电子装置的制作方法

1.本揭露的实施例涉及一种电子装置，尤其涉及一种包括光学元件的电子装置。


背景技术：

2.随着电子装置的应用持续的增广，显示技术的发展也日新月异。随着不同的应用条件，对于电子装置的显示品质的要求越来越高,进而电子装置面临不同的问题。因此，电子装置的研发需持续更新与调整。


技术实现要素：

3.本揭露是针对一种电子装置，其具有良好的光学质量或良好的触控性能。
4.根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、多个第一电极、多个第二电极、第一走线以及第二走线。基板包括多个触控区和光学元件区。多个第一电极设置于基板的表面上，并位于光学元件区中。多个第二电极设置于基板的表面上，并位于多个触控区中。第一走线设置于基板的表面上，并电性连接多个第一电极。第二走线设置于基板的表面上，并电性连接多个第二电极。多个触控区的至少一者与光学元件区部分重叠。
5.基于上述，在本揭露实施例的电子装置中，由于光学元件重叠光学元件区，且光学元件区包括显示区与光学感测区。因此，电子装置具有良好显示或良好光学检测的应用。此外，由于走线延伸进光学元件区中驱动光学感测区中的电极，且另一走线在光学元件区外驱动触控区中的电极，因此光学元件区外的另一走线较不影响光学元件区中的走线设置，可以提升光学元件区中的像素开口率。本实施例的电子装置可达成良好的显示、光学检测或触控的效果。
附图说明
6.图1a为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图；
7.图1b为本揭露一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图；
8.图2为图1b的电子装置沿剖面线a-a’的剖面示意图；
9.图3为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图；
10.图4为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图；
11.图5为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图；
12.图6为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图；
13.图7为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图；
14.图8为本揭露另一实施例的显示区和光学感测区的局部放大示意图；
15.图9为本揭露再一实施例的显示区和光学感测区的局部放大示意图；
16.图10为本揭露又一实施例的显示区和光学感测区的局部放大示意图。
17.附图标记说明
18.10、10a、10b、10c、10d、10e、10g、10g、10h：电子装置；
19.11：光学元件区；
20.12：触控区；
21.100：基板；
22.101：表面；
23.102另一表面；
24.110、120、130、140、150、160、170、gi：绝缘层；
25.180、220：配向层；
26.190：间隙物；
27.200：对向基板；
28.210：平坦层；
29.300：光学元件；
30.400：背光模块；
31.a-a’：剖面线；
32.bm：遮光层；
33.ch：通道区；
34.cf1：彩色滤光层；
35.cf2：透光层；
36.d：漏极；
37.da：显示区；
38.ep：信号传递方向；
39.g：栅极；
40.lc：液晶层；
41.ls：遮光结构；
42.p1：光学像素；
43.p2：显示像素；
44.pd：虚设像素；
45.pe、pe1、pe2、pe3：像素电极；
46.px、rx、rx1、rx2、rx3、rx4、rx5、rx6、rxc、rxe：电极；
47.r1、r2、r3：预定区；
48.r4、r5、r6：区域；
49.s：源极；
50.sa、sa2：光学感测区；
51.semi：半导体层；
52.sl1、sl2、sl21、sl22、sl23、sl24、sl25、sl26：走线；
53.sp1、sp2、sp3：子像素；
54.t：晶体管；
55.va1、va2、va3：通孔；
56.x、y、z：轴。
具体实施方式
57.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
58.揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
59.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
60.应当理解到，当组件或膜层被称为“连接至”另一个组件或膜层时，它可以直接连接到此另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层。当组件被称为“直接连接至”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。
61.在本揭露中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。
62.术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
63.本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上，可以指两结构相邻且直接连接，或是可以指两结构相邻而非直接连接，非直接连接是指两结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
64.本揭露说明书内的“第一”、“第二”...等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”是用于与“第二元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”区隔，而非用于限定顺序或特定元件、部件、区域、层和/或部分。
65.在本揭露中，以下所述的各种实施例可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。
66.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
67.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
68.本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、拼接装置或透明显示装置，但不以此为限。电子装置可为可卷曲、可拉伸、可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，led)、量子点(quantum dot，qd)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料，或前述的组合；发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、无机发光二极管(inorganic light emitting diode)、毫米/次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot，qd，可例如为qled、qdled)，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统
…
等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。
69.图1a为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图。图1b为本揭露一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图。图2为图1b的电子装置沿剖面线a-a’的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图1a、图1b及图2省略示出了若干元件。请先参考图1a及图1b，电子装置10可包括由基板100、多个电极px、多个电极rx、走线sl1以及走线sl2所构成的显示面板。基板100可包括光学元件区11以及多个触控区12。也就是说，电子装置10可为触控显示面板的应用。在一些实施例中，多个触控区12的至少一者与光学元件区11可部分重叠，但不限于此。多个电极px设置于基板100上，并位于光学元件区11中。多个电极rx设置于基板100上，并分别位于多个触控区12中。多个走线sl1设置于基板100上，并分别电性连接多个电极px。多个走线sl2设置于基板100上，并分别电性连接多个电极rx。在上述的设置下，电子装置10可具有良好的光学质量或良好的触控性能。在本实施例中，基板100可包括预定区r1、r2、r3。举例来说，预定区r1可定义为基板100靠近电子装置10的边缘部分，预定区r2可定义为基板100靠近电子装置10的角落部分，预定区r3可定义为基板100远离电子装置10的边缘的部分，但不以此为限。光学元件区11可设置于预定区r1、r2、r3的其中一者中。在本揭露中，光学元件区11设置于/或位于预定区r1、r2、r3的其中一者中可定义为：光学元件区11在基板100的法线方向z上，重叠至少部分的预定区r1、r2、r3，但不以此为限。在其他实施例中，其他元件位于其他区域中的定义也可以上述的方式定义，故以下不再赘述。举例来说，光学元件区11可和预定区r1、r2、r3的大小实质上相同，此时光学元件区11和预定区r1、r2、r3几乎完全重叠。在一些实施例中，光学元件区11的大小可小于预定区r1、r2、r3的大小，此时光学元件区11和部分的预定区r1、r2、r3重叠，但光学元件区11在基板100的
投影需在预定区r1、r2、r3在基板100的投影中。在其他实施例中，基板100可包括多个光学元件区11设置于/或位于预定区r1、r2、r3的至少一者中，但不限于此。
70.请参考图1a及图1b，以图1b为例，光学元件区11是设置于预定区r1中。多个触控区12以阵列方式沿着y轴排成多个直列(column)，或沿着x轴排成多个横行(row)，且多个触控区12的一部分可位于预定区r1中，而另一部分可位于预定区r1外的基板100上，但不以此为限。在本实施例中，多个触控区12的其中一者与光学元件区11部分重叠。在本实施例中，x轴垂直于y轴或z轴，且y轴垂直于x轴或z轴。
71.在本实施例中，多个电极rx分别位于多个触控区12中。具体来说，多个电极rx可以分别重叠多个触控区12，且电极rx1、电极rx2、电极rx3及电极rx4可在y轴上由上至下地排列。在本实施例中，电极rx例如是应用为触控感测电极(touch sensing electrode)的技术，但本发明不以此为限。如此一来，电子装置10可具有触控功能的应用。
72.多个电极px以阵列方式设置于基板100上，且多个电极px可以分别重叠多个电极rx和/或多个触控区12中的至少一者。举例来说，以图1b为例，多个电极px重叠多个电极rx和/或多个触控区12的其中一者，多个电极px位于光学元件区11中分别沿着y轴延伸并在x轴上排成多个直列，且在z轴上至少部分重叠光学元件区11，但不以此为限。
73.本揭露的电子装置10还包括多个像素电极pe以阵列方式设置于基板100上，且多个像素电极pe可以分别重叠多个电极rx和/或多个触控区12中的至少一者。如图1b所示，像素电极pe1、像素电极pe2及像素电极pe3可分别沿着y轴延伸并在x轴上排成多个直列。此外，在x轴上，像素电极pe与电极px可以相邻地设置，但不限于此。举例来说，于x轴上，像素电极pe1与像素电极pe2之间可设置电极px。也就是说，像素电极pe与电极px可在x轴上交替地设置，但本实施例不以此为限。在本实施例中，像素电极pe1例如是红色像素电极、像素电极pe2例如是绿色像素电极且像素电极pe3例如是蓝色像素电极，但不以此为限。电极px也可以是像素电极，其用于调控光学信号的变化，但不以此为限。
74.在本实施例中，多个像素电极pe中的任一者(例如像素电极pe1、像素电极pe2或像素电极pe3)在z轴上重叠基板100的区域可定义出显示区da。多个电极px中的任一者在z轴上重叠基板100的区域可定义出光学感测区sa。在本实施例中，显示区da与光学感测区sa可位于光学元件区11中。
75.显示区da例如定义为主动式矩阵驱动方式，可负责控制像素电极pe的颜色，并调整显示图像的变化。像素电极pe的颜色可由对应的光致抗蚀剂材料选择让对应波长的光通过，并通过液晶材料调整亮暗变化。在一些实施例中，在检测模式下，显示区da可通过液晶材料而呈吸光或阻光的暗态(又可称为off态)，且利用光学感测区sa使光学元件(重叠于光学元件区11，稍后进行说明)有感测的功能。但在其他实施例中，在检测模式下，显示区sa也可呈透光的亮态(又可称为on态)，利用颜色加法混色(例如红绿蓝三色光混合成白光)，可增加光学元件对光学信号的接收或发射。
76.光学感测区sa例如定义为主动式(或被动式)矩阵驱动方式，其具有吸光或阻光的暗态(又可称为off态，其中光实质上不会通过光学感测区sa)或透光的亮态(又可称为on态，其中光可通过光学感测区sa)，以作为可调整光学元件进光量(或出光量)的开关。光线能够穿透光学感测区sa。光学感测区sa可包括透明光致抗蚀剂、白光致抗蚀剂或无光致抗蚀剂，并通过液晶材料调整亮暗变化，以增加光学元件对光学信号的接收或发射。在一些实
施例中，光学感测区sa可定义为光学信号在通过光学感测区sa后，其波长不会实质改变，或者人眼感受到的颜色不会实质改变，但不以此为限。
77.在本实施例中，在光学元件区11中，由于多个像素电极pe中的任一者重叠显示区da而可具有显示应用，因此显示区da与像素电极pe可定义出一个子像素sp1，但不以此为限。多个电极px中的任一者重叠光学感测区sa而可具有透光的应用，因此光学感测区sa与电极px可定义出一个光学像素。在本实施例中，显示区da在z轴上的面积可实质上等于光学感测区sa在z轴上的面积，但不以此为限。藉此，光学元件区11(设置有子像素sp1和/或光学像素)可具有显示功能和/或光学功能。
78.由于本实施例的电极rx还可应用为共用电极(common electrode)，因此像素电极pe与电极px可以控制液晶层lc中的液晶分子的旋转，以作为显示面板的应用。在上述的设置下，电子装置10可具有整合触控功能进入显示面板的内嵌式触控(in-cell touch)显示面板的应用。
79.以下将通过图1b及图2来简单说明电子装置10的结构。
80.本实施例的电子装置10可包括基板100、多个绝缘层110、gi、120、130、140、150、160、170在z轴上依序堆叠于基板100的表面101上、遮光结构ls、晶体管t、走线sl1、走线sl2、电极rx、像素电极pe、电极px、配向层180、液晶层lc、间隙物190、配向层220、平坦层210、彩色滤光层cf1、透光层cf2、遮光层bm以及对向基板200。依据不同的需求，基板100可以为硬质基板或可挠性基板，基板100的材料例如包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石或塑胶等，但本揭露并不以此为限。在另一实施例中，基板100的材料可包括合适的不透明材料。在一些实施例中，当基板100为可挠基板时可包括合适的可挠材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚丙烯(polypropylene，pp)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、其他合适的材料或前述材料的组合，但并不以此为限。此外，基板100的透光率不加以限制，也就是说，基板100可为透光基板、半透光基板或不透光基板。
81.设置于基板100的表面101上的绝缘层可以为单层或多层结构，且可例如包含有机材料(例如氮化硅等)、无机材料或前述的组合，但不以此为限。
82.在本实施例中，基板100上可设置有遮光结构ls。遮光结构ls的材料可以包括钼或其他合适的遮光材料(或不透光材料)，本实施例不以此为限。在本实施例中，遮光结构ls例如是对应晶体管t(例如是薄膜晶体管，thin film transistor，tft)设置，以减少漏电流或改善闪烁问题。
83.电子装置10中可包括具有半导体层semi的晶体管t。晶体管t例如为薄膜晶体管。半导体层semi的材料例如包括非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(low temperature poly-silicon，ltps)或金属氧化物(metal oxide)的薄膜晶体管，或上述材料的组合，本揭露不限于此。在一些实施例中，不同的薄膜晶体管可具有上述不同的半导体材料。此外，薄膜晶体管可视需要而包括顶部栅极(top gate)晶体管、底部栅极(bottom gate)晶体管、双栅极(dual gate)晶体管以及双重栅极(double gate)晶体管，但并不以此为限。
84.如图2所示，晶体管t可设置于基板100上，其可包括设置于绝缘层110上的半导体层semi、设置于绝缘层gi上的栅极g、以及设置于半导体层semi上与其电性连接的源极s与
漏极d。在本实施例中，栅极g可电性连接扫描线(未示出)，而源极s可电性连接数据线(未示出)。在本实施例中，半导体层semi包括通道区ch，栅极g对应通道区ch设置。在一些实施例中，上述的遮光结构ls例如是对应通道区ch设置，但并不以此为限。在本实施例中，栅极g的材料可以包括钼(molybdenum，mo)、钛(titanium，ti)、钽(tantalum，ta)、铌(niobium，nb)、铪(hafnium，hf)、镍(nickel，ni)，铬(chromium，cr)、钴(cobalt，co),、锆(zirconium，zr)、钨(tungsten，w)、铝(aluminum，al)、铜(copper，cu)、银(silver，ag)、其他合适的金属、或上述材料的合金或组合，但不以此为限。源极s与漏极d的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。
85.在本实施例中，绝缘层130、140、150、160、170可依序地设置在晶体管t上。走线sl1以及走线sl2可设置于绝缘层150上，且实质上位于相同水平面，但不以此为限。在本实施例中，走线sl1与走线sl2是由同一膜层所制作，也就是说，可以在同一道程序工艺下完成走线sl1与走线sl2的设置。如此一来，可以简化制作工艺、节省制作成本或薄化电子装置10。走线sl1与走线sl2的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。
86.电极rx可设置于绝缘层160上。本实施例的电极rx例如是触控感测电极或共用电极。绝缘层160可具有通孔va2，且通孔va2可位于显示区da中。电极rx可通过通孔va2以电性连接走线sl2。
87.电极px(又可称为第一电极)可设置于绝缘层170上。本实施例的电极px例如是控制光学感测区sa中的液晶材料的电极。绝缘层160、170可具有通孔va1(又可称为第一通孔)，且通孔va1位于光学感测区sa中。电极px可通过通孔va1以电性连接走线sl1(又可称为第一走线)。
88.像素电极pe可与电极px同层设置，而位于绝缘层170上。本实施例的像素电极pe例如是控制显示区da中的液晶材料的电极。绝缘层130、140、150、160、170可具有通孔va3，且像素电极pe可通过通孔va3以电性连接晶体管t的漏极d。藉此，电极px与像素电极pe可分别控制位于光学感测区sa与显示区da中的液晶分子，而具有显示或透光的光学效果。在一些实施例中，电极px也可以通过走线sl1以电性连接其他的晶体管，而以主动式矩阵的方式进行驱动。
89.在本实施例中，电极px、电极rx及像素电极pe的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。
90.电子装置10的对向基板200相对基板100设置，且基板100的配向层180与对向基板200的配向层220之间设置有液晶层lc。液晶层lc中包括多个液晶分子可受到电极px或像素电极pe的电场的驱动而转动，以调整通过显示区da或光学感测区sa的光的偏振态。
91.电子装置10还可包括遮光层bm、彩色滤光层cf1、透光层cf2、平坦层210以及配向层220设置于对向基板200上。彩色滤光层cf1与透光层cf2可设置于对向基板200与平坦层210之间，且彩色滤光层cf1可重叠显示区da设置，而透光层cf2可重叠光学感测区sa设置。在本实施例中，对向基板200例如包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石或塑胶等，但本揭露并不以
此为限。在另一实施例中，对向基板200的材料可包括合适的不透明材料。在一些实施例中，当对向基板200为可挠基板时可包括合适的可挠材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚丙烯(polypropylene，pp)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、其他合适的材料或前述材料的组合，但并不以此为限。此外，对向基板200的透光率不加以限制，也就是说，对向基板200可为透光基板、半透光基板或不透光基板。
92.在本实施例中，彩色滤光层cf1的材料可包括有色光致抗蚀剂或其他合适的材料。透光层cf2的材料可包括透明光致抗蚀剂、白光致抗蚀剂或其他合适的材料。在一些实施例中，也可以不设置透光层cf2。遮光层bm的材料可包括不透光的材料，例如金属、不透光的树脂或不透光的光致抗蚀剂，但不以此为限。在本实施例中，对向基板200例如可作为彩色滤光基板的应用，但不以此为限。
93.本实施例的电子装置10还可包括间隙物190(photospacer，ps)。间隙物190设置于基板100与对向基板200之间，且可对应晶体管t、走线sl2或通孔va2设置，但不以此为限。间隙物190的材料可包括光致抗蚀剂材料、聚酰亚胺、其它合适的材料、或前述的组合，但不以此为限。
94.在本实施例中，电子装置10还可包括光学元件300及背光模块400。光学元件300可设置于基板100的相对于表面101的另一表面102上，且位于光学元件区11中。举例来说，光学元件300在z轴上重叠基板100的区域可定义出光学元件区11。在本实施例中，光学元件300部分地重叠显示区da以及光学感测区sa。光学元件300可为相机、闪光灯、红外光(infrared，ir)光源、红外光感测器、其他感测器、电子元件、或上述组合，但不限于此。在上述的设置下，电子装置10可具有屏下相机(camera under display，cud)、屏下闪光灯、屏下柔光灯、屏下红外光人脸识别系统、屏下红外光虹膜识别系统、其他功能、或上述功能的组合，但不限于此。
95.在本实施例中，背光模块400可以重叠基板100的光学元件区11以及多个触控区12，以作为电子装置10的光源应用。背光模块400可设置于基板100的另一表面102上。背光模块400例如包括发光二极管(led)的光源或其他合适的光源，但不以此为限。
96.值得注意的是，由于液晶层lc中的多个液晶分子可受到电极px或像素电极pe的电场的驱动，以调整通过显示区da或光学感测区sa的光的偏振态。因此，电子装置10可在显示模式(display mode)中，将显示区da切换成亮态以显示图像，并将光学感测区sa切换成暗态。其中，在显示模式时，光学元件300是处于关闭状态(例如：不通电或不运作)。藉此，可以减少光学信号进入光学元件300中或减少由光学元件300射出的光学信号。此外，电子装置10还可以在检测模式(sensing mode)中，将显示区da切换成暗态以减少对光学元件300的影响，并将光学感测区sa切换成亮态。其中，在检测模式时，光学元件300是处于开启状态(例如：通电或运作)。藉此，可以增加光学信号进入光学元件300中或增加由光学元件300射出的光学信号，但不以此为限。在一些实施例中，在显示模式中，光学感测区sa也可以切换成亮态。
97.在另一实施例中，电子装置10还可在检测模式中，将显示区da切换成亮态，以视应用情况利用颜色加法混色，来增加光学信号进入光学元件300中或增加由光学元件300射出的光学信号。在上述的设置下，本实施例的电子装置10可具有屏下光学元件显示面板的应
用，具有良好的光学质量或良好的光学成像、光学照明、光学信号传递或光学信号识别的应用，但不以此为限。
98.此外，图1b以及图2所示的电子装置10可分别通过走线sl1电性连接电极px以及通过走线sl2电性连接电极rx。举例来说，走线sl1可以为多条，且分别沿着y轴由基板100上方往下方延伸进入光学元件区11中。走线sl1可以延伸进入光学感测区sa中并通过通孔va1与电极px电性连接。如此一来，光学感测区sa与电极px所对应的光学像素可以被走线sl1驱动，而在检测模式中切换成亮态以让光线可以穿透透光层cf2，以增加光学信号进入光学元件300中或增加由光学元件300射出的光学信号。在本实施例中，走线sl1可以耦接至其他的电子元件来驱动电极px。电子元件例如包括芯片(chip)、可挠式线路板(flexible printed circuit board)或覆晶薄膜(chip on film，cof)，但不以此为限。在另一些实施例中，走线sl1也可以通过通孔va1耦接至对应电极px设置的晶体管阵列，以主动式矩阵驱动方式来驱动电极px。
99.值得注意的是，在本实施例所示的电子装置10中，走线sl2可位于光学元件区11外或邻近光学元件区11设置。举例来说，走线sl21、走线sl22、走线sl23、走线sl24可在x轴方向上排列，且走线sl21、走线sl22、走线sl23、走线sl24可分别沿着y轴由基板100下方往上方延伸进入对应的触控区12中并电性连接至电极rx。举例来说，走线sl21可延伸并电性连接至对应的电极rx1、走线sl22可延伸并电性连接至对应的电极rx2、走线sl23可延伸并电性连接至对应的电极rx3、走线sl24可延伸并电性连接至对应的电极rx4。走线sl21、走线sl22、走线sl23、走线sl24中的至少一者可分别通过通孔va2与电极rx1、电极rx2、电极rx3、电极rx4中的至少一者电性连接。
100.在本实施例中，光学元件区11重叠电极rx1的上侧，由于在光学元件区11对应重叠的电极rx1上有设置走线sl1的需求，因此走线sl21可在延伸进入电极rx1后，转向以在x轴上延伸并通过多个通孔va2电性连接至电极rx1。在本实施例中，走线sl21或通孔va2均位于光学元件区11外或邻近光学元件区11设置，使走线sl2较不影响在光学元件区11中走线sl1的设置，可以增加显示区da与光学感测区sa的像素开口率。此外，由于走线sl1与走线sl2是同一膜层制作，可通过现有的工艺制作，具有简化工艺或降低成本的效果。
101.另外，由于走线sl21可以在光学元件区11外或邻近光学元件区11处通过开口va2电性连接至电极rx1，因此触控信号可通过走线sl21传递至电极rx1。在本实施例中，信号传递方向ep可以是在y轴上将信号由下往上传递。如此一来，触控信号可以在信号传递方向ep上，由电极rx1的下侧传递至电极rx1的上侧。藉此，电子装置10可达成显示、光学检测或触控的效果。基于上述，电子装置10可具有良好的光学质量或良好的触控性能。
102.在此须说明的是，图1b是示意性地示出多个通孔va1或通孔va2的数目、密度、形状或排列方式，用于举例说明。在其他实施例中，通孔va1或通孔va2的数目、密度、形状或排列方式可视情况调整，而不以图1b所示为限。
103.简言之，在本实施例的电子装置10中，由于光学元件300重叠光学元件区11，且光学元件区11包括显示区da与光学感测区sa，因此电子装置10可具有显示或光学检测的应用。此外，由于走线sl1延伸进光学元件区11中驱动光学感测区sa中的电极px，且走线sl2在光学元件区11外或邻近光学元件区11处驱动触控区12中的电极rx，因此走线sl2较不影响光学元件区11中的走线设置，可以提升光学元件区11的像素开口率。走线sl1与走线sl2可
以同层设置，因此可简化工艺或减少制作成本。
104.以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
105.图3为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图3省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10a大致相似于图1b的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10之处主要在于，光学元件区11重叠电极rx的右侧，因此走线sl2可在y轴上延伸进入重叠光学元件区11的电极rx的左侧。走线sl2可位于光学元件区11外或邻近光学元件区11设置，并在y轴上通过多个通孔va2电性连接电极rx。在本实施例中，信号传递方向ep可以是在x轴上将信号由左往右传递，但不以此为限。如此一来，触控信号可以在信号传递方向ep上，由电极rx的左侧传递至电极rx的右侧。藉此，电子装置10a可达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。此外，电子装置10a可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
106.在一些实施例中(未示出)，光学元件区11也可不重叠电极rx的左侧及下侧，例如重叠于电极rx的右上侧。因此，走线sl2在y轴上延伸进入重叠光学元件区11的电极rx后，可在电极rx的左侧沿着y轴延伸，并在电极rx的下侧沿着x轴延伸。走线sl2可位于光学元件区11外或邻近光学元件区11设置，并在y轴及x轴上通过多个通孔va2电性连接电极rx。藉此，信号传递方向ep可包括在x轴上将信号由左往右传递以及在y轴上将信号由下往上传递。如此一来，触控信号可以由电极rx的左侧和下侧传递至电极rx的右上侧。藉此，可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
107.在另一些实施例中(未示出)，光学元件区11的面积也可以小于电极rx的面积，而大致上重叠电极rx的中间部分。因此，走线sl2可在y轴上延伸进入重叠光学元件区11的电极rx后，可在电极rx的左侧沿着y轴向上延伸，并在电极rx的下侧沿着x轴向右延伸后再沿着y轴向上延伸。也就是说，走线sl2可位于光学元件区11外或邻近光学元件区11处呈u形地围绕光学元件区11。走线sl2在y轴及x轴上通过多个通孔va2电性连接电极rx。藉此，信号传递方向ep包括在x轴上将信号由左往右传递或由右往左传递，且可在y轴上将信号由下往上传递。如此一来，触控信号可以由电极rx的左侧、右侧或由下侧传递至电极rx的中间部分。藉此，可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
108.图4为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图4省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10b大致相似于图3的电子装置10a，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10a之处主要在于，光学元件区11可设置于如图1a所示的预定区r2中，且光学元件区11的面积可大于电极rx的面积。在本实施例中，重叠光学元件区11的电极rx可在x轴上往左延伸设置，因此其面积可大于邻近的电极rx的面积。于电极rx中的左侧未重叠光学元件区11的部分上可设置多个虚设像素pd(dummy pixel)。
109.在本实施例中，多个通孔va2可分别位于多个虚设像素pd中，且走线sl2可在y轴上通过通孔va2电性连接电极rx。在本实施例中，信号传递方向ep可以是在x轴上将信号由左往右传递。如此一来，触控信号可以在信号传递方向ep上，由电极rx的左侧传递至电极rx的右侧。藉此，电子装置10b可在光学元件区11中达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此
为限。此外，电子装置10b可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
110.在一些实施例中(未示出)，可以通过其他走线进入电极rx中的左侧，以在光学元件区11外通过通孔va2电性连接至电极rx。其他走线可包括在基板100边缘环绕显示区的走线(例如传递共用电压的走线)或电源线，但不以此为限。藉此，可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
111.图5为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图5省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10c大致相似于图1b的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10之处主要在于，光学元件区11可设置于如图1a所示的预定区r1中。在本实施例中，重叠光学元件区11的电极rxc可在x轴上往右延伸设置，因此其面积可大于邻近的触控区12中电极rx的面积。举例来说，电极rxc的面积可以大于或等于电极rx的两倍面积，且可以横跨位于相同横行上的两个电极rx。
112.在本实施例中，走线sl2可以在y轴上延伸进入电极rxc并在光学元件区11外的右侧通过通孔va2电性连接至电极rxc。在本实施例中，信号传递方向ep可以是在x轴上将信号由左往右或由右往左传递。如此一来，触控信号可以在信号传递方向ep上，由电极rx的右侧传递至电极rx的左侧，或由电极rx的右侧往右方传递至电极rx的右侧边缘。藉此，电子装置10c可达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。此外，电子装置10c可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
113.在一些实施例中(未示出)，光学元件区11可设置于如图1a所示的预定区r1中，但位于预定区r2外的区域。以三个直列的电极rx为例，最上横行的电极rx可以包括向左延伸的电极rx以及向右延伸的电极rx。也就是说，上述两个电极rx可以分别横跨两个直列。光学元件区11可以重叠两个电极rx。在本实施例中，走线sl2可在光学元件区11外的左侧进入向左延伸的电极rx，触控信号可由向左延伸的电极rx的左侧传递至向左延伸的电极rx的右侧。另外，走线sl2可在光学元件区11外的右侧进入向右延伸的电极rx，触控信号可由向右延伸的电极rx的右侧传递至向右延伸的电极rx的左侧。藉此，电子装置可达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。
114.图6为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图6省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10d大致相似于图1b的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10之处主要在于，光学元件区11可设置于如图1a所示的预定区r3中，且光学元件区11可重叠电极rx中的相邻四者。举例来说光学元件区11重叠电极rx1的右下侧、电极rx2的右上侧、电极rx5的左下侧及电极rx6的左上侧。
115.在本实施例中，走线sl1可在y轴上由上往下延伸进入光学元件区11中，再于x轴往左或往右延伸以重叠电极rx1及电极rx5。然后，走线sl1可再分别转向于y轴往下延伸以重叠电极rx2及电极rx6。在光学元件区11中，走线sl1可通过通孔va1与电极px电性连接。
116.在本实施例中，走线sl21可以在y轴上延伸进入电极rx1，且在光学元件区11外的左侧通过通孔va2电性连接至电极rx1。走线sl22可以在y轴延伸进入电极rx2，且在光学元件区11外的下侧通过通孔va2电性连接至电极rx2。走线sl22可在光学元件区11外的下侧在y轴延伸或在x轴上延伸，藉此提升触控信号在电极rx2中传递的强度或质量，但不以此为
限。
117.在本实施例中，走线sl25可以在y轴上延伸进入电极rx5，且在光学元件区11外的右侧通过通孔va2电性连接至电极rx5。走线sl26可以在y轴延伸进入电极rx6，且在光学元件区11外的右侧通过通孔va2电性连接至电极rx6。
118.在本实施例中，触控信号可在电极rx1中由左侧传递至右侧，触控信号可在电极rx2中由下侧传递至上侧，触控信号可在电极rx5中由右侧传递至左侧，触控信号可在电极rx6中由右侧传递至左侧。藉此，电子装置10d可达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。此外，电子装置10d可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
119.在一些实施例中(未示出)，光学元件区11可以重叠电极rx中的相邻二者。举例来说光学元件区11重叠了电极rx2的右侧及电极rx6的左侧。走线sl1由上侧进入光学元件区11并分别在x轴延伸后转往y轴延伸以重叠电极rx2及电极rx6中。走线sl22在光学元件区11外的左侧通过通孔va2电性连接至电极rx2。走线sl26在光学元件区11外的右侧通过通孔va2电性连接至电极rx6。在上述的设置下，触控信号可在电极rx2中由左侧传递至右侧，触控信号可在电极rx6中由右侧传递至左侧。藉此，电子装置可达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。
120.图7为本揭露另一实施例的电子装置的触控区和光学元件区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图7省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10e大致相似于图5的电子装置10c，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10c之处主要在于，光学元件区11可设置于如图1a所示的预定区r3中，且光学元件区11重叠电极rx中的相邻二者。举例来说，光学元件区11是在由上至下的第二横行中重叠电极rx2以及电极rx6。走线sl1在y轴由上至下延伸进入光学元件区11中，向下延伸以重叠电极rx2。或者，在x轴向右延伸后，走线sl1转向y轴向下延伸以重叠电极rx6中。走线sl1在光学元件区11中通过通孔va1电性连接电极px。
121.在本实施例中，电极rxe与图5的电极rxc相似，故不再赘述。电极rxe的面积可以等于或大于电极rx的两倍面积，且可以横跨位于相同横行上的两个电极rx。由于rxe可以横跨位于相同横行上的两个电极rx，且走线sl21可通过通孔va2电性连接电极rxe，因此触控信号可在电极rxe中由左侧传递至电极rxe中的右侧。此外，走线sl22在光学元件区11外的左侧通过通孔va2电性连接至电极rx2。走线sl26在光学元件区11外的下侧进入电极rx6中，并在x轴往右或往左延伸。走线sl26在光学元件区11外的下侧通过通孔va2电性连接至电极rx6。在上述的设置下，触控信号可在电极rx2中由左侧传递至右侧，触控信号可在电极rx6中由下侧传递至上侧。藉此，电子装置10e可达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。上述实施例中对光学元件区11和电极rx的排列方式或相对关系仅为举例，在其他实施例中，光学元件区11和电极rx的重叠数量、重叠位置、排列方式、形状或相对关系并不限制，可视情况做任意调整。而在一些实施例中，光学元件区11也可为多个，且可视应用情况分别包含相同或不同的光学元件，或有相同或不同的形状、尺寸、排列方式、位置、与电极rx的相对关系等，本揭露并不限制。
122.图8为本揭露另一实施例的显示区和光学感测区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图8省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10f大致相似于图1b的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10之
处主要在于，本实施例的像素电极pe与电极px的排列方式不同。图8示意性地示出了三个区域r4、r5、r6中的三种不同排列方式。在一些实施例中，电子装置可选择区域r4、r5、r6中的至少一种排列方式任意搭配组合，但不以此为限。
123.如图8所示，像素电极pe1、像素电极pe2及像素电极pe3是相邻地设置，且可分别定义出三个子像素sp2。三个子像素sp2(分别对应像素电极pe1、像素电极pe2及像素电极pe3)可构成一个显示像素p2，但不以此为限。多个电极px相邻地设置，且可分别定义出子像素sp3。子像素sp3可单独地应用或以三个子像素sp3构成一个光学像素p1的方式应用，但不以此为限。
124.以区域r4中的图案举例进行说明，多个子像素sp2与多个子像素sp3可排成多个横行。举例来说，多个子像素sp2可以在x轴上排成上下两个横行，而多个子像素sp3可以在x轴上排成一个横行，且位于由多个子像素sp2排成的上下两个横行之间。也就是说，在区域r4中，子像素sp2与子像素sp3的数目比例可为2:1，但不以此为限。在区域r4中，通孔va1重叠子像素sp3的电极px。通孔va2重叠子像素sp2的像素电极pe。在上述的设置下，走线sl1可以在x轴延伸进入区域r4，接着转向在y轴延伸至子像素sp3以通过通孔va1电性连接至电极px。走线sl2可在y轴上延伸进入子像素sp2，接着转向在x轴上延伸进入相邻的多个子像素sp2，以通过通孔va2电性连接至电极rx。在上述的设置下，触控信号可由电极rx的下方往上方传递。藉此，区域r4可具有良好的像素开口率。此外，可使电子装置10f达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。
125.以区域r5中的图案举例进行说明，三个子像素sp2构成的显示像素p2与三个子像素sp3构成的光学像素p1可相邻设置并交错排列。举例来说，显示像素p2可在x轴与y轴上与光学像素p1交错地设置，以使任一个显示像素p2被多个光学像素p1所围绕。此外，在区域r5中，子像素sp2与子像素sp3的数目比例可为1:1，但不以此为限。显示像素p2与光学像素p1的数目比例可为1:1，但不以此为限。藉此，区域r5的透光率可以提升。电子装置10f的光学检测效果可被提升。此外，区域r5可具有良好的像素开口率，或者可使电子装置10f达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。
126.以区域r6中的图案举例进行说明，多个子像素sp2与多个子像素sp3可排成多个直列。举例来说，三个子像素sp2构成的显示像素p2与三个子像素sp3构成的光学像素p1在y轴上排成多个直列，且显示像素p2的直列与光学像素p1的直列可在x轴上相邻设置。也就是说，光学像素p1的直列可位于左右两个显示像素p2的直列之间。在区域r6中，子像素sp2与子像素sp3的数目比例可为1:1，但不以此为限。显示像素p2与光学像素p1的数目比例可为1:1，但不以此为限。藉此，区域r6的透光率可以提升。电子装置10f的光学检测效果可被提升。此外，区域r6可具有良好的像素开口率，或者可使电子装置10f达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。此外，电子装置10f可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
127.图9为本揭露再一实施例的显示区和光学感测区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图9省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10g大致相似于图8的电子装置10f，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10f之处主要在于，本实施例的本实施例的像素电极pe与电极px的排列方式不同。
128.如图9所示，像素电极pe与电极px在x轴上交错地排列成多个横行，且在y轴上的上下两个横行之间设置一个横行的光学感测区sa2。在一些实施例中，光学感测区sa2在z轴上
的面积可以大于光学感测区sa或显示区da在z轴上的面积。举例来说，光学感测区sa2在z轴上的面积可以大于或等于电极px或像素电极pe在z轴上的面积的两倍。通孔va1对应位于光学感测区sa2与光学感测区sa中。藉此，电子装置10g可在显示模式中，将显示区da切换成亮态以显示图像，并将光学感测区sa或光学感测区sa2切换成暗态。藉此，可以减少光学信号进入光学元件300中或减少由光学元件300射出的光学信号。此外，电子装置10g还可以在检测模式中，将显示区da切换成暗态以减少对光学元件300的影响，并将光学感测区sa或光学感测区sa2切换成亮态。藉此，可以增加光学信号进入光学元件300中或增加由光学元件300射出的光学信号，但不以此为限。在一些实施例中，在显示模式中，光学感测区sa或光学感测区sa2也可以切换成亮态。在上述的设置下，电子装置10g的透光率可被提升，或者电子装置10g的光学检测效果可被提升。此外，电子装置10g可具有良好的像素开口率，或者可达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。
129.在其他实施例中，显示区da的面积与光学感测区sa的面积可以相同或不同。如图1b及图9所示，显示区da的面积与光学感测区sa的面积可以实质上相同，举例来说，显示区da的面积与光学感测区sa的面积的比例可以是1:1，但不以此为限。在一些实施例中，显示区da的面积可以大于光学感测区sa的面积。举例来说，显示区da的面积与光学感测区sa的面积的比例可以是2:1，但不以此为限，在其他实施例中，显示区da的面积与光学感测区sa的面积的比例可以是介于1:1至350:1之间(例如：1:1《比例≤350:1)，但不以此为限。在另一些实施例中，显示区da的面积可以小于光学感测区sa的面积。举例来说，显示区da的面积与光学感测区sa的面积的比例可以是1:2，但不以此为限，在其他实施例中，显示区da的面积与光学感测区sa的面积的比例可以是介于1:1至1:350之间(例如：1:1《比例≤1:350)，但不以此为限。在另一些实施例中，使用者可以依需求任意调整显示区da与光学感测区sa的比例，以得到良好的显示质量或良好的光学检测效果。举例来说，显示区da的面积与光学感测区sa的面积的比例可以是1:3。显示区da可占子像素sp1分成四等份中的其中一等份，但不以此为限。显示区da的面积和光学感测区sa的面积的比例关系可视实际需要做任意调整，并不限制。在上述的设置下，使用者可以依需求任意调整显示区da与光学感测区sa的比例、排列方式或形状，以得到良好的光学质量或良好的光学检测效果。
130.图10为本揭露又一实施例的显示区和光学感测区的局部放大示意图。为了附图清楚及方便说明，图10省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10h大致相似于图8的电子装置10f，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10f之处主要在于，本实施例的多个子像素sp3(对应电极px)在x轴上排成两个横行，且在y轴上的上下两个横行之间设置有由子像素sp2与子像素sp3排成的横行。详细来说，本实施例的多个子像素sp2可以三个子像素sp2构成一个显示像素p2，且三个子像素sp3构成一个光学像素p1。在多个子像素sp3排成两个横行之间，光学像素p1与显示像素p2可在x轴上交替的排列。
131.也就是说，电子装置10h的子像素sp2与子像素sp3的数目比例可为1:5，但不以此为限。显示像素p2与光学像素p1的数目比例可为1:5，但不以此为限。藉此，电子装置10h的透光率可以提升，或者电子装置10h的光学检测效果可被提升。此外，电子装置10h可具有良好的像素开口率。本揭露是以三个子像素sp3构成一个光学像素p1为例，但在其他实施例中，一个光学像素p1可由至少一个子像素sp3构成即可，而子像素sp3的大小、形状、排列方
式并不限制，光学像素p1的大小、形状、排列方式也不限制，可视实际应用做任意调整。
132.另外，在本实施例中，通孔va2可位于子像素sp3或电极px中。在上述的设置下，走线sl2在y轴上延伸进入子像素sp3，接着转向在x轴上延伸进入相邻的多个子像素sp3，以通过通孔va2电性连接至电极rx。在上述的设置下，触控信号可由电极rx的下方往上方传递。藉此，可使电子装置10h达成显示、光学检测或触控的效果，但不以此为限。此外，电子装置10h可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
133.综上所述，在本揭露实施例的电子装置中，由于光学元件重叠光学元件区，且光学元件区包括显示区与光学感测区，因此电子装置可在显示模式中，将显示区切换成亮态以显示图像，并将光学感测区切换成暗态或亮态。此外，电子装置还可以在检测模式中，将显示区切换成暗态或亮态以减少对光学元件的影响，并将光学感测区切换成亮态。藉此，可以增加光学信号进入光学元件中或增加由光学元件射出的光学信号。因此，电子装置可具有良好显示或良好光学检测的应用。此外，由于走线延伸进光学元件区中驱动光学感测区中的电极，且另一走线在光学元件区外驱动触控区中的电极，因此光学元件区外的另一走线较不影响光学元件区中的走线设置，可以提升光学元件区中的像素开口率。走线与另一走线可以同层设置，因此可简化工艺或减少制作成本。此外，使用者可以依需求调整显示区与光学感测区的数目比例或调整走线的数目、密度或位置，以得到良好的光学质量或良好的光学检测效果。本实施例的电子装置可达成良好的显示、光学检测或触控的效果。
134.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。