一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置与流程

本发明涉及提取装置
技术领域：
，特别涉及一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置。
背景技术：
：随着晶闸管和门极关断晶闸管等大功率器件在电力电子方面的广泛应用。晶闸管作为一种较新的碳化硅器件，具有强大的性能。在电力电子系统的分析和设计中，晶闸管模型的可用性相当重要。建模与仿真是电力电子系统设计流程的重要组成部分。精确的设计模型可用于考虑实际器件的不可测量量，优化实现成本，提高设计电路的可靠性。电力系统行为的精确描述需要精确的元件模型。半导体器件模型的有效性不仅取决于半导体方程，还取决于器件设计参数，而这些参数较难提取。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置，解决现有技术中参数较难提取的问题。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：根据本发明的一个方面，本发明提供一种晶闸管设计参数的提取方法，包括：获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值；细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb；根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值；估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值；细化设备有效区域a。根据本公开的一方面，提供了一种晶闸管设计参数的提取装置，包括：获得模块，用于获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值；第一细化模块，用于细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb；估计模块，用于根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值；估算模块，用于估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值；第二细化模块，用于细化设备有效区域a。根据本公开的一方面，提供了一种计算机可读程序介质，其存储有计算机程序指令，当所述计算机程序指令被计算机执行时，使计算机执行根据上述的方法。根据本公开的一方面，提供了一种电子装置，包括：处理器；存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时，实现上述的方法。由上述技术方案可知，本发明实施例至少具有如下优点和积极效果：在本发明的一些实施例所提供的技术方案中，获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值；细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb；根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值；估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值；细化设备有效区域a，其中，晶闸管设计参数的提取过程是基于仿真结果和实验结果的比较计算，同时考虑了元件的物理特性，可大大增强功率半导体器件和相关设计参数的准确模型的可用性，更好的实现综合电力系统设计中预测其电气行为的精确仿真的目标。附图说明图1是根据一示例性实施例示出的一种晶闸管设计参数的提取方法的流程图。图2是根据一示例性实施例示出的根据一种晶闸管设计参数的提取方法的基本流程图。图3是根据一示例性实施例示出的晶闸管设计参数提取实验电路示意图。图4是根据一示例性实施例示出的简化的网状晶闸管二维结构。图5是根据一示例性实施例示出的igbt、mosfet和晶闸管栅极的实验控制信号。图6是根据一示例性实施例示出的进行击穿电压估计的模拟电路和膝区示意图。(a)击穿电压估计的模拟电路。(b)膝区示意图。图7是根据一示例性实施例示出的实验和仿真结果的比较。(a)电流波形(b)电压波形。图8是根据一示例性实施例示出的一种晶闸管设计参数的提取装置框图。图9是根据一示例性实施例示出的一种电子装置的硬件图。图10是根据一示例性实施例示出的一种晶闸管设计参数的提取方法的计算机可读存储介质。具体实施方式体现本发明特征与优点的典型实施方式将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施方式上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及图示在本质上是当作说明之用，而非用以限制本发明。精确仿真是综合电力系统设计中预测其电气行为的重要任务。因此，需要对其布线电路进行很好的描述，而功率半导体器件和相关设计参数的准确模型的可用性至关重要。能够精确提取晶闸管的设计参数对于基于物理的分析模型十分必要。随着晶闸管和门极关断晶闸管等大功率器件在电力电子方面的广泛应用。晶闸管作为一种较新的碳化硅器件，具有强大的性能。在电力电子系统的分析和设计中，晶闸管模型的可用性相当重要。建模与仿真是电力电子系统设计流程的重要组成部分。精确的设计模型可用于考虑实际器件的不可测量量，优化实现成本，提高设计电路的可靠性。电力系统行为的精确描述需要精确的元件模型。半导体器件模型的有效性不仅取决于半导体方程，还取决于器件设计参数，即结构定义。因为这些参数很难直接从制造商处获得，故如何提取其将存在基于逆向工程技术的问题，具有一定的敏感性和破坏性。研究这些设计参数的无损提取技术和获得精确功率器件模型的适当方法是以上问题的一种有效解决方法。根据本公开的一个实施例，提供了一种晶闸管设计参数的提取方法，如图1和图2所示，该晶闸管设计参数的提取方法,包括：步骤s110、获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值；步骤s120、细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb；步骤s130、根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值；步骤s140、估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值；步骤s150、细化设备有效区域a。在本发明的一些实施例中，基于前述方案，获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值；细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb；根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值；估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值；细化设备有效区域a，其中，晶闸管设计参数的提取过程是基于仿真结果和实验结果的比较计算，同时考虑了元件的物理特性，可大大增强功率半导体器件和相关设计参数的准确模型的可用性，更好的实现综合电力系统设计中预测其电气行为的精确仿真的目标。下面对这些步骤进行详细描述。如图1和图2所示，在步骤s110中，获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值；步骤s111、将预设的晶闸管模型在开关电路单元中针对晶闸管基区宽度nb和掺杂浓度wb的各种值进行模拟；步骤s112、在低正向压降和高击穿电压之间寻找到一个折衷，该折衷对应于仅位于膝关节区域的参数对；步骤s113、选择膝区晶闸管基带的最小厚度和最高掺杂量用于设置晶闸管基区宽度wbhe掺杂浓度nb；步骤s114、将栅极区宽度wg设置为小于晶闸管基区宽度wb的值，掺杂浓度ng设置为大于掺杂浓度nb的值，从而初始化晶闸管栅极层的参数值。其中，设备工程师做出权衡，满足对击穿电压、快速开关、低正向电压和高正向电流密度的限制；将建立的晶闸管模型在开关电路单元中针对nb和wb的各种值进行模拟；在低正向压降和高击穿电压之间寻找到一个较好的折衷，选择膝区晶闸管基带的最小厚度和最高掺杂量用于设置nb和wb参数；通过目视检查，选择nb和wb的初始值；根据制造商通常给出的电流密度，由公式aop＝if/jn推算组件有效面积初始值，(jn：典型的电流密度，aop：器件的最佳有效面积)；将wg设置为小于wb的值，ng设置为大于nb的值，从而初始化晶闸管栅极层的参数值；另外，使用有限元法对所述晶闸管进行建模，以便于对所述晶闸管进行有效测试。使用一个开关单元电路来获取测量值；或者，使用开关单元布线的精确模型以及电流和电压探针的模型进行仿真。在步骤s120中，细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb。步骤s121、通过匹配实验和模拟的反静态特性，对掺杂浓度nb和晶闸管基区宽度wb进行细化；步骤s122、获得被测晶闸管的基本i-v曲线，并在准稳态模式下进行数值模拟。通过匹配实验和模拟的反静态特性，对nb和wb两个参数进行细化；试验得到被测晶闸管的基本i-v曲线；在准稳态模式下进行数值模拟；通过改变wb和nb参数值启动模拟，得到使得击穿电压的实验波形和模拟波形一致性较高时组件的估计参数。在步骤s130中，根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值。步骤s131、在晶闸管关断暂态过程仿真中，改变双极寿命值τ，匹配模拟和实验电流波形，并使用模拟器来获得其估计值；步骤s132、找到使得模拟和实验电流波形的反向电流irm和反向恢复时间tr1的值基本一致的τ的估计参数，此时，掺杂浓度nb和晶闸管基区宽度wb应再次调整，从而使得与τ的最新估计参数一致。通过仿真预测晶闸管关断过程中双极寿命τ变化对电流和电压波形的影响；在晶闸管关断暂态过程仿真中，改变双极寿命值τ，匹配模拟和实验电流波形，并使用模拟器来获得其估计值；找到使得模拟和实验电流波形的反向电流irm和反向恢复时间tr1的值基本一致的τ的估计参数；此时，nb和wb应再次调整，从而使得与τ的最新估计参数一致，重复步骤s120。在步骤s140中，估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值。步骤s141、利用模拟器对晶闸管关断过程进行仿真，研究栅极区宽度wb及其掺杂浓度ng对电流和电压波形的影响，并观测晶闸管栅极区域剩余电荷排出的第二阶段；步骤s142、通过匹配t3瞬间阳极电流幅值的模拟值和实验值，得到掺杂浓度ng的估算值；步骤s143、改变栅极区宽度wg，直到与tr2的实验值和模拟值相匹配。利用模拟器对晶闸管关断过程进行仿真，主要观测晶闸管栅极区域剩余电荷排出的第二阶段；通过匹配t3瞬间阳极电流幅值的模拟值和实验值，得到掺杂浓度ng的估算值；改变wg，直到与tr2的实验值和模拟值相匹配；对于这些后来估计的参数wg和ng，保证实验和模拟的晶闸管关断暂态过程中的电流波形一致性较强；再次调整wb和nb参数值，启动步骤2，使模拟和实验电流波形与被测晶闸管在模拟和实验中的相同击穿电压一致；双极寿命也与储存的电荷有关，也应重复步骤s130和s140。在步骤s150中，细化设备有效区域a。通过对vrm的模拟值和实验值的匹配，寻找得到晶闸管有效面积a的估计值，这个估计值a对应于元件在关断开关期间的模拟和实验电压波形之间的良好一致性；而晶闸管轻掺杂区内储存的电荷在开启时也与其有效区有关，故需要用有效区的估计值重新启动双极寿命优化过程；再次执行wb和nb值的优化步骤以代表被测晶闸管的击穿电压；并再次重复步骤s120和步骤s130；通过计算出电流密度j＝in/a，(in：标称电流，a：有效面积)与典型值相比较，进一步验证被测晶闸管提取的有效面积。在上述的一种晶闸管设计参数提取方法，所述的步骤2——步骤5中，使用的仿真模拟方法详细叙述如下：本发明选用有限元法对晶闸管进行建模。垂直功率晶闸管基于轻掺杂的n型层(外延层或衬底)，该n型层针对器件的阻断电压进行了优化。在晶圆的正面和背面分别建立阴极区、p栅区和阳极区接触。本发明建模选取的晶闸管设计参数如下所示。晶闸管的二次设计参数xja,xjkn+,p+按照商用技术设备进行设定。使用图形工具mdraw-isetcad在fem模拟器中实现晶闸管二维结构。使用网格工具生成所需的组件的几何数据结构和掺杂轮廓数据，并给模拟器使用。在栅极-基底、阴极-栅极、基底-阳极接合处和电极接触处进行精细啮合。在上述的一种晶闸管设计参数提取方法，所述的步骤2——步骤5中，使用测试实验电路进行晶闸管测试方法详细叙述如下：本发明使用实验电路用于获取晶闸管在关断暂态过程中的动态特性，如附图2和图3和所示。该测试实验电路使用mosfet晶体管和被测器件，如晶闸管等作为开关单元。在这个电路中，mosfet晶体管用来关断晶闸管。宽带宽中的电流分流器与晶闸管串联插入。选择两个电压探头。将其以差分方式连接到晶闸管，以减少来自探头拾取的同步噪声信号的干扰。开关单元包括电压发生器两个以及电流发生器、mosfet晶体管、绝缘栅双极晶体管(igbt)、p-i-n二极管、驱动电路和提供三个同步脉冲的微控制器各一个。这些脉冲经过放大后被加到mosfet晶体管、igbt晶体管和被测器件上。使用该实验电路可以给出测量值和用电路仿真模型得到的模拟值之间的最佳比较条件。实验电路包括与电流源串联的两个电感：空气电感i1和，芯电感i2。聚丙烯和陶瓷电容与电压源并联。当一个脉冲被施加到igbt的栅极上，并且电流if流过igbt时，igbt晶体管会使电流源短路。然而，当igbt晶体管关断时，p-i-n二极管和被测器件中的电流流被vd电压阻塞并正向偏置。一旦晶闸管栅极被激活，元件的导通过程就被触发。然后，将脉冲施加到mosfet栅极上，该栅极在恢复过程中打开并强制晶闸管关闭。开关mosfet的脉冲持续时间应足够长，以避免在重新施加正向电压时被测晶闸管立即导通。这与晶闸管的关断时间有关。一旦mosfet被打开，晶闸管就会被电压发生器反向偏置(vr)。因此，晶闸管基极在其导通阶段储存的电荷将被抽空，并且反向恢复晶闸管启动现象。本发明利用混合模式仿真技术，在模拟器上实现测试电路。为被测晶闸管选择一个有限元模型。测试电路的其他元件可以由其等效电路模型描述。本发明使用主开关参数进行提取过程，主要涉及的晶闸管开关参数如下所示。本发明的有益效果是：(1)本发明基于晶闸管仿真模型和一种测试实验电路，根据模型仿真结果和测试实验结果的比较计算，综合考虑元件的物理特性，逐步提取无法从制造厂商处获得的晶闸管主要设计参数，并将其优化为一个五步重复过程，能够达到满意的精度，这种方法规避了对实际晶闸管的损坏，提取效果较好。(2)本发明基于设计参数解耦概念的新方法，循环简单，逐步提取过程十分快速，循环次数少，对cpu要求不高，成本较低。(3)本发明所使用的晶闸管仿真模型，选用电力设备建模中最精确的方法之一——有限元法进行建模，综合考虑了传输效应、温度依赖性、俄歇复合和雪崩效应等，能很好地反映实际工程情况，提取效果也十分准确。(4)本发明考虑实际器件的不可测量量，优化实现成本，提高设计电路的可靠性。作为设计和优化基于硅或碳化硅材料的晶闸管和gto电力电子系统的第一步，可用于运输系统和电力分配和传输。在另一实施例中，实施例(选用2n6508g、2n6397g和bt153三种商用晶闸管作为测试器件)首先对发明中所使用的晶闸管进行建模，建模方式介绍如下：选用有限元法对晶闸管进行建模。以垂直功率晶闸管为例，其二维基本结构如图3和图4所示。它基于轻掺杂的n型层(外延层或衬底)，该n型层针对器件的阻断电压进行了优化。在晶圆的正面和背面分别建立阴极区、p栅区和阳极区接触。晶闸管的二次设计参数xja,xjkn+,p+可根据商用厂家设备设定为：xja＝40μm，xjk＝2μm，p+＝1020cm-3n+＝1020cm-3。使用图形工具(如mdraw-isetcad)在fem模拟器中实现图3和图4所示的晶闸管二维结构。使用网格工具生成组件的几何数据结构和掺杂轮廓等数据给模拟器使用。在栅极-基底、阴极-栅极、基底-阳极接合处和电极接触处进行精细啮合。另外，本发明使用实验电路用于获取晶闸管在关断暂态过程中的动态特性，测试电路如图2和图3所示。该测试实验电路使用mosfet晶体管和被测器件，如晶闸管等作为开关单元。在这个电路中，mosfet晶体管用来关断晶闸管。宽带宽中的电流分流器与晶闸管串联插入。选择两个电压探头。将其以差分方式连接到晶闸管，以减少来自探头拾取的同步噪声信号的干扰。开关单元包括电压发生器两个以及电流发生器、mosfet晶体管、绝缘栅双极晶体管(igbt)、p-i-n二极管、驱动电路和提供三个同步脉冲的微控制器各一个。这些脉冲经过放大后被加到mosfet晶体管、igbt晶体管和被测器件上。控制时序如图4和图5所示。使用该实验电路可以给出测量值和用电路仿真模型得到的模拟值之间的最佳比较条件。利用混合模式仿真技术，在模拟器上实现测试电路。为被测晶闸管选择一个有限元模型。测试电路的其他元件可以由其等效电路模型描述。接下来就可以进行如图1和图2所示的提取程序。步骤s110：获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值设备工程师正在做出权衡，以最好地满足对击穿电压、快速开关、低正向电压和高正向电流密度的限制。图2和图3所示的晶闸管模型，该晶闸管模型在图5和图6的电路中针对nb和wb的各种值进行模拟。在图6(b)中，注意到器件击穿电压随着轻掺杂层的掺杂水平的降低和其厚度的增加而增加。为了优化轻掺杂层的电阻，必须在低正向压降和高击穿电压之间找到一个很好的折衷。这种折衷对应于仅位于膝区的参数对(wb和nb)，如图6(b)所述。为了设置nb和wb参数，选择了膝区晶闸管基带的最小厚度和最高掺杂量。通过目视检查，选择nb和wb的初始值。根据制造商通常给出的电流密度，可以根据aop＝if/jn规律推算出组件有效面积的初始值，其中jn是典型的电流密度(从100到300a/cm2)，aop是器件的最佳有效面积。步骤s120：细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb通过匹配实验和模拟的反静态特性，对nb和wb两个参数进行细化；试验得到被测晶闸管的基本i-v曲线；在准稳态模式下进行数值模拟；通过改变wb和nb参数值启动模拟，得到使得击穿电压的实验波形和模拟波形一致性较高时组件的估计参数；通过匹配实验和模拟的反静态特性，对这两个参数进行细化。使用tektronix371a高功率曲线跟踪器，试验得到被测晶闸管的基本i-v曲线。在准稳态模式下，利用dessis-isetcad模拟器进行数值模拟。通过改变wb和nb参数值启动一系列模拟之后，如图7(b)所示，三种商用晶闸管的击穿电压的实验波形和模拟波形之间获得了良好的一致性。图7(a)是得到的每个组件的估计参数。步骤s130：根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值，通过仿真预测晶闸管关断过程中双极寿命τ变化对电流和电压波形的影响；在晶闸管关断暂态过程仿真中，改变双极寿命值τ，匹配模拟和实验电流波形，并使用模拟器来获得其估计值；找到使得模拟和实验电流波形的反向电流irm和反向恢复时间tr1的值基本一致的τ的估计参数；此时，nb和wb应再次调整，从而使得与τ的最新估计参数一致，重复步骤2。步骤s140：估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值利用模拟器对晶闸管关断过程进行仿真，主要观测晶闸管栅极区域剩余电荷排出的第二阶段；通过匹配t3瞬间阳极电流幅值的模拟值和实验值，得到掺杂浓度ng的估算值；改变wg，直到与tr2的实验值和模拟值相匹配；对于这些后来估计的参数wg和ng，保证实验和模拟的晶闸管关断暂态过程中的电流波形一致性较强；此时得到的估计掺杂浓度ng，瞬间t3的阳极电流大小实际上相当于irm的10％，所以需要再次调整wb和nb参数值，启动步骤2，使模拟和实验电流波形与被测晶闸管在模拟和实验中的相同击穿电压一致；双极寿命也与储存的电荷有关，也应重复步骤3。步骤s150：细化设备有效区域a在晶闸管反向恢复结束时，关断实验电压波形呈现振荡。在恢复过程中，器件有效面积的变化具有很大的影响，特别是对应于最大反向电压vrm的电压波形的第一振荡的幅度。通过与vrm的模拟值和实验值相匹配，可以得到晶闸管有效面积a的估计值。得到后一个估计值a对应于元件在关断开关期间的模拟和实验电压波形之间的良好一致性。由于晶闸管轻掺杂区内储存的电荷在开启时也与其有效区有关，因此必须用有效区的估计值重新启动双极寿命优化过程。因此，必须再次执行wb和nb值的优化步骤以代表被测晶闸管的击穿电压。步骤2和步骤3也重复。最终，使用分步提取法得到了主要开关参数实验值和模拟值误差在5％以下的结果。其中2n6508g晶闸管在if＝2a和vr＝100v操作条件下的主要开关参数的实验和模拟值如下所示：实验和仿真结果的匹配度也比较好，如图6和图7所示。最终提取到的三种商用晶闸管的最佳设计参数如下所示：晶闸管2n6508g2n6397gbt153nb(cm-3)2.3×10146×10144×1014wb(μm)412332ng(cm-3)1.95×10171.15×10171.4×1017wg(μm)4.265a(mm2)52833.6τ(μs)958为了进一步验证被测晶闸管提取的有效面积，计算出其电流密度j＝in/a，其中in为其标称电流，a为其有效面积。例如，对于2n6397g晶闸管，j＝5a/28平方毫米＝178.6a/平方厘米。该值与前面提到的典型值(100a/cm～2<jn<300a/cm～2)非常一致。组件的有效面积与其物理尺寸相吻合。本发明主要是解决现有技术所存在的技术问题；提供了一种新的晶闸管一维单元法模型设计参数的提取方法，可大大增强功率半导体器件和相关设计参数的准确模型的可用性，更好的实现综合电力系统设计中预测其电气行为的精确仿真的目标。本发明还有一目的是解决现有技术所存在的技术问题；提出了一种超快晶闸管主要设计参数的提取方法：器件的有效面积、双极寿命、低掺杂基区的掺杂浓度和宽度、栅区的掺杂浓度和宽度。晶闸管设计参数的提取过程是基于仿真结果和实验结果的比较计算，同时考虑了元件的物理特性。本发明再有一目的是解决现有技术所存在的技术问题；一种晶闸管设计参数提取方法可用于精确提取器件设计参数，即结构定义，获得更精确的元件模型以及电力系统行为的精确描述，考虑到这些设计参数作为实际器件的不可测量量，能大幅度优化实现成本，提高设计电路的可靠性，解决了设计参数提取基于逆向工程技术的问题，规避了敏感和破坏性的风险。上列详细说明是针对本发明可行实施例的具体说明，该实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明所为的等效实施或变更，均应包含于本案的专利范围中。如图8所示，在一个实施例中，所述晶闸管设计参数的提取装置200还包括：获得模块210，用于获得晶闸管基区宽度wb、掺杂浓度nb、栅极区宽度wg、掺杂浓度ng和有效区域a的初始值；第一细化模块220，用于细化晶闸管基区宽度wb和掺杂浓度nb；估计模块230，用于根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值；估算模块240，用于估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度wg和掺杂浓度ng的值；第二细化模块250，用于细化设备有效区域a。下面参照图9来描述根据本发明的这种实施方式的电子设备40。图4显示的电子设备40仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图9所示，电子设备40以通用计算设备的形式表现。电子设备40的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元41、上述至少一个存储单元42、连接不同系统组件(包括存储单元42和处理单元41)的总线43。其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元41执行，使得所述处理单元41执行本说明书上述“实施例方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。存储单元42可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)421和/或高速缓存存储单元422，还可以进一步包括只读存储单元(rom)423。存储单元42还可以包括具有一组(至少一个)程序模块425的程序/实用工具424，这样的程序模块425包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。总线43可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。电子设备40也可以与一个或多个外部设备(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备40交互的设备通信，和/或与使得该电子设备40能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口45进行。并且，电子设备40还可以通过网络适配器46与一个或者多个网络(例如局域网(lan)，广域网(wan)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图9所示，网络适配器46通过总线43与电子设备40的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备40使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。根据本公开一个实施例，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施方式中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。参考图10所示，描述了根据本发明的实施方式的用于实现上述方法的程序产品50，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(lan)或广域网(wan)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围执行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限。当前第1页12