时序参数调整机制的制作方法

时序参数调整机制
1.交叉引用
2.本专利申请主张斯福尔津(sforzin)等人2020年7月29日申请的名称为“时序参数调整机制(timing parameter adjustment mechanisms)”的美国专利申请第16/942,568号的优先权，所述申请转让给本受让人，且明确地以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
3.技术领域是关于时序参数调整机制。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器以及类似物的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一个，常常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持超过两个状态，可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为存储信息，组件可写入或编程存储器装置中的状态。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。


技术实现要素：

6.描述一种设备。设备可包含存储器阵列和控制器，所述控制器与存储器阵列耦合且配置成使得设备：接收存取数据块的存取命令；至少部分地基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数；至少部分地基于确定参数而确定时序参数，所述时序参数指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的持续时间；至少部分地基于确定时序参数而对数据块执行存取操作。
7.描述一种设备。设备可包含存储器阵列和控制器，所述控制器与存储器阵列耦合且配置成使得设备：接收存取数据块的存取命令，所述数据块包括多个页；至少部分地基于接收到存取命令而确定多个页的每一页的数据模式；至少部分地基于确定多个页的每一页的数据模式而确定多个页的每一页的时序参数，所述时序参数指示存取多个页的当前页的第一时间与存取多个页的先前页的第二时间之间的持续时间；且作为存取数据块的存取操作的部分在时序参数的持续时间到期之后存取多个页的当前页。
8.描述一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体。指令在由电子装置的处理器执行时可使得电子装置：接收存取数据块的存取命令；至少部分地基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数；至少部分地基于确定参数而确定时序参数，所述时序参数指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的
持续时间；且至少部分地基于确定时序参数而对数据块执行存取操作。
附图说明
9.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的系统的实例。
10.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存取操作的实例。
11.图3说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存取操作的实例。
12.图4a说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的过程流程的实例。
13.图4b说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的过程流程的实例。
14.图5展示根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存储器系统的框图。
15.图6和7展示说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的一或多种方法的过程流程。
具体实施方式
16.在一些存取操作中，存储器系统的吞吐量是基于存取数据块内的不同分区之间的交错时间。交错时间可以是存取第一分区的开始时间与存取下一分区的开始时间之间的持续时间。在一些情况下，减少交错时间可增加吞吐量且增加存储器系统的功率消耗。在其它实例中，增加交错时间可减少吞吐量且减少功率消耗。在一些存储器系统中，交错时间可以是固定的且独立于存储器系统中可用的功率和存储器系统的数据模式，由此防止交错时间的调整。
17.描述用于存取存储器系统中的不同分区之间的动态可配置交错时间的系统、装置和技术。在一些实例中，功率参数可用于确定存取不同分区之间的交错时间。在其它实例中，数据模式(例如，权重参数)可用于确定存取不同分区之间的交错时间。在此类情况下，交错时间可基于功率参数、数据模式或两者而修改。在一些情况下，当存取整个块时，相同交错时间可用于每一不同分区。在其它情况下，不同交错时间可用于存取每一不同分区。在此类情况下，每一交错时间可独立于存取不同分区之间的其它交错时间。
18.此类技术(例如，基于可用功率和待写入的用户数据模式而调整交错时间)可引起在存储器系统中写入或读取更多数据，这可提高存储器系统的总体性能。基于与存取数据块相关联的参数而修改交错时间可减少与主机系统相关的其它操作的时延且改良读取、写入和擦除速度和效率。
19.首先在参考图1所描述的系统的上下文中描述本公开的特征。在如参考图2至4b所描述的存取操作和过程流程的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些和其它特征进一步由设备图和过程流程所说明且参考设备图和过程流程加以描述，所述设备图和过程流程是关于如参考图5到7所描述的时序参数调整机制。
20.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的系统100的实例。
系统100可包含主机系统105、存储器系统110和将主机系统105与存储器系统110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器系统，但一或多个存储器系统110的方面可在单个存储器系统(例如，存储器系统110)的上下文中加以描述。
21.系统100可包含电子装置的部分，如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统。举例来说，系统100可说明计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、车辆控制器或类似物的方面。存储器系统110可以是可操作以存储系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。
22.系统100的至少部分可以是主机系统105的实例。主机系统105可以是使用存储器执行过程的装置内(如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、车辆控制器或一些其它固定或便携式电子装置内)的处理器或其它电路的实例，以及其它实例。在一些实例中，主机系统105可指实施外部控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部控制器120可称作主机或主机系统105。
23.存储器系统110可以是独立装置或可操作以提供可供系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的组件。在一些实例中，存储器系统110可以是可配置的以与一或多个不同类型的主机系统105工作。主机系统105与存储器系统110之间的信令可操作以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机系统105和存储器系统110的物理封装的各种形状因数、主机系统105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、时序惯例，或其它因素。
24.存储器系统110可操作以存储用于主机系统105的组件的数据。在一些实例中，存储器系统110可充当主机系统105的从型装置(例如，对经由外部控制器120由主机系统105提供的命令作出回应且执行所述命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。
25.主机系统105可包含外部控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130或如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器的其它组件中的一或多个。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。
26.处理器125可操作以针对系统100的至少部分或主机系统105的至少部分提供控制或其它功能。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在这类实例中，处理器125可以是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或芯片上系统(soc)的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部控制器120可由处理器125实施或是处理器125的一部分。
27.bios组件130可以是包含操作为固件的bios的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机系统105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机系统105的各种组件之间的数据流。bios组件130可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。
28.存储器系统110可包含装置控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所要容量或指定容量。每一存储器裸片160可包含本地控制器165(例如，本地控制器165-a、本地控制器165-b、本地控制器165-n)和存储器阵列170(例
如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一或多个平铺块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可操作以存储至少一个位的数据。包含两个或更多个存储器裸片的存储器系统110可称作多裸片存储器或多裸片封装或多芯片存储器或多芯片封装。
29.装置控制器155可包含可操作以控制存储器系统110的操作的电路、逻辑或组件。装置控制器155可包含使得存储器系统110能够执行各种操作的硬件、固件或指令且可操作以接收、传输或执行与存储器系统110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置控制器155可操作以与外部控制器120、一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置控制器155可控制本文中结合存储器裸片160的本地控制器165所描述的存储器系统110的操作。
30.在一些实例中，存储器系统110可从主机系统105接收数据或命令或两者。举例来说，存储器系统110可接收写入命令或读取命令，所述写入命令指示存储器系统110将存储用于主机系统105的数据，所述读取命令指示存储器系统110将向主机装置提供存储于存储器裸片160中的数据。
31.本地控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可操作以控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地控制器165可操作以与装置控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或两者)。在一些实例中，存储器系统110可不包含装置控制器155，且本地控制器165或外部控制器120可执行本文中所描述的各种功能。因此，本地控制器165可操作以与装置控制器155、与其它本地控制器165或直接与外部控制器120或处理器125或其组合通信。装置控制器155或本地控制器165或两者中可包含的组件的实例可包含用于(例如，从外部控制器120)接收信号的接收器、用于传输信号(例如，到外部控制器120)的传输器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制待传输信号的编码器，或可操作用于支持装置控制器155或本地控制器165或两者的所描述操作的各种其它电路或控制器。在一些情况下，本地控制器165可确定存储器系统110内的交错时间(例如，时序参数)。
32.外部控制器120可操作以启用系统100或主机系统105(例如，处理器125)的组件与存储器系统110之间的信息、数据或命令中的一或多个的通信。外部控制器120可转换或转译在主机系统105的组件与存储器系统110之间交换的通信。在一些实例中，外部控制器120或系统100或主机系统105的其它组件或本文中所描述的其功能可由处理器125实施。举例来说，外部控制器120可以是由处理器125或系统100或主机系统105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其一些组合。虽然将外部控制器120描绘为在存储器系统110外部，但在一些实例中，外部控制器120或本文中所描述的其功能可由存储器系统110的一或多个组件(例如，装置控制器155、本地控制器165)实施，或反之亦然。在一些情况下，外部控制器120可确定交错时间(例如，时序参数)且将交错时间传输到存储器系统110。在此类情况下，外部控制器120可在将交错时间发送到存储器系统110之前确定交错时间。
33.主机系统105的组件可使用一或多个信道115与存储器系统110交换信息。信道115可操作以支持外部控制器120与存储器系统110之间的通信。每一信道115可以是在主机系统105与存储器系统110之间携载信息的传输媒体的实例。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可以是可操作以携载信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，所述第一端子包
含主机系统105处的一或多个引脚或衬垫和存储器系统110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可操作以充当信道的部分。
34.信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。举例来说，信道115可包含一或多个命令和地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，信令可使用单数据速率(sdr)信令或双数据速率(ddr)信令经由信道115传达。在sdr信令中，信号的一个调制符号(例如，信号电平)可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升或下降沿上)进行登记。在ddr信令中，信号的两个调制符号(例如，信号电平)可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上)进行登记。
35.系统100可包含支持用于垃圾收集的数据分离的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机系统105、外部控制器120、存储器系统110或存储器裸片160可包含或以其它方式可存取存储指令的一或多个非暂时性计算机可读媒体(例如，固件)，所述指令用于执行本文中归属于主机系统105、外部控制器120、存储器系统110或存储器裸片160的功能。举例来说，此类指令当由主机系统105(例如，由主机系统控制器)、由外部控制器120、由存储器系统110(例如，由装置控制器155)或由存储器裸片160(例如，由本地控制器165)执行时可使得主机系统105、外部控制器120、存储器系统110或存储器裸片160执行如本文中所描述的相关联功能。
36.在一些情况下，存储器系统110可接收存取数据块的存取命令。存储器系统110可确定与存取数据块相关联的参数。参数可以是可用于执行存取操作的功率参数、数据模式或数据数量的实例。存储器系统110可基于确定参数而确定交错时间(例如，时序参数)。交错时间可指示存取数据块的第一页的时间与存取数据块的第二页的时间之间的持续时间。在一些实例中，存储器系统110可根据交错时间来对数据块执行存取操作。在此类情况下，数据块的每一页可根据相同交错时间进行存取。
37.在一些实例中，存储器系统110可确定每一个别页的数据模式。在此类情况下，存储器系统110可确定每一页的交错时间。交错时间可指示存取当前页的时间与存取先前页的时间之间的持续时间。存储器系统110可在交错时间到期之后存取当前页。在此类情况下，数据块的每一页可根据不同交错时间进行存取。
38.通过基于与存取数据块相关联的参数而调整交错时间，可提高存储器系统110的总体性能。举例来说，修改交错时间可改良存储器系统110的总效率，这可引起存储器系统110经历改良的读取、写入和擦除速度、减小的功率消耗、改良的处理时间和类似物。
39.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存取操作200的实例。存储器系统可在存取操作200期间存取块205。块205可包含页210。存取操作200可包含指示每一页210的存取之间的持续时间的交错时间215(例如，时序参数)。
40.块205可包含一或多个分区，其中分区可以是可存取的存储器的部分。页可以是分区的实例，但分区的其它实例也是可能的。在一些情况下，术语“页”的使用可由分区或分区的其它实例替换。在一些情况下，可存取块内的页210。在一些实例中，作为存取操作200的部分，块205内的不同页210可在交错时间处(例如，根据交错时间215)进行存取。块的页210可通过交错时间进行读取以便减小存储器系统的位电流和功率消耗。
41.存储器系统的吞吐量可至少部分地随交错时间215而变。在此类情况下，吞吐量可
随从块205中的页210同时读取/写入的位数量和交错时间215而变。如果存储器系统利用增加的功率数量进行操作，那么吞吐量可通过减少交错时间215而增加。当交错时间减少时，同时或并行地存取的页数量可增加。举例来说，在存取操作200-a中，交错时间引起同时存取约八个页，而存取操作200-b中的交错时间引起同时存取约六个页。存储器系统的功率消耗可至少部分地随交错时间215而变。举例来说，当交错时间215减少时，功率消耗可增加。在其它实例中，当交错时间215增加时，功率消耗可减少。在一些情况下，功率消耗可取决于写入操作期间的数据模式的权重。模式的权重可基于用户数据模式、阵列模式或两者而确定。
42.在一些系统中，可在存取操作200之前设置交错时间215。举例来说，交错时间215可以是用于在存取操作200期间存取块205的固定持续时间。在此类情况下，交错时间215可独立于存储器系统可用的功率且独立于用户数据模式。存储器系统可由于固定交错时间而在预固定功率可用性下减小功率消耗而不优化性能。在一些情况下，存储器系统可同时从块205的页210读取。在此类情况下，存储器系统的时延可在读取块205的一些或所有页210之后累积，由此降低存储器系统的效率。
43.在一些实例中，存储器系统可基于可用功率和待写入的用户数据模式而调整交错时间215。相对于存储器系统中的动态功率消耗动态地配置交错时间215(例如，分区间延迟或页间延迟或tp2p)可改良存储器系统的效率和操作，由此在存取操作结束时减少时延。当存储器系统接收命令时，可存取整个数据块(例如，块205)。举例来说，存储器系统可接收存取命令，且存储器系统可确定与存取块205相关联的参数(例如，功率消耗、数据写入模式等)。
44.存储器系统可基于确定所述参数而确定交错时间215，其指示存取块205的第一页210的时间与存取块205的第二页210的时间之间的持续时间。交错时间215可针对整个块205而固定。在此类情况下，相同交错时间215可用于存取块205中的每一页210之间的每一持续时间。存储器系统可基于确定交错时间215而对块205执行存取操作。
45.在一些情况下，存储器系统可存取第一分区且随后在交错时间215到期之后存取第二分区。举例来说，存储器系统可在第一时间处存取块205的第一分区且在存取第一分区之后确定与交错时间215相关联的持续时间到期。交错时间215可指示存取第一分区的第一时间与存取第二分区的第二时间之间的持续时间。存储器系统可基于确定交错时间215的持续时间到期而在第二时间处存取块205的第二分区。
46.存取操作200-a可以是存储器系统的实例，所述存储器系统基于功率参数(例如，存储器系统的功率消耗)而调整交错时间215-a和215-b(例如，时序参数)。举例来说，存储器系统可调整交错时间215-a和215-b以针对可用功率而改良(例如，优化)存储器系统的性能。存储器系统可基于存取命令而确定用于存取块205-a的功率参数。在此类情况下，存储器系统可基于功率参数而确定交错时间215-a和215-b。功率参数可基于时钟循环的数量而确定。
47.在一些情况下，存储器系统可通过在图表中查找所确定功率参数和将功率参数与交错时间215-a和215-b匹配来确定交错时间215-a和215-b。举例来说，存储器系统可基于确定功率参数而确定功率参数与交错时间215-a和215-b之间的映射。存取操作200-a可以是具有恒定功率参数(例如，用于存取每一页210的相同功率参数)的存取操作的实例。
48.在一些实例中，存储器系统可接收与可用于存储器系统的功率相关联的信息。存储器系统的控制器或其它组件可传输与可用功率相关联的信息。举例来说，控制器可向存储器系统指派和传送功率预算，其中功率预算可相对于时间而改变。通过将动态功率预算传送到存储器系统，存储器系统可适应性地配置交错时间215-a和215-b，由此降低存储器系统的成本。固定功率消耗下的存储器系统性能可通过修改随用户数据模式而变化的交错时间215-a和215-b来改良(例如，优化)。
49.在一些情况下，存储器系统可基于功率限制而调整交错时间215-a和215-b。举例来说，存储器系统可确定功率参数是否满足阈值。在此类情况下，存储器系统可在功率限制低的情况下增加交错时间215-a和215-b且在功率限制高的情况下减少交错时间215-a和215-b。举例来说，存储器系统可基于确定功率参数低于阈值而增加交错时间215-a和215-b的持续时间或基于确定功率参数高于阈值而减少交错时间215-a和215-b的持续时间。交错时间215-a和215-b可随着功率参数增加而减少。在此类情况下，存储器系统可通过消耗增加的功率数量而在提高的性能速度下操作。
50.交错时间215-a和215-b可针对整个块205-a而固定。举例来说，交错时间215-a和215-b可以是相同的交错时间。在此类情况下，相同交错时间215可用于存取块205-a中的每一页210之间的每一持续时间。举例来说，存储器系统可在第一时间处存取块205-a的第一页210-a且在存取第一页210-a之后确定与交错时间215-a相关联的持续时间到期。存储器系统可随后基于确定交错时间215-a的持续时间到期而在第二时间处存取块205-a的第二页210-b。在其它实例中，存储器系统可存取块205-a的第八页210-c且在存取第八页210-c之后确定与交错时间215-b相关联的持续时间到期。存储器系统可随后基于确定交错时间215-b的持续时间到期而存取块205-a的第九页210-d。
51.存取操作200-b可以是存储器系统的实例，所述存储器系统基于数据写入模式(例如，数据模式)的权重而调整交错时间215-c和215-d(例如，时序参数)。举例来说，存储器系统可调整交错时间215-c和215-d以针对数据写入模式的所确定权重而改良(例如，优化)存储器系统的性能。存储器系统可基于存取命令而确定用于存取块205-b的数据写入模式的权重。在此类情况下，存储器系统可基于数据写入模式的权重而确定交错时间215-c和215-d。存取操作200-b可以是具有恒定用户数据模式(例如，用于每一页210的数据写入模式的相同权重)的存取操作的实例。在一些实例中，数据写入模式的权重可基于数据写入模式中的
‘1’
(或视具体情况
‘0’
)的数量而确定。举例来说，如果数据写入模式是1011001011100100，那么权重可以是八(8)。在一些实例中，数据写入模式的权重可参考已存储于存储器单元中的数据而确定。举例来说，如果数据写入模式是1011001011100100且已存储于正写入的存储器单元中的数据是0010011101010101，那么权重可以是四(4)，这是因为写入仅四个
‘1’
替代现有
‘0’
。
52.数据写入模式的权重可以是模式中写入的逻辑1的数量的实例。举例来说，存储器系统可写入模式超过一定数量的逻辑0。作为存取操作200-b的部分，存储器系统可计数块205-b的权重(例如，计数模式中的逻辑1的数量)以确定块205-b中存取的第一类型的数据的数量。在此类情况下，存储器系统可基于确定第一类型的数据的数量(例如，逻辑1的数量)而确定数据写入模式的权重。
53.在一些情况下，存储器系统可基于数据写入模式的权重而调整交错时间215-c和
215-d。举例来说，存储器系统可确定数据写入模式的权重是否满足阈值。在此类情况下，存储器系统可在数据写入模式的权重高的情况下增加交错时间215-c和215-d且在数据写入模式的权重低的情况下减少交错时间215-c和215-d。举例来说，存储器系统可基于确定数据写入模式的权重高于阈值而增加交错时间215-c和215-d的持续时间或基于确定数据写入模式的权重低于阈值而减少交错时间215-c和215-d的持续时间。在此类情况下，块205-b的页210的集合的小权重可减少交错时间215-c和215-d，而块205-b的页210的集合的大权重可增加交错时间215-c和215-d。
54.交错时间215-c和215-d可针对整个块205-b而固定。举例来说，交错时间215-c和215-d可以是相同的交错时间。在此类情况下，相同交错时间215可用于存取块205-b中的每一页210之间的每一持续时间。用于存取块205-b的交错时间215-c和215-d可与用于存取块205-a的交错时间215-a和215-b相同。在其它实例中，用于存取块205-b的交错时间215-c和215-d可不同于用于存取块205-a的交错时间215-a和215-b。
55.存储器系统可在第一时间处存取块205-b的第一页210-e且在存取第一页210-e之后确定与交错时间215-c相关联的持续时间到期。存储器系统可随后基于确定交错时间215-c的持续时间到期而在第二时间处存取块205-b的第二页210-f。在其它实例中，存储器系统可存取块205-b的第八页210-g且在存取第八页210-g之后确定与交错时间215-d相关联的持续时间到期。存储器系统可随后基于确定交错时间215-d的持续时间到期而存取块205-a的第九页210-h。
56.在一些实例中，存储器系统可基于作为写入操作的部分而写入的数据的数量而确定交错时间215。在一些情况下，存储器系统可基于在写入操作期间所使用的数据的数量或分区的数量而确定交错时间215(例如，所写入数据的区中可用的间隔)。在此类情况下，存储器系统可基于接收到存取命令而确定用于对块205执行存取操作200的可用数据数量。
57.在一些情况下，存储器系统可基于可用于执行存取操作200的数据数量而调整交错时间215。举例来说，存储器系统可确定可用数据的数量是否满足阈值。在此类情况下，存储器系统可在可用数据的数量高的情况下增加交错时间215且在可用数据的数量低的情况下减少交错时间215。举例来说，存储器系统可基于确定可用数据的数量高于阈值而增加交错时间215的持续时间或基于确定可用数据的数量低于阈值而减少交错时间215的持续时间。在此类情况下，可用于执行存取操作200的小的数据数量可减少交错时间215，而可用于执行存取操作200的大的数据数量可增加交错时间215。
58.图3说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存取操作300的实例。存储器系统可在存取操作300期间存取块305。块305可包含页310。存取操作300可包含指示每一页310的存取之间的持续时间的交错时间315(例如，时序参数)。
59.块305可包含一或多个分区，其中分区可以是可存取的存储器的一部分。在一些情况下，可存取块内的页310。在一些实例中，作为存取操作的部分，块305中的不同页310可在交错时间处(例如，根据交错时间315)进行存取。举例来说，存取操作300可包含用于每一个别页310的不同交错时间315。在此类情况下，用于每一页310的数据写入模式的权重可改变。
60.当存储器系统接收命令时，可存取整个数据块(例如，块305)。举例来说，存储器系统可接收存取命令且基于存取命令而确定用于每一页310的数据写入模式。举例来说，存储
器系统可确定用于页310-a、310-b、310-c、310-d和310-e中的每一个的数据写入模式的权重。数据写入模式的权重可以是模式中的逻辑1的数量的实例。为确定数据写入模式的权重，存储器系统可经由内部组件(例如，控制器)将数据写入模式的权重与存储器阵列的所存储模式进行比较。举例来说，存储器系统可确定存储于块305中的数据的模式与同存取命令相关联的数据写入模式之间的差。
61.在一些实例中，存储器系统可经由外部组件(例如，外部控制器)接收数据写入模式与存储器阵列中的所存储模式的比较。举例来说，存储器系统可基于确定数据写入模式而接收数据写入模式与存储于存储器阵列的块305中的模式之间的差的指示。在此类情况下，存储器系统可基于确定所存储模式与数据写入模式之间的差而确定交错时间315。
62.在一些情况下，用于每一个别页310的数据写入模式的权重可改变，由此影响交错时间315的可变性。举例来说，用于页310-a的数据模式的权重可不同于用于页310-b的数据模式的权重。举例来说，页310-a可包含小于页310-b中包含的逻辑1的数量的逻辑1的数量。在此类情况下，与存取页310-a相关联的功率消耗和页310-a的数据写入模式的权重可小于与存取页310-b相关联的功率消耗和页310-b的数据写入模式。在其它实例中，用于页310-b的数据模式的权重可不同于用于页310-c的数据模式的权重。举例来说，页310-c可包含比页310-b更大的数据写入模式的权重。
63.基于确定用于每一页310的数据写入模式的权重，存储器系统可确定用于每一页310的交错时间315。交错时间可指示存取当前页310的时间与存取先前页310的时间之间的持续时间。作为存取块305的存取操作300的部分，存储器系统可在交错时间315的持续时间到期之后存取当前页310。在此类情况下，存储器系统可在存取当前页310之后存取下一页310。
64.举例来说，存储器系统可存取页310-a且随后在交错时间315-a的持续时间到期之后存取页310-b。存储器系统可在页310-a的存取操作期间确定交错时间315-a。在此类情况下，存储器系统可在页310-a上的存取操作300完成之前确定交错时间315-a的持续时间的下限(例如，最小持续时间)以允许用于确定交错时间315-a的时间。在存取操作300期间，存储器系统可确定交错时间315，由此防止存取操作300的延迟。
65.在存储器系统存取页310-b之后，存储器系统可基于交错时间315-b的持续时间到期而存取页310-c。如果页310-b上的存取操作300未完成(例如，页310-b并未脱离存取操作300)，那么与存取页310-c相关联的存取操作300可避免开始。在此类情况下，存储器系统可确定先前页310-b上的存取操作300完成且交错时间315-b到期，且随后存储器系统可基于确定页310-b上的存取操作完成而开始页310-c上的存取操作300。
66.交错时间315可以是块305中的每一页310之间的不同持续时间。举例来说，由与每一页310相关联的每一交错时间315指示的持续时间可独立于与块305的其它页310相关联的其它交错时间315而配置。举例来说，交错时间315-a可独立于可独立于交错时间315-c而配置的交错时间315-b而配置。存取页310-a与页310-b之间的交错时间315-a可小于存取页310-b与页310-c之间的交错时间315-b。在其它实例中，存取页310-d与页310-e之间的交错时间315-c可大于交错时间315-b且大于交错时间315-a。
67.在一些情况下，存储器系统可基于数据写入模式的权重而调整每一页310的交错时间315。举例来说，存储器系统可确定数据写入模式的权重是否满足阈值。在此类情况下，
存储器系统可在数据写入模式的权重高的情况下增加交错时间315且在数据写入模式的权重低的情况下减少交错时间315。举例来说，存储器系统可基于确定数据写入模式的权重高于阈值而增加交错时间315的持续时间或基于确定数据写入模式的权重低于阈值而减少交错时间315的持续时间。
68.相对于数据写入模式的权重动态地配置用于每一页310的交错时间315可改良存储器系统的效率和操作，如参考图2所描述。在此类情况下，存储器系统可独立于先前页310或下一页310的交错时间315而调整用于每一页310的交错时间315通过适应性地配置用于每一页310的交错时间315，存储器系统的性能可通过修改随数据写入模式的权重变化的个别交错时间315来改良(例如，优化)，如参考图2所描述。
69.图4a说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的过程流程400-a的实例。过程流程400-a的操作可通过如本文中所描述的存储器系统或其组件来实施。举例来说，过程流程400-a的操作可由如参考图1所描述的存储器系统110执行。虽然下文将过程描述为由存储器系统110执行，但在一些实例中，过程流程400-b可实施为存储于存储器中的指令(例如，存储于120或125中的固件)。举例来说，指令在由控制器(例如，115)执行可使得控制器执行过程流程400-b的操作。过程流程400-a可应用于与写入操作和读取操作相关联的存取操作。
70.在405处，可接收数据模式。举例来说，存储器系统可接收与存取命令相关联的数据模式(例如，数据写入模式的权重)。数据写入模式的权重可以是模式中写入的逻辑1的数量的实例。举例来说，存储器系统可写入模式超过一定数量的逻辑0。作为存取操作的部分，存储器系统可计数块的权重(例如，计数模式中的逻辑1的数量)以确定块中存取的第一类型的数据的数量。在此类情况下，存储器系统可基于确定第一类型的数据的数量(例如，逻辑1的数量)而确定数据写入模式的权重。
71.在410处，可接收存储于数据块中的数据模式。举例来说，存储器系统可接收存储于数据块中的数据模式。存储于块中的数据模式可以是先前写入到存储器系统的数据写入模式的实例。在415处，可实施逻辑。举例来说，存储器系统可实施逻辑以将数据写入模式的权重与存储器阵列的所存储模式进行比较。存储器系统可确定存储于存储器阵列的数据块中的数据的模式与同存取命令相关联的数据写入模式之间的差。在一些情况下，逻辑可在存储器系统内部或在存储器系统外部。如果逻辑在存储器系统外部，那么所述比较可传输到存储器系统。在一些实例中，数据写入模式的权重可参考已存储于存储器单元中的数据而确定。举例来说，如果数据写入模式是1011001011100100且已存储于正写入的存储器单元中的数据是0010011101010101，那么权重可以是四(4)，这是因为写入仅四个
‘1’
替代现有
‘0’
。如果
‘1’
已存在于所存储数据中，那么值可不写入(或重写)到存储器单元，且因此可能并不有助于确定权重。
72.在存储器系统确定交错时间的当前值之前，存储器系统可从存储器阵列读取且使用逻辑完成计算。举例来说，存储器系统可将一定数量的未知值写入到存储器阵列，从存储器系统读取以确定未知值，且将所读取模式与存储于存储器系统中的模式进行比较。在此类情况下，可确定交错时间。
73.在420处，可调整交错时间(例如时序参数)。举例来说，存储器系统可基于比较而调整交错时间。在此类情况下，交错时间可基于确定所存储模式与数据写入模式之间的差
而确定。在一些实例中，基于数据写入模式与已写入在存储器阵列中的模式的比较，用于写入数据模式的功率消耗可以是高功率消耗或低功率消耗。在此类情况下，存储器系统可基于模式比较和功率消耗而调整交错时间。过程流程400-a可针对参考图3所描述的存取操作而实施。
74.图4b说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的过程流程400-b的实例。过程流程400-b的操作可通过如本文中所描述的存储器系统或其组件来实施。举例来说，过程流程400-b的操作可由如参考图1所描述的存储器系统110执行。虽然下文将过程描述为由存储器系统110执行，但在一些实例中，过程流程400-b可实施为存储于存储器中的指令(例如，存储于120或125中的固件)。举例来说，指令在由控制器(例如，115)执行可使得控制器执行过程流程400-b的操作。过程流程400-b可应用于与写入操作和读取操作相关联的存取操作。
75.在425处，可接收数据模式。举例来说，存储器系统可接收与存取命令相关联的数据模式(例如，数据写入模式的权重)。数据写入模式的权重可以是模式中写入的逻辑1的数量的实例。举例来说，存储器系统可写入模式超过一定数量的逻辑0。作为存取操作的部分，存储器系统可计数块的权重(例如，计数模式中的逻辑1的数量)以确定块中存取的第一类型的数据的数量。在此类情况下，存储器系统可基于确定第一类型的数据的数量(例如，逻辑1的数量)而确定数据写入模式的权重。在425处，可接收功率消耗信息。举例来说，存储器系统可接收功率消耗信息。与存储器系统可用的功率相关联的信息可由控制器或由存储器系统中的另一组件供应。
76.在430处，可实施逻辑。举例来说，存储器系统可实施逻辑以确定数据写入模式的权重。存储器系统可基于计数存在于数据写入模式中的逻辑1的数量而确定与存取命令相关联的数据写入模式。在一些实例中，存储器系统可识别写入操作以写入用户数据模式。在此类情况下，存储器系统可确定存储器系统的一部分可能可用(例如，先前写入有逻辑0)。存储器系统可避免将用户数据模式与所存储数据模式进行比较且可基于先前写入的逻辑0的可用性而确定数据模式的权重(例如，计数写入到逻辑0的逻辑1的数量)。在一些实例中，数据写入模式的权重可基于数据写入模式中的
‘1’
(或视具体情况
‘0’
)的数量而确定。举例来说，如果数据写入模式是1011001011100100，那么权重可以是八(8)。
77.在430处，可确定功率消耗。举例来说，存储器系统可确定功率消耗。在一些情况下，逻辑可在存储器系统内部或在存储器系统外部。如果逻辑在存储器系统外部，那么功率消耗和数据写入模式确定可传输到存储器系统。
78.在435处，可调整交错时间(例如时序参数)。举例来说，存储器系统可基于实施所述逻辑而调整交错时间(例如时序参数)。在此类情况下，交错时间可基于确定数据写入模式、确定功率消耗或两者而确定。在一些实例中，用于写入数据模式的功率消耗可以是基于数据写入模式的高功率消耗或低功率消耗。在此类情况下，存储器系统可基于数据写入模式、功率消耗或两者而调整交错时间。
79.在一些实例中，当功率消耗减少时，交错时间可增加。在其它实例中，当功率消耗增加(例如，存储器系统在提高的性能下执行且消耗额外功率)时，交错时间可减少。基于与功率消耗相关联的信息，存储器系统可调整交错时间以针对可用功率数量而改良存储器系统性能。
80.在一些情况下，相较于过程流程400-a，过程流程400-b可降低与存储器系统相关联的存取操作的成本。过程流程400-b可包含确定用户数据模式而不与所存储数据模式进行比较，由此减少时延且提高存储器系统的性能。过程流程400-b可针对参考图2所描述的存取操作而实施。
81.图5展示根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存储器系统505的框图500。存储器系统505可以是如参考图1到4所描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统505可包含命令组件510、参数组件515、时序组件520、存取组件525、功率组件530和数据模式组件535。这些模块中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
82.命令组件510可接收存取数据块的存取命令。在一些实例中，命令组件510可接收存取包含页集合的数据块的存取命令。
83.参数组件515可基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数。在一些实例中，参数组件515可基于接收到存取命令而确定用于对数据块执行存取操作的可用数据数量，其中确定时序参数是基于确定可用数据数量。在一些实例中，参数组件515可基于确定可用数据数量而确定可用数据数量是否满足阈值，其中确定时序参数是基于确定可用数据数量是否满足阈值。
84.时序组件520可基于确定参数而确定指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的持续时间的时序参数。在一些实例中，时序组件520可基于确定页集合的每一页的数据模式而确定页集合的每一页的时序参数，所述时序参数指示存取页集合的当前页的第一时间与存取页集合的先前页的第二时间之间的持续时间。
85.在一些实例中，时序组件520可基于确定功率参数低于阈值而增加时序参数的持续时间。在一些实例中，时序组件520可基于确定功率参数高于阈值而减少时序参数的持续时间。在一些实例中，时序组件520可基于确定数据模式高于阈值而增加时序参数的持续时间。在一些实例中，时序组件520可基于确定数据模式低于阈值而减少时序参数的持续时间。在一些实例中，时序组件520可基于确定可用数据数量高于阈值而增加时序参数的持续时间。在一些实例中，时序组件520可基于确定可用数据数量低于阈值而减少时序参数的持续时间。
86.在一些实例中，时序组件520可在存取第一页之后确定与时序参数相关联的持续时间到期。在一些实例中，时序组件520可在存取第一分区之后确定与时序参数相关联的持续时间到期，其中时序参数指示存取第一分区的第一时间与存取第二分区的第二时间之间的持续时间。在一些实例中，在存取数据块的每一页之间使用由时序参数指示的持续时间。在一些实例中，由与每一页相关联的每一时序参数指示的持续时间可独立于由与数据块的其它页相关联的其它时序参数指示的其它持续时间而配置。
87.存取组件525可基于确定时序参数而对数据块执行存取操作。在一些实例中，作为存取数据块的存取操作的部分，存取组件525可在时序参数的持续时间到期之后存取页集合的当前页。
88.在一些实例中，存取组件525可在第一时间处存取数据块的第一页。在一些实例中，存取组件525可基于确定持续时间到期而在第二时间处存取数据块的第二页。在一些实例中，存取组件525可在第一时间处存取数据块的第一分区。在一些实例中，存取组件525可
基于确定持续时间到期而在第二时间处存取数据块的第二分区。
89.在一些实例中，存取组件525可在存取当前页之后和在下一页的时序参数的第二持续时间之后存取页集合的下一页，所述时序参数指示存取页集合的下一页的第三时间与存取页集合的当前页的第一时间之间的第二持续时间。
90.功率组件530可基于接收到存取命令而确定用于存取数据块的功率参数，其中确定时序参数是基于确定功率参数，其中参数包含功率参数。在一些实例中，功率组件530可基于确定功率参数而确定功率参数与时序参数之间的映射，其中确定时序参数是基于确定映射。在一些实例中，功率组件530可确定功率参数是否满足阈值，其中确定时序参数是基于确定功率参数是否满足阈值。
91.数据模式组件535可基于接收到存取命令而确定页集合的每一页的数据模式。在一些实例中，数据模式组件535可基于接收到存取命令而确定用于存取操作的数据模式，其中确定时序参数是基于确定数据模式，其中参数包含数据模式。
92.在一些实例中，数据模式组件535可基于接收到存取命令而确定作为存取操作的部分而在数据块中存取的第一类型的数据的数量，其中确定数据模式是基于确定第一类型的数据的数量，其中数据模式包含第一类型的数据的数量。在一些实例中，数据模式组件535可基于确定数据模式而确定数据模式是否满足阈值，其中确定时序参数是基于确定数据模式是否满足阈值。
93.在一些实例中，数据模式组件535可基于确定数据模式而确定存储于存储器阵列的数据块中的数据的模式与同存取命令相关联的数据模式之间的差，其中确定时序参数是基于模式与数据模式之间的差。在一些实例中，数据模式组件535可基于确定数据模式而接收数据模式与存储于存储器阵列的数据块中的模式之间的差的指示，其中确定时序参数是基于接收指示。在一些实例中，数据模式组件535可基于确定数据模式而确定数据模式是否满足阈值，其中确定时序参数是基于确定数据模式是否满足阈值。
94.图6展示说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的一或多种方法600的过程流程。方法600的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法600的操作可由如参考图5所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行指令集以控制存储器系统的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述的功能的方面。
95.在605处，可接收存取数据块的存取命令。举例来说，存储器系统可接收存取数据块的存取命令。可根据本文中所描述的方法来执行605的操作。在一些实例中，605的操作的方面可由如参考图5所描述的命令组件来执行。
96.在610处，可确定与存取数据块相关联的参数。举例来说，存储器系统可基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数。可根据本文中所描述的方法来执行610的操作。在一些实例中，610的操作的方面可由如参考图5所描述的参数组件执行。
97.在615处，可确定时序参数。举例来说，存储器系统可基于确定参数而确定指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的持续时间的时序参数。可根据本文中所描述的方法来执行615的操作。在一些实例中，615的操作的方面可由如参考图5所描述的时序组件执行。
98.在620处，可执行数据块上的存取操作。举例来说，存储器系统可基于确定时序参
数而对数据块执行存取操作。可根据本文中所描述的方法来执行620的操作。在一些实例中，可由如参考图5所描述的存取组件执行620的操作的方面。
99.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，如方法600。设备可包含用于进行以下操作的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：接收存取数据块的存取命令，基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数，基于确定参数而确定指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的持续时间的时序参数，和基于确定时序参数而对数据块执行存取操作。
100.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，确定参数可进一步包含用于基于接收到存取命令而确定用于存取数据块的功率参数的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定功率参数，其中参数包含功率参数。
101.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于基于确定功率参数而确定功率参数与时序参数之间的映射的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定映射。
102.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于确定功率参数是否满足阈值的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定功率参数是否满足阈值。
103.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，确定功率参数是否满足阈值可进一步包含用于基于确定功率参数可低于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定功率参数可高于阈值而减少时序参数的持续时间的操作、特征、构件或指令。
104.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，确定参数可进一步包含用于基于接收到存取命令而确定用于存取操作的数据模式的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定数据模式，其中参数包含数据模式。
105.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于基于接收到存取命令而确定作为存取操作的部分在数据块中存取的第一类型的数据的数量的操作、特征、构件或指令，其中确定数据模式可基于确定第一类型的数据的数量，其中数据模式包含第一类型的数据的数量。
106.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于基于确定数据模式而确定数据模式是否满足阈值的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定数据模式是否满足阈值。
107.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，确定数据模式是否满足阈值可进一步包含用于基于确定数据模式可高于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定数据模式可低于阈值而减少时序参数的持续时间的操作、特征、构件或指令。
108.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，确定参数可进一步包含用于基于接收到存取命令而确定用于对数据块执行存取操作的可用数据数量的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定可用数据数量。
109.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于基于确定可用数据数量而确定可用数据数量是否满足阈值的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定可用数据数量是否满足阈值。
110.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，确定可用数据数量是否满足阈值可进一步包含用于基于确定可用数据数量可高于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定可用数据数量可低于阈值而减少时序参数的持续时间的操作、特征、构件或指令。
111.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，执行存取操作可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令：在第一时间处存取数据块的第一页，在存取第一页之后确定与时序参数相关联的持续时间到期，和基于确定持续时间到期而在第二时间处存取数据块的第二页。
112.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令：在第一时间处存取数据块的第一分区，在存取第一分区之后确定与时序参数相关联的持续时间到期，其中时序参数指示存取第一分区的第一时间与存取第二分区的第二时间之间的持续时间，和基于确定持续时间到期而在第二时间处存取数据块的第二分区。
113.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，可在存取数据块的每一页之间使用由时序参数指示的持续时间。
114.图7展示说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的一或多种方法700的过程流程。方法700的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法700的操作可由如参考图5所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行指令集以控制存储器系统的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述的功能的方面。
115.在705处，可接收存取数据块的存取命令。举例来说，存储器系统可接收存取包含页集合的数据块的存取命令。可根据本文中所描述的方法来执行705的操作。在一些实例中，705的操作的方面可由如参考图5所描述的命令组件来执行。
116.在710处，可确定页集合的每一页的数据模式。举例来说，存储器系统可基于接收到存取命令而确定页集合的每一页的数据模式。可根据本文中所描述的方法来执行710的操作。在一些实例中，710的操作的方面可由如参考图5所描述的数据模式组件执行。
117.在715处，可确定页集合的每一页的时序参数。举例来说，存储器系统可基于确定页集合的每一页的数据模式而确定页集合的每一页的时序参数，所述时序参数指示存取页集合的当前页的第一时间与存取页集合的先前页的第二时间之间的持续时间。可根据本文中所描述的方法来执行715的操作。在一些实例中，715的操作的方面可由如参考图5所描述的时序组件执行。
118.在720处，可存取页集合的当前页。举例来说，作为存取数据块的存取操作的部分，存储器系统可在时序参数的持续时间到期之后存取页集合的当前页。可根据本文中所描述的方法来执行720的操作。在一些实例中，可由如参考图5所描述的存取组件执行720的操作的方面。
119.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，如方法700。设备可包含用于进行以下操作的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：接收存取包含页集合的数据块的存取命令，基于接收到存取命令而确定页集合的每一页的数据模式；基于确定页集合的每一页的数据模式而确定页集合的每一页的时序参数，所述时序参数指示存取页集合的当前页的第一时间与存取页集合的先前页的
第二时间之间的持续时间，和作为存取数据块的存取操作的部分在时序参数的持续时间到期之后存取页集合的当前页。
120.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令：在存取当前页之后和在下一页的时序参数的第二持续时间之后存取页集合的下一页，所述时序参数指示存取页集合的下一页的第三时间与存取页集合的当前页的第一时间之间的第二持续时间。
121.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于基于确定数据模式而确定存储于存储器阵列的数据块中的数据的模式与同存取命令相关联的数据模式之间的差的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于模式与数据模式之间的差。
122.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于基于确定数据模式而接收数据模式与存储于存储器阵列的数据块中的模式之间的差的指示的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于接收指示。
123.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于基于确定数据模式而确定数据模式是否满足阈值的操作、特征、构件或指令，其中确定时序参数可基于确定数据模式是否满足阈值。
124.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，确定数据模式是否满足阈值可进一步包含用于基于确定数据模式可高于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定数据模式可低于阈值而减少时序参数的持续时间的操作、特征、构件或指令。
125.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，由与每一页相关联的每一时序参数指示的持续时间可独立于由与数据块的其它页相关联的其它时序参数指示的其它持续时间而配置。
126.应注意，本文中所描述的方法是可能的实施方案，且操作和步骤可重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。
127.描述一种设备。设备可包含存储器阵列和控制器，所述控制器与存储器阵列耦合且配置成使得设备：接收存取数据块的存取命令，基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数，基于确定参数而确定时序参数，所述时序参数指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的持续时间，和基于确定时序参数而对数据块执行存取操作。
128.一些实例可进一步包含基于接收到存取命令而确定用于存取数据块的功率参数，其中确定时序参数可基于确定功率参数，其中参数包含功率参数。
129.一些实例可进一步包含基于确定功率参数而确定功率参数与时序参数之间的映射，其中确定时序参数可基于确定映射。
130.一些实例可进一步包含确定功率参数是否满足阈值，其中确定时序参数可基于确定功率参数是否满足阈值。
131.一些实例可进一步包含基于确定功率参数可低于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定功率参数可高于阈值而减少时序参数的持续时间。
132.一些实例可进一步包含基于接收到存取命令而确定用于存取操作的数据模式，其中确定时序参数可基于确定数据模式，其中参数包含数据模式。
133.一些实例可进一步包含基于接收到存取命令而确定作为存取操作的部分在数据块中存取的第一类型的数据的数量，其中确定数据模式可基于确定第一类型的数据的数量，其中数据模式包含第一类型的数据的数量。
134.一些实例可进一步包含基于确定数据模式而确定数据模式是否满足阈值，其中确定时序参数可基于确定数据模式是否满足阈值。
135.一些实例可进一步包含基于确定数据模式可高于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定数据模式可低于阈值而减少时序参数的持续时间。
136.一些实例可进一步包含基于接收到存取命令而确定用于对数据块执行存取操作的可用数据数量，其中确定时序参数可基于确定可用数据数量。
137.一些实例可进一步包含基于确定可用数据数量而确定可用数据数量是否满足阈值，其中确定时序参数可基于确定可用数据数量是否满足阈值。
138.一些实例可进一步包含基于确定可用数据数量可高于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定可用数据数量可低于阈值而减少时序参数的持续时间。
139.一些实例可进一步包含在第一时间处存取数据块的第一页，在存取第一页之后确定与时序参数相关联的持续时间到期，和基于确定持续时间到期而在第二时间处存取数据块的第二页。
140.一些实例可进一步包含在第一时间处存取数据块的第一分区，在存取第一分区之后确定与时序参数相关联的持续时间到期，其中时序参数指示存取第一分区的第一时间与存取第二分区的第二时间之间的持续时间，和基于确定持续时间到期而在第二时间处存取数据块的第二分区。
141.在一些实例中，可在存取数据块的每一页之间使用由时序参数指示的持续时间。
142.描述一种设备。设备可包含存储器阵列和控制器，所述控制器与存储器阵列耦合且配置成使得设备：接收存取包含页集合的数据块的存取命令，基于接收到存取命令而确定页集合的每一页的数据模式，基于确定页集合的每一页的数据模式而确定页集合的每一页的时序参数，所述时序参数指示存取页集合的当前页的第一时间与存取页集合的先前页的第二时间之间的持续时间，和作为存取数据块的存取操作的部分在时序参数的持续时间到期之后存取页集合的当前页。
143.一些实例可进一步包含在存取当前页之后和在下一页的时序参数的第二持续时间之后存取页集合的下一页，所述时序参数指示存取页集合的下一页的第三时间与存取页集合的当前页的第一时间之间的第二持续时间。
144.一些实例可进一步包含基于确定数据模式而确定存储于存储器阵列的数据块中的数据的模式与同存取命令相关联的数据模式之间的差，其中确定时序参数可基于模式与数据模式之间的差。
145.一些实例可进一步包含基于确定数据模式而接收数据模式与存储于存储器阵列的数据块中的模式之间的差的指示，其中确定时序参数可基于接收指示。
146.一些实例可进一步包含基于确定数据模式而确定数据模式是否满足阈值，其中确定时序参数可基于确定数据模式是否满足阈值。
147.一些实例可进一步包含基于确定数据模式可高于阈值而增加时序参数的持续时间或基于确定数据模式可低于阈值而减少时序参数的持续时间。
148.在一些实例中，由与每一页相关联的每一时序参数指示的持续时间可独立于由与数据块的其它页相关联的其它时序参数指示的其它持续时间而配置。
149.可使用各种不同技艺和技术中的任一种来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可用电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，本领域的普通技术人员将理解，所述信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。
150.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前不能够经由导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号可经由导电路径在组件之间传送。当如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，组件引发允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
151.本文中论述的包含存储器阵列的装置可形成于如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它情况下，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sos)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质进行掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方式来执行掺杂。
152.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，且可包括重掺杂(例如简并)半导体区。源极和漏极可由轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，大部分载流子是电子)，则fet可称作n型fet。如果沟道是p型(即，大部分载流子是电洞)，那么fet可称作p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使沟道变为导电的。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“去激活”。
153.本文中结合随附图式阐述的描述内容描述实例配置，且并不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”意谓“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于其它实例”。具体实施方式包含提供对所描述技术的理解的具体细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示熟知结构和装置，以避免混淆所描述实例的概念。
154.在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着短划线和在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述内容适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任何一个。
155.可使用各种不同技艺和技术中的任一种来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可用电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
156.可用通用处理器、dsp、asic、fpga或另一可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、
离散硬件组件或其设计成执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中的本公开而描述的各种说明性块和模块。通用处理器可以是微处理器；但在替代方案中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它此类配置)。
157.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例和实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合来实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处，包含分布为使得功能的部分在不同物理位置处实施。此外，如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如在项列表(例如，以如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语开头的项列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
158.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体两者，通信媒体包含促进计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码装置且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，恰当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴缆线、光纤缆线、双绞线、数字订户线(dsl)或如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么同轴缆线、光纤缆线、双绞线、数字订户线(dsl)或如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
159.提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。本公开的各种修改将对所属领域的技术人员容易显而易见，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。