触控面板、防静电膜层及其制备方法与流程

本发明涉及触控面板领域，特别是涉及一种触控面板的防静电膜层、触控面板及触控面板的防静电膜层的制备方法。

背景技术：

目前工业上主流采用的防静电抗干扰高阻膜主要为ato(掺锑二氧化锡，antimonydopedtinoxide，简称ato)及其相关的掺杂物。这类透明高阻氧化物大多数属于n型半导体，依靠氧空位作为载流子，其表面电阻受环境温度，湿度，氧压等因素影响很大，尤其是产品在运输过程中，环境中的高温高湿环境会对高阻膜的表面电阻产生不可逆影响，使薄膜表面电阻大于10¹¹ω，导致其防静电能力或抗干扰能力不达标。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种触控面板的防静电膜层、触控面板及触控面板的防静电膜层的制备方法，解决了触控面板上防静电层防静电抗干扰性能差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种触控面板的防静电膜层，其特征在于，包括设置在触控基板上的透明高阻膜层，设置在所述透明高阻膜层背离所述触控基板的表面的保护膜层；

其中，所述透明高阻膜层的阻值为10⁵ω～10¹¹ω，所述保护膜层为用于隔绝水汽的膜层。

其中，所述透明高阻膜层为azo膜层、zno膜层、zto膜层、ato膜层中任意一种透明膜层；所述透明高阻膜层的厚度为5nm-50nm。

其中，所述保护膜层sin膜层、aln膜层、sio膜层、sion膜层中任意一种透明膜层。

其中，所述保护膜层为sion的梯度材料膜层。

其中，所述保护膜层背离所述透明高阻膜层的表面还设置有增透膜层。

其中，所述增透膜层为sio2膜层、sion膜层、mgon膜层、sif膜层中的任意一种透明膜层。

其中，所述防静电膜层的阻值为10⁷ω～10¹¹ω。

其中，在所述基板和所述透明高阻膜层之间还设置有透明的粘结层。

本发明还提供了一种触控面板，包括触控基板，和设置所述触控基板上的如上任一项所述的防静电膜层；其中所述触控基板为玻璃基板、触控显示板或电子元件基板中任意一种基板。

本发明中还提供了一种触控面板的防静电膜层的制备方法，用于制备形成如上任一项所述的触控面板的的防静电膜层，包括：

采用pecvd技术，磁控溅射技术或者真空蒸发技术中任意一种技术，在触控基板的表面依次形成所述透明高阻膜层和所述保护膜层。

本发明所提供的触控面板的防静电膜层，在触控基板的表面设置透明高阻膜层后，又设置一层防水汽的保护膜层。那么在触控面板产品运输过程中，即可避免环境中的潮气对透明高阻膜层带来的影响，使得透明高阻膜层在产品运输过程中保持干燥；另外，由于透明高阻膜层只有在受潮的情况下，才会收到高温环境的影响，使得透明高阻膜层的防静电性能降低，因此，本发明中设置的保护膜层能够有效避免环境中的高温高湿对防静电膜层的破坏，提高了产品对环境的适应能力，保证了防静电膜层的防静电性能。

本发明中还提供了一种触控面板以及触控面板的防静电膜层的制备方法，具有上述有益效果。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供触控面板的防静电膜层的剖面结构示意图；

图2为本发明另一实施例提供触控面板的防静电膜层的剖面结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，图1为本发明实施例提供触控面板的防静电膜层的剖面结构示意图，该膜层可以包括：

设置在触控基板上的透明高阻膜层，设置在透明高阻膜层背离触控基板的表面的保护膜层；

其中，透明高阻膜层的阻值为10⁵ω～10¹¹ω，保护膜层为用于隔绝水汽的膜层。

可选地，透明高阻膜层为azo膜层、zno膜层、zto膜层、ato膜层中任意一种透明膜层；

透明高阻膜层的厚度为5nm-50nm。

具体地，azo膜层为掺铝氧化锌膜层，zno膜层为氧化锌膜层，zto膜层为锌锡氧化物膜层，ato膜层为锑掺杂氧化锡膜层。本发明中的透明高阻膜层可以是上述膜层中的任意一种，且上述任意一种膜层均可通过磁控溅射的方式设置在基板上。

另外，本发明中高阻膜层的厚度为5nm～50nm，具体的可以是5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm。

在本发明的另一具体实施例中，还可以在基板表面将多层透明高阻膜层和多层保护膜层交替设置，最终只要保证最外层为保护膜层即可。当多层透明高阻膜层和多层保护膜层交替设置时，每层透明高阻膜层的种类可以相同也可以不同。那么一旦位于最上层的透明高阻膜层受到不可逆的损伤，位于下一层的透明高阻膜层依旧能够起到防静电的作用。

可选地，在本发明的另一具体实施例中，保护膜层sin膜层、aln膜层、sio膜层、sion膜层中任意一种透明膜层。

目前，触控显示屏的触控感应功能是依赖于用户指尖的触摸使得触控显示屏的感应层电容发生变化，涉及到电荷的流动。而触控显示屏在使用过程中，不可避免地会附着上静电电荷，当用户触控使用触控显示屏时，附着于触控显示屏上的静电电荷不可并避免的会对触控显示屏的感应功能产生影响，为此，需要尽可能的消除触控显示屏上附着的静电电荷。

常规的触控显示屏上，在触控显示屏最外层的盖板基板上常常设置一层高阻膜层，该高阻膜层一般是主要为ato(锑掺杂氧化锡)及其相关的掺杂物。这类高阻氧化物大多数属于n型半导体，依靠氧空位作为载流子，其表面电阻受环境温度，湿度，氧压等因素影响很大。而触控显示屏产品的部件在运输过程中，环境中或集装箱中的高温高湿环境会对高阻膜的表面电阻产生不可逆影响，使薄膜表面电阻超出10⁷ω～10¹²ω范围，导致其防静电能力或抗干扰能力不达标；另外，镀上这种高阻膜后会降低产品的光透过率。

为此，本发明提供了一种触控面板的防静电膜层，在触控基板的表面设置一层透明高阻膜层，该透明高阻膜层的阻值为10⁵ω～10¹¹ω，与此同时，又在透明高阻膜层的表面设置一层能够隔绝水汽的保护膜层。当外界环境中的潮气较重时，保护膜层能够很好的隔绝透明高阻膜层与环境中的潮气接触，从而避免了透明高阻膜层受潮，且只要透明高阻膜层不受潮，即便环境中的温度较高，依然不会对透明高阻膜层的防静电性能产生影响，因此本发明中提供的触控屏的防静电膜层能够避免高温高湿环境对防静电的透明高阻膜层的性能的干扰，保证触控屏良好的防静电性能。

如前所述考虑到透明高阻膜层在一定程度上会降低触控显示屏的透光率，使得触控显示屏显示区域的亮度变低，为此本发明中还提供了提高触控屏显示屏透光率的技术方案。具体如下：

在本发明的另一具体实施例中，还可以进一步地包括：

保护膜层为sion的梯度材料膜层。

梯度材料，即梯度功能复合材料(functionallygradientmaterials，简称fgm)，又称倾斜功能材料。

一般复合材料中分散相是均匀分布的，整体材料的性能是同一的，但是在有些情况下，人们常常希望同一件材料的两侧具有不同的性质或功能，又希望不同性能的两侧结合得完美，从而不至于在苛刻的使用条件下因性能不匹配而发生破坏。进而提出梯度功能材料的新设想和新概念。梯度材料设计概念的基本思想是：根据具体要求，选择使用两种具有不同性能的材料，通过连续地改变两种材料的组成和结构，使其内部界面消失，从而得到功能相应于组成和结构的变化而渐变的非均质材料，以减小和克服结合部位的性能不匹配因素。例如，在陶瓷和金属之间通过连续地控制内部组成和微细结构的变化，使两种材料之间不出现界面，从而使整体材料具有耐热应力强度和机械强度也较好的新功能。

本发明中的sion的梯度材料膜层中sion膜层既具有隔绝水汽又具有增强透光率的性能，将保护膜层制作成sin梯度材料膜层，使得保护膜层能够同时明显的显现出隔绝水汽和增透光线的性能。

当然，本发明中也并不只有一种增强触控显示屏透光率的实施例。如图2所示，图2为本发明另一实施例提供触控面板的防静电膜层的剖面结构示意图。在本发明的另一具体实施例中，可以进一步地包括：

保护膜层背离透明高阻膜层的表面还设置有增透膜层。

可选地，增透膜层为sio2膜层、sion膜层、mgon膜层、sif膜层中的任意一种透明膜层。

在保护膜层上直接设置一层增透膜层，同样可以达到提高触控显示屏的亮度的目的。

基于上述任意实施例，在本发明的另一具体实施例中，还可以包括：

防静电膜层的阻值为10⁷ω～10¹¹ω。

本发明中的防静电膜层是由透明高阻膜层、保护膜层等多层膜层共同形成整体的膜系，该膜系作为防静电模组，其阻值范围应当和目前仅有一层高阻膜的防静电膜层的阻值范围相同。

可选地，在本发明的另一具体实施例中，还可以包括：

在基板和透明高阻膜层之间还设置有透明的粘结层。

具体地，该粘结层可以是si、al的氮化物、氧化物或氮氧化物中的任意一种，主要起到粘结作用，提高透明高阻层同基板的结合力。

本发明中还提供了一种触控面板，包括触控基板，和设置所述触控基板上的任意实施例所述的防静电膜层；其中触控基板为玻璃基板、触控显示板或电子元件基板中任意一种基板。

本实施例中的触控面板上设置有防静电膜层，即便在高温高湿环境中，其防静电的性能也不易被破环，提高了触控面板对环境的适应能力，同时对具有防静电功能的触控面板的运输环境要求降低，降低了运输成本。

本发明中还提供了一种触控面板的防静电膜层的制备方法，用于制备形成如上任意实施例所述的触控面板的的防静电膜层，包括：

采用pecvd技术，磁控溅射技术或者真空蒸发技术中任意一种技术，在触控基板的表面依次形成透明高阻膜层和保护膜层。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。