本实用新型涉及电子设备静电防护领域,尤其涉及一种防止ESD的U盾结构。
背景技术:
传统U盾结构本体由上壳和下壳构成,上壳镀有金属层,所述上壳边沿一般是半径为0.15mm的圆角结构,半径较小,直接导致经过多次空气放电后,上壳边沿位置会积聚高密度的电子,产生电子火花,所述电子火花极其容易击穿线路板抗ESD差元件,导致整机ESD失效,设备无法使用,严重影响设备使用寿命;另一方面,现有的U盾多设置有多个按键,操作繁琐,不便使用。
技术实现要素:
为解决上述U盾边沿电子积聚导致的设备损伤以及操作繁琐等问题,本实用新型提出了一种防止ESD的U盾结构。
一种防止ESD的U盾结构,包括U盾本体以及设置于U盾本体内的线路板,所述U盾本体包括上壳和下壳,所述上壳边沿为半径为不小于0.5mm的圆角结构,有效的减少电子积聚的密度,防止产生放电火花击穿设备电子元件。
进一步的,所述上壳表面镀有金属层,防止本体磨损和腐蚀。
进一步的,还包括显示屏,所述显示屏与所述线路板电性连接。
进一步的,所述上壳设置有用于设置所述显示屏的视窗区。
进一步的,所述上壳和下壳通过卡扣连接。
进一步的,所述U盾本体一端设置有开口,所述开口设置有多功能按键,所述多功能按键与所述线路板电性连接,所述多功能按键配合所述显示屏可实现多功能的操作,解决了设置多个按键操作繁琐的问题。
进一步的,所述U盾本体的另一端设置有数据接口,所述线路板设置有与数据结口相匹配的数据接口母座。
进一步的,所述数据接口为TYPE-C接口或者Micro USB接口。
本实用新型带来的有益效果:
本实用新型将上壳的一圈边沿改进为半径不小于0.5mm的圆角结构,减小了空气多次放电后电子在此处边沿的积聚密度,防止产生电火花击穿线路板电子元器件,此结构设计简单,方便生产,完美解决ESD损坏设备的问题,有效延长U盾使用寿命;多功能按键的设置,配合所述显示屏,可实现多功能的操作,较现有的多按键U盾,操作更加简单方便。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本实用新型实施例的限定,在附图中:
图1为本实用新型优选实施方式主视图;
图2为本实用新型优选实施方式俯视图;
图3为本实用新型优选实施方式仰视图;
图4为本实用新型优选实施方式左视图;
图5为本实用新型优选实施方式右视图;
图6为上壳的背视结构示意图;
图7为图6沿A-A剖视结构示意图;
其中:U盾本体-10;PCB板-20;上壳-11;下壳-12;卡扣13;圆角结构-14;显示屏-15;视窗区-16;开口-17;多功能按键-18;数据接口19;数据接口母座-30。
具体实施方式
下面描述本实用新型的优选实施方式,本领域普通技术人员将能够根据下文所述用本领域的相关技术加以实现,并能更加明白本实用新型的创新之处和带来的益处。
参考图1-5,一种防止ESD的U盾结构,包括U盾本体10以及设置于U盾本体10内的PCB板20,所述U盾本体10整体呈椭圆形,所述上壳11为塑胶件,其表面还设置有真空溅镀的不锈钢层,但不局限于此,用于防止U盾本体10的磨损与腐蚀。
所述U盾本体10包括上壳11和下壳12,所述上壳11和下壳12通过卡扣13结构相互连接,所述上壳11边沿为半径不小于0.5mm的圆角结构14。
传统U盾结构,上壳11边沿为半径0.15mm圆角结构14,当在上壳11表面上真空溅镀有不锈钢层时,在多次空气放电后,U盾本体10边沿处,即上壳11边沿一圈,因圆角半径过小,会导致电子的积聚,且密度较大,极易产生放电火花,所述放电火花会击穿PCB板20上的抗ESD差元件,导致整机ESD失效,缩短U盾的使用寿命。
本实用新型将上壳11边沿设置为半径不小于0.5mm的圆角结构14,可有效的减小电子积聚密度,防止产生电子火花,有效的保护U盾本体10内的电子元器件,延长U盾的使用寿命。
参考图6、7,优选的,所述U盾还设置有显示屏15,作为人机交互的界面,所述显示屏15与所述线路板电性连接,所述上壳11设置有用于设置所述显示屏15的视窗区16。
进一步的,如图5所示,在U盾本体10一端设置有开口17,所述开口17用于设置有多功能按键18,所述多功能按键18与所述线路板电性连接;所述多功能按键18呈齿轮状,局部露出于开口17外设置,用于配合所述显示屏15实现开关、确认、取消、选择、上翻页、下翻页等便于U盾使用的指令操作。
进一步的,如图4所示,所述U盾本体10的另一端设置有数据接口19,便于配合数据线进行数据的传导,所述PCB板20设置有与数据结口19相匹配的数据接口母座30。
优选的,所述数据接口19为TYPE-C接口或者Micro USB接口,但不局限于此。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施方式只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。