1.一种rfid抗干扰解调器，它包括依次连接的包络提取电路、低通滤波电路、双输出射随器和迟滞比较器，其特征在于：双输出射随器包括运算放大器电路和两路单管射随器结构：运算放大器电路输出端连接负输入端，形成闭环射随器，再通过差分输出端与两路单管射随器结构连接；
第一单管射随器结构包括依次串联的多个mos管组成的第一单管射随器以及与第一单管射随器串联的mos管m10，差分输出端连接到第一单管射随器中所有mos管的栅极；
第二单管射随器结构包括依次多个串联的mos管组成的第二单管射随器，以及与第二单管射随器结构并联的mos管m11，差分输出端连接到第二单管射随器中所有mos管的栅极；
两路单管射随器串联的mos管数量不同使得静态输出电平不同，进而实现同时输出极性相反的两路错位互补的包络信号。
2.根据权利要求1所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：所述运算放大器电路包括差分输入放大管m20和m21，m14和m15构成的反相器，以及m18和m19组成的电流镜结构；
m4和m5采用二极管连接方式分别连接到m20和m21的漏极上作为运算放大器的负载；m19的漏极连接到m20的栅极构成负反馈结构；
反相器的输出端连接依次串联的m17和m16，m16的漏极连接到m20和m21的栅极上实现整个电路工作状态的控制。
3.根据权利要求2所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：第一单管射随器包络依次串联的m12、m22和m24，m20的漏极与m12、m22和m24的栅极连接，m24的源极与m10的漏极连接；
第二单管射随器包括依次串联的m13和m29，m21的漏极与m13和m23的栅极连接，m23的源极与m11的漏极连接；
m5和m10组成电流镜结构以及m4和m11组成电流镜结构分别驱动第一单管射随器和第二单管射随器产生错位互补的包络信号。
4.根据权利要求2所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：在m4栅极和m18漏极之间连接有多个mos管以串联方式形成长沟道nmos管；在m5的栅极和m19的漏极之间连接有多个mos管以串联方式形成长沟道nmos管。
5.根据权利要求1所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：所述包络提取电路包括第一整流电路、第二整流电路、第一直流阈值消除电路和第二直流阈值消除电路；
第一整流电路与第二整流电路连接，实现包络信号的提取；
第一直流阈值消除电路与第一整流电路并联，以实现第一整流电路中整流管的阈值消除；第二直流阈值消除电路与第二整流电路并联，以实现第二整流电路中整流管的阈值消除。
6.根据权利要求5所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：所述第一整流电路包括耦合电容c0和c1以及mos管m3，c0和c1并联在m3的栅极和漏极之间；m3的源极与m4的漏极连接；
所述第二整流电路包括耦合电容c2和c3以及mos管m4，c2和c3并联在m4的栅极和漏极之间；
第一直流阈值消除电路包括多个mos管串联形成的长沟道nmos管，且采用二极管连接方式并联在m3的栅极与漏极之间；
第二直流阈值消除电路包括多个mos管串联形成的长沟道nmos管，且采用二极管连接方式并联在m4的栅极与漏极之间。
7.根据权利要求6所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：所述包络提取电路还包括mos管m0和m1组成的电流镜结构，m1通过一采用二极管连接的m2连接到m4的源极；
以及mos管m6～m12组成的电流镜结构，m6～m11串联等效为长沟道nmos与m12连接，以降低m12的漏极电流，m12的漏极连接到m3的漏极上。
8.根据权利要求7所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：所述包络提取电路还包括由mos管m25～m29组成的电流镜结构，m25的漏极与m0和m1组成的电流镜结构连接，m26的漏极与m6～m12组成的电流镜结构连接，m27的漏极与第一直流阈值消除电路连接，m28与第二直流阈值消除电路连接，以为各个直流通路提供偏置电流，m29为m25～m28提供参考电流。
9.根据权利要求1所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：所述迟滞比较器包括输入放大管p0和p1，mos管n0和n1采用二极管连接方式分别连接到p0和p1的漏极作为等效负载；
mos管n2和n3串联，mos管n4和n5串联，n2～n5构成电流镜结构；p0的漏极连接到n2和n3的连接点，p1的漏极连接到n4和n5的连接点，使n2～n5实现正反馈。
10.根据权利要求9所述的一种rfid抗干扰解调器，其特征在于：所述迟滞比较器还包括p9和n8构成的反相器，p13和n9以及p14和n10构成的两级反相器；
p13和n9以及p14和n10构成的两级反相器与n5的漏极连接，对解调信号进行整形并增加驱动能力；
p9和n8构成的反相器与开关管p10连接，并通过开关管p10确保解调器不工作时输出端为高电平。