技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于FPGA的FLASH阵列控制方法,其特征在于：包括:进行分层控制：第一层：通过时序控制，对FLASH阵列的实际物理地址按页读、写，按块擦除；第二层：建立逻辑地址到物理地址映射表，对FLASH阵列的坏块进行管理，并在使用过程中对增加的坏块进行动态管理；第三层：建立循环存储管理，对FLASH进行均衡使用；第四层：对数据加前向纠错编码。本发明基于FPGA的FLASH阵列控制方法，实现任意宽度与深度的NAND FLASH阵列的控制。
技术研发人员：张泽渺;何建樑;叶明
受保护的技术使用者：成都旋极历通信息技术有限公司
技术研发日：2018.12.20
技术公布日：2019.05.21