1.一种对半导体封装件中的高速通道进行建模的方法，所述高速通道包括半导体衬底的上表面上的多条第一连接布线和穿透所述半导体衬底的多个贯通电极，所述方法包括：
接收所述高速通道的设计信息；
将所述设计信息划分为包括所述多条第一连接布线的第一布局和包括所述多个贯通电极的第二布局；
使用第一建模方案和第一建模工具对所述第一布局执行第一建模操作；
使用第二建模方案、第二建模工具以及所述第一布局的至少一部分对所述第二布局执行第二建模操作，其中，所述第二建模方案与所述第一建模方案不同，并且其中，所述第二建模工具与所述第一建模工具不同；以及
通过将所述第一建模操作的结果和所述第二建模操作的结果组合来获得整个所述高速通道的集成建模结果。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一布局执行所述第一建模操作包括：
将所述多条第一连接布线的材料设定为第一材料；
基于被设定为所述第一材料的所述多条第一连接布线和所述多条第一连接布线的结构来执行角感知参数提取流程；
获得作为所述角感知参数提取流程的结果的第一电阻；以及
基于所述第一电阻来获得针对所述多条第一连接布线的第一s参数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一建模工具是片上工具，并且
其中，所述第一建模方案是使用所述片上工具的参数提取方案。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一材料是铜。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，通过使用与所述第一建模工具和所述第二建模工具不同的额外的工具转换所述第一电阻来获得所述第一s参数。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，对所述第二布局执行所述第二建模操作包括：
使用所述多条第一连接布线中的一些来形成至少一条集成连接布线；
基于所述至少一条集成连接布线和所述多个贯通电极的结构来执行耦合感知全波三维电磁流程；
获得作为所述耦合感知全波三维电磁流程的结果的第二电阻、第一电感、第一电容和第一电导；以及
基于所述第二电阻、所述第一电感、所述第一电容和所述第一电导来获得针对所述多个贯通电极的第二s参数。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二布局还包括所述半导体衬底的下表面上的多条第二连接布线和所述多条第二连接布线下方的多个焊料凸块，
其中，通过将所述多条第二连接布线和所述多个焊料凸块的结构一起应用来执行所述耦合感知全波三维电磁流程，并且
其中，所述第二s参数代表针对所述多个贯通电极、所述多条第二连接布线和所述多个焊料凸块的s参数。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述至少一条集成连接布线包括：
选择所述多条第一连接布线中的最靠近所述多个贯通电极的子集；
将所述多条第一连接布线的所述子集的材料设定为与所述第一材料不同的第二材料；以及
通过用所述第二材料填充所述多条第一连接布线的所述子集中的各个第一连接布线之间的空的区域的至少一部分来获得所述至少一条集成连接布线。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在平面图中，所述多个贯通电极中的第一贯通电极与所述多条第一连接布线的所述子集中的两条或更多条第一连接布线重叠，并且
其中，所述至少一条集成连接布线被形成为使得所述第一贯通电极与所述至少一条集成连接布线重叠。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在平面图中，所述多个贯通电极中的第一贯通电极与所述多条第一连接布线的所述子集中的两条或更多条第一连接布线重叠，并且
其中，所述至少一条集成连接布线被形成为使得所述多个贯通电极中的所述第一贯通电极和第二贯通电极与所述至少一条集成连接布线重叠。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二材料是电阻为零的理想导体。
12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二建模工具是片外工具，并且
其中，所述第二建模方案是被配置为使用所述片外工具的全波三维电磁方案。
13.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二s参数直接从所述第二建模工具获得而不使用额外的工具。
14.根据权利要求6所述的方法，其中，获得整个所述高速通道的集成建模结果包括：
通过将所述第一s参数和所述第二s参数组合来获得集成s参数。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体封装件包括：
封装衬底；
插件，其位于所述封装衬底上；
第一半导体器件，其位于所述插件上；以及
第二半导体器件，其位于所述插件上，所述第二半导体器件是与所述第一半导体器件的类型不同的类型的半导体器件，
其中，所述半导体衬底、所述多条第一连接布线和所述多个贯通电极被包括在所述插件中。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一半导体器件包括逻辑半导体器件，并且
其中，所述第二半导体器件包括存储器装置。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体封装件包括：
封装衬底；
第一半导体器件，其位于所述封装衬底上；以及
第二半导体器件，其位于所述第一半导体器件上，所述第二半导体器件是与所述第一半导体器件的类型不同的类型的半导体器件，
其中，所述半导体衬底和所述多条第一连接布线被包括在所述第一半导体器件中，并且
其中，所述多个贯通电极被包括在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中的至少一个中。
18.一种设计半导体封装件的方法，所述方法包括：
生成被包括在所述半导体封装件中的至少一个半导体器件的设计；
生成被包括在所述半导体封装件中的高速通道的设计；
对所述高速通道进行建模；以及
分析和验证所述高速通道的建模结果，
其中，所述高速通道包括半导体衬底的上表面上的多条第一连接布线和穿透所述半导体衬底的多个贯通电极，
其中，对所述高速通道进行建模包括：
接收所述高速通道的设计信息；
将所述设计信息划分为包括所述多条第一连接布线的第一布局和包括所述多个贯通电极的第二布局；
使用第一建模方案和第一建模工具对所述第一布局执行第一建模操作；
使用第二建模方案、第二建模工具以及所述第一布局的至少一部分对所述第二布局执行第二建模操作，其中，所述第二建模方案与所述第一建模方案不同，并且其中，所述第二建模工具与所述第一建模工具不同；以及
通过将所述第一建模操作的结果和所述第二建模操作的结果组合来获得整个所述高速通道的集成建模结果。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，响应于基于分析和验证所述高速通道的建模结果确定所述高速通道不满足预定的特性，对所述半导体封装件执行改变所述至少一个半导体器件的设计和/或所述高速通道的设计的操作。
20.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：
生成包括至少一个半导体器件和高速通道的半导体封装件的设计；以及
基于设计所述半导体封装件的结果来制造所述半导体封装件，
其中，设计所述半导体封装件包括：
生成所述至少一个半导体器件的设计；
生成所述高速通道的设计；
对所述高速通道进行建模；以及
分析和验证所述高速通道的建模结果，
其中，所述高速通道包括半导体衬底的上表面上的多条第一连接布线和穿透所述半导体衬底的多个贯通电极，
其中，对所述高速通道进行建模包括：
接收所述高速通道的设计信息；
将所述设计信息划分为包括所述多条第一连接布线的第一布局和包括所述多个贯通电极的第二布局；
使用第一建模方案和第一建模工具对所述第一布局执行第一建模操作；
使用第二建模方案、第二建模工具以及所述第一布局的至少一部分对所述第二布局执行第二建模操作，其中，所述第二建模方案与所述第一建模方案不同，并且其中，所述第二建模工具与所述第一建模工具不同；以及
通过将所述第一建模操作的结果和所述第二建模操作的结果组合来获得整个所述高速通道的集成建模结果。