存储系统电压监测的方法具有可移植性。

根据第一方面,本申请实施例第一方面的第一种实施方式中,所述监测所述目标存储系统的电压包括:

存储系统电压监测装置记录测得的实时电压信息到第一内存页中;

存储系统电压监测装置记录每个电压传感器的工作状态信息到第二内存页中,该工作状态信息包括每个电压传感器是否发现目标存储系统未处于正常工作电压的信息。

在本申请实施例中,第一内存页中同时包含其他传感器的信息,如温度传感器、电流传感器等。

根据第一方面的第一种实施方式,本申请实施例第一方面的第二种实施方式中,电压传感器的工作状态信息包括电压传感器监测的电压是否正常的信息、错误告警灯是否亮起的信息或电压的预设阈值信息。

根据第一方面的第二种实施方式,本申请实施例第一方面的第三种实施方式中,在所述监测所述目标存储系统的电压之后,该方法还包括:

当电压传感器监测的电压超出目标存储系统正常工作时的电压范围,或所述电压传感器无法监测到目标存储系统的电压时,存储系统电压监测装置发出报警信息。

在本申请实施例中,当电压超出预设阈值时发出报警信息通知运维人员进行维护,以便运维人员能够及时发现存储系统的故障。

根据第一方面、第一方面的第一种实施方式至第三种实施方式,本申请实施例第一方面的第四种实施方式中,获取目标存储系统的电压配置信息包括:

存储系统电压监测装置获取目标存储系统的机型信息,该机型信息包括主板信息和背板信息等;

存储系统电压监测装置根据该机型信息获取目标存储系统的电压配置信息。

在本申请实施例中,根据机型信息获取电压配置信息已确定电压传感器的数量信息以及目标存储系统的正常工作电压信息,提高了方案的灵活性。

第二方面,本申请实施例提供了一种存储系统电压监测装置,该装置包括:

第一记录单元,用于记录电压传感器的数量信息到第一内存页;

第二记录单元,用于记录该电压传感器的标识信息到第二内存页;

获取单元,用于获取目标存储系统的电压配置信息,该电压配置信息包括针对该目标存储系统进行电压监测所需要的电压传感器的数量信息和标识信息;

修改单元,用于根据该电压配置信息修改该第一内存页和该第二内存页;

监测单元,用于监测该目标存储系统的电压。

在本申请实施例中,第一记录单元记录初始状态下的电压传感器数量信息,第二记录单元根据第一内存页中的电压传感器数量信息确定电压传感器的标识并记录在第二内存页,提高了方案的可实现性。

根据第二方面,本申请实施例第二方面的第一种实施方式中,该监测单元包括:

第一记录模块,用于记录该电压传感器监测的实时电压到第一内存页;

第二记录模块,用于记录该电压传感器的状态信息到第二内存页。

在本申请实施例中,第二记录模块记录每个电压传感器的工作状态信息包括是否发现该电压传感器监测点的电压超出目标存储系统正常工作电压的信息。

根据第二方面,本申请实施例第二方面的第一种实施方式中,该装置还包括:

报警单元,用于当该电压传感器监测的电压大于电压的预设阈值或该电压传感器无法监测到电压时,发出报警信息。

在本申请实施例中,报警单元可以在监测到目标存储系统处于非正常工作状态时及时通知运维人员,该报警信息包括gui界面提示,发出警报声或发送邮件给运维人员邮箱等。

第三方面,本申请实施例提供了一种存储系统电压监测装置,所述存储系统电压监测装置包括:处理器和存储器,所述存储器中存储有前述第一方面中所述存储系统监测方法的指令,当其在计算机上运行时,使得计算机执行前述第一方面中所述的存储系统监测方法的步骤。

第四方面,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,包括指令,当其在计算机上运行时,使得计算机执行如第一方面所述的方法。

从以上技术方案可以看出,本申请实施例具有以下优点:

本申请实施例通过在获取到所需要监测的目标存储系统后,对第一内存页和第二内存页作出修改,以针对目标存储系统调整电压传感器的数量,实现对目标存储系统的电压监测,提高了利用电压传感器进行电压监测的可移植性。

附图说明

图1为本申请实施例提供的存储系统电压监测的结构示意图;

图2为本申请实施例提供的存储系统电压监测方法的一个实施例示意图;

图3为本申请实施例提供的存储系统电压监测方法的另一个实施例示意图;

图4为本申请实施例提供的存储系统电压监测装置的一个实施例示意图;

图5为本申请实施例提供的存储系统电压监测装置的另一个实施例示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种存储系统电压监测方法,用于针对目标存储系统动态调整电压传感器的数量,以对该目标存储系统进行电压监测。本申请实施例还提供了相应的存储系统电压监测装置及计算机可读存储介质。以下分别进行详细说明。

如图1所示为本申请实施例提供的存储系统监测的结构示意图,存储系统包括硬盘,电压传感器与硬盘背板上的硬盘接口相连,硬盘背板与主板通过pcie总线连接,由电源通过电源总线进行供电,电压传感器可以监测电源线上的电压值。不同的存储系统硬盘的数量可能不同,因此所需要的电压传感器的数量也不相同。

下面对本申请实施例中存储系统电压监测方法进行详细描述,请参阅图2,本申请实施例提供的一种存储系统电压监测方法的一个实施例包括:

201、记录电压传感器数量至第一内存页。

存储系统电压监测装置获取电压传感器的数量信息,存储系统电压监测装置将获取到的电压传感器的数量信息记录在第一内存页中,该第一内存页中还可以记录有温度传感器的信息等,具体此处不作限定。

在本申请实施例中,存储系统电压监测装置先记录初始化的电压传感器的数量信息到第一内存页,以便后续能够对第一内存页记录的电压传感器的数量信息进行修改,提高了方案的可实现性。

202、记录电压传感器标识至第二内存页。

存储系统电压监测装置获取电压传感器的标识信息,该标识信息包括该电压传感器的序号,如电压传感器1、电压传感器2等。第二内存页中记录的电压传感器的信息会以进制的形式进行表示,具体在步骤205中进行说明。

在本申请实施例中,存储系统电压监测装置先记录初始化的电压传感器的标识信息到第二内存页,以便后续能够对第二内存页记录的电压传感器的标识信息进行修改,提高了方案的可实现性。

203、获取电压配置信息。

存储系统电压监测装置获取被测存储系统所在设备的机型,不同机型的电压值一般不同,机型信息包括主板信息、服务器硬盘背板信息或设备功耗信息,还可以包括系统架构信息等,具体此处不作限定。在确定被测存储系统所在设备的机型信息后,根据该机型信息可以获取到该存储系统的电压配置信息,该电压配置信息包括所需电压传感器的数量信息以及存储系统正常工作的电压信息。存储系统的正常工作电压应在某个电压范围内,例如11伏至12伏之间,具体数值需要以获取到的实际电压配置信息为准,以前述数据为例,低于11伏或高于12伏都应视为非正常工作电压。

在本申请实施例中,通过确定机型信息进而获取到电压配置信息,使得存储系统电压监测装置能够自动确定电压传感器的数量信息以及存储系统正常工作电压信息。

204、修改第一内存页和第二内存页。

存储系统电压监测装置根据步骤203中获取到的电压配置信息修改第一内存页和第二内存页中记录的信息。具体地,根据获取到的电压传感器的数量信息,对第一内存页中记录的初始电压传感器的数量信息进行删除或增添操作,以使得第一内存页中记录的电压传感器的数量适应于步骤203中获取的电压传感器的数量,根据第一内存页中记录的电压传感器的数量信息,修改第二内存页中记录的电压传感器的标识信息以及正常工作电压信息。

在本申请实施例中,根据获取到的电压配置信息修改第一内存页以及第二内存页能够使得存储系统电压监测装置适用于不同的存储系统设备。

205、监测电压。

第一内存页中记录实时电压信息,第二内存页中记录电压传感器的状态信息。电压信息,传感器数量信息以及电压传感器状态信息一般以16进制的形式表示。在第一内存页中,记录的数值例如1120,其中11表示实时电压为11伏,20表示十进制数32,代表有32个电压需要进行监控,即有32个电压传感器。在第二内存页中,记录的电压传感器工作状态信息如0105000c,其中01表示当前的电压值状态正常,即处于正常工作电压,05表示这是第5个电压传感器,00表示错误告警灯的数量为0,当硬盘产生故障时,错误告警灯会亮起,亮起时该数值应为01,0c表示正常工作的电压为12伏。在步骤202的修改第一内存页和第二内存页,即可通过修改上述数据进行,如需要新增一个电压传感器,变为33个电压传感器,则可以将16进制数20修改为21,在第二内存页中的0120000c后添加0121000c。

在本申请实施例中,第一内存页记录实时电压信息,第二内存页记录电压传感器工作状态信息,提高了方案的灵活性。

在对目标存储系统进行电压监测的过程中,还可能需要对监测到电压变化情况作出响应,如当检测到的电压超出了目标存储系统正常工作的电压预设阈值使,还应能够发出提示信息。如图3所示,本申请实施例提供的一种存储系统电压监测方法的另一个实施例包括:

301-305、本实施例中的步骤301至步骤305中的的内容与前述图2所示的实施例中步骤201至步骤205中的内容相同,此处不再赘述。

306、判断电压是否超出预设阈值。

存储系统电压监测装置根据第二内存页记录的状态信息判断是否处于非正常工作电压,在步骤305的例子中记录的0105000c,存储系统电压监测装置若检测到01变为00,则表示当前电压值不正常。

在本申请实施例中,第二内存页中记录有对第一内存页实时电压的分析报告,即对应电压传感器的工作状态信息,存储系统电压监测装置根据第二内存页中工作状态信息的标识位判断电压值是否正常,提高了本方案的灵活性。

307、发出报警信息。

在步骤306中,若判断电压低于或高于预设阈值,存储系统电压监测装置会发出报警信息,发出报警信息可以是以gui界面的方式在显示器上显示,也可以是点亮告警灯、发出警告音或发送电子邮件给运维人员的形式,具体此处不作限定。

在本申请实施例中,在监测到电压不正常的情况下能够通知运维人员及时处理问题,提高了本方案的实用性。

上面对本实施例中存储系统电压监测的方法进行了介绍,下面对本发明实施例中存储系统电压监测装置400进行介绍,如图4所示,本实施例中存储系统电压监测装置400的一个实施例包括:

第一记录单元401,用于记录电压传感器的数量信息到第一内存页;

第二记录单元402,用于记录所述电压传感器的标识信息到第二内存页;

获取单元403,用于获取目标存储系统的电压配置信息,所述电压配置信息包括针对所述目标存储系统进行电压监测所需要的电压传感器的数量信息和标识信息;

修改单元404,用于根据所述电压配置信息修改所述第一内存页和所述第二内存页;

监测单元405,用于监测所述目标存储系统的电压。

在本实施例中,监测单元405包括:

第一记录模块4050,用于记录所述电压传感器监测的实时电压到第一内存页;

第二记录模块4051,用于记录所述电压传感器的状态信息到第二内存页。

在本实施例中,存储系统电压监测装置400还包括:

报警单元406,用于当所述电压传感器监测的电压大于电压的预设阈值或所述电压传感器无法监测到电压时,发出报警信息。

在本申请实施例中,修改单元404通过修改第一内存页和第二内存页中的信息使得电压传感器数量适应于目标存储系统,监测单元能够记录实时电压信息和对应的电压传感器的状态信息到第一内存页和第二内存页中,提高了方案的实用性。

图4是本申请实施例提供的存储系统电压监测装置500的结构示意图。所述存储系统电压监测装置500包括处理器501、存储器502和输入输出(i/o)接口503,存储器502可以包括只读存储器和随机存取存储器,并向处理器501提供操作指令和数据。存储器502的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器(nvram)。

在一些实施方式中,存储器502存储了如下的元素,电压传感器数量信息,电压传感器的工作状态信息,目标存储系统的机型信息。

在本申请实施例中,在监测目标存储系统的电压的过程中,通过调用存储器502中存储的电压传感器的工作状态信息(该操作指令可存储在操作系统中),可以获取到存储系统电压是否超出预设阈值,若其超出预设阈值,则发出报警信息。

处理器501控制存储系统电压监测装置500的操作,处理器501还可以称为cpu(centralprocessingunit,中央处理单元)。存储器502可以包括只读存储器和随机存取存储器,并向处理器501提供指令和数据。存储器502的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器(nvram)。具体的应用中存储系统电压监测装置500的各个组件通过总线系统504耦合在一起,其中总线系统504除包括数据总线之外,还可以包括电源总线、控制总线和状态信号总线等。但是为了清楚说明起见,在图中将各种总线都标为总线系统504。

上述本申请实施例揭示的方法可以应用于处理器501中,或者由处理器501实现。处理器501可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。在实现过程中,上述方法的各步骤可以通过处理器501中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器501可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现成可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器,闪存、只读存储器,可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器502,处理器501读取存储器502中的信息,结合其硬件完成上述方法的步骤。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统,装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统,装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:u盘、移动硬盘、只读存储器(read-onlymemory,rom)、随机存取存储器(randomaccessmemory,ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述,以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

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