本申请涉及存储器技术,更具体地,涉及一种存储器系统以及用于访问存储器系统的方法。
背景技术:
片上端接(on-dietermination,odt)技术是一种端接电阻被设置在半导体芯片上的技术,其中端接电阻被用于传输线上的阻抗匹配。odt可以减小由于信号沿着短截线(stubline)传输所引起的信号反射,这些短截线将存储器控制器与诸如动态随机存取(dram)存储器模块的存储卡上的器件相连接,从而减少了引入到这些信号上的不必要的噪声。
随着存储器系统操作频率的不断提高,odt技术已经被用于诸如ddr5同步dram(sdram)模块的存储器模块中。例如,odt端接电阻可以被选择性地耦接到命令/地址(ca)总线和/或数据通信总线,以开启或关闭这些总线的端接,从而提高其信号的完整性。
然而,有必要进一步改进现有存储器系统。
技术实现要素:
本申请的一个目的在于提供一种用于存储器系统的动态odt机制,用于提高传输数据信号的表现。
在本申请的一个方面,提供了一种存储器系统,包括:第一多个存储器组,每个所述存储器组具有多个存储单元;第二多个本地控制器,每个所述本地控制器耦接在所述第一多个存储器组中的一个或多个存储器组与存储器控制器之间;所述存储器控制器被配置为从第一多个片选cs信号中向所述第二多个本地控制器中的非目标本地控制器提供一个或多个非目标访问cs信号,所述一个或多个非目标访问cs信号禁止对耦接到所述非目标本地控制器的所述第一多个存储器组中的一个或多个非目标存储器组进行目标访问;以及所述存储器控制器还被配置为向所述第二多个本地控制器中的目标本地控制器提供所述第一多个cs信号中的目标访问cs信号,所述目标访问cs信号允许对耦接到所述目标本地控制器的所述第一多个存储器组中的目标存储器组进行目标访问,并且向所述第二多个本地控制器提供命令地址ca信号,所述ca信号用于寻址和访问所述目标存储器组的多个存储单元;以及其中所述非目标本地控制器被配置为响应于接收到所述一个或多个非目标访问cs信号,向所述非目标存储器组提供一个或多个复合片上端接odt指令,所述一个或多个复合odt指令指示所述一个或多个非目标存储器组中对应的非目标存储器组为耦接在所述第一多个存储器组和所述存储器控制器之间的数据通信总线选择性地开启非目标dq/dqsodt,所述非目标dq/dqsodt至少在所述存储器控制器执行对所述目标存储器组的目标访问的一段时间开启;其中每个复合odt指令包括辅助cs指令和辅助ca指令的组合。
在一些实施例中,每个本地控制器耦接到所述第一多个存储器组中的两个存储器组,并且所述第一多个cs信号中的所有信号均为两个时钟周期宽的信号。
在一些实施例中,所述非目标本地控制器经由对应的cs信号线向所述非目标存储器组提供所述辅助cs指令,并经由对应的ca输出信号线向所述非目标存储器组提供所述辅助ca指令。
在一些实施例中,所述非目标本地控制器还被配置为响应于接收到所述非目标访问cs信号生成非目标caodt指令,所述非目标caodt指令至少在所述非目标本地控制器从所述存储器控制器接收所述ca信号的一段时间开启在所述非目标本地控制器的ca输入处的非目标caodt。
在一些实施例中,所述目标本地控制器被配置为响应于接收到所述目标访问cs信号生成目标caodt指令,所述目标caodt指令至少在所述目标本地控制器从所述存储器控制器接收所述ca信号的一段时间开启在其ca输入处的目标caodt。
在一些实施例中,所述存储器控制器被配置为晚于所述第一多个cs信号n个时钟周期向所述第二多个本地控制器提供所述ca信号,从而允许在接收所述ca信号之前生成所述目标caodt指令,其中n为正整数。
在一些实施例中,n是可编程值。
在一些实施例中,每个本地控制器耦接到所述第一多个存储器组中的两个存储器组,并且所述目标本地控制器被配置为当所述两个存储器组中的一个或两个被允许用于目标访问时生成所述目标caodt指令。
在一些实施例中,所述存储器系统包括所述存储器控制器。
在一些实施例中,所述存储器系统还包括第二多个寄存时钟驱动器rcd,并且所述第二多个本地控制器中的每一个被集成在所述第二多个寄存时钟驱动器rcd中的一个rcd中。
在一些实施例中,所述第二多个本地控制器中的每一个被集成到所述第一多个存储器组中的一个存储器组中。
在本申请的另一方面,还提供了一种用于访问存储器系统的方法,所述存储器系统包括第一多个存储器组以及第二多个本地控制器,每个存储器组具有多个存储单元,每个本地控制器耦接在所述第一多个存储器组中的一个或多个存储器组与存储器控制器之间;其中所述方法包括:从所述存储器控制器向所述第二多个本地控制器中的一个非目标本地控制器提供第一多个片选cs信号中的一个或多个非目标访问cs信号,所述一个或多个非目标访问cs信号禁止对耦接到所述非目标本地控制器的所述第一多个存储器组中的一个或多个非目标存储器组进行目标访问;从所述存储器控制器向所述第二多个本地控制器中的一个目标本地控制器提供所述第一多个cs信号中的一个目标访问cs信号,所述目标访问cs信号允许对耦接到所述目标本地控制器的所述第一多个存储器组中的目标存储器组进行目标访问;从所述存储器控制器向所述第二多个本地控制器提供命令地址ca信号,所述ca信号用于寻址和访问所述目标存储器组的多个存储单元;以及响应于接收到所述一个或多个非目标访问cs信号,从所述非目标本地控制器向所述非目标存储器组提供一个或多个复合片上端接odt指令,所述一个或多个复合odt指令指示所述一个或多个非目标存储器组中对应的非目标存储器组为耦接在所述第一多个存储器组和所述存储器控制器之间的数据通信总线选择性地开启非目标dq/dqsodt,所述非目标dq/dqsodt至少在所述存储器控制器执行对所述目标存储器组的目标访问的一段时间开启;其中每个复合odt指令包括辅助cs指令和辅助ca指令的组合。
以上为本申请的概述,可能有简化、概括和省略细节的情况,因此本领域的技术人员应该认识到,该部分仅是示例说明性的,而不旨在以任何方式限定本申请范围。本概述部分既非旨在确定所要求保护主题的关键特征或必要特征,也非旨在用作为确定所要求保护主题的范围的辅助手段。
附图说明
通过下面说明书和所附的权利要求书并与附图结合,将会更加充分地清楚理解本申请内容的上述和其他特征。可以理解,这些附图仅描绘了本申请内容的若干实施方式,因此不应认为是对本申请内容范围的限定。通过采用附图,本申请内容将会得到更加明确和详细地说明。
图1是根据本申请一个实施例的存储器系统100;
图2是根据本申请一个实施例的用于访问存储器系统的方法200;
图3示出了根据图2所示方法的图1所示存储器系统的一部分信号线/总线上的信号的一个示例性时序图。
具体实施方式
在下面的详细描述中,参考了构成其一部分的附图。在附图中,类似的符号通常表示类似的组成部分,除非上下文另有说明。详细描述、附图和权利要求书中描述的说明性实施方式并非旨在限定。在不偏离本申请的主题的精神或范围的情况下,可以采用其他实施方式,并且可以做出其他变化。可以理解,可以对本申请中一般性描述的、在附图中图解说明的本申请内容的各个方面进行多种不同构成的配置、替换、组合,设计,而所有这些都明确地构成本申请内容的一部分。
图1示出了根据本申请一个实施例的存储器系统100。存储器系统100可以被耦接到诸如中央处理器单元的存储器控制器102,以与该存储器控制器102交互数据。具体地,存储器控制器102可以访问存储器系统100,例如通过提供用于写入数据到存储器系统100中的写入指令,或者提供用于从存储器系统100读取数据的读取指令。在一些实施例中,存储器系统100可以是符合jedec双数据率同步动态随机存取存储器(ddrsdram)标准的存储器系统,例如包括:jedecddr2、ddr3、ddr4、ddr5、lpddr3、lpddr4、lpddr5或者任意其他ddr标准。
如图1所示,在一个实施例中,存储器系统100包括多个dimm存储模块,例如dimm存储模块104-0和104-1,其在运行时会在其中存储数据。可以理解,在其他实施例中dimm存储模块的数量可以大于2。此外,每个dimm存储模块可以包括至少一个dram存储器组(rank)以及耦接在该至少一个dram存储器组与存储器控制器102之间的一个本地控制器,例如寄存时钟驱动器(registeringclockdriver,rcd)。例如,存储模块104-0包括dram存储器组108-0和108-1,以及rcd106-0。可以理解,在其他实施例中,一个存储模块中包括的dram存储器组的数量可以是不同于2的其他正整数。存储模块104-1包括dram存储器组108-2和108-3以及rcd106-1。本申请实施例中,本地控制器是指存储模块上的控制逻辑或电路,例如设置在存储模块的印刷电路板上的那些控制逻辑或电路,其通过存储接口与存储器控制器进行交互。在一些实施例中,本地控制器可以被集成在rcd中,或者也可以不被集成在rcd中。在一些其他实施例中,本地控制器可以与存储器组集成在一起,从而存储器控制器102可以直接访问存储器组而无需经由rcd缓冲访问命令和/或其他控制指令。在下文中,参考图1所示的存储模块中集成了本地控制器的示例性存储器系统100对本申请进行具体说明,但是这种描述仅仅是示例性的,不应作为对本申请的范围的限制。
具体地,存储器控制器102经由dca总线与dck_t时钟总线耦接到rcd(在图1所示的实施例中为rcd106-0和106-1),该dca总线用于提供指示对存储器组的具体访问操作(例如,写入、读取、选择、去选择等)的命令/地址(ca)信号,而该dck_t时钟总线用于提供用于同步ca信号以及提供给rcd106-0和106-1的其他信号的时钟信号。rcd106-0和106-1均具有耦接到dca总线并用于接收ca信号的ca输入。rcd106-0和106-1可以经由它们各自的qca_n信号线和qck_t信号线将接收到的ca信号和时钟信号转发至存储器组108-0至108-3,以指示存储器组108-0至108-3如何继续进行操作。可以理解,时钟信号可以经由dck_t总线并随后经由qck_t信号线传送,而在一些其他实施例中,时钟信号可以采用差分信号的形式,并且可以经由分别的总线和信号线传送。
此外,存储器控制器102还经由分别的dcsi_n(在图1所示的实施例中,dcs0_n至dcs3_n)耦接到rcd(在图1所示的实施例中,rcd106-0和rcd106-1),这些dcsi_n信号线用于向rcd提供一组片选(chipselect,cs)信号,i为正整数。cs信号可以允许或禁止对多个存储器组中的一个特定存储器组进行目标访问(targetaccess)。例如,rcd106-0经由dcs0_n和dcs1_n信号线耦接到存储器控制器102。rcd106-0和106-1还可以将接收到的cs信号经由分别的qcsi_n信号线(在图1所示的实施例中,qcs0_n至qcs3_n)转发给存储器组108-0至108-3。每个存储器组被qca_n信号线上的ca信号以及由耦接到对应qcsi_n信号线的rcd输出的在该qcsi_n信号线上的cs信号控制。在操作器件,被允许通过存储器控制器102经由对应rcd进行目标访问的存储器组被称为目标存储器组,对应的cs信号被称为目标访问cs信号,而耦接到目标存储器组的rcd被称为目标rcd。可以看出,在图1所示的实施例中,每个rcd耦接到两个存储器组。相应地,当耦接到同一个rcd的存储器组中的任意一个或两个存储器组通过对应的cs信号被允许用于目标访问时,该rcd就是目标rcd。另一方面,通过存储器控制器经由对应的rcd禁止用于目标访问的存储器组可以被称为非目标存储器组,而对应的cs信号可以被称为非目标访问cs信号。相应地,当耦接到一个rcd的两个存储器组均通过对应的cs信号禁止用于进行目标访问时,该rcd可以被称为非目标rcd。
所有的存储器组108-0到108-3还经由双向数据通信总线,也即dq/dqs数据总线,耦接到存储器控制器102,通过该双向dq/dqs数据总线,在由目标rcd指示的写入操作过程中数据可以被写入到目标存储器组中,而在由目标rcd指示的读取操作过程中数据可以被从目标存储器组读取到存储器控制器102。包括于2017年6月公开的ddrsdram(jesd79-4b)jedec标准、于2016年8月公开的ddr4寄存时钟驱动器
-ddr4rcd01(jesd82-31)标准、于2017年2月公开的低功耗双倍数据率4(jesd209-4b)标准等的jedec标准提供了关于对访问符合ddr标准的存储器系统进行访问操作的更多细节,在此其全部内容通过引用方式并入本申请。
由于存储模块104-0和104-1与存储器主控制器102之间的数据通信可以运行在非常高的运行频率下,例如2400mhz或更高,因此odt可以被应用于存储模块104-0至104-1与存储器控制器102之间的信号总线(例如dca总线和dq/dqs总线),以提高信号完整性并且减少这些总线上的信号反射。本申请的发明人发现具有odt功能的传统存储器系统在一些访问操作中不能很好的工作。因此,在本申请中提供了一种新型动态odt机制,其例如可以实施于图1所示的存储器系统100上。
图2示出了根据本申请一个实施例中的用于访问存储器系统的方法200。该方法200采用了用于数据通信总线的动态odt技术,并且优选地用于图1所示的存储器系统100的ca总线上。图3示出了根据方法200的存储器系统100的一部分信号线/总线上信号的时序图。
在下文中,将参考图1至3具体说明方法200。
具体地,在步骤202,分别对应于存储器组108-0至108-3的一组cs信号被经由dcsi_n信号线从存储器控制器102提供给rcd106-0和106-1。在时刻l1,接收到的该组cs信号包括以目标存储器组108-0为目标的目标访问cs信号,以及用于非目标存储器组108-1至108-3的三个非目标访问cs信号。非目标访问cs信号可以禁止对非目标存储器组108-1至108-3的访问。在图3所示的示例中,当指示向存储器组108-0进行目标访问时dsc0_n信号线上的目标访问cs信号是低电平有效(有效电平是低电平而非有效电平是高电平),而dcs1_n至dcs3_n信号线上的其他非目标访问cs信号在时刻l1附近两个时钟周期保持低电平。可以理解,目标访问cs信号可以是高电平有效,例如当指示对符合lpddr5标准的存储器系统进行目标访问时。dcs0_n信号线上的目标访问cs信号可以在稍后的时间段转发给目标存储器组108-0,以允许对存储器组108-0进行目标访问。类似地,dcs1_n至dcs3_n信号线上的非目标访问cs信号稍后可以被转发给非目标存储器组108-1至108-3以禁止对这些存储器组进行目标访问。
在步骤204,在接收到非目标访问cs信号后,非目标rcd可以生成复合odt指令,并且将该指令提供给与其耦接的非目标存储器组。然后,至少在存储器控制器执行对目标存储器组的目标访问的一段时间,复合odt指令指示非目标存储器组去选择性地开启数据通信总线(也即dq/dqs总线)上的非目标dq/dqsodt。复合odt指令携载的具体值或指令可以随不同的条件而变化,这将在下文中详述。在一些实施例中,复合odt可以包括经由非目标rcd与对应的存储器组之间的cs信号线(图1所示的qcsi_n信号线)发送的辅助cs指令,以及经由非目标rcd与对应存储器组之间的ca信号线(如图1所示的qca_n信号线)发送的辅助ca指令。辅助cs指令可以与经由dcsi_n信号线传送的cs信号相同或不同,而辅助ca指令可以与经由dca信号线传送的ca信号相同或不同。
例如,当非目标rcd106-1接收用于耦接到其的两个非目标存储器组108-2和108-3的两个非目标访问cs信号时,其可以向这两个存储器组108-2和108-3提供复合odt指令。同时,接收目标访问cs信号的目标rcd106-0可能正在指示目标存储器组108-0经由dq/dqs总线与存储器控制器102进行数据通信。因此,至少在目标存储器组108-0正在经由dq/dqs总线与存储器控制器102进行数据通信时,可以为dq/dqs总线开启非目标dq/dqsodt,以提高dq/dqs总线上的信号完整性,并且降低dq/dqs总线上的噪声。
在一些实施例中,除了选择性地启用(enabling)耦接到非目标存储器组的dq/dqs总线的非目标dq/dqsodt,odt机制还可以用于rcd的ca输入处,以提高ca总线上的信号完整性。具体地,在步骤206,在接收到目标访问cs信号后,目标rcd106-0可以根据目标访问cs信号生成目标caodt指令,以在其ca输入处开启目标caodt,该ca输入耦接到dca总线。目标caodt指令的生成晚于目标访问cs信号的接收,因为odt指令的生成是基于接收到的目标访问cs信号。例如,已经接收到目标访问cs信号的目标rcd可以包括解码器。该解码器可以将目标访问cs信号译码为用于开启目标caodt的目标caodt指令。在一些实施例中,动态odt机制还可以用于非目标rcd的ca输入处。具体地,当非目标rcd接收到非目标访问cs信号时,非目标rcd的解码器可以将非目标访问cs信号译码为用于为其ca输入开启非目标caodt的非目标caodt指令。目标caodt和非目标caodt均为用于ca总线的odt,区别在于被切换以用于端接的端接电阻的电阻值不同。在图1所示的实施例中,目标caodt可以是目标rcd的内部指令,并且不会被提供给诸如目标存储器组之类的其他部件。在本地控制器未被集成在rcd中或者被集成在存储器组中的一些其他的实施例中,解码器也可以与本地控制器的其他部件一起形成作为存储模块的独立的子模块,或者也可以被集成在存储器组中;相应地,目标caodt可以提供给这些部件的ca输入以为这些部件开启目标caodt。类似地,非目标caodt指令可以是非目标rcd的内部指令。
表1dcs0_n和dcs1_n编码的完整组合
上面的表1示出了dcs0_n和dcs1_n编码的完整组合,其可以用于图1所示的存储器系统。dcs0_n和dcs1_n信号线均耦接到图1所示的rcd106-0。该存储器系统可以是符合ddr5标准和其他未来ddr标准的存储器系统,其中cs信号是两个时钟周期宽的信号并且是低电平有效的。ca信号也可以是两个时钟周期宽的信号,其中ca总线的每个信号线在每个时钟周期传送一比特数据。对于没有用于缓冲ca信号的rcd的存储器系统,也即存储器系统的存储模块由存储器控制器直接访问的情况,每个存储模块可以具有一个ca[13:0]总线,该总线具有14根信号线,因此在每两个时钟周期可经由ca[13:0]总线传送总共至多28比特。这至多28比特数据构成了数据访问操作所需的数据访问指令以及访问地址。此外,cs信号和ca信号均为两个时钟周期宽的信号,这两个信号可以分别对准到dck_t总线处提供的时钟信号,以向存储模块传递必要的片选指令、数据访问指令、访问地址等信息。对于具有rcd的存储器系统,如图1所示,rcd可以具有用来从存储器控制器接收ca信号的dca[6:0]总线,以及用来输出缓冲的ca信号的qca[13:0]总线,正如图3所示。相应地,ca信号可以在每两个时钟周期期间在dca[6:0]总线的每个信号线上承载4个比特(也即每周期两个比特,在上半周期一比特,在下半周期另一比特),以确保总共至多有28比特可以经由rcd的qca[13:0]总线输出给对应的存储器组。应当注意,ca总线(dca/qca)中包括的信号线的数量不影响本申请的范围。
正如表1所示,当在两个连续的时钟周期内在dcs0_n和dcs1_n信号线中的任意一个或两个接收到值“10”时,这种cs信号是非法的。除了这种非法组合,当在两个连续时钟周期内在dcs1_n信号线上接收到值“01”时,将执行对存储器组108-1的目标访问;当在两个连续时钟周期内在dcs0_n信号线上接收到值“01”时,将执行对存储器组108-0的目标访问。在这种情况下,rcd106-0的目标caodt可以被开启。
此外,当在两个连续的时钟周期在dcs0_n和dcs1_n信号线均接收到值“00”或“11”时,例如图3中的时刻l2,将执行对存储器组108-0和108-1的非目标访问。如果在两个时钟周期内接收,那么在两个dcsi_n信号线上存在4种可能的编码组合,包括“0000”、“1111”、“0011”和“1100”。这4种组合中的任意一种都可以被用来生成复合odt指令。在一些实施例中,复合odt指令可以承载两个指令,包括伴随读取命令的用于启用dq/dqs总线的非目标dq/dqsodt的第一指令,以及伴随写入命令的用于启用dq/dqs总线的非目标dq/dqsodt的第二指令。用于非目标存储器组的复合odt指令中的读取或写入命令对应于ca信号中提供的对目标存储器组进行目标访问的特定类型。此外,由目标rcd转发给目标存储器组的ca信号还对应于来自存储器控制器的ca信号中提供的信号。
表ii用于非目标rcd的cs编码
表ii+示出了用于非目标rcd106-0的示例性cs编码。如表ii所示,非目标rcd106-0可以在其dcs0_n和dcs1_n输入处接收第一组合“1111”,并且相应地非目标rcd106-0可以(在两个时钟周期内)在其qcs0_n和qcs1_n输出处生成复合odt指令,其具有组合值“1111”,并且在其qca输出处生成des(去选择)命令。响应于该复合odt指令,非目标存储器组108-0和108-1可以不做操作。此外,当非目标rcd106-0可以在其dcs0_n和dcs1_n输入处接收第二组合“0011”,相应地非目标rcd106-0可以(在两个时钟周期内)在其qcs0_n和qcs1_n输出处生成复合odt指令,其具有组合值“0000”,并且在其qca输出处生成rd(读取)命令。响应于该复合odt指令,非目标存储器组108-0和108-1可以在dq/dqs总线上提供非目标odt_nom_rd值,从而启用dq/dqsodt。类似地,当非目标rcd106-0在其dcs0_n和dcs1_n输入处接收第三组合“1100”,相应地非目标rcd106-0可以(在两个时钟周期内)在其qcs0_n和qcs1_n输出处生成复合odt指令,其具有组合值“0000”,并且在其qca输出处生成wr(写入)命令。响应于该复合odt指令,非目标存储器组108-0和108-1可以在dq/dqs总线上提供非目标odt_nom_wr值,从而启用dq/dqsodt。可以参考ddr4或ddr5标准的数据手册来了解非目标odt_nom_rd和非目标odt_nom_wr值的更多细节。
应当注意的是,尽管表ii示出了四个组合“0000”、“0011”、“1100”和“1111”中的3个组合可以被用于生成携载特定指令和/或值的复合odt指令,但是这种选择和关联可以在其他实施例中被调整。例如,在一些实施例中,这4个组合中的另外三个(例如,“0000”、“0011”和“1100”,而非“1111”、“0011”和“1100”)可以被使用,或者这3个组合可以以其他的顺序与复合odt指令中的3个值相关联。此外在一些其他实施例中,4个备选组合中的仅两个可以被用于生成携带非目标odt_nom_wr值或非目标odt_nom_rd值的复合odt指令。
可以理解,在非目标访问期间,非目标rcd也可以为其dca输入开启非目标caodt,正如表2所示。
如上文所述,通过对应的rcd的目标caodt指令、非目标caodt指令以及复合odt指令的生成均需要一段时间用于译码或类似处理。为了给rcd和存储器组留出足够的时间来准备好被存储器控制器访问,在一些实施例中,用于寻址和访问目标存储器组中的多个存储单元的ca信号可以被晚于目标访问cs信号和非目标cs信号经由dca总线从存储器控制器提供给rcd,正如步骤208所示。
具体地,如果ca信号与cs信号同时被从存储器控制器提供给目标rcd,那么至少在目标rcd开始接收ca信号的阶段,非目标dq/dqsodt和目标/非目标caodt不能够被启动,这可能会向存储器系统中引入不期望的噪声。因此,在步骤208,ca信号被晚于目标访问cs信号提供,以给目标rcd留出足够的时间来生成目标caodt指令,并且ca信号也晚于非目标cs信号提供,这样,可以为非目标存储器组开启非目标dq/dqsodt。例如,如图3所示,ca信号可以比在分别的dsci_n信号线上的cs信号晚n个(dck_t总线上的时钟信号的)时钟周期提供给rcd,其中n为正整数。在一些例子中,n可以是可编程的值,其可以根据存储器系统的rcd的处理能力来编程。例如,如果rcd具有较强的信号处理能力,那么n可以被设置为较小的值;否则n可以被设置为较大的值以给rcd处理留出足够的时间。
这样,rcd对ca信号的接收应当始终不早于目标rcd的目标caodt的开启。此外,至少在覆盖rcd接收ca信号的一段时间,这些odt机制应当保持有效。在一些优选的实施例中,在rcd接收ca信号之前的建立时间并且直到接收到ca信号之后的保持时间,目标caodt指令可以为目标rcd开启目标caodt。
正如上述,rcd可以在其所有dcsi_n输入接收非目标访问cs信号,并且因此该rcd是非目标rcd。对于非目标rcd,非目标caodt可以在其ca输入被开启,正如图3所示。在一些实施例中,非目标caodt可以被设置为默认odt并且被开启,除非接收到目标访问cs信号。正如图3所示,除了目标caodt被开启用来接收ca信号,caodt都被设置为非目标caodt。
在图3所示的实施例中,目标访问cs信号和非目标cs信号都是两个时钟周期信号宽,例如符合ddr5标准。可以理解,本申请的方法也可以被用于符合其他ddr标准的存储器系统,例如符合lpddr5标准的系统。具体地,在lpddr5存储器系统中,目标访问和非目标访问cs信号都是一个时钟周期宽并且高电平有效。ca信号被在一个时钟周期内传送。这种存储器系统的目标caodt和非目标caodt设置与图3所示的存储器系统的设置类似,在此不再赘述。
应当注意,尽管在上文详细描述中提及了用于访问存储器系统的方法的一些步骤,以及存储系统的若干模块或子模块,但是这种划分仅仅是示例性的而非强制性的。实际上,根据本申请的实施例,上文描述的两个或更多模块的特征和功能可以在一个模块中具体化。反之,上文描述的一个模块的特征和功能可以进一步划分为由多个模块来具体化。
本技术领域的一般技术人员可以通过研究说明书、公开的内容及附图和所附的权利要求书,理解和实施对披露的实施方式的其他改变。在权利要求中,措词“包括”不排除其他的元素和步骤,并且措辞“一”、“一个”不排除复数。在本申请的实际应用中,一个零件可能执行权利要求中所引用的多个技术特征的功能。权利要求中的任何附图标记不应理解为对范围的限制。