本发明可用于对复合绝缘子闪络故障检测及预测等工程领域,计算方法适用于二维及三维模型。
背景技术:
绝缘子的正常运行是电力系统稳定运行的重要保证。绝缘子的闪络是影响输电线路安全运行的重要原因之一。因此分析绝缘子电弧的发展特性,对检测或预测绝缘子闪络故障具有重要意义。
技术实现要素:
本发明的目的是为了解决上述问题,提出了一种基于随机漫步理论的复合绝缘子电弧预测方法。
为达到此目的,本发明采用以下技术方案:一种基于随机漫步理论的复合绝缘子电弧预测方法,通过建立复合绝缘子模型,计算复合绝缘子周围的电场强度分布,根据电场强度大小判断绝缘子周围空气是否被击穿,根据各个方向的电场强度大小计算电弧各个发展方向的概率。以电弧实时能量的注入和耗散作为电弧发展或熄灭的判据。
预测方法的步骤如下:
s1:确定复合绝缘子的电压等级和形状尺寸;
s2:计算绝缘子周围电场强度和温度的分布;
s3:根据场强分布计算结果,判断场域内各个位置的空气是否达到击穿条件;
s4:在达到击穿条件的位置,根据该位置的各方向电场强度,确定电弧发展的方向的概率;
s5:生成随机数,决定电弧发展的方向;
s6:计算电弧的注入和耗散能量;
s7:重复步骤s2~s6,直到电弧导通绝缘子两极或电弧能量耗尽为止。
所述电势分布符合泊松方程:
式中,
电场强度e可由电势
式中,
计算电场强度分布的方法可以采用有限差分法、有限元法、模拟电荷法或其他方法。
所述温度分布符合导热微分方程:
式中,t为该点所在位置的热力学温度,t为时间,ρ、c和λ分别为该点所在材料的密度、比热容和导热系数,φ是场域内的热源(绝缘子的表面和电弧都可作为热源)。
计算温度分布的方法可以采用有限差分法、有限元法或其他方法。
所述电弧发展方向的概率可由下式计算
式中,n是电弧可能发展方向的个数,p(i)是电弧向第i个方向发展的概率,ei是沿第i个方向的电场强度大小,ec是空气的击穿场强。τ(x)是一个阶跃函数:
本发明相比现有技术,具有如下的有益效果:
本发明在计算复合绝缘子电弧发展轨迹时,兼顾电场强度分布、温度分布和电弧随机漫步三个方面,既能体现出在电弧在电—热耦合场的作用下的发展轨迹,又能体现出电弧发展的随机性。同时,本发明在计算出电场强度分布、温度分布结果的基础上,对电弧的注入及耗散能量进行计算,因此可以在能量的角度上详细描述电弧从产生、发展,到熄灭或闪络的整个过程,符合电弧发展的实际物理规律,能够用于电弧轨迹的预测和分析。
附图说明
图1为本发明的流程示意图。
图2为复合绝缘子的几何形状和参数。
图3为电弧发展方向概率示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明的技术方案作进一步的介绍。
如图1所示,复合绝缘子上下各有一个电极,分别是高压电机和接地电极。此外还具有若干个伞裙(有的复合绝缘子的伞裙有“大伞”和“小伞”之分,如图1)。
采用随机漫步理论预测复合绝缘子电弧的步骤如下。
s1:确定复合绝缘子的电压等级和形状尺寸。
如图1所示,包括高压电极的电势
s2:计算绝缘子周围电场强度的分布。
电势分布符合泊松方程:
式中,
电场强度e的大小可由电势
温度分布符合导热微分方程:
式中,t为该点所在位置的热力学温度,t为时间,ρ、c和λ分别为该点所在材料的密度、比热容和导热系数,φ是场域内的热源(绝缘子的表面和电弧都可作为热源)。
s3:根据场强分布计算结果,判断场域内各个位置的空气是否达到击穿条件。
若电场场域内空气中某点p的场强大小ep大于等于空气击穿场强ec,则该点达到了击穿的条件。
s4:在达到击穿条件的位置,根据该位置的各方向电场强度,确定电弧发展的方向的概率。
电弧发展方向的概率可由下式计算
式中,n是电弧可能发展方向的个数,p(i)是电弧向第i个方向发展的概率,ei是沿第i个方向的电场强度大小。τ(x)是一个阶跃函数:
s5:生成随机数,决定电弧发展的方向。
生成的随机数rand的取值范围为0到1,即
0≤rand≤1(6)
对于第i个发展方向,如果rand落到该范围(如果i=1,则rand左边的“<”改成“≤”):
并且
ei≥ec(8)
则电弧向第i个方向发展。
如果
ei<ec(9)
则电弧暂时不向任何方向发展。
s6:计算电弧的注入和耗散能量。
电弧所具有的能量earc可由下式计算,
earc=winj-wcond-wconv-wrad(10)
式中,winj为电弧注入的能量,wcond、wconv和wrad分别是电弧通过热传导、热对流和热辐射形式耗散的能量。
电弧注入的能量计算如下:
式中,uarc(x,t)是电弧两端的电势差,iarc(x,t)是电弧的电流强度,t0是电弧发展的时间,l是电弧的长度。
以热传导形式耗散的能量计算如下:
式中,
以热对流形式耗散的能量计算如下:
式中,α是热对流系数,(t-tw)是电弧与空气之间的温度差。
以热辐射形式耗散的能量计算如下:
erad=ξδt4t0(14)
式中,ξ是实际物体发射率(指对实际物体热辐射与黑体热辐射的能量之比,ξ<1),δ是斯蒂芬—波尔兹曼常数(其值约为5.67×10-8w·m-2·k-4)。
s7:重复步骤s2~s6,直到电弧导通绝缘子两极或电弧能量耗尽为止。
电弧发展结束的标志为:
(1)电弧导通两极,标志电弧闪络;
(2)电弧能量耗尽,标志电弧熄灭。
计算过程结束后,可以得到其中一种电弧的随机轨迹。多次重复步骤s1~s7可以得到一系列电弧发展轨迹,从而推断电弧轨迹分布的特征。