检索方法、检索装置以及检索系统与流程

1.本发明的一个方式涉及一种检索方法、检索装置以及检索系统。本发明的一个方式特别涉及一种电路图及有关电路图的文本的检索方法、检索装置以及检索系统。


背景技术：

2.在信息处理的领域中，已提出了被称为图形(graph)的数据结构。图形由顶点(节点)和边(边线)的集合构成，例如被用作一种单元以表现社区的人与人之间的联系、交通网络等网络结构(专利文献1)。
3.迄今为止，已提出了很多在理论上分析图形的方法。例如，非专利文献1公开了计算图形之间的相似度的方法。
4.[先行技术文献]
[0005]
[专利文献]
[0006]
[专利文献1]日本专利申请公开第2016
‑
119082号公报
[0007]
[非专利文献]
[0008]
[非专利文献1]nino shervashidze,et al.,journal of machine learning research 12,pp.2539
‑
2561,2011


技术实现要素：

[0009]
发明所要解决的技术问题
[0010]
要检索储存在计算机或服务器等中的图、文档中的附图或说明图的文本(也称为文本信息)的需求较多。在此，作为文档的例子，有专利公报及论文等。此外，作为图的例子，有电子电路图等电路图。但是，当使用现在普遍的一般的图检索方法时，不能考虑到电路元件的连接信息。因此，机器即使使用利用检索查询的检索方法等也不能检索到网络上的电路图，由此最后人需要以眼睛进行搜索。
[0011]
本发明的一个方式的目的之一是提供一种电路图的检索方法。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种电路图的检索装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种电路图的检索系统。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种说明电路图的文本的检索方法。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种说明电路图的文本的检索装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种说明电路图的文本的检索系统。
[0012]
解决技术问题的手段
[0013]
本发明的一个方式是一种检索系统，包括将第一电路图信息输入到终端的单元、登录有第二电路图信息的数据库、将被输入的第一电路图信息转换为第一图形的单元、对第一图形与基于第二电路图信息的第二图形之间的相似度进行计算的运算单元以及在终端上显示相似度的单元。
[0014]
优选的是，上述检索系统包括通过网络连接于终端的服务器，该服务器储存数据库。
[0015]
优选的是，上述第一电路图信息是构成电路图的电路元件。
[0016]
优选的是，上述第一电路图信息是说明电路图的文本。
[0017]
此外，本发明的一个方式是一种检索方法，包括将输入到终端的第一电路图信息转换为第一图形的步骤、对第一图形与被登录在数据库中的第二图形之间的相似度进行计算的步骤以及在终端上显示相似度的步骤。
[0018]
优选的是，上述第一电路图信息是构成电路图的电路元件。
[0019]
优选的是，上述第一电路图信息是说明电路图的文本。
[0020]
发明效果
[0021]
根据本发明的一个方式，可以提供一种电路图的检索方法。此外，可以提供一种电路图的检索装置。此外，可以提供一种电路图的检索系统。此外，可以提供一种说明电路图的文本的检索方法。此外，可以提供一种说明电路图的文本的检索装置。此外，可以提供一种说明电路图的文本的检索系统。
附图说明
[0022]
图1a1至图1f2是示出电路元件或对应于该电路元件的图形，以说明本发明的一个方式的图。
[0023]
图2a1至图2f2是示出电路元件或对应于该电路元件的图形，以说明本发明的一个方式的图。
[0024]
图3a1至图3g2是示出电路元件或对应于该电路元件的图形，以说明本发明的一个方式的图。
[0025]
图4a及图4b是示出电路图或对应于该电路图的图形，以说明本发明的一个方式的图。
[0026]
图5a及图5b是示出电路图或对应于该电路图的图形，以说明本发明的一个方式的图。
[0027]
图6a及图6b是示出电路图或对应于该电路图的图形，以说明本发明的一个方式的图。
[0028]
图7a及图7b是说明用于本发明的一个方式的电路图检索的终端的操作方法的示意图。
[0029]
图8a是说明用于本发明的一个方式的电路图检索的终端的操作方法的示意图，图8b及图8c是本发明的一个方式的电路图的一个例子。
[0030]
图9是说明本发明的一个方式的终端的示意图。
[0031]
图10是说明用于本发明的一个方式的电路图检索的网络的示意图。
[0032]
图11a1至图11e2是说明本发明的一个方式的图形之间的相似度的计算方法的图。
[0033]
图12是说明本发明的一个方式的流程图。
[0034]
图13是说明本发明的一个方式的流程图。
[0035]
图14a及图14b是说明用于本发明的一个方式的电路图检索的终端的操作方法的示意图。
[0036]
图15是说明本发明的一个实施例的图。
[0037]
图16a至图16d是说明本发明的一个实施例的图。
具体实施方式
[0038]
(实施方式1)
[0039]
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的检索系统。在本实施方式的检索系统中，可以检索电路图或说明电路图的文本。
[0040]
在本说明书中，图形是指由顶点(节点)和边(边线)构成以表现各数据间的联系的数据结构。作为图形，有考虑到边线的方向的有向图形和不考虑到边线的方向的无向图形。在本说明书中，除非特别说明，图形是指无向图形。
[0041]
图1a1示出nmos晶体管的电路图符号，图1a2示出与其对应的图形。图1a2所示的图形由一个节点n、两个节点nsd以及一个节点ng构成。节点ng表示栅极，节点nsd表示源极或漏极。节点ng及nsd各自与节点n连接。
[0042]
在本说明书中，由黑圈表示的节点被称为“元件节点”，表示元件的中心。此外，由白圈表示的节点被称为“端子节点”，表示元件的端子。例如，在图1a2中，节点n是元件节点，节点ng及nsd是端子节点。通常，一个元件节点与多个端子节点连接。
[0043]
图1b1示出pmos晶体管的电路图符号，图1b2示出与其对应的图形。图1b2所示的图形由一个节点p、两个节点psd以及一个节点pg构成。节点pg表示栅极，节点psd表示源极或漏极。节点p是元件节点，节点pg及psd各自是与节点p连接的端子节点。
[0044]
图1c1示出nmos晶体管的电路图符号，图1c2示出与其对应的图形。图1c1所示的nmos晶体管在源极和漏极被区别的情况下使用(箭头所示的一个是源极)。图1c2所示的图形由一个节点n、一个节点ng、一个节点ns以及一个节点nd构成。节点ng表示栅极，节点ns表示源极，节点nd表示漏极。节点n是元件节点，节点ng、ns及nd各自是与节点n连接的端子节点。
[0045]
图1d1示出pmos晶体管的电路图符号，图1d2示出与其对应的图形。图1d1所示的pmos晶体管在源极和漏极被区别的情况下使用(箭头所示的一个是源极)。图1d2所示的图形由一个节点p、一个节点pg、一个节点ps以及一个节点pd构成。节点pg表示栅极，节点ps表示源极，节点pd表示漏极。节点p是元件节点，节点pg、ps及pd各自是与节点p连接的端子节点。
[0046]
图1e1示出具有两个栅电极的nmos晶体管的电路图符号，图1e2示出与其对应的图形。图1e2所示的图形由一个节点n、两个节点nsd、一个节点ng以及一个节点nbg构成。节点ng表示第一栅极(也称为前栅极)，节点nbg表示第二栅极(也称为背栅极)，节点nsd表示源极或漏极。节点n是元件节点，节点ng、nbg及nsd各自是与节点n连接的端子节点。
[0047]
除此之外，虽然未图示，但具有两个栅电极的pmos晶体管的图形也可以被同样定义。
[0048]
图1f1示出能够施加衬底电位的nmos晶体管的电路图符号，图1f2示出与其对应的图形。图1f2所示的图形由一个节点n、两个节点nsd、一个节点ng以及一个节点nsub构成。节点ng表示栅极，节点nsub表示能够施加电位的衬底，节点nsd表示源极或漏极。节点n是元件节点，节点ng、nsub及nsd各自是与节点n连接的端子节点。
[0049]
除此之外，虽然未图示，但能够施加衬底电位的pmos晶体管的图形也可以被同样定义。
[0050]
此外，用于mos晶体管的沟道的半导体材料的信息也可以包括在电路图及图形中。
[0051]
图2a1示出其沟道使用硅的nmos晶体管的电路图符号，图2a2示出与其对应的图形。图2a2所示的图形由一个节点sn、两个节点snsd以及一个节点sng构成。节点sng表示栅极，节点snsd表示源极或漏极。节点sn是元件节点，节点sng及snsd各自是与节点sn连接的端子节点。
[0052]
图2b1示出其沟道使用硅的pmos晶体管的电路图符号，图2b2示出与其对应的图形。图2b2所示的图形由一个节点sp、两个节点spsd及一个节点spg构成。节点spg表示栅极，节点spsd表示源极或漏极。节点sp是元件节点，节点spg及spsd各自是与节点sp连接的端子节点。
[0053]
此外，作为晶体管的半导体材料，可以使用氧化物半导体(oxide semiconductor：os)。尤其是，在沟道形成区域中使用os的晶体管在非导通状态下的泄漏电流极小，所以是优选的。这种晶体管可以用于显示装置、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置及电子设备等半导体装置。作为显示装置的具体例子，可以举出液晶显示装置及发光显示装置等。此外，作为半导体电路的具体例子，可以举出cpu、存储器等lsi及安装有它们中的一个或多个的ic芯片等。因为在沟道形成区域中使用os的晶体管在非导通状态下的泄漏电流极小，所以可以提供功耗低的半导体装置。
[0054]
作为os，可以使用包含铟(in)、镓(ga)以及锌(zn)中的至少一个的氧化物。例如，作为os，优选使用in
‑
m
‑
zn氧化物(元素m为选自铝、镓、钇、锡、铜、钒、铍、硼、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种)等金属氧化物。尤其是，除了铟及锌之外，优选还包含铝、镓、钇或锡等。此外，作为os，也可以使用in
‑
ga氧化物、in
‑
zn氧化物。
[0055]
此外，os优选具有结晶结构。作为具有结晶结构的os，例如有caac
‑
os(c
‑
axis aligned crystalline oxide semiconductor)、多晶氧化物半导体以及nc
‑
os(nanocrystalline oxide semiconductor)等。
[0056]
caac
‑
os具有c轴取向性，其多个纳米晶在a
‑
b面方向上连结而结晶结构具有畸变。注意，畸变是指在多个纳米晶连结的区域中晶格排列一致的区域与其他晶格排列一致的区域之间的晶格排列的方向变化的部分。
[0057]
虽然纳米晶基本上是六角形，但是并不局限于正六角形，有不是正六角形的情况。此外，在畸变中有时具有五角形或七角形等晶格排列。此外，在caac
‑
os中，即使在畸变附近也难以观察到明确的晶界(grain boundary)。就是说，可知由于晶格排列畸变，可抑制晶界的形成。这是由于caac
‑
os因为a
‑
b面方向上的氧原子排列的低密度或因金属元素被取代而使原子间的键合距离产生变化等而能够包容畸变。
[0058]
caac
‑
os有具有层状结晶结构(也称为层状结构)的倾向，在该层状结晶结构中层叠有包含铟及氧的层(下面称为in层)和包含元素m、锌及氧的层(下面称为(m,zn)层)。此外，铟和元素m彼此可以取代，在用铟取代(m,zn)层中的元素m的情况下，也可以将该层表示为(in,m,zn)层。此外，在用元素m取代in层中的铟的情况下，也可以将该层表示为(in,m)层。
[0059]
caac
‑
os是结晶性高的金属氧化物。另一方面，在caac
‑
os中不容易观察明确的晶界，因此不容易发生起因于晶界的电子迁移率的下降。此外，金属氧化物的结晶性有时因杂质的进入或缺陷的生成等而降低，因此可以说caac
‑
os是杂质或缺陷(氧空位(也称为v
o
(oxygen vacancy))等)少的金属氧化物。因此，包含caac
‑
os的金属氧化物的物理性质稳
定。因此，包含caac
‑
os的金属氧化物具有高耐热性及高可靠性。
[0060]
在nc
‑
os中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。此外，nc
‑
os在不同的纳米晶之间观察不到结晶取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc
‑
os在某些分析方法中与a
‑
like os或非晶氧化物半导体没有差别。
[0061]
此外，在包含铟、镓和锌的金属氧化物之一的铟
‑
镓
‑
锌氧化物(以下称之为igzo)有时在由上述纳米晶构成时具有稳定的结构。尤其是，igzo有在大气中不容易进行晶体生长的倾向，所以有时与在igzo由大结晶(在此，几mm的结晶或者几cm的结晶)形成时相比在igzo由小结晶(例如，上述纳米结晶)形成时在结构上更稳定。
[0062]
此外，os也可以为a
‑
like os(amorphous
‑
like oxide semiconductor)或非晶氧化物半导体。
[0063]
a
‑
like os是具有介于nc
‑
os与非晶氧化物半导体之间的结构的金属氧化物。a
‑
like os包含空洞或低密度区域。也就是说，a
‑
like os的结晶性比nc
‑
os及caac
‑
os的结晶性低。
[0064]
os具有各种结构及各种特性。本发明的一个方式的os也可以包括非晶氧化物半导体、多晶氧化物半导体、a
‑
like os、nc
‑
os、caac
‑
os中的两种以上。
[0065]
图2c1示出其沟道使用os的nmos晶体管的电路图符号，图2c2示出与其对应的图形。图2c2所示的图形由一个节点on、两个节点onsd以及一个节点ong构成。节点ong表示栅极，节点onsd表示源极或漏极。节点on是元件节点，节点ong及onsd各自是与节点on连接的端子节点。
[0066]
图2d1示出其沟道使用os的pmos晶体管的电路图符号，图2d2示出与其对应的图形。图2d2所示的图形由一个节点op、两个节点opsd以及一个节点opg构成。节点opg表示栅极，节点opsd表示源极或漏极。节点op是元件节点，节点opg及opsd各自是与节点op连接的端子节点。
[0067]
图2e1示出其沟道使用os且具有两个栅电极的nmos晶体管的电路图符号，图2e2示出与其对应的图形。图2e2所示的图形由一个节点on、两个节点onsd、一个节点ong以及一个节点onbg构成。节点ong表示第一栅极(也称为前栅极)，节点onbg表示第二栅极(也称为背栅极)，节点onsd表示源极或漏极。节点on是元件节点，节点ong、onbg及onsd各自是与节点on连接的端子节点。
[0068]
图2f1示出其沟道使用硅且能够施加衬底电位的nmos晶体管的电路图符号，图2f2示出与其对应的图形。图2f2所示的图形由一个节点sn、两个节点snsd、一个节点sng以及一个节点snsub构成。节点sng表示栅极，节点snsub表示能够施加电位的衬底，节点snsd表示源极或漏极。节点sn是元件节点，节点sng、snsub及snsd各自是与节点sn连接的端子节点。
[0069]
图3a1示出npn型双极晶体管的电路图符号，图3a2示出与其对应的图形。图3a2所示的图形由一个节点nb、一个节点nbb、一个节点nbe以及一个节点nbc构成。节点nbb表示基极，节点nbe表示发射极，节点nbc表示集电极。节点nb是元件节点，节点nbb、nbe及nbc各自是与节点nb连接的端子节点。
[0070]
图3b1示出pnp型双极晶体管的电路图符号，图3b2示出与其对应的图形。图3b2所示的图形由一个节点pb、一个节点pbb、一个节点pbe以及一个节点pbc构成。节点pbb表示基
极，节点pbe表示发射极，节点pbc表示集电极。节点pb是元件节点，节点pbb、pbe及pbc各自是与节点pb连接的端子节点。
[0071]
图3c1示出电容器的电路图符号，图3c2示出与其对应的图形。图3c2所示的图形由一个节点c及两个节点ct构成。节点c是元件节点，节点ct是与节点c连接的端子节点。
[0072]
图3d1示出电阻器的电路图符号，图3d2示出与其对应的图形。图3d2所示的图形由一个节点r及两个节点rt构成。节点r是元件节点，节点rt是与节点r连接的端子节点。
[0073]
图3e1示出电感器的电路图符号，图3e2示出与其对应的图形。图3e2所示的图形由一个节点l及两个节点lt构成。节点l是元件节点，节点lt是与节点l连接的端子节点。
[0074]
图3f1示出二极管的电路图符号，图3f2示出与其对应的图形。图3f2所示的图形由一个节点d、一个节点da及一个节点dc构成。节点da表示阳极，节点dc表示阴极。节点d是元件节点，节点da及dc各自是与节点d连接的端子节点。
[0075]
图3g1示出发光二极管的电路图符号，图3g2示出与其对应的图形。图3g2所示的图形由一个节点le、一个节点lea及一个节点lec构成。节点lea表示阳极，节点lec表示阴极。节点le是元件节点，节点lea及lec各自是与节点le连接的端子节点。
[0076]
如上所述，表示电路元件的图可以被“元件节点”和“端子节点”定义。元件节点的个数为一个，端子节点的个数为元件所具有的端子的个数。关于图1a1至图3g2未示出的其他电路图符号，图形也可以以同样的想法被定义。
[0077]
图4a是由cmos晶体管构成的静态随机存储器(sram)的电路图，图4b示出与其对应的图形。在图4b所示的图形中，为了容易理解，用曲线表示边线的一部分。
[0078]
图4a的sram由四个nmos晶体管、两个pmos晶体管、布线wl、两个布线bl、电源线(vdd)以及gnd构成。此外，两个布线bl中的一个被输入两个布线bl中的另一个的反相信号。
[0079]
图4b所示的图形由图1a2及图1b2所示的图形、表示布线wl或布线bl等各布线的端子节点构成。各端子节点与具有相等电位的所有端子节点共享边线。此外，在图4b所示的图形中，根据需要设置布线wl及布线bl等布线即可，如果不需要就可以不设置。
[0080]
图5a示出有机el显示器的像素电路，图5b示出与其对应的图形。在图5b所示的图形中，为了容易理解，用曲线表示边线的一部分。
[0081]
图5a的像素电路由三个nmos晶体管、一个电容器、一个发光二极管(oled)、扫描线gl、信号线sl、监视线ml、阳极anl、阴极ctl构成。此外，三个nmos晶体管各自具有第一栅极及第二栅极。
[0082]
图5b所示的图形由图1e2、图3c2以及图3g2所示的图形、表示扫描线gl或信号线sl等各布线的端子节点构成。此外，与图4b同样，各端子节点与具有相等电位的所有端子节点共享边线。此外，图5b所示的图形中，根据需要设置扫描线gl、信号线sl以及监视线ml等布线即可，如果不需要就可以不设置。
[0083]
图6a是使用os晶体管的存储单元的电路图。该存储单元是利用os晶体管的低关态电流(off
‑
state current)的非易失性存储器，被称为nosram(注册商标：nonvolatile oxide semiconductor ram)。
[0084]
图6a所示的nosram由具有一个背栅极的os晶体管、两个si
‑
pmos晶体管、电容器c、布线bl、布线sl、布线wwl、布线rwl、布线wcl以及布线bg构成。
[0085]
图6b所示的图形由图2b2、图2e2以及图3c2所示的图形、表示布线bl或布线sl等各
布线的端子节点构成。此外，与图4b及图5b同样，各端子节点与具有相等电位的所有端子节点共享边线。此外，在图6b所示的图形中，根据需要设置布线bl、布线sl、布线wwl、布线rwl、布线wcl以及布线bg等布线即可，如果不需要就可以不设置。
[0086]
如此，即使在同一电路内os晶体管和si晶体管混合存在，也可以用图形区别每个晶体管，来以图形表现电路的特征。
[0087]
此外，当以图形表现电路图时，不一定必须要对所有布线进行图形化。例如，只要只对表示电路的特征的布线进行图形化就可。在图4b中，不一定需要以图形表示布线wl、布线bl、电源线vdd以及gnd的全部。既可只对其一部分用图形表示，又可不用图形表示。在图5b中，不一定需要以图形表示扫描线gl、信号线sl、监视线ml、阳极anl以及阴极ctl的全部。既可只对其一部分用图形表示，又可不用图形表示。在图6b中，不一定需要以图形表示布线bl、布线sl、布线wwl、布线rwl、布线wcl以及布线bg的全部。既可只对其一部分用图形表示，又可不用图形表示。
[0088]
以上说明了以图形表现电路图的方法。以下说明使用上述图形的本发明的一个方式的检索装置及检索系统。
[0089]
图7a、图7b及图8a所示的终端10是具有如下功能的检索装置的一个例子：从登录在数据库中的电路图中检索出与使用者所输入的电路图相似的电路图，来显示其结果。此外，图9是示出终端10的结构的一个例子的方框图。如图9所示，终端10包括显示部101、输入部103、处理部105、运算部107、存储部109以及外部连接电路111。显示部101优选为触摸面板显示器。此外，运算部107也可以兼具处理部105的功能。此外，图8b及图8c示出终端10的显示部101所显示的电路图的例子。
[0090]
在上述数据库中，预先登录有作为电路图信息的多个电路图及对应于每个电路图的图形。此外，在上述数据库中，也可以登录有说明该电路图的文本。上述数据库既可储存在内置于终端10的存储部109中，又可储存在与终端10连接的外部存储装置中。此外，如图10所示，上述数据库也可以储存在通过网络连接于终端10的服务器50中。终端10可以通过外部连接电路111连接到网络。
[0091]
在此，网络包括局域网络(lan)或因特网。此外，上述网络可以采用有线和无线中的任一方或双方的通信。此外，在上述网络采用无线通信的情况下，除了wi
‑
fi(注册商标)、bluetooth(注册商标)等近距离通信技术以外，还可以采用以第三代移动通讯系统(3g)为准的通信技术、以lte(有时称为3.9g)为准的通信技术、以第四代移动通讯系统(4g)为准的通信技术、以第五代移动通讯系统(5g)为准的通信技术等各种通信技术。
[0092]
此外，作为终端10，示出平板型计算机的例子，但是本实施方式不局限于此。图10示出使用台式型计算机作为终端30的例子、使用膝上型计算机作为终端40的例子。终端30包括主体301、显示部302以及输入部303。终端40包括主体401、显示部402以及输入部403。终端30及终端40优选各自包括分别对应于终端10的处理部105、运算部107、存储部109以及外部连接电路111的处理部、运算部、存储部及外部连接电路。服务器50包括机柜501及多个机柜安装型计算机502。在计算机502所包括的存储装置中储存数据库。终端30和终端40都具有与终端10同样的功能，通过网络连接到服务器50。终端10、终端30及终端40可以访问储存在服务器50的计算机502中的数据库。
[0093]
图7a、图7b示出使用者将作为检索对象的电路图输入到终端10的例子。通过在终
端10的显示部101上显示区域11及区域12，使用者在区域11中制作作为检索对象的电路图。在区域11及区域12的上下分别配置区域13及区域14。在区域13及区域14中配置构成电路图的电路元件。终端10中设置有触摸面板显示器、键盘以及鼠标等输入单元，由此使用者将各电路元件拖放到区域11，可以制作所希望的电路图(图7a)。
[0094]
在使用者将电路图输入到区域11之后，由终端10或内置于通过网络连接于终端10的服务器50的处理部105制作相当于输入到区域11的电路图的图形。此外，也可以在运算部107中制作图形。所制作的图形被显示在区域12上。此外，当使用者触摸区域11中的任一电路元件时，在区域12中，对应于使用者所触摸的元件的图形的节点及边线的颜色改变(图7b)。由此，使用者可以确认自己制作的电路图和终端10所生成的图形的对应关系。
[0095]
作为输入数据，终端10可以处理连线表代替电路图。连线表是指描述电路元件的连接信息的文件。终端10可以将连线表转换成图形。
[0096]
作为输入数据，终端10也可以直接处理图形。
[0097]
作为输入数据，终端10也可以处理描述电路图的图像数据。终端10可以从图像数据读取电路元件的连接信息，以生成图形。
[0098]
接下来，计算显示在区域12上的图形与登录在数据库中的图形之间的相似度。当计算图形之间的相似度时，可以使用标签直方图核方法、随机游走核方法、wl(weisfeiler
‑
lehman)核方法、gnn(graph neural network)等。尤其是，使用wl核方法的计算精确度高，计算时间也短，所以是优选的。
[0099]
＜wl核的说明＞
[0100]
在此，使用简单的电路说明计算图形之间的相似度的方法之一的wl核方法。
[0101]
图11a1所示的电路g是nmos晶体管和pmos晶体管串联连接的电路。此外，图11a2所示的电路g
′
是nmos晶体管和pmos晶体管并联连接的电路。以下说明该两个电路之间的相似度的计算方法。
[0102]
首先，使用上述方法将电路g及g
′
表示为图形。图11b1示出表示为图形的电路g，图11b2示出表示为图形的电路g
′
。给构成这些图形的每种节点分别分配标签(数字)。在图11b1及图11b2中，括号内的数字相当于上述标签。
[0103]
接下来，对每个电路内的标签个数进行计数，以分别生成每个电路的特征向量。式子1的φ(g)表示电路g的特征向量，式子2的φ(g
′
)表示电路g
′
的特征向量。
[0104]
φ(g)＝(1、1、2、1、1、2)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(式子1)
[0105]
φ(g
′
)＝(1、1、2、1、1、2)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(式子2)
[0106]
例如，在式子1的右边中，从左侧依次表示一个标签“1”、一个标签“2”、两个标签“3”、一个标签“4”、一个标签“5”以及两个标签“6”。式子2也与此同样。
[0107]
接下来，对相邻节点的标签个数进行计数(图11c1、图11c2)。例如，图11c1中的“1.233”表示作为标签“1”的相邻节点有一个标签“2”以及两个标签“3”。其他节点也与此同样。
[0108]
接下来，给在图11c1、图11c2中赋予的数值分配新的标签(参照图11d1及图11d2)。
[0109]
接下来，将在图11d1及图11d2中分配的标签重新分配到电路g及g
′
(参照图11e1、图11e2)。注意，将这些图11c1、图11d1、图11e1(或者图11c2、图11d2、图11e2)所示的一系列工作称为再加标签。
[0110]
接下来，对被进行了再加标签后的电路g及g
′
的标签个数进行计数，重新求得每个电路的特征向量。式子3表示电路g的特征向量，式子4表示电路g
′
的特征向量。
[0111]
φ(g)＝(1、1、2、1、1、2、1、1、1、1、1、1、1、1)(式子3)φ(g
′
)＝(1、1、2、1、1、2、1、1、0、2、1、1、0、2)(式子4)
[0112]
例如，在式子3的右边中，虽然从左侧起直到第六项为止与式子1相同，但是后续的八个项是通过再加标签而追加的。式子4也与此同样。
[0113]
然后，通过反复进行一定次数的上述再加标签，可以得到更正确地表示图形特征的特征向量φ(g)及φ(g
′
)。最后，通过计算以下式子5所示的k
wl
(称为高斯核或rbf核)，得到电路g与电路g
′
的相似度。
[0114]
[算式1]
[0115][0116]
以上说明了使用wl核方法的图形之间的相似度的计算方法。
[0117]
上述相似度的计算既可在内置于终端10的cpu或gpu等的运算部107中进行，又可在内置于通过网络连接于终端10的服务器50的cpu或gpu等运算单元中进行。
[0118]
图8a示出在终端10的显示部101上显示检索结果的例子。在显示部101中，在区域16上显示使用者所输入的检索查询的电路图，在区域18上显示所有检索结果。显示在区域18上的数值19表示相似度。通过使用者触摸显示在区域18上的电路图中的任一个，在区域17上显示其放大图。由此，使用者可以确认检索结果。
[0119]
例如，图8b及图8c所示的两个电路图都表示sram且为等效电路。但是，在检索系统不能理解电路的连接信息的情况下，会将这些两个电路认为不同的图。另一方面，通过使用上述方法，可以将图8b及图8c置换为同一图形，由此本发明的检索系统能够将这些两个电路认为相同的电路图。
[0120]
此外，还可以在区域18上显示说明所显示的电路图的文本。使用者可以边参照所获取的相似度边对比所输入的文本信息和显示在终端10上的电路图或文本。
[0121]
图12是说明本发明的电路图及说明电路图的文本的检索方法的一个方式的流程图。
[0122]
首先，将电路图信息输入到终端10(s101)。使用者使用输入部103将电路元件输入到终端10。此外，可以使用多个电路元件制作电路图。在此，将所输入的电路元件及所制作的电路图作为电路图信息。
[0123]
接下来，在处理部105中以所输入的电路图信息生成图形(s102)。在此，为了方便起见，将所生成的图形作为第一图形。处理部105优选包括暂时储存所输入的电路图信息的第二存储部及用来生成第一图形的第二运算部。另一方面，所输入的电路图信息也可以被暂时储存在存储部109中。此外，也可以在运算部107中生成第一图形。
[0124]
接下来，在运算部107中计算第一图形与登录在数据库中的多个图形之间的相似度(s103)。在此，为了方便起见，将登录在数据库中的图形作为第二图形。在运算部107中，通过使用标签直方图核方法、随机游走核方法、wl核方法、gnn等，计算储存在处理部105或存储部109中的第一图形与第二图形之间的相似度。对多个第二图形分别求出相似度。可以说，相似度越大，该第二图形与第一图形越相似。
[0125]
在数据库被储存在通过网络连接于终端10的服务器50中的情况下，终端10可以通过外部连接电路111连接到网络来访问数据库。
[0126]
此外，也可以使用服务器50进行上述计算。在此情况下，将第一图形的数据通过外部连接电路111及网络发送到服务器50，而在服务器50中计算第一图形与第二图形的相似度。计算结果通过网络及外部连接电路111被发送到终端10。
[0127]
接下来，在显示部101上显示计算结果，即检索结果(s104)。可以按照相似度大至小的顺序依次显示计算结果。此外，也可以在显示相似度的同时还显示对应于该相似度的图形、电路图以及说明电路图的文本中的一个或多个。此外，也可以在某个相似度的范围内按照电路图及说明电路图的文本的制作日期早至晚的顺序或晚至早的顺序依次显示计算结果。
[0128]
使用者可以根据计算结果从登录在数据库中的多个电路图中检索出所希望的电路图或与所希望的电路图相似的电路图。
[0129]
如上所述，根据本发明的一个方式，可以提供一种能够检索电路图及说明电路图的文本的检索方法。此外，可以提供一种能够检索电路图及说明电路图的文本的检索装置。此外，可以提供一种能够检索电路图及说明电路图的文本的检索系统。
[0130]
本实施方式所示的构成、结构、方法等可以与其他实施方式及实施例所示的构成、结构、方法等适当地组合而使用。
[0131]
(实施方式2)
[0132]
在本实施方式中，参照图13及图14说明与上述实施方式不同的本发明的一个方式的检索系统。在本实施方式的检索系统中，可以进行说明电路图的文本或电路图的检索。
[0133]
在本实施方式中，将文本信息图形化，以将其和登录在数据库中的图形信息对比来计算出相似度。文本信息包括电路图的信息，即由文字表示电路元件及其连接关系的信息。作为文本信息的具体例子，包括论文、专利说明书等的文本。尤其是在专利说明书中，实施方式、实施例、权利要求书中的权利要求等相当于文本信息。
[0134]
将文本信息作为检索查询输入到终端10(图13、s201)。例如，如图14a所示，通过在终端10的显示部101的区域15上显示键盘等，可以输入文本信息。所输入的文本信息被显示在区域11上。此外，也可以复制粘贴使用者所准备的文本的电子数据，以输入文本信息。
[0135]
终端10或通过网络连接于终端10的服务器50从输入到终端10的文本信息中抽取电路元件。接下来，根据该电路元件的名称指定元件节点(s202)。在终端10进行电路元件的抽取及元件节点的指定的情况下，可以在处理部105中进行这些处理。
[0136]
在此，电路元件是指晶体管、电容器、电阻器、电感器、二极管以及发光二极管等。
[0137]
接下来，终端10或服务器50指定该电路元件所具有的端子节点(s203)。该端子节点的指定可以根据输入到终端10的文本信息或登录在终端10或服务器50的数据库中的信息而实施。
[0138]
接下来，根据输入到终端10的文本信息指定端子节点的连接关系(s204)。
[0139]
以下示出例文。在将文本信息“包括晶体管及电容器，所述晶体管的栅极与所述电容器的第一端子连接”输入到终端10的情况下，终端10或服务器50指定晶体管及电容器作为元件节点。终端10或服务器50所具有的数据库中登录有信息“晶体管具有分别对应于栅极、源极以及漏极的端子”及“电容器具有两个端子”。因此，终端10或服务器50对于晶体管
的元件节点指定至少三个端子节点，并对于电容器的元件节点指定两个端子节点。
[0140]
接下来，根据文本信息“所述晶体管的栅极与所述电容器的第一端子连接”，可以指定一种连接关系，即对应于晶体管的栅极的端子节点与电容器的端子节点中的一方连接。
[0141]
通过使用上述方法，使用终端10或服务器50根据文本信息指定元件节点、端子节点以及各端子节点的连接关系。
[0142]
接下来，根据所获取的元件节点、端子节点以及各端子节点的连接关系对电路图信息进行图形化，以制作第一图形(s205)。如图14b所示，所获取的第一图形可以显示在显示部101的区域12上。
[0143]
在电路图信息的图形化完成之后，与上述实施方式同样，可以计算第一图形与储存在数据库中的第二图形的相似度(s206)，来在终端10上显示计算结果(s207)。
[0144]
此外，也可以在数据库中登录图形数据、对应于该图形数据的文本及对应于该图形数据的电路图。当如上所述那样求出图形的相似度来在终端10上显示相似度时，也可以还显示对应于相似度的文本和电路图中的一方或双方。使用者可以适当地选择图形的相似度、文本以及电路图的显示方法。
[0145]
也就是说，使用者可以通过输入文本信息检索出与其相似的文本或电路图。
[0146]
使用者可以边参照所获取的相似度边对比所输入的文本信息和显示在终端10上的文本或电路图。
[0147]
如上所述，根据本发明的一个方式，可以提供一种能够检索电路图及说明电路图的文本的检索方法。此外，可以提供一种能够检索电路图及说明电路图的文本的检索装置。此外，可以提供一种能够检索电路图及说明电路图的文本的检索系统。
[0148]
本实施方式所示的构成、结构、方法等可以与其他实施方式及实施例所示的构成、结构、方法等适当地组合而使用。
[0149]
[实施例]
[0150]
在本实施例中，说明实际使用在实施方式1中说明的方法计算出电路图的相似度的例子。具体而言，用图形表示电路图，并使用wl(weisfeiler
‑
lehman)核方法计算出图形之间的相似度。
[0151]
<相似度的计算例子>
[0152]
图15示出使用上述wl核方法计算出作为查询输入的电路图g和作为对比对象的电路图g
′
的相似度(k
wl
)的例子。也就是说，在图15中，对比电路图1101与电路图1102、电路图1103以及电路图1104的每一个。
[0153]
电路图1101是cmos反相器连接为环状的电路图。电路图1102是两个cmos反相器串联连接的电路图。电路图1103是sram的电路图。电路图1104是nand门的电路图。
[0154]
图16a至图16d分别示出表示为图形的图15所示的电路图。图16a示出电路图1101的图形，图16b示出电路图1102的图形，图16c示出电路图1103的图形，并且图16d示出电路图1104的图形。
[0155]
再次回到图15的说明。图15所示的k
wl
为式子5所示的高斯核，表示两个电路图的相似度。k
wl
的值越接近1，两个电路图越相似。此外，在k
wl
的计算中，式子5的γ为0.001，迭代次数(再加标签次数)为3。
[0156]
上述再加标签的计算及k
wl
的计算既可由终端10进行又可由服务器进行。
[0157]
根据图15的结果可知，与电路图1101的相似度最高的是电路图1102，其次是电路图1104、电路图1103。由此可知，通过将电路图表示为图形，可以计算电路图之间的相似度。
[0158]
本实施例所示的构成、结构、方法等可以与其他实施方式及实施例所示的构成、结构、方法等适当地组合而使用。
[0159]
[符号说明]
[0160]
10：终端、11：区域、12：区域、13：区域、14：区域、15：区域、16：区域、17：区域、18：区域、19：数值、30：终端、40：终端、50：服务器、101：显示部、103：输入部、105：处理部、107：运算部、109：存储部、111：外部连接电路、301：主体、302：显示部、303：输入部、401：主体、402：显示部、403：输入部、501：机柜、502：计算机、1101：电路图、1102：电路图、1103：电路图、1104：电路图