1.一种获取晶体振荡器工作电压的系统，其特征在于，包括：
时间检测模块，用于检测所述晶体振荡器的死区时间；
控制电路，与所述时间检测模块和所述晶体振荡器连接，用于根据所述时间检测模块检测到的所述死区时间向所述晶体振荡器提供输入电压，其中当所述晶体振荡器的死区时间大于或等于预设阈值时，重复调高所述晶体振荡器的输入电压并检测所述晶体振荡器的死区时间的步骤直至所述晶体振荡器的死区时间小于所述预设阈值以得到所述晶体振荡器的工作电压。
2.根据权利要求1所述的获取晶体振荡器工作电压的系统，其特征在于：所述控制电路还用于当所述晶体振荡器的死区时间小于预设阈值时，重复调低所述晶体振荡器的输入电压并检测所述晶体振荡器的死区时间的步骤直至所述晶体振荡器的死区时间接近于所述预设阈值以得到所述晶体振荡器的工作电压。
3.根据权利要求1或2所述的获取晶体振荡器工作电压的系统，其特征在于：所述控制电路包括数字控制电路、电压源调节模块，所述数字控制电路与所述时间检测模块连接，所述电压源调节模块分别与所述数字控制电路和所述晶体振荡器连接，所述数字控制电路根据所述晶体振荡器的死区时间控制电压源调节模块重复调节所述晶体振荡器的输入电压。
4.根据权利要求1或2所述的获取晶体振荡器工作电压的系统，其特征在于：还包括温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述晶体振荡器环境温度的变化，其中，当所述晶体振荡器的环境温度变化超过预警范围时，控制电路重新根据所述晶体振荡器的死区时间重复调节所述晶体振荡器的输入电压以得到所述晶体振荡器的工作电压。
5.根据权利要求4所述的获取晶体振荡器工作电压的系统，其特征在于：还包括寄存器，所述寄存器用于存储和记忆环境温度变化超过预警范围时控制电路重新调节的所述晶体振荡器的工作电压，并根据所述晶体振荡器所处的环境温度读取对应的工作电压以实现自适应调整。
6.一种芯片，其特征在于：包括权利要求1-5任意一项所述的获取晶体振荡器工作电压的系统。
7.一种获取晶体振荡器工作电压的方法，其特征在于，包括：
向所述晶体振荡器提供初始输入电压；
检测所述晶体振荡器的死区时间是否大于或等于预设阈值；
当所述晶体振荡器的死区时间大于或等于预设阈值时，重复调高所述晶体振荡器的输入电压并检测所述晶体振荡器的死区时间的步骤直至所述晶体振荡器的死区时间小于所述预设阈值以得到所述晶体振荡器的工作电压。
8.根据权利要求7所述的获取晶体振荡器工作电压的方法，其特征在于，还包括：当所述晶体振荡器的死区时间小于预设阈值时，重复调低所述晶体振荡器的输入电压并检测所述晶体振荡器的死区时间的步骤直至所述晶体振荡器的死区时间接近于所述预设阈值以得到所述晶体振荡器的工作电压。
9.根据权利要求7或8所述的获取晶体振荡器工作电压的方法，其特征在于：检测所述晶体振荡器环境温度的变化，其中，当所述晶体振荡器的环境温度变化超过预警范围时，重新根据所述晶体振荡器的死区时间重复调节所述晶体振荡器的输入电压以得到所述晶体振荡器的工作电压。
10.根据权利要求9所述的获取晶体振荡器工作电压的方法，其特征在于：存储和记忆环境温度变化超过预警范围时重新调节的所述晶体振荡器的工作电压，并根据所述晶体振荡器的温度变化读取对应的工作电压以实现自适应调整。