NandFlash脱机裸片烧程设备的制作方法

nand flash脱机裸片烧程设备
技术领域
1.本技术涉及芯片烧录技术领域，特别是涉及一种nand flash脱机裸片烧程设备。


背景技术：

2.电力集中计量采集终端方案逐步采用arm9内核，该方案运行速率快，功能强，需要程序存储空间大，因此需要容量大、稳定性强、读写快等特点的存储芯片，nand flash就成为主流搭配存储芯片。
3.传统的nand flash烧录方法一般是使用带机烧程设备进行带机烧录。首先usb烧写boot loader和内核，初始化各个通讯口和建立文件系统，进一步在整机上电烧写应用程序，应用程序烧写完成后系统启动。
4.然而，传统的带机烧程设备，在投入烧录过程中，需要工人至少两名，一人操作电脑，一人负责轮换待烧程产品。该种方法需要员工之间操作熟练、配合默契，且占用生产设备多(例如电脑、周转车、场地等)，需要整机流转烧程，生产效率低且成本高。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对传统nand flash烧程设备由于是带机烧录，导致生产效率低且成本高的问题，提供一种nand flash脱机裸片烧程设备。
6.本技术提供一种nand flash脱机裸片烧程设备，所述nand flash脱机裸片烧程设备包括：
7.pcb板；
8.电源供给装置，设置于pcb板上；
9.多个烧录单元，并列的设置于pcb板上，且每一个烧录单元均与电源供给装置电连接；
10.烧录单元包括：
11.主芯片，焊接于pcb板上；
12.nand flash烧写座，焊接于pcb板上，且与主芯片连接；
13.拨码开关，焊接于pcb板上，与主芯片连接；
14.nor flash存储器，焊接于pcb板上，与主芯片连接；nor flash存储器包括第一存储器、第二存储器和第三存储器。
15.进一步地，所述电源供给装置包括：
16.电源输出装置，用于输出12v直流电压；
17.电源电路，一端与电源输出装置连接，另一端与多个烧录单元连接。
18.电源电路包括电压转换器，用于将电压输出装置输出的12v直流电压转换为低于12v的直流电压输出至多个烧录单元。
19.进一步地，所述电压转换器包括：
20.dc/dc变换器，与电源输出装置连接，用于将电源输出装置输出的12v直流电压转
换为5v直流电压；
21.至少一个ldo稳压器，与dc/dc变换器电连接，用于将dc/dc变换器输出的5v直流电压转换为3.3v直流电压、1.8v直流电压和1.2v直流电压中的一种或多种输出至多个烧录单元。
22.进一步地，所述电源供给装置还包括：
23.电源开关装置，电连接于电源输出装置和电源电路之间。
24.进一步地，所述烧录单元还包括：
25.指示灯，设置于pcb板上，与主芯片连接。
26.进一步地，所述主芯片包括：
27.指示灯io口，指示灯通过指示灯io口与主芯片连接；
28.spi接口，第一存储器、第二存储器和第三存储器均通过spi接口与主芯片连接；
29.拨码开关io口，拨码开关通过拨码开关io口和主芯片连接。
30.进一步地，指示灯包括电源指示灯、内核指示灯和应用程序指示灯。
31.进一步地，指示灯io口包括：
32.电源指示灯io口，电源指示灯通过电源指示灯io口与主芯片连接；
33.内核指示灯io口，内核指示灯通过内核指示灯io口与主芯片连接；
34.应用程序指示灯io口，应用程序指示灯通过应用程序指示灯io口与主芯片连接。
35.进一步地，所述烧录单元还包括：
36.第一带机烧录口，用于烧录应用程序；
37.第二带机烧录口，用于烧录boot程序和内核程序。
38.进一步地，主芯片和nand flash烧写座之间通过nand flash总线连接。
39.本技术涉及一种nand flash脱机裸片烧程设备，本技术提供的nand flash脱机裸片烧程设备可以实现脱机下的nand flash裸片烧录，大大提高了生产效率，节省了人工成本，减少占用生产资源。该nand flash脱机裸片烧程设备便携，不占用特定工位，便于维护，自主开发，降低公司易耗品采购成本。
附图说明
40.图1为本技术一实施例提供的nand flash脱机裸片烧程设备的结构示意图；
41.图2为本技术一实施例提供的nand flash脱机裸片烧程设备中，电源供给装置和多个烧录单元的连接关系示意图；
42.图3为本技术一实施例提供的nand flash脱机裸片烧程设备中，电源供给装置和多个烧录单元的连接关系示意图；
43.图4为本技术一实施例提供的nand flash脱机裸片烧程设备中，电源供给装置和多个烧录单元的连接关系示意图；
44.图5为本技术一实施例提供的nand flash脱机裸片烧程设备中，烧录单元的结构示意图；
45.图6为本技术一实施例提供的nand flash脱机裸片烧程设备中，烧录单元的结构示意图。
46.附图标记：
47.10
‑
pcb板；20
‑
电源供给装置；210
‑
电源输出装置；220
‑
电源电路；
48.221
‑
电压转换器；221a
‑
dc/dc变换器；221b
‑
ldo稳压器；
49.230
‑
电源开关装置；30
‑
烧录单元；310
‑
主芯片；311
‑
指示灯io口；
50.311a
‑
电源指示灯io口；311b
‑
内核指示灯io口；
51.311c
‑
应用程序指示灯io口；312
‑
spi接口；313
‑
拨码开关io口；
52.320
‑
nand flash烧写座；330
‑
拨码开关；340
‑
nor flash存储器；
53.341
‑
第一存储器；342
‑
第二存储器；343
‑
第三存储器；350
‑
指示灯；
54.351
‑
电源指示灯；352
‑
内核指示灯；353
‑
应用程序指示灯；
55.361
‑
第一带机烧录口；362
‑
第二带机烧录口；370
‑
nand flash总线；
56.380
‑
spi总线；391
‑
第一usb总线；392
‑
第二usb总线
具体实施方式
57.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
58.本技术提供一种nand flash脱机裸片烧程设备。需要说明的是，本技术提供的nand flash脱机裸片烧程设备不但可以应用于nand flash芯片，还可以应用于其他任意种类的具有容量大、稳定性强、读写快特点的存储芯片的脱机烧录烧程中。
59.如图1所示，在本技术的一实施例中，所述nand flash脱机裸片烧程设备包括pcb板10、电源供给装置20和多个烧录单元30。所述电源供给装置20设置于pcb板10上，多个烧录单元30并列的设置于pcb板10上。每一个烧录单元30均与电源供给装置20电连接。
60.每一个烧录单元30包括主芯片310、nand flash烧写座320、拨码开关330和nor flash存储器340。所述主芯片310焊接于pcb板10上。所述nand flash烧写座320，焊接于pcb板10上，且与主芯片310连接。所述拨码开关330焊接于pcb板10上，且与主芯片310连接。所述nor flash存储器340，焊接于pcb板10上，且与主芯片310连接。nor flash存储器340包括第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343。
61.具体地，本技术涉及的所有设备和元件都可以通过焊接的方式布设在一块pcb板10上。主芯片310的型号可以为nuc975dk61y。nand flash烧写座320为用于安装固定nand flash裸片的夹具。将nand flash裸片装配于nand flash烧写座320之后，等效于将nand flash裸片直接贴装于pcb板10上。
62.nor flash存储器340的型号可以为mx25l51245g。nor flash存储器340可以包括第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343。可选地，第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343的型号相同，可以都为mx25l51245g，且存储容量相同，均为64mb。
63.具体地，第一存储器341可以存储烧程工装专用程序，烧程工装专用程序用于控制整个脱机烧录过程。第二存储器342和第三存储器343可以存储boot程序，内核程序和应用程序。在脱机烧录时，主芯片可以运行第一存储器341中的烧录工装专用程序，再将第二存储器342和第三存储器343中存储的boot程序，内核程序和应用程序移植至nand flash裸片中，以完成烧程。
64.本实施例提供的nand flash脱机裸片烧程设备可以实现脱机下的nand flash裸
片烧录，大大提高了生产效率，节省了人工成本，减少占用生产资源。该nand flash脱机裸片烧程设备便携，不占用特定工位，便于维护，自主开发，降低公司易耗品采购成本。
65.此外，烧录单元30可以为多个，优选的为4个，可以满足同时烧录4个nand flash裸片的工作量，大大提高了生产效率。
66.如图2所示，在本技术的一实施例中，所述电源供给装置20包括电源输出装置210和电源电路220。所述电源输出装置210用于输出12v直流电压。所述电源电路220的一端与电源输出装置210连接，另一端与多个烧录单元30连接。
67.所述电源电路220包括电压转换器221。所述电压转换器221用于将电压输出装置输出的12v直流电压转换为低于12v的直流电压输出至多个烧录单元30。
68.具体地，电压转换器221可以将电源装置提供的12v电压转换为5v、3.3v、1.8v、1.2v等给电源电路220中的各个功能电路供电，当然主要是为了给每一个烧录单元30供电。电源电路220还包括多个功能电路，布设在pcb板10上，包括各种用于实现供电功能的导线和元器件。
69.如图3所示，在本技术的一实施例中，所述电压转换器221包括一个dc/dc变换器221a和至少一个ldo稳压器221b。所述dc/dc变换器221a与电源输出装置210连接。所述dc/dc变换器221a用于将电源输出装置210输出的12v直流电压转换为5v直流电压。所述ldo稳压器221b与dc/dc变换器221a电连接。所述ldo稳压器221b用于将dc/dc变换器221a输出的5v直流电压转换为3.3v直流电压、1.8v直流电压和1.2v直流电压中的一种或多种输出至多个烧录单元30。
70.具体地，所述dc/dc变换器221a用于将电源输出装置210输出的12v直流电压转换为5v直流电压。5v直流电压可以为后文中提及的第一带机烧录口361和第二带机烧录口362供电。
71.所述ldo稳压器221b用于将dc/dc变换器221a输出的5v直流电压转换为3.3v直流电压、1.8v直流电压和1.2v直流电压中的一种。
72.所述ldo稳压器221b的数量可以为3个，每一个所述ldo稳压器221b转换一个电压值的直流电压，这样就可以将12v直流电压转化为3.3v直流电压、1.8v直流电压和1.2v直流电压三种不同的直流电压。
73.主芯片310中的元器件复杂，对直流电压的大小有特殊要求，同时需要3.3v直流电压、1.8v直流电压和1.2v直流电压三种不同大小的直流电压的输入。3.3v直流电压还可以满足nand flash烧写座320、第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343的电压需求。
74.如图4所示，在本技术的一实施例中，所述电源供给装置20还包括电源开关装置230。所述电源开关装置230电连接于电源输出装置210和电源电路220之间。
75.具体地，所述电源开关装置230可以为船型开关。
76.在本技术的一实施例中，所述烧录单元30还包括指示灯350。所述指示灯350设置于pcb板10上。所述指示灯350与主芯片310连接。
77.如图5所示，在本技术的一实施例中，所述主芯片310包括指示灯io口311、spi接口312和拨码开关io口313。指示灯350通过指示灯io口311与主芯片310连接。第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343均通过spi接口312与主芯片310连接。拨码开关330通过拨码开关io口313和主芯片310连接。
78.具体地，拨码开关330可以有多个，每一个拨码开关330通过一个拨码开关io口313与主芯片310连接。拨码开关330可以调整自己的电平，有“0”和“1”两种高低不同的电平，以向主芯片310发送不同的电压信号，从而使得主芯片310后续启动不同的烧录模式。不同的烧录模式代表烧录进入不同的进程步骤。例如，拨码开关330有2个的话，电平组合就有“00”，“01”，“11”，“10”四种不同的组合方式，就可以向主芯片310发送四种不同的电压信号。
79.第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343共用一个主芯片310上的spi接口312。第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343中，每个存储器上均有一个片选信号(cs0、cs1和cs2)与主芯片310相连接(低电平选中)，主芯片310想与哪个存储器交互数据，就输出相应片选信号为低电平。第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343是通过一根spi总线380与主芯片310连接的。spi总线380与spi接口312连接。spi总线380上同一时间只能有一个存储器与主芯片310交互数据。具体主芯片310与与哪个存储器交互数据，就是通过主芯片310输出的片选信号控制的。
80.如图6所示，在本技术的一实施例中，指示灯350包括电源指示灯351、内核指示灯352和应用程序指示灯353。
81.具体地，电源指示灯351、内核指示灯352和应用程序指示灯353分别实现不同的提示功能。当电源指示灯351亮时，表明整块pcb板10已上电，即每一个烧录单元30均已上电，可以开始工作。当内核指示灯352亮时，表明内核程序已烧录完毕。当应用程序指示灯353亮时，表明应用程序已烧录完毕。
82.如图6所示，在本技术的一实施例中，指示灯io口311包括电源指示灯io口311a、内核指示灯io口311b和应用程序指示灯io口311c。电源指示灯351通过电源指示灯io口311a与主芯片310连接。内核指示灯352通过内核指示灯io口311b与主芯片310连接。应用程序指示灯353通过应用程序指示灯io口311c与主芯片310连接。
83.如图6所示，在本技术的一实施例中，所述烧录单元30还包括第一带机烧录口361和第二带机烧录口362。所述第一带机烧录口361用于烧录应用程序。所述第二带机烧录口362用于烧录boot程序和内核程序。
84.具体地，本技术提供的nand flash脱机裸片烧程设备，不但可以脱机烧录，而且可以带机烧录。第一带机烧录口361和第二带机烧录口362是在带机烧录模式下采用的。带机烧程时，第一带机烧录口361用于裸片烧写应用程序。带机烧程时，第二带机烧录口362用于裸片烧录boot程序和内核程序。
85.本实施例中，通过设置第一带机烧录口361和第二带机烧录口362，使得nand flash脱机裸片烧程设备既可以满足脱机烧录的要求，又可以满足带机烧录的要求。
86.如图6所示，在本技术的一实施例中，主芯片310和nand flash烧写座320之间通过一条nand flash总线370连接。
87.具体地，第一存储器341、第二存储器342和第三存储器343均通过一条spi总线380与主芯片310连接，如图6所示。
88.第一带机烧录口361通过第一usb总线391与主芯片310连接。第二带机烧录口362通过第二usb总线392与主芯片310连接。
89.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，各方法步骤也并不做执行顺
序的限制，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
90.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。