显示面板及其制造方法与流程

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制造方法。


背景技术：

2.有机发光显示面板(oled面板)已经广泛用于人们生活中，例如手机、电脑等的显示屏幕。随着显示技术的发展以及人们对显示技术的进步要求，人们对显示面板的显示品质要求越来越高。有机发光显示面板的触控层通常制作在薄膜封装层表面，然后触控层在非显示区通过通孔与触控连接走线相连，触控连接走线再连接至触控芯片，这样就实现了触控芯片驱动触控层进行触控的作用。
3.然而，封装层由无机层和有机层堆叠而成，封装层中的无机层结构通常会在通孔中存在残留，导致触控层与触控连接走线电性接触不良，极大的降低了触控层的良率和触控性能。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板及显示面板制作方法，可以解决封装层的无机层结构在通孔中存在残留的问题，从而解决了触控层与触控连接走线电性接触不良的问题，解决了触控层的良率和触控性能下降的问题。
5.本技术实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板、阵列设置于所述阵列基板上的发光器件、设于所述发光器件上的封装层，以及设置于所述封装层上的触控层；
6.所述显示面板包括显示部位和边框部位，所述阵列基板包括基底和第一绝缘层，以及设于所述基底和所述第一绝缘层之间的触控连接走线，所述触控连接走线位于所述边框部位，所述第一绝缘层包括通孔，所述触控层设置于所述显示部位并延伸至所述边框部位；
7.所述封装层至少包括第二绝缘层和第三绝缘层，所述第二绝缘层为无机材料，所述第三绝缘层为有机材料；
8.其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层避开所述通孔设置，所述触控层通过所述通孔连接所述触控连接走线。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，所述边框部位包括第一边框部位和第二边框部位，所述第二边框部位位于所述第一边框部位和所述显示部位之间，所述第一边框部位和所述第二边框部位的相邻连接部位包括凹槽，所述第一绝缘层在所述凹槽处断开；
10.所述通孔和所述触控连接走线位于所述第一边框部位。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层不覆盖所述第一边框部位。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板包括像素定义层，所述发光器件在所述显示部位设于所述像素定义层的开口之间；
13.所述第二边框部位包括至少一个堤坝，所述堤坝至少由所述第一绝缘层和所述像
素定义层堆叠而成；
14.所述第三绝缘层设置于所述堤坝靠近所述显示部位的一侧。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括栅极、电容电极、数据线、电源线，所述触控连接走线与所述栅极、所述电容电极、所述数据线、所述电源线中任一者同层设置。
16.相应的，本技术实施例还提供了一种显示面板的制造方法，包括如下制造步骤：
17.步骤s100：形成一阵列基板，所述阵列基板包括显示区和边框区，形成所述阵列基板时包括在基底上形成触控连接走线，以及在所述触控连接走线远离基底的一侧形成第一绝缘层，所述触控连接走线形成于所述边框区，形成所述第一绝缘层时包括对应所述触控连接走线的位置形成通孔；
18.步骤s200：在所述阵列基板上形成阵列设置的发光器件；
19.步骤s300：在所述发光器件上形成封装层，形成所述封装层时包括形成第二绝缘层和第三绝缘层，所述第二绝缘层为无机材料，所述第三绝缘层为有机材料；
20.步骤s400：刻蚀所述封装层，对所述通孔内的所述封装层进行刻蚀；
21.步骤s500：形成触控层，所述触控层形成于所述显示区并延伸至所述边框区，所述触控层通过所述通孔连接所述触控连接走线。
22.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述步骤s100中，所述边框区包括第一边框区和第二边框区，所述第二边框区位于所述第一边框区和所述显示区之间，形成所述阵列基板时包括在所述第一边框区和所述第二边框区的相邻连接部位形成凹槽，形成所述第一绝缘层时使得所述第一绝缘层在所述凹槽处断开；
23.所述通孔和所述触控连接走线形成于所述第一边框区。
24.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述步骤s100中，形成所述阵列基板时还包括形成像素驱动电路，形成所述像素驱动电路时包括形成栅极、电容电极、数据线、电源线，所述触控连接走线与所述栅极、所述电容电极、所述数据线、所述电源线中任一者同时形成。
25.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述步骤s400中，刻蚀所述封装层时使得所述第二绝缘层不覆盖所述第一边框区。
26.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述步骤s100中，形成所述阵列基板时包括形成像素定义层，以及在所述第二边框区形成至少一个堤坝，所述堤坝至少由所述第一绝缘层和所述像素定义层堆叠形成；
27.在所述步骤s300中，形成所述封装层时，所述第三绝缘层形成于所述堤坝靠近所述显示区的一侧。
28.本技术实施例中，通过去除封装层中的无机层结构在通孔中存在的残留，从而避免触控层与触控连接走线电性接触不良，极大的提升了触控层的良率和触控性能。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
30.图1是本技术一实施例提供的一种显示面板的示意图；
31.图2是本技术一实施例提供的一种显示面板的局部截面结构的示意图；
32.图3是本技术一实施例提供的一种显示面板的制造方法中显示面板中间状态的示意图；
33.图4是本技术一实施例提供的一种显示面板的制造方法中去除通孔部位无机层的示意图；
34.图5是本技术一实施例提供的一种显示面板的制造方法中形成触控层的示意图；
35.图6是本技术一实施例提供的一种显示面板的制造方法中形成显示模组的示意图；
36.图7是本技术一实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程步骤的示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
38.本技术实施例提供了一种显示面板及其制造方法，显示面板包括阵列基板、阵列设置于阵列基板上的发光器件、设于发光器件上的封装层，以及设置于封装层上的触控层；显示面板包括显示部位和边框部位，阵列基板包括基底和第一绝缘层，以及设于基底和第一绝缘层之间的触控连接走线，触控连接走线位于边框部位，第一绝缘层包括通孔，触控层设置于显示部位并延伸至边框部位；封装层至少包括第二绝缘层和第三绝缘层，第二绝缘层为无机材料，第三绝缘层为有机材料；其中，第二绝缘层和第三绝缘层避开通孔设置，触控层通过通孔连接触控连接走线。
39.本技术实施例提供了一种显示面板及其制造方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
40.实施例一、
41.请参阅图1、图2，图1为本技术实施例提供的一种显示面板100的示意图，图2是本技术实施例提供的一种显示面板100的局部截面结构的示意图。
42.本技术实施例提供了一种显示面板100，显示面板100包括阵列基板10、阵列设置于阵列基板上的发光器件30、设于发光器件30上的封装层20，以及设置于封装层20上的触控层40；显示面板100包括显示部位aa和边框部位bb，阵列基板10包括基底11和第一绝缘层18，以及设于基底11和第一绝缘层18之间的触控连接走线51，触控连接走线51位于边框部位bb，第一绝缘层18包括通孔181，触控层40设置于显示部位aa并延伸至边框部位bb；封装层20至少包括第二绝缘层21和第三绝缘层22，第二绝缘层21为无机材料，第三绝缘层22为有机材料；其中，第二绝缘层21和第三绝缘层22避开通孔181设置，触控层40通过通孔181连
接触控连接走线51。
43.具体的，显示面板100包括阵列基板10、阵列设置于阵列基板上的发光器件30、设于发光器件30上的封装层20，以及设置于封装层20上的触控层40。
44.具体的，阵列基板的结构可以为现有技术中的任一种阵列基板，阵列基板的结构在此不再赘述，阵列基板的结构在此不做限定。
45.具体的，多个发光器件30为阵列设置于阵列基板10上，发光器件30可以包括阳极、发光材料层、阴极，发光器件30的层结构在此不做限定。
46.具体的，封装层20为薄膜封装层(tfe)，封装层20至少包括第二绝缘层21和第三绝缘层22，第二绝缘层21为无机材料，第三绝缘层22为有机材料。需要说明的是，封装层20由第二绝缘层21和第三绝缘层22交错堆叠的结构，例如封装层20的结构为层叠设置的第二绝缘层21、第三绝缘层22和第二绝缘层21，例如封装层20的结构为层叠设置的第二绝缘层21、第三绝缘层22、第二绝缘层21、第三绝缘层22和第二绝缘层21。
47.具体的，封装层20还可以包括第四绝缘层23，第四绝缘层23可以与第二绝缘层21和第三绝缘层22相异的有机材料或无机材料，例如第二绝缘层为氮化硅、第三绝缘层22为聚酰亚胺(polyimide，简写为pi)、第四绝缘层23为氧化硅。封装层20可以为第二绝缘层21、第三绝缘层22和第四绝缘层23的交错堆叠的结构。
48.具体的，触控层40设置于封装层20上，触控层40的电极或走线可以直接制作在封装层20的表面，触控层40可以为自容类型的触控结构或互容类型的触控结构，触控层40的触控类型在此不做限定。触控层40可以为金属网格结构(metalmesh)，触控层40的结构在此不做限定。触控层40在边框部位bb与触控连接走线51电性连接，触控连接走线51再电性连接至其他走线或者电性连接至触控芯片。
49.具体，第二绝缘层21和第三绝缘层22避开通孔181设置，触控层40通过通孔181连接触控连接走线51，即在通孔181部位不存在封装层20之中的无机层的残留，从而避免触控层40与触控连接走线51电性接触不良，极大的提升了触控层40的良率和触控性能。
50.在本技术实施例种，封装层20的第二绝缘层21和第三绝缘层22避开通孔181设置，触控层40通过通孔181连接触控连接走线51，从而避免触控层40与触控连接走线51电性接触不良，极大的提升了触控层的良率和触控性能。
51.实施例二、
52.请继续参阅图2，本技术实施例与上述实施例相同或相似，不同之处进一步描述了显示面板100的结构。
53.在一些实施例中，边框部位bb包括第一边框部位bb1和第二边框部位bb2，第二边框部位bb2位于第一边框部位bb1和显示部位aa之间，第一边框部位bb1和第二边框部位bb2的相邻连接部位包括凹槽182，第一绝缘层18在凹槽182处断开；通孔181和触控连接走线51位于第一边框部位bb1。
54.具体的，阵列基板10包括有机材料形成的层结构，有机材料形成的层结构是水汽、氧气进入显示面板100的显示部位aa的通道，有机材料形成的层结构在凹槽182处断开可以防止水汽、氧气进入显示面板100的内部，从而提升显示面板100的可靠性。
55.具体的，第一绝缘层18为平坦层，平坦层为有机材料形成的层结构，第一绝缘层18在凹槽182处断开，可以防止水汽、氧气进入显示面板100的内部，从而提升显示面板100的
可靠性。
56.具体的，触控连接走线51位于第一边框部位bb1，在第一边框部位bb1电性连接其他走线或驱动芯片，通孔181和触控连接走线51位于第一边框部位bb1，可以防止水汽、氧气通过通孔181进入显示面板100的内部，提升显示面板100的可靠性。
57.在一些实施例中，第二绝缘层21和第三绝缘层22不覆盖第一边框部位bb1。
58.具体的，第二绝缘层21和第三绝缘层22不覆盖第一边框部位bb1，那么第二绝缘层21和第三绝缘层22就完全避开了通孔181设置。例如第二绝缘层21和第三绝缘层22覆盖显示部位aa，或第二绝缘层21和第三绝缘层22覆盖显示部位aa和第二边框部位bb2。
59.在一些实施例中，阵列基板10包括像素定义层19，发光器件30在显示部位aa设于像素定义层19的开口之间；第二边框部位bb2包括至少一个堤坝189，堤坝189至少由第一绝缘层18和像素定义层19堆叠而成；第三绝缘层22设置于堤坝189靠近显示部位aa的一侧。
60.具体的，阵列基板10上设置有堤坝189，堤坝189帮助第三绝缘层22形成，第三绝缘层22为有机材料，通过喷墨印刷的方法形成，堤坝189使得第三绝缘层22设置于堤坝189靠近显示部位aa的一侧，避免第三绝缘层22流出到堤坝189远离显示部位aa的一侧，第三绝缘层22的表面再覆盖上第二绝缘层21或第四绝缘层23，第二绝缘层21或第四绝缘层23可以完美阻挡水汽和氧气，避免第三绝缘层22成为外界的水汽和氧气进入显示面板100内部的通道。
61.具体的，堤坝189还可以包括其他层结构。
62.在一些实施例中，阵列基板10包括像素驱动电路，像素驱动电路包括栅极、电容电极、数据线、电源线，触控连接走线51与栅极、电容电极、数据线、电源线中任一者同层设置。
63.具体的，触控连接走线51与显示面板100的显示部位aa中的电极或走线同层设置，即形成显示部位aa中的电极或走线时，同时形成触控连接走线51，可以简化制作工艺，节省制作步骤，不用单独制作触控连接走线51。
64.具体的，图1中举例示意了阵列基板10的结构可以包括：基底11、部分阵列基板的复合膜层12、第一金属层15、第五绝缘层16、第二金属层17、第一绝缘层18、像素定义层19。需要说明的是，图1仅仅举例示意了阵列基板10包括的部分层结构，阵列基板10还可以为其他的层结构数量和层结构顺序。在图1中，部分阵列基板的复合膜层12包括第一栅极层13、电容电极层14，像素驱动电路包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，阵列基板包括栅极、电容电极、数据线、电源线等电极或走线，第一栅极层13可以形成薄膜晶体管的栅极，电容电极层14可以形成电容电极，第一金属层15可以形成数据线，第二金属层17可以形成电源线(vdd)。
65.具体的，图2中举例示意了第二金属层17同时形成了触控连接走线51。
66.在本技术实施例种，封装层20的第二绝缘层21和第三绝缘层22避开通孔181设置，触控层40通过通孔181连接触控连接走线51，从而避免触控层与触控连接走线电性接触不良，极大的提升了触控层的良率和触控性能。
67.实施例三、
68.本技术实施例提供了上述实施例中任一项显示面板100的制造方法。
69.请参阅图3、图4、图5、图6、图7，图3为本技术实施例提供的一种显示面板的制造方法中显示面板中间状态的示意图，图4是本技术实施例提供的一种显示面板的制造方法中
去除通孔部位无机层的示意图，图5是本技术实施例提供的一种显示面板的制造方法中形成触控层的示意图，图6是本技术实施例提供的一种显示面板的制造方法中形成显示模组的示意图，图7是本技术实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程步骤的示意图。
70.本技术实施例提供了一种显示面板的制造方法，显示面板的制造方法包括制造步骤：步骤s100、步骤s200、步骤s300、步骤s400、步骤s500。
71.步骤s100：如图3所示，形成一阵列基板10，阵列基板10包括显示区aac和边框区bbc，形成阵列基板10时包括在基底11上形成触控连接走线51，以及在触控连接走线51远离基底11的一侧形成第一绝缘层18，触控连接走线51形成于边框区bbc，形成第一绝缘层18时包括对应触控连接走线51的位置形成通孔181。
72.具体的，显示区aac对应上述实施例中的显示部位aa，边框区bbc对应上述实施例中的边框部位bb，各部位的层结构和作用在此不再赘述。
73.步骤s200：在阵列基板上10形成阵列设置的发光器件(图3未示意，请参阅图1)。
74.步骤s300：如图3所示，在发光器件上形成封装层20，形成封装层20时包括形成第二绝缘层21和第三绝缘层22，第二绝缘层21为无机材料，第三绝缘层22为有机材料。
75.具体的，形成封装层时，封装层中的无机层结构形成时会存在shadow(阴影)，使得无机层结构残留在通孔181之中。具体的，为第二绝缘层21或/和第四绝缘层23残留在通孔181之中。
76.步骤s400：如图4所示，刻蚀封装层20，对通孔181内的封装层20进行刻蚀。
77.具体的，增加步骤s400，可以完全去除通孔181内的封装层20中的层结构的残留，具体的残留成分为无机材料，再具体的为第二绝缘层21或/和第四绝缘层23。
78.步骤s500：如图5所示，形成触控层40，触控层40形成于显示区aac并延伸至边框区bbc，触控层40通过通孔181连接触控连接走线51。
79.在一些实施例中，在步骤s100中，边框区bbc包括第一边框区bbc1和第二边框区bbc2，第二边框区bbc2位于第一边框区bbc1和显示区aac之间，形成阵列基板10时包括在第一边框区bbc1和第二边框区bbc2的相邻连接部位形成凹槽182，形成第一绝缘层18时使得第一绝缘层18在凹槽处断开；通孔181和触控连接走线51形成于第一边框区bbc1。
80.具体的，如图6所示，在完成显示面板100制作之后还可以进行后续工艺，例如在显示面板100的显示侧涂布光学胶60(oca或ocr等)，然后贴附保护盖板(cg，coverglass)。
81.具体的，第一边框区bbc1对应上述实施例中的第一边框部位bb1，第二边框区bbc2对应上述实施例中的第二边框部位bb2，各部的层结构和作用在此不再赘述。
82.在一些实施例中，在步骤s100中，形成阵列基板10时还包括形成像素驱动电路，形成像素驱动电路时包括形成栅极、电容电极、数据线、电源线，触控连接走线与栅极、电容电极、数据线、电源线中任一者同时形成。
83.在一些实施例中，在步骤s400中，刻蚀封装层20时使得第二绝缘层21不覆盖第一边框区bbc1。
84.在一些实施例中，在步骤s100中，形成阵列基板10时包括形成像素定义层19，以及在第二边框区bbc2形成至少一个堤坝189，堤坝189至少由第一绝缘层18和像素定义层19堆叠形成。
85.在一些实施例中，在步骤s300中，形成封装层20时，第三绝缘层22形成于堤坝189
靠近显示区aac的一侧。
86.需要说明的是，在本实施例中的显示面板100的层结构或者层结构的作用与上述实施例中任一项所述的显示面板100相同或相似，因此，在此实施例中不再赘述显示面板100的层结构或者层结构的作用。
87.本技术实施例中，通过在制作触控层之前增加一道光罩，即增加步骤s400,可以刻蚀去除封装层的无机层结构在通孔181中存在的残留，从而避免触控层与触控连接走线电性接触不良，极大的提升了触控层的良率和触控性能。
88.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制造方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。