磁动力键盘的制作方法

本发明涉及键盘技术领域，具体涉及一种磁动力键盘。

背景技术：

现有的磁动力键盘包括键盘底座和按键组，键盘底座上设置有多个霍尔器件，按键组包括具有不同尺寸的多类按键，在键盘底座的长度方向上，如英文字母“a”按键的尺寸比例为l，而“ctrl”按键的尺寸比例则为1.25l，“enter”按键的尺寸比例为2.25l。

每个按键内均安装有磁体，为保证霍尔器件位于磁体的正下方，多个霍尔器件根据按键在键盘底盘长度方向上的尺寸适应具有不同尺寸的按键，多个霍尔器件间距不等地、杂乱地布置在键盘底座上。

现有的该种磁动力键盘存在的问题是，为满足使用者或玩家的需求，键盘按键的布置方式多种多样，不同键盘上还设置有不同的特殊功能按键。因此，每生产一款键盘，则需单独设计加工一款霍尔器件的布置与按键的布置匹配的键盘底座，生产成本高，生产效率低；另外，由于霍尔器件在键盘底座上的位置已固定，使用者或玩家只能重定义每个按键的键入指令，而无法更改键盘上各按键的布置，不能满足使用者或玩家的更高需求。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种模块化的、降低生产成本的磁动力键盘。

本发明提供的磁动力键盘包括键盘底座和按键组，键盘底座上设置有至少一行霍尔器件行，霍尔器件行包括沿键盘底座的长度方向等距设置的多个霍尔器件；按键组包括至少一个按键，按键的活动部上设有磁体；按键可拆卸地安装于键盘底座上，磁体与霍尔器件行中的至少一个霍尔器件配合。

由上述方案可见，使用者可根据使用习惯将按键可拆卸地安装到键盘底座上适合位置，此后使用者于软件中自定义按键的键入指令即可完成键盘上按键的自行布置和按键指令的自定义，从而构成一个满足自身需求的键盘，且该模块化的键盘可批量生产，有效降低生产成本。

进一步的方案是，键盘底座上设有多行霍尔器件行；多行霍尔器件行组成霍尔器件矩形阵列。

由上可见，此设置使与长度方向垂直的方向上按键之间的相对位置更贴合大众的使用习惯，并通过使用者调整按键的安装位置，进而使键盘更能满足使用者的使用需求。

进一步的方案是，在长度方向上，相邻的两个磁体之间的距离d2＝(1+n×0.125)d1，d1大于0，n为等于或大于0的整数。

由上可见，d1为按键设计的基础尺寸。由于多种型号的按键的长度均为基础尺寸d1的0.25倍的数倍，而磁体设置在按键的中央，则相邻两个磁体之间的间距为的d1的0.125倍的数倍。

进一步的方案是，在长度方向上，磁体的磁场范围w＝d1，相邻两个霍尔器件的间距d3＝d1。

由上可见，在多个按键安装到正确位置后，由于多种型号的按键的长度均为d1的0.25倍的数倍，因此，在长度方向上，磁体与最接近的霍尔器件重合或偏移，而偏移量必然是霍尔器件间距d3的0.125倍的1至4倍之间，因此，当使用者按照自身使用习惯将每个按键安装到键盘底座后，且每个按键均未处于按下状态时，每个霍尔器件接收到的磁通量仅为5种可能性(包括无位置偏移)中的其一，因此数据计算量并不大，系统即可根据每个霍尔器件的磁通量数据而确定每个磁体相对于霍尔器件的位置，此后使用者于软件中自定义按键的键入指令即可完成键盘上按键的自行布置和按键指令的自定义。

进一步的方案是，在长度方向上，磁体的磁场范围w＜d1，相邻两个霍尔器件的间距d3＜w。

由上可见，此设置保证每个霍尔器件仅位于一个磁体的磁场中，系统计算量减少，算法难度降低。

进一步的方案是，在长度方向上，w＜2×d3。

由上可见，此设置保证每个磁体最多仅与两个霍尔器件配合，避免浪费霍尔器件，降低生产成本。

进一步的方案是，键盘底座上设有至少一行第一卡扣结构行，第一卡扣结构行包括沿长度方向等距设置的多个第一卡扣结构，在长度方向上，相邻两个第一卡扣结构的距离d4＝0.25×d1；按键上设置有第二卡扣结构，第一卡扣结构与第二卡扣结构配合；第一卡扣结构和第二卡扣结构的其中一个为卡扣凸起，第一卡扣结构和第二卡扣结构中的另一个为卡扣凹位。

由上可见，此设置保证按键安装到键盘底座的位置准确无误，从而保证磁动力键盘的使用性能。

进一步的方案是，按键包括按键轴结构和可拆卸安装在按键轴结构底部的轴底座，第二卡扣结构设置在轴底座上。

由上可见，此结构便于损坏更换，延长键盘的使用寿命。

进一步的方案是，键盘底座的上表面设置沿长度方向延伸的长形沟槽，第一卡扣结构行位于长形沟槽中。

由上可见，第一卡扣结构在键盘底座表面上的隐藏设计便于加工且便于日常清洁。

进一步的方案是，按键包括按键轴结构和键帽，按键轴结构包括固定座和活动轴，键帽安装于活动轴上，活动部包括键帽和活动轴；磁体固定在键帽上，或磁体固定在活动轴上。

附图说明

图1为本发明磁动力键盘第一实施例隐藏按键组的结构示意图。

图2为本发明磁动力键盘第一实施例中霍尔器件行与第一卡扣结构行的局部示意图。

图3为本发明磁动力键盘第一实施例中按键组中多个按键的示意图。

图4为本发明磁动力键盘第一实施例中按键组中第一类按键的结构示意图。

图5为本发明磁动力键盘第一实施例中按键组中第二类按键的结构示意图。

图6为本发明磁动力键盘第一实施例中按键与第一卡扣结构之间的配合关系图。

图7为本发明磁动力键盘第一实施例中霍尔器件、霍尔器件与按键之间的第一配合关系图。

图8为本发明磁动力键盘第一实施例中霍尔器件、霍尔器件与按键之间的第二配合关系图。

图9为本发明磁动力键盘第一实施例中第一类按键与霍尔器件之间的配合关系图。

图10为本发明磁动力键盘第一实施例中第二类按键与霍尔器件之间的配合关系图。

图11为本发明磁动力键盘的工作方法第一实施例中按键行与霍尔器件行的配合关系图。

图12为本发明磁动力键盘的工作方法第一实施例的流程框图。

图13为本发明磁动力键盘第二实施例中按键行与霍尔器件行的配合关系图。

图14为本发明磁动力键盘的工作方法第二实施例的流程框图。

图15为本发明磁动力键盘第三实施例中按键组中按键与第一卡扣结构之间的配合关系图。

具体实施方式

磁动力键盘第一实施例

参见图1，图1为本发明磁动力键盘第一实施例隐藏按键组的结构示意图。本实施例为不具有数字键区的磁动力键盘，本实施例的键盘底座100上，霍尔器件行1和第一卡扣结构行2设置在主键盘区101内，主键盘区101共需设置五个按键行，对应地，键盘底座100在主键盘区101上设置五个霍尔器件行1，每个霍尔器件行1具有在x轴方向上等距离设置的15个霍尔器件11；第一卡扣结构行2内具有在x轴方向上等距离设置的60个第一卡扣结构21，第一卡扣结构行2上每四个第一卡扣结构21与一个霍尔器件11匹配。且在x轴方向上，每个霍尔器件行1的相对两侧均设置有一个第一卡扣结构行2。

参见图2，图2为本发明磁动力键盘第一实施例中霍尔器件行与第一卡扣结构行的局部示意图。在霍尔器件行1中，任意相邻的两个霍尔器件11的中心之间具有距离d3，对应地，在第一卡扣结构行2中，任意相邻的两个第一卡扣结构21之间的距离d4＝0.25×d3，且在y轴方向上，与霍尔器件11匹配的四个第一卡扣结构21对称地布置在霍尔器件11的相对两侧。

结合图3，图3为本发明磁动力键盘第一实施例中按键组中多个按键的示意图。磁动力键盘包括可拆卸地安装在键盘底座100的按键组9，按键组9包括在x轴方向上具有不同长度的多类按键，而多类按键均以基准尺寸d1为基础。按键组9包括按键91，按键91为第一类按键，如字母“a”对应按键，其具有在x轴方向上的长度l1，l1＝d1；按键组9还包括按键92，按键92为第二类按键，如“ctrl”对应按键，其具有在x轴方向上的长度l2，l2＝1.25×d1；按键组9还包括按键93，按键93为第三类按键，如“tab”对应按键，其具有在x轴方向上的长度l3，l3＝1.5×d1；按键组9还包括按键94，按键94为第四类按键，如“caps”对应按键，其具有在x轴方向上的长度l4，l4＝1.75×d1；按键组9还包括按键95，按键95为第五类按键，如“enter”对应按键，其具有在x轴方向上的长度l5，l5＝2.25×d1；按键组9还包括按键96，按键96为第六类按键，如“shift”对应按键，其具有在x轴方向上的长度l6，l6＝2.75×d1；按键组9还包括按键97，按键97为第七类按键，如“space”对应按键，其具有在x轴方向上的长度l7，l7＝6.25×d1。

当然，由于按键安装到键盘上必然具有间隔而保证按键的使用不因相邻按键的干涉而受影响，因此各个按键在x轴方向上的长度应当包括按键实体的尺寸和在x轴方向上两侧所预留的间隙量；另外，除上述七类按键外，键盘组9还包括在x轴方向上具有不同尺寸的其他类按键，从上述七类按键可见，多类按键之间的尺寸以第一类按键的长度l1为设计基准，并以0.25l1作为长度增量进行设计，即各类按键的长度l0＝(1+n×0.25)d1，d1大于0，n为等于或大于0的整数。相邻两个霍尔器件11的间距d3＝d1。

结合图2至图5，图4为本发明磁动力键盘第一实施例中按键组中第一类按键的结构示意图，图5为本发明磁动力键盘第一实施例中按键组中第二类按键的结构示意图。键盘组9中，每一类按键上均设置有四个第二卡扣结构，且按键中部均设置有一个磁体。

如第一类按键，在图4所示视角上，按键91的上设有磁体911和沿呈矩形整理布置的四个第二卡扣结构912，磁体911的中心与按键91的中心重合，四个第二卡扣结构912的中心与按键91的中心重合；在x轴方向上，两个第二卡扣结构912之间的距离d5＝3×d4，在y轴方向上，两个第二卡扣结构912之间的距离与位于霍尔器件行1两侧的两道第一卡扣结构行2之间的距离相等。

又如第二类按键，在图5所示视角上，按键92的上设有磁体921和沿呈矩形整理布置的四个第二卡扣结构922，四个第二卡扣结构922的中心与按键92的中心重合，在x轴方向上，两个第二卡扣结构912之间的距离d6＝4×d4。

由此可见，按键的长度l0＝(1+n×0.25)d1，于x轴方向，两个第二卡扣结构912之间的距离d0＝l0-0.25×d1，此设置使位于按键底部的四个第二卡扣结构尽量位于按键的外沿，按键的安装更稳定。

参见图6，图6为本发明磁动力键盘第一实施例中按键与第一卡扣结构之间的配合关系图。以按键91为例，按键91包括按键轴结构、键帽915和轴底座916，按键轴结构包括固定座913和可沿z轴方向上下弹性滑动的活动轴914，键帽915固定安装在活动轴914上而成为活动部，轴底座916通过卡装或螺栓锁紧的方式安装到固定座913的底部而成为固定部。

磁体911为磁圈，磁体911套装在键帽915内连接柱的外周；第二卡扣结构912为从轴底座916下端面向下凸起的卡扣凸起，卡扣凸起的延伸末端具有直径增大部；在键盘底座100上设置有沿x方向延伸的长形沟槽202，长形沟槽202内设置有从槽底面凸起的壁体203，第一卡扣结构21为形成于两道壁体203之间卡扣凹位，且卡扣凹位的入口收窄设置。进行按键91的安装时，仅需将按键91往下按压，第二卡扣结构912(卡扣凸起)进入第一卡扣结构21(卡扣凹位)内，即完成按键91与键盘底座100之间的可拆卸安装。

结合图6和图7，图7为本发明磁动力键盘第一实施例中霍尔器件、霍尔器件与按键之间的第一配合关系图。按键91(第一类按键)安装到键盘底座100时，位于按键91底部四个第二卡扣结构912和均匀布置在一个霍尔器件11四周的四个第一卡扣结构21分别配合后，在x轴方向上，磁体911的中心处与霍尔器件11的中心处之间的距离d2＝0。

再将一个按键92(第二类按键)安装到按键91的相邻处，当位于按键92底部的四个第二卡扣结构922与四个第一卡扣结构21配合后，在x轴方向上，磁体921与最接近的霍尔器件11之间的距离d3＝0.125×d1。若将两个按键91(第一类按键)安装到相邻位置上，两个按键91的磁体911各位于一个霍尔器件11正上方，因此，相邻两个磁体之间的间距d1最小值为相邻两个霍尔器件11的间距d3，在其他情况下，相邻两个磁体之间的间距d2＝(1+n×0.125)d1。

再结合图8，图8为本发明磁动力键盘第一实施例中霍尔器件、霍尔器件与按键之间的第二配合关系图。若在键盘底座100(图1示)上第一卡扣结构行2的左侧始端扣合安装一个按键98(第八类按键)，按键98在x轴方向上的长度为第一类按键长度的两倍，即按键98的长度l8＝2×d1，此时，两个霍尔器件11则对称地位于按键98上的磁体981的相对两侧，即在x轴方向上，磁体981的中心与两个霍尔器件11的中心之间的距离d3＝0.5×d1。

由此可得，当磁体并非位于霍尔器件11的正上方时，磁体与最接近的霍尔器件11之间的距离d3＝n×0.125×d1，1≤n≤4，n为整数。

如图8所示，霍尔器件11位于磁体的磁场时能获取磁通量数据，而当磁体981位于相邻两个霍尔器件11的对称中心处时，此时，在x轴方向上，磁体981与两侧的任一个霍尔器件11之间均具有最远距离dmax＝0.5×d1，为保证与霍尔器件11之间距离最远的磁体981能与霍尔器件11感应配合，在x轴方向上，磁体981的磁场范围应大于相邻两个霍尔器件11之间最近处的间距。

图9和图10，图9为本发明磁动力键盘第一实施例中第一类按键与霍尔器件之间的配合关系图，图10为本发明磁动力键盘第一实施例中第二类按键与霍尔器件之间的配合关系图。按键91(第一类按键)的磁体911位于第一个霍尔器件11的正上方，此时第二个霍尔器件11则无法与磁体911发生感应；见图10，按键92(第二类按键)的磁体921的中心相对于第一个霍尔器件11偏向第二个霍尔器件11，第二个霍尔器件11位于磁体921的磁场内，此时两个霍尔器件11均能与磁体921发生感应。

当然，一个磁体与一个霍尔器件11之间越接近，该霍尔器件11获取到的磁通量则越大。见图9，按键91处于未按压状态a时，霍尔器件11检测到的磁通量为50wb，按键91处于按压状态b时，霍尔器件11检测到的磁通量为80wb；见图10，按键92处于未按压状态a时，第一个霍尔器件11检测到的磁通量为45wb，第二个霍尔器件11检测到的磁通量为10wb；按键92处于按压状态b时，第一个霍尔器件11检测到的磁通量为70wb，第二个霍尔器件11检测到的磁通量为25wb。

因此，使用者可根据使用习惯将按键可拆卸地安装到键盘底座上适合位置，此后使用者于软件中自定义按键的键入指令即可完成键盘上按键的自行布置和按键指令的自定义，从而构成一个满足自身需求的键盘，且该模块化的键盘可批量生产，有效降低生产成本。

磁动力键盘的工作方法第一实施例

参见图11和图12，图11为本发明磁动力键盘的工作方法第一实施例中按键行与霍尔器件行的配合关系图，图12为本发明磁动力键盘的工作方法第一实施例的流程框图。本实施例应用于磁动力键盘第一实施例。以一个霍尔器件行与一个按键行的配合举例对磁动力键盘的工作方法进行说明，键盘底座上设置有在x轴方向上等距依次排布的霍尔器件11a、霍尔器件11b、霍尔器件11c、霍尔器件11d、霍尔器件11e、霍尔器件11f、以及另外四个霍尔器件11；按键行包括在x轴方向上依次安装到键盘底座上的第一个第三类按键、七个第一类按键和第二个第三类按键。

x轴方向上，第一个第三类按键和位于第一个第三类按键后方的四个第一类按键分别具有磁体931、磁体911a、磁体911b、磁体911c和磁体911d，由于第三类按键在x轴方向上的长度是第一类按键的1.5倍，因此，在第一个第三类按键的安装位置影响下，磁体931位于霍尔器件11a与霍尔器件11b之间且靠近霍尔器件11a，而磁体911a则位于霍尔器件11b与霍尔器件11c之间的中心处，磁体911b则位于霍尔器件11c与霍尔器件11d之间的中心处，磁体911c则位于霍尔器件11d与霍尔器件11e之间的中心处，磁体911d则位于霍尔器件11e与霍尔器件11f之间的中心处。因此，磁体931、磁体911a、磁体911b、磁体911c和磁体911d均与两个霍尔器件感应配合，且霍尔器件11a、霍尔器件11b、霍尔器件11c、霍尔器件11d、霍尔器件11e和霍尔器件11f均位于相邻的两个磁体的磁场之间。

再结合图7和图8，磁体与最接近的霍尔器件发生偏移，偏移量必然是霍尔器件间距的0.125倍的1至4倍之间，因此，当按键处于未按压位置时，与按键配合的霍尔器件的基础磁通量数据的可能性仅有数种，因此可根据不同的基础磁通量数据计算出该基础磁通量数据中与第一个磁体对应的第一基础磁通量分量数据和与第二个磁体对应的第二基础磁通量分量数据，同时还能根据基础磁通量数据确定出对应的阈值磁通量数据，并生成数据表。

在安装好按键行后，系统先执行步骤s1，获取各个霍尔器件的基础磁通量数据。所有按键均处于未按压位置，且每个按键的磁体均与两个霍尔器件感应配合，此时系统则可获得霍尔器件11a、霍尔器件11b、霍尔器件11c、霍尔器件11d、霍尔器件11e、霍尔器件11f、以及另外四个霍尔器件11的基础磁通量数据，随后系统则执行步骤s2，根据获得的基础磁通量数据和预设的计算公式生成霍尔器件11a、霍尔器件11b、霍尔器件11c、霍尔器件11d、霍尔器件11e、霍尔器件11f、以及另外四个霍尔器件11的阈值磁通量数据。此时完成对自定义磁动力键盘的调试。

当磁动力键盘正常使用时，系统则执行步骤s3，以一定的时间频率获取每个霍尔器件的实时磁通量数据，随后执行判断步骤s4，判断所有的实时磁通量数据中是否具有超过其对应的阈值磁通量数据的实时磁通量数据，若否，则继续执行步骤s3；若是，则执行步骤s5，确定按键行中第一个按键的当前操作状态。如图11所示，使用者按下了磁体911b和磁体911d所对应的两个第一类按键，霍尔器件11c、霍尔器件11d、霍尔器件11e和霍尔器件11f的实时磁通量数据超过了阈值磁通量数据，系统则开始执行步骤s5。此时其余霍尔器件的实时磁通量数据等于各自的基础磁通量数据。

由于霍尔器件11a仅位于磁体931的磁场中，系统通过霍尔器件11a的实时磁通量数据全来自于磁体931，因此根据霍尔器件11a的实时磁通量数据能准确地判断出磁体931的实时操作状态。霍尔器件11a的实时磁通量数据等于基础磁通量数据，因此磁体931的当前操作状态为未键入状态。

随后系统执行步骤s6，判断下一个磁体的当前操作状态，下一个磁体为磁体911a。首先，霍尔器件11b的实时磁通量数据包括与磁体931对应的第一实时磁通量分量数据a1以及与磁体911a对应的第二实时磁通量分量数据b1，而由于磁体931处于非键入状态，而霍尔器件11b的实时磁通量数据等于基础磁通量数据，磁体931对应的第一实时磁通量分量数据a1等于第一基础磁通量分量数据，通过计算得出磁体911a对应的第二实时磁通量分量数据b1等于第二基础磁通量分量数据，因此系统将磁体911a的当前操作状态确定为未键入状态。

随后系统执行判断步骤s7，判断当前被确定的磁体是否为按键行中最后一个按键中的磁体，若是，则执行该按键行中所有处于键入状态的磁体对应的按键的键入指令；若判断步骤s7的判断结果为否，则继续执行步骤s6，对下一个磁体的当前操作状态进行确定。即系统在确定一个按键行上各个磁体的当前操作状态时，将从按键行顺序上的第一个磁体开始逐一确定，直到将按键行顺序上最后一个磁体的当前操作状态确定完成为止。

系统将磁体911a的当前操作状态确定为未键入状态后，继续确定磁体911b的当前操作状态。对于霍尔器件11c的实时磁通量数据而言，磁体911a对应的第二实时磁通量分量数据b1作为霍尔器件11c的实时磁通量数据中的第一实时磁通量分量数据a2，霍尔器件11c的实时磁通量数据中还包括与磁体911b对应的第二实时磁通量分量数据b2。

霍尔器件11c对应的实时磁通量数据大于基础磁通量数据，而先前判断出磁体911a的当前操作状态为未键入状态，因此，系统可判断出霍尔器件11c获取的实时磁通量数据中，与磁体911a相关的第一实时磁通量分量数据a2应当等于磁体911a对应的第一基础磁通量分量数据，系统据此计算出与磁体911b对应的第二实时磁通量分量数据b2大于磁体911b对应的第二基础磁通量分量数据，进而系统将磁体911b的当前操作状态确定为键入状态。

随后系统确定磁体911c的当前操作状态。对于霍尔器件11d的实时磁通量数据而言，磁体911b对应的第二实时磁通量分量数据b2作为霍尔器件11d的实时磁通量数据中的第一实时磁通量分量数据a3，霍尔器件11d的实时磁通量数据中还包括与磁体911c对应的第二实时磁通量分量数据b3。霍尔器件11d对应的实时磁通量数据大于基础磁通量数据，且磁体911b对应的第二实时磁通量分量数据b2，即第一实时磁通量分量数据a3大于磁体911b对应的第一基础磁通量分量数据，系统据此计算出与磁体911c对应的第二实时磁通量分量数据b等于磁体911c对应的第二基础磁通量分量数据，进而系统将磁体911c的当前操作状态确定为非键入状态。

同理地，随后系统则根据上述确定规则将磁体911d的当前操作状态确定为键入状态，随后将剩余四个磁体的当前操作状态均确定为非键入状态。当系统完成对位于排列顺序上最后一个第三类按键的磁体的当前操作状态的确定后，系统执行判断步骤s7，且判断结构为是，进而执行步骤s8，执行磁体911b和磁体911d对应的按键的键入指令。

针对具有按键物理位置自定义功能的磁动力键盘中磁体与霍尔器件的交错感应配合，本发明提供的磁动力键盘的工作方法能避免误判按键当前操作状态。

磁动力键盘第二实施例

参见图13，图13为本发明磁动力键盘第二实施例中按键行与霍尔器件行的配合关系图。本实施例与本发明磁动力键盘第一实施例相同的是，按键的长度设计规律如图3所示，以尺寸d1作为设计基础，按键41为第三类按键，按键42为第一类按键；按键与键盘底座之间的连接方式同样采用如图7和图8所示的可拆卸连接方式，即当按键安装到键盘底座后，在x轴方向上，相邻的两个磁体之间的距离d2≥d1。本实施例与本发明磁动力键盘第一实施例不同的是，在霍尔器件行上，x轴方向上，相邻两个霍尔器件43之间的距离d3＝0.75×d1，本实施例中选用的磁体411和磁体421的磁场范围w＝0.8×d1。

本实施例可保证每个霍尔器件43最多仅位于一个磁体的磁场中。首先，霍尔器件43在x轴方向上的感应范围足够小而作为一个感应点，而相邻的两个磁体之间的距离d2≥d1，磁体421的磁场范围w＝0.8×d1，因此相邻的两个磁场之间具有间隔，位于相邻的两个磁体421之间中心处的霍尔器件43将不与该两个磁体421感应配合；另外，相邻两个霍尔器件43之间的距离d3＝0.75×d1，即相邻两个霍尔器件之间的距离d3小于磁体的磁场范围w，此设置防止出现磁体恰好位于相邻的两个霍尔器件之间的中心处而两个霍尔器件均无法与磁体感应配合的情况。优选的是，磁场范围w＜2×d3，此设置保证每个磁体最多仅与两个霍尔器件配合，避免浪费霍尔器件，降低生产成本。

因此本实施例保证每个霍尔器件43最多仅位于一个磁体的磁场中，霍尔器件43的实时磁通量数据仅与一个磁体相关，在进行磁体的当前操作状态的确定时降低计算难度。

磁动力键盘的工作方法第二实施例

结合图13和图14，图14为本发明磁动力键盘的工作方法第二实施例的流程框图，本实施例应用于磁动力键盘第二实施例。当使用者将按键安装到键盘底座后，各个磁体均处于未键入状态(按键未被按压的状态)下，使用者在界面点击确认后系统执行步骤s11，获取每个霍尔器件行中各个霍尔器件43的基础磁通量数据，随后系统执行步骤s12，根据步骤s11中获取到的每个基础磁通量数据和预设的计算方式确定出每个霍尔器件对应的阈值磁通量数据并保持到数据表中。

在磁动力键盘正常使用状态下，系统执行步骤s13，获取多个实时磁通量数据，并执行判断步骤s14，判断获取的多个实时磁通量数据中是否具有超过其对应阈值磁通量数据的实时磁通量数据，若否，则继续执行步骤s13进行多个实时磁通量数据的下一次获取；若是，系统则判断实时磁通量数据超过阈值磁通量数据的霍尔器件所配合的磁体处于键入状态，并执行处于键入状态的磁体的键入指令。

在判断步骤s14中，若一个磁体与两个霍尔器件感应配合，系统可根据与该磁体配合的任意一个霍尔器件的实时磁通量数据或与该磁体配合的两个霍尔器件的实时磁通量数据是否超过阈值磁通量数据而确定磁体是否处于键入状态。

在步骤s12中，系统除了可根据基础磁通量数据和预设的计算方式确定出每个霍尔器件对应的阈值磁通量数据外，还可根据基础磁通量数据和交互数据确定出每个霍尔器件对应的阈值磁通量数据。

例如，交互数据为调试磁通量数据，在调试模式下，使用者对一个按键做按压深度调试时，使用者根据自身敲击习惯，对一个按键进行连续的三次按压，系统则获取每次按键按压时磁通量最大时的磁通量数据作为调试磁通量数据，并取三个调试磁通量数据中最小值作为该磁体的阈值磁通量数据。

随后，为保证每个磁体到达键入状态的对应位置时的按压深度一致，系统根据已获取的阈值磁通量数据、该霍尔器件对应的基本磁通量数据和预设的计算公式计算出按压深度数据，并结合该按压深度数据和每个霍尔器件对应的基本磁通量数据生成每个霍尔器件对应的阈值磁通量数据。

另外，交互数据还可以是使用者从交互窗口中键入的按压深度数据。若使用者对自身习惯的按压深度较了解，可直接在交互窗口中填入按压深度数，系统则结合该按压深度数据和每个霍尔器件对应的基本磁通量数据生成每个霍尔器件对应的阈值磁通量数据。

另外，在对磁动力键盘进行预设和调试时，可根据获取的交互数据确定每个磁体对应的键入指令。当系统获取每个霍尔器件的基础磁通量数据后，即可根据每个基础磁通量数据计算出每个磁体的坐标位置，并在软件界面中的磁动力键盘二维模型中显示，磁动力键盘二维模型中具有位置与磁动力键盘上按键位置相匹配的按键模型。使用者每点击选择一个按键模型即可在交互界面的选择栏中多个键入字符中选择其中一个，点击确认后系统则将被选择的键入字符作为交互数据，并根据该交互数据将该磁体的键入指令确定为与被选择的键入字符匹配的键入指令。

磁动力键盘第三实施例

参见图15，图15为本发明磁动力键盘第三实施例中按键组中按键与第一卡扣结构之间的配合关系图。本实施例中，磁体991并非设置在键帽995上，而是固定在活动轴994的中部；另外，第一卡扣结构为设置在键盘底座300中长形沟槽中的卡扣凸起31，卡扣凸起31朝上凸起；轴底座996下端面朝下伸出壁体997，第二卡扣结构为形成于两个壁体997之间的卡扣凹位992。

本实施例中第一卡扣结构和第二卡扣结构的设置方式与磁动力键盘第一实施例中第一卡扣结构和第二卡扣结构的设置方式相反，但同样能实现按键组与键盘底座之间的可拆卸安装。

计算机装置实施例

本发明的计算机装置可以是包括有处理器以及存储器等装置，例如包含中央处理器的单片机等。并且，处理器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现上述磁动力键盘的工作方法的步骤。

所称处理器可以是中央处理单元(centralprocessingunit，cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digitalsignalprocessor，dsp)、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmablegatearray，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

所述存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(smartmediacard,smc)，安全数字(securedigital,sd)卡，闪存卡(flashcard)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。

计算机可读存储介质实施例

本发明的计算机可读存储介质可以是被计算机装置的处理器所读取的任何形式的存储介质，包括但不限于非易失性存储器、易失性存储器、铁电存储器等，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，当计算机装置的处理器读取并执行存储器中所存储的计算机程序时，可以实现上述磁动力键盘的工作方法的步骤。

所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、u盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。

最后需要强调的是，以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种变化和更改，如，在其他实施例中，按键的底部可仅设置1个或2个第二卡扣结构；在其他实施例中，键盘底座上不设置长形沟槽，第一卡扣结构凸起于键盘底座的上表面；在其他实施例中，键盘底座上主键盘区、编辑区和功能键区均设置霍尔器件行和第一卡扣结构行以实现该些区域上按键的自行布置和按键指令的自定；在其他实施例中，键盘底座上还具有数字键区，数字键区设置霍尔器件行和第一卡扣结构行以实现该区域上键的自行布置和按键指令的自定义。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。