存储器系统中的基于拓扑的弃用的制作方法

存储器系统中的基于拓扑的弃用
1.交叉引用
2.本专利申请主张yeung等人于2021年2月9日提交的标题为“存储器系统中的基于拓扑的弃用(topology-based retirement in a memory system)”的第63/147,679号美国临时专利申请，以及yeung等人于2022年1月12日提交的标题为“存储器系统中的基于拓扑的弃用”的第17/574,024号美国临时专利申请的优先权，所述美国临时专利申请中的每一者以全文引用的方式明确地并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及一种存储器系统中的基于拓扑的弃用。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两种支持状态中的一种，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种可能状态，存储器单元可存储所述状态中的任一种。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可以将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、或非(nor)和与非(nand)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源定期刷新，否则易失性存储器单元(例如，dram单元)可能随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，nand存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。


技术实现要素：

6.描述一种设备。设备可包含存储器装置，所述存储器装置包含存储器单元块和与存储器装置耦合的控制器。控制器可配置成使设备确定存储器单元块的第一子块的第一存取错误量，确定存储器单元的第二子块的第二存取错误量，且基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块。
7.描述一种非暂时性计算机可读媒体。非暂时性计算机可读媒体可存储包含指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时使电子装置确定电子装置的存储器单元块的第一子块的第一存取错误量、确定存储器单元块的第二子块的第二存取错误量，且基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块。
8.描述一种在存储器系统处执行的方法。方法可包含确定存储器系统的存储器单元
块的第一子块的第一存取错误量、确定存储器单元块的第二子块的第二存取错误量，且基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块。
附图说明
9.图1示出根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的系统的实例。
10.图2展示根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的电路的框图。
11.图3展示示出根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的方法的过程流程。
12.图4展示根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的存储器系统的框图。
13.图5展示示出根据如本文中所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的一或多个方法的流程图。
具体实施方式
14.存储器系统可包含一或多个存储器装置，所述一或多个存储器装置包含可操作以对存储器单元执行存取操作的存储器单元阵列和电路系统。(例如，存储器裸片的)存储器装置的各种结构可随时间推移而磨损或劣化，这可导致存储器装置的操作故障或其它不可靠的操作。一些存储器系统或存储器装置可配置成检测不可靠或失败存取操作的指示，且响应于此类检测而弃用存储器阵列的部分。然而，用于检测不可靠或失败存取操作的一些技术可能过度保守且导致存储器阵列的过度弃用。
15.根据如本文所公开的实例，存储器系统或存储器装置可配置成针对是否弃用存储器阵列的部分的决策而执行基于拓扑的评估。举例来说，存储器系统或存储器装置可配置成评估关于存储器阵列的物理或电气组织的错误条件，其可支持推断存储器装置的一或多个结构中是否存在缺陷(例如，物理缺陷、材料缺陷、电气缺陷)。在一些情况下，存储器阵列中所观测到的错误可为保证弃用块的永久性错误，或存储器阵列中所观测到的错误可为可解决的较瞬时性的错误。为了避免由于本质上较瞬时性的错误而弃用存储器块，技术可使用错误的多个表征来确定是否弃用块。举例来说，基于检测到的错误的各种评估，存储器系统或存储器装置可能够推断可与随时间推移而磨损或劣化相关的存储器阵列的短路、开路、介质击穿或其它缺陷的存在，且作为响应，可基于此类推断弃用存储器阵列的一部分。与其它阵列弃用技术相比，通过根据如本文所公开的实例实施基于拓扑的弃用的一或多个方面，存储器装置可配置有较大容量、较小量的预留空间或较长寿命周期，以及其它益处或其组合。
16.首先在参考图1和2的系统、装置和电路的上下文中描述本公开的特征。在参考图3的基于拓扑的弃用的流程图的上下文中描述本公开的特征。进一步通过如参考图4和5所描述的涉及存储器系统中的基于拓扑的弃用的设备图和流程图来示出且参考所述设备图和流程图描述本公开的这些和其它特征。
17.图1示出根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的系统
100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
18.存储器系统110可以是或包含任何装置或装置的集合，其中装置或装置的集合包含至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可以是或包含通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、快闪装置、通用串行总线(usb)快闪装置、安全数字(sd)卡、固态驱动器(ssd)、硬盘驱动器(hdd)、双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，或非易失性dimm(nvdimm)，以及其它可能性。
19.计算系统100可以包含在例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、支持物联网(iot)的装置、嵌入式计算机(例如，运载工具、工业设备或联网商业装置中包含的嵌入式计算机)的计算装置，或包含存储器和处理装置的任何其它计算装置中。
20.在一些实例中，主机系统105与存储器系统110之间的耦合可包含与主机系统控制器106的介接，其可为配置成使主机系统105根据如本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件栈。例如，主机系统105可包含配置成用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存器(例如，主机系统105本地的或包含在所述主机系统中的存储器)、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)，以及存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附件(sata)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110例如以将数据写入到存储器系统110和从存储器系统110读取数据。尽管在图1中展示一个存储器系统110，但主机系统105可以与任何数量的存储器系统110耦合。
21.主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105和存储器系统110可配置成使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据和其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于sata接口、ufs接口、emmc接口、pcie接口、usb接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(scsi)、串行附接scsi(sas)、双倍数据速率(ddr)接口、dimm接口(例如，支持ddr的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)，以及低功率双倍数据速率(lpddr)接口。在一些实例中，一或多个此类接口可包含在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115中或以其它方式在其间得到支持。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每个存储器装置130的相应物理主机接口，或经由用于包含在存储器系统110中的每种类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。
22.存储器系统110可包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可以包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元，或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管图1的实例中示出两个存储器装置130-a和130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含超过一个存储器装置130，则存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。
23.存储器系统控制器115可与主机系统105耦合及通信(例如，经由物理主机接口)，
且可为配置成使存储器系统110根据如本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合且与其通信以在存储器装置130处进行一般可称为存取操作的操作，例如读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据以及其它此类操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可以从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)执行此类命令。例如，存储器系统控制器115可以从主机系统105接收命令或操作，并且可以将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器装置130的所要存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105且与一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于来自主机系统105的命令或以其它方式结合所述命令)。举例来说，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据包或其它信号)转换成用于主机系统105的相应信号。
24.存储器系统控制器115可配置成用于与存储器装置130相关联的其它操作。举例来说，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如，耗损均衡操作、垃圾收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，以及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址)和与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。
25.存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器，或其组合。硬件可包含具有专用(例如，硬译码)逻辑以执行本文中归于存储器系统控制器115的操作的电路系统。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp))，或任何其它合适的处理器或处理电路系统。
26.存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(rom)或可存储可由存储器系统控制器115执行的操作代码(例如，可执行指令)以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能的其它存储器。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(sram)或其它存储器，其可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归因于存储器系统控制器115的功能有关的内部存储或运算。另外或替代地，本地存储器120可以充当用于存储器系统控制器115的高速缓存器。举例来说，数据可在从存储器装置130读取或写入到所述存储器装置的情况下存储在本地存储器120中，且数据可在本地存储器120内可用以由主机系统105根据高速缓存策略(例如，以相对于存储器装置130的减少的时延)进行后续检索或操控(例如，更新)。
27.尽管图1中的存储器系统110的实例已示出为包含存储器系统控制器115，但在某些情况下，存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。举例来说，存储器系统110可另外或替代地依赖于外部控制器(例如，由主机系统105实施)或可分别在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135，以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况下改为由主机系统105、本地控制器135或其任何组合进行。在某些情况下，至少部分由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可被称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例为受管理nand(mnand)装置。
28.存储器装置130可以包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含nand(例如，nand快闪)存储器、rom、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(ram)(feram)、磁性ram(mram)、nor(例如，nor快闪)存储器、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接随机存取存储器(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、电可擦除可编程rom(eeprom)，或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可以包含易失性存储器单元的一或多个阵列。例如，存储器装置130可包含随机存取存储器(ram)存储器单元，例如动态ram(dram)存储器单元和同步dram(sdram)存储器单元。
29.在一些实例中，存储器装置130可(例如，在同一裸片上或在同一封装内)包含本地控制器135，其可对相应存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作，或可进行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。例如，如图1所示，存储器装置130-a可以包含本地控制器135-a，且存储器装置130-b可以包含本地控制器135-b。
30.在一些情况下，存储器装置130可为或包含nand装置(例如，nand快闪装置)。存储器装置130可为或包含裸片160(例如，存储器裸片)。例如，在一些情况下，存储器装置130可以是包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可为从晶片切割的一块电子级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每个裸片160可包含一或多个平面165，且每个平面165可包含相应的一组块170，其中每个块170可包含相应的一组页175，并且每个页175可包含一组存储器单元。
31.在一些情况下，平面165可指块170的群组，且在一些情况下，可在不同平面165内发生并行操作。例如，可对不同块170内的存储器单元进行并行操作，只要不同块170处于不同平面165中即可。在一些情况下，在不同平面165中执行并行操作可受制于一或多个限制，例如对不同页175内的存储器单元执行相同操作，所述存储器单元在其相应平面165内具有相同页地址(例如，关于命令解码、页地址解码电路系统或跨越平面165共用的其它电路系统)。
32.在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)和列(例如串，未展示)的存储器单元。举例来说，同一页175中的存储器单元可共用共同字线(例如，与其耦合)，且同一串中的存储器单元可共用共同数字线(其可替代地称为位线)(例如，与其耦合)。
33.对于一些nand架构，存储器单元可在第一粒度级别下(例如，在页粒度级别下)进行读取和编程(例如，写入)，但可在第二粒度级别下(例如，在块粒度级别下)进行擦除。也就是说，页175可以是可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分并行地编程或读取)的最小存储器单位(例如，一组存储器单元)，且块170可以是可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的部分并行地擦除)的最小存储器单位(例如，一组存储器单元)。此外，在一些情况下，nand存储器单元可在其可用新数据重新写入之前被擦除。因此，举例来说，在一些情况下，可直到包含页175的整个块170已被擦除才更新已使用的页175。
34.在一些情况下，为了更新块170内的一些数据同时保留块170内的其它数据，存储器装置130可将待保留的数据拷贝到新块170且将经更新数据写入到新块170的一或多个剩余页。存储器装置130(例如，本地控制器135)或存储器系统控制器115可将保持在旧块170中的数据标记或以其它方式表示为无效或过时，并且可更新逻辑到物理(l2p)映射表以使
数据的逻辑地址(例如，逻辑块地址)与新的有效块170而不是旧的无效块170相关联。在一些情况下，可例如由于时延或磨损考虑而执行此类复制及重新映射，而不是擦除及重新写入整个旧块170。在一些情况下，l2p映射表的一或多个副本可存储在存储器装置130的存储器单元内(例如，一或多个块170或平面165内)，以供本地控制器135或存储器系统控制器115使用(例如，参考及更新)。
35.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可以执行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的一部分)，例如耗损均衡、后台刷新、垃圾收集、清理、块扫描、健康监测，或其它操作，或其任何组合。举例来说，在存储器装置130内，块170可具有含有有效数据的一些页175和含有无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除和重复使用块170，可调用被称作“垃圾收集”的算法，以允许块170被擦除和释放为用于后续写入操作的空闲块。垃圾收集可指一组媒体管理操作，其包含例如选择包含有效和无效数据的块170、选择块中包含有效数据的页175、将来自所选页175的有效数据复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)、将先前选择的页175中的数据标记为无效，以及擦除选定块170。因此，可增加已擦除的块170的数量，使得可使用更多的块170来存储后续数据(例如，随后从主机系统105接收到的数据)。
36.在一些情况下(例如，为了改进可靠性，为了改进数据保持)，存储器系统控制器115或本地控制器135可执行一或多个刷新操作，其可包含擦除和重新编程裸片160的存储器单元以重新建立存储于存储器单元中的物理状态(例如，存储电荷、偏振状态、电阻状态)或逻辑状态。在一些实例中，可在块层级(例如，物理块层级)处执行刷新操作，其中此类刷新操作可包含擦除及重新编程一或多个块170。刷新操作可由主机系统105(例如，主机系统控制器106)、存储器系统110(例如，存储器系统控制器115、本地控制器135)或其各种组合控制或管理，所述刷新操作可包含刷新配置、刷新发起、刷新中断和刷新进程管理。在主机发起的刷新操作的各种实例中，存储器系统110可配置成执行由主机系统105所请求的刷新操作，而不管存储器系统110是否已识别出块170符合刷新操作的标准，或可配置成对存储器系统110已经识别为符合刷新操作的标准的块170执行由主机系统105所请求的刷新操作。另外或替代地，存储器系统110可发起可对主机系统105透明的刷新操作。
37.系统100可包含支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。例如，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或以其它方式可存取一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述非暂时性计算机可读媒体存储指令(例如，固件)以进行本文中归于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130(例如，本地控制器135)的功能。例如，如果由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115，或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行，则此类指令可以使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文所描述的一或多个相关联功能。
38.在一些实例中，存储器装置130的结构(例如，裸片160的结构)可随时间而磨损或劣化，这可导致存储器装置130的操作故障或其它不可靠的操作。一些应用程序可不配置成容许存储器装置130中的存储容量的损失或减小，因此存储器系统110或存储器装置130可配置成检测不可靠或失败的存取操作的指示，且响应于此类指示而弃用存储器阵列的部分。举例来说，存储器装置130可预留有提供存储器装置130的所陈述或额定容量之外的存
储的备用块170(例如，替换块170的集区)，但所述备用块可在使其活动或有效之前不使用。当有效块170(例如，原始供应块170)磨损或劣化时，可通过将其退出服务状态且替换成备用块170(例如，从可用于存取操作的物理地址空间移除弃用块170，将备用块170添加到可用于存取操作的物理地址空间)来将其弃用。
39.在一些实例中，块弃用可包含指示弃用块170不可用于存取(例如，不可用于写入信息、将与弃用块170相关联的物理地址标记为无效)且指示备用块170可用于存取。在一些实例中，块弃用可包含移除弃用块170可用于存取的指示，且添加备用块170可用于存取的指示。在一些情况下，弃用可包含或伴有将信息从弃用块170传送到另一块170(例如，已有效或已可用的块170、最新有效或最新可用的块170，例如与预留空间相关联的备用块170)中，其可包含将逻辑地址重新映射到另一块170的新物理地址。在一些实例中，弃用可包含块170的部分或受限存取，例如将弃用块170配置成用于在只读模式下操作(例如，以支持从弃用块170检索信息的各方面)。
40.根据一些技术，当存取块170的存储器单元时，可响应于错误检测而发起块170的弃用。举例来说，可响应于块170的擦除失败(例如，块170返回擦除状态失败，例如块170未能完成擦除操作)或块170的编程失败(例如，块170的一或多个页175返回编程状态失败，例如页175未能完成写入操作)而弃用块170。另外或替代地，可响应于读取扫描失败，例如块170的不可校正错误(例如，不可校正错误校正码(uecc)错误、不可校正读取错误)(例如，在垃圾收集操作期间)而弃用块170。然而，用于检测不可靠或失败的存取操作(例如，失败的读取操作)的一些技术可为过度保守的，例如对瞬时性错误条件过度敏感，其可导致过度弃用、加快耗尽备用块170，或缩短存储器装置130的寿命周期，以及其它缺点或其组合。
41.根据如本文所公开的实例，存储器系统110或存储器装置130可配置成执行用于存储器阵列的部分的弃用的基于拓扑的评估。举例来说，存储器系统110(例如，存储器系统控制器115)或存储器装置130(例如，本地控制器135)可配置成评估关于裸片160或其存储器阵列的物理或电气组织的错误条件，其可支持推断存储器装置130的一或多个结构中是否存在缺陷(例如，物理缺陷、材料缺陷、电气缺陷)。举例来说，基于检测到的错误的各种评估，存储器系统110或存储器装置130可能够检测或推断可与随时间推移而磨损或劣化相关的存储器阵列的短路缺陷、开路缺陷、介质击穿或其它泄漏缺陷或其它缺陷的存在，且作为响应，可基于此类检测或推断弃用存储器阵列的一部分。在一些实例中，此类技术可支持区分内部和外部错误或故障，这可抑制、减轻或以其它方式缓和可能对瞬时性现象，例如高温、电压不规则性、辐射或其它瞬态过度敏感的弃用技术。与并不考虑裸片160的物理或电气组织的其它阵列弃用技术或并不另外区分内部和外部故障的技术相比，根据本文所公开的实例实施基于拓扑的弃用的一或多个方面可支持存储器装置130配置有较大容量、较小量的预留空间或较长寿命周期，以及其它有益配置或其组合。
42.图2展示根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的电路200的框图。电路200可包含于存储器系统110中，且可包含存储器装置130的一或多个组件。举例来说，电路200示出包含存储器单元205的阵列的块170-a的实例。存储器单元205中的每一者可根据字线225(例如，wl)与位线235(例如，bl)的相交点而定位或以其它方式可存取，所述位线和位线可各自被称作块170-a的存取线。沿着字线225的存储器单元205可为页175的实例。字线225和位线235可分别与行解码器220和列解码器230耦合，以用于控制相应
存取线的各种偏置或激活。在一些实例中，行解码器220及列解码器230可为本地控制器135的组件，其可支持存取操作，例如将逻辑状态写入到存储器单元205或感测存储于存储器单元205中的逻辑状态，及其其它操作和信令。行解码器220和列解码器230可与控制器240耦合，所述控制器配置成执行用于如本文所公开的基于拓扑的弃用的各种技术。在各种实例中，控制器240可包含于存储器系统控制器115中，包含于本地控制器135中，或分布于存储器系统控制器115与本地控制器135之间，以及其它配置。
43.存储器单元205可根据子块210(例如，第一子块210-a和第二子块210-b)以物理方式或以电气方式布置。在一些实例中，子块210中的每一者可包含或指块170的字线225的子组(例如，子块210-a包含字线wla1到wlam或与其相关联，子块210-b包含字线wlb1到wlbm或与其相关联)。尽管块170-a经说明为包含两个子块210，但根据所描述技术的块170可包含任何数量的子块210(例如，两个、三个、四个、五个、六个、七个、八个等)。另外或替代地，虽然子块210经说明为各自包含块170-a的字线225的相应子组及块170-a的所有位线235，但在一些实例中，子块210可各自包含块170的位线235的相应子组(例如，结合包含块170的字线225中的一些或全部)。
44.在一些实例中，电路200的一或多个结构(例如，裸片160的结构)可随时间推移而磨损或劣化，这可导致一或多个物理缺陷。举例来说，电路200说明缺陷250-a的实例，其可至少与字线wlai和缺陷250-b相关联，所述缺陷可至少与位线blj相关联。缺陷250可指电路200的一或多个物理元件的各种劣化或故障。例如，缺陷250可指短路缺陷或其它介质击穿(例如，泄漏路径)，例如存取线与裸片160的底盘或接地结构之间的短路、存取线与电压源(例如，正电压源、负电压源)之间的短路、第一存取线与第二存取线之间的(例如，第一字线225与第二字线225之间的、第一位线235与第二位线235之间的、字线225与位线235之间的)或者电路200的其它结构之间的短路。在一些实例中，缺陷250可指开路缺陷或导电性的其它减小或抑制，例如导电性的中断或存取线的导电路径中的断开或其它横截面减小。缺陷250-a和250-b的实例是出于说明性目的，且电路可在存储器装置130的电路的各种位置中产生任何数量的一或多个缺陷250，且缺陷250可影响任何数量的一或多个存取线。
45.在一些实例中，当存取块170-a的存储器单元205时，缺陷250可造成错误，其可包含不可校正错误(例如，当错误量超出存储器系统110或包含电路200的存储器装置130的错误校正能力时，当错误不归因于暂时性条件时)。举例来说，如果缺陷250-a为开路缺陷，那么当沿着缺陷250-a的下游(例如，相对于行解码器为下游，离行解码器220比离缺陷250-a更远)的字线wlai存取存储器单元205时，由于信号未被传送通过缺陷250-a，因此缺陷250-a可造成错误。同样地，如果缺陷250-b为开路缺陷，那么当沿着缺陷250-b的下游(例如，相对于列解码器230为下游，离列解码器230比离缺陷250-b更远)的位线blj存取存储器单元205时，由于信号未被传送通过缺陷250-b，因此缺陷250-b可造成错误。在缺陷250为与存取线相关联的短路、介质击穿或泄漏缺陷的实例中，此类缺陷250可在存取缺陷250下游的存储器单元205和在缺陷250上游的存储器单元205时造成错误(例如，造成通常影响存取线的信令的电压不稳定性或电荷泄漏)。
46.在一些实例中，可利用块170-a的拓扑来评估块170-a的错误条件。举例来说，子块210-b比子块210-b展现更高的错误(例如，读取错误、不可校正错误)出现率可指示缺陷250-b(例如，开路缺陷)，因为此类缺陷250-b可阻止或以其它方式中断列解码器230(例如，
与控制器240，以及与列解码器耦合且配置成检测由存储器单元205存储的逻辑状态的感测电路系统)与缺陷250-b下游的存储器单元205之间的信令传递，且可不影响存取子块210-b的存储器单元205。在一些实例中，子块210-a比子块210-b展现更高的错误发生率，或字线wlai比其它(例如，邻近，相邻)字线225展现更高的错误发生率可指示缺陷250-a(例如，开路缺陷或闭路缺陷)，因为此类缺陷250-a可沿着字线wlai(例如，在缺陷250-a下游，在缺陷250-a上游)引起故障或错误，这可不影响存取子块210-b的存储器单元205或其它字线225。在一些实例中，例如这些的错误的拓扑比较可另外或替代地在位线235或位线235的群组(例如，各自包含位线235的相应多组子块210)之间或之中执行，用于各种评估以检测或推断一或多个缺陷250的存在。
47.因此，根据这些和其它实例，可利用子块210之间或之中、字线225之间或之中或位线235之间或之中的错误量的比较结果，或其它拓扑比较结果或其组合来评估或推断缺陷250的存在。例如，缺陷250的特征可以基于哪些子块210、哪些字线225或哪些位线235表现出存取错误(例如，以物理方式或以电气方式距离列解码器230相对较远定位的子块210或字线225，距离行解码器220相对较远定位的位线235，或错误发生率明显高于其相邻者的子块210、字线225或位线235)识别或推断，或基于许多错误发生次数(例如，有多少位被翻转，字线225内有多少码字有错误)识别或推断，或基于这些和其它特性的组合来识别或推断。此类拓扑比较(例如，考虑相对物理或电气分组或检测到的错误的定位的比较)可通过改进对存取错误或失败的起因的洞察来改进弃用评估。举例来说，根据如本文所公开的实例的这些和其它技术，此比较可支持区分外部故障(例如，局部物理问题，例如缺陷250，其可能为永久性的)与内部故障(例如，可能不为永久性的瞬时性影响，可能不与阵列中的特定物理或电气位置相关联的随机错误)，此可避免不必要的弃用受瞬时性问题影响但可以其它方式正常操作(例如，在瞬时性条件过去或消除后)的块170。
48.在一些实例中，弃用评估可基于操作条件的评估或检测，例如温度、电压或可影响存储器系统110或存储器装置130的操作的其它条件的观测而有条件地或以其它方式修改。举例来说，升高的操作温度可与增大的存取错误的发生率(例如，呈现为相对实质性的局部故障)相关联，但此类存取错误的发生率可随着操作温度下降而减小。因此，基于在升高的操作温度下的错误检测而弃用块170可为过度保守的，因为块170可在较低温度下正常或以其它可接受方式实施。因此，基于拓扑的弃用评估的一些实例可包含对可能是瞬时性条件的评估，例如在发现温度(例如，如由温度传感器245测量或检测的)在标称或以其它方式配置的范围内的情况下，或者在发现电压(例如，如由电压传感器246测量或检测的)在标称或以其它方式配置的范围内的情况下基于错误评估，以及考虑存储器系统110或存储器装置130的操作条件是否处于正常范围内或受到可能已引起观察到的错误的瞬时性影响的其它评估而弃用块170。
49.在针对块170的弃用的基于拓扑的评估的实例中，如果在块170的读取操作期间发生错误(例如，不可校正错误、uecc错误)，那么控制器可发起包含块170的刷新或块170的其它读取扫描的弃用评估。在刷新或读取扫描期间，控制器(例如，固件)可跟踪每一字线225和每一子块210的错误计数(例如，uecc计数)，所述计数可包含来自块170的一些或所有上部页的错误计数。在刷新或其它读取扫描的至少部分完成之后，弃用块170的确定可基于各种错误标准和操作条件标准。举例来说，如果一些量的字线225(例如，一个字线、两个字线)
的错误量大于或等于四个错误或某一其它阈值(例如，可在装置检核期间配置的变量)，而其它字线225具有零错误，那么可弃用块170。另外或替代地，如果子块210的错误量大于阈值(例如，已配置参数或可在装置检核期间配置的变量或其组合)，而其它子块210具有零错误，那么可弃用块170。在一些实例中，此类弃用确定中的任一或两者可基于操作温度具有条件性，例如取决于写入温度与读取温度之间的差小于温度阈值而弃用。在一些实例中，如果读取温度不在标称或配置范围之外(例如，在由已配置的较低温度及已配置的较高温度所限定的范围内)，那么可将块170弃用，且如果读取温度在标称或配置范围之外，那么可不将块170弃用(例如，由于有较高的可能性为所观测到的错误与瞬时性影响有关)。在一些实例中，此类弃用确定可能还取决于备用块170的可用性(例如，预留空间的可用性，备用块170的集区的可用性)。
50.图3展示示出根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的方法300的过程流程。方法300的方面可由控制器(例如，存储器系统控制器115、本地控制器135、控制器240)以及其它组件实施。另外或替代地，方法300的方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器系统110或存储器装置130耦合的存储器中的固件)。例如，指令可在由控制器执行的情况下使控制器执行方法300的操作。
51.在一些实例中，方法300可根据条件或标准被满足而开始(例如，起始)。举例来说，方法300可在确定错误条件，(例如块170的)不可校正读取错误后开始，所述错误条件可在正常操作(例如，在响应于来自主机系统105的读取命令而执行的读取操作期间)、媒体管理操作(例如，垃圾收集操作、耗损均衡操作)或其它操作的过程期间确定。在一些实例中，方法300可根据例如满足阈值持续时间(例如，数据保持持续时间)或存取操作(例如，读取操作，由于电力循环，由于安装在用户产品中，由于例如方法300的先前弃用评估)的阈值量的起始间隔以及其它间隔而开始。在一些实例中，方法300可在操作温度满足阈值的情况下开始，所述阈值可或可不与其它起始标准组合(例如，当在配置温度范围中操作时，在满足起始间隔之后在配置温度范围中操作时确定错误条件)。
52.在310处，方法300可包含执行存储器阵列的读取扫描，例如刷新操作、媒体扫描、媒体管理操作或识别为具有不可校正错误(例如，uecc错误)的块170或针对弃用评估以其它方式识别的块的某一其它扫描操作。在一些实例中，块170在310处的刷新可包含将存储在块170中的信息移动到另一块170，所述刷新因此可包含读取整个块170(例如，块的页175)。在310处的读取扫描的其它实例可或可不包含刷新操作。举例来说，方法300可另外或替代地包含其它类型的读取扫描，所述读取扫描包含读取用于基于拓扑的弃用评估的块170(例如，块170的每一页175)，其可或可不包含移动信息或以其它方式执行与存储于块170中的数据相关联的写入操作。
53.作为块170的读取扫描的部分或与所述读取扫描并行(例如，在读取与不可校正错误相关联的块170时)，方法300可包含根据块170的拓扑跟踪错误量(例如，在执行310的读取扫描时识别的错误、读取错误、不可校正错误、uecc错误)。举例来说，方法300可包含跟踪每一字线225的错误量和每一子块210的错误量。尽管在每一子块210的错误的上下文中描述方法300，但在一些实例中，可通过另外或替代地跟踪每一位线235或位线235的群组的错误量来修改方法300，其可支持用于弃用评估的更精细粒度。在各种实例中，方法300可在310的读取扫描操作部分或完全完成之后继续进行到320。
54.在320处，方法300可包含确定一或多个wl上的错误量是否满足(例如，大于、大于或等于)wl错误阈值。在一些实例中，320的评估可包含逐步或以其它方式个别比较块170的wl中的一或多者的相应错误(例如，第一wl 225上的错误量是否大于阈值、第二wl 225上的错误量是否大于阈值等)。在一些实例中，320的评估可包含确定一些wl 225(例如，相对较接近列解码器230的wl)是否与小于或以其它方式满足第一阈值的错误量相关联，且其它wl 225(例如，相对较远离列解码器230的wl)是否与大于或以其它方式满足第二阈值的错误量相关联。wl错误阈值可为固定或以其它方式配置的值(例如，一个错误、四个错误或任何其它错误量)，其可编程为制造操作的部分。在一些实例中，wl错误阈值可为相对值，例如每一wl 225(例如，针对除正被评估的wl外的wl，针对块的所有wl)的平均错误量，或一或多个相邻wl 225(例如，紧邻正被评估的wl的一或多个wl、紧邻正被评估的wl的一或多组wl)的错误量，以及与不同wl 225相关联的错误量之间的比较结果的其它实例。在一些实例中，在320处的评估可包含确定一些量的一或多个wl 225上的uecc错误量(例如，在限定页类型上)是否大于wl uecc阈值。如果在320处，一或多个wl 225上的错误量满足wl错误阈值(例如，指示可指示缺陷250的错误条件)，那么方法300可继续进行到325。如果在320处，一或多个wl 225上的错误量不满足wl错误阈值(例如，指示可不指示缺陷250的错误条件)，那么方法300可继续进行到330。
55.在325处，方法300可包含确定存储器系统110的(例如，存储器装置130的，裸片160的)温度是否满足(例如，小于、小于或等于)阈值。在一些实例中，325处的评估可包含确定当前温度是否满足阈值，或310的读取扫描操作期间的温度是否满足阈值。在一些实例中，325处的评估可包含确定读取温度(例如，与读取存储器块170相关联的温度、与310的读取扫描操作相关联的温度)与写入温度(例如，与将数据写入到存储器块170相关联的温度)之间的绝对差是否小于阈值温度差。
56.如果在325处，存储器系统110的温度满足阈值(例如，指示所跟踪wl错误与缺陷250相关联的相对较高概率，指示所跟踪wl错误与瞬态相关联的相对较低概率)，那么方法300可继续进行到340。如果在325处，存储器系统110的温度并不满足阈值(例如，指示所跟踪的wl错误与缺陷相关联的相对较低概率，指示所跟踪的wl错误与瞬态相关联的相对较高概率)，那么方法300可继续进行到330。
57.在330处，方法300可包含确定一或多个子块210上的错误量是否满足(例如，大于、大于或等于)子块错误阈值。在一些实例中，330的评估可包含逐步或以其它方式个别比较块170的子块210中的一或多者的相应错误(例如，第一子块上的错误量是否大于阈值、第二子块上的错误量是否大于阈值等)。在一些实例中，330的评估可包含确定一些子块210(例如，相对较接近行解码器220的子块)是否与小于或以其它方式满足第一阈值的错误量相关联，且其它子块210(例如，相对较远离行解码器220的子块)是否与大于或以其它方式满足第二阈值的错误量相关联。子块错误阈值可为固定或以其它方式配置的值，其可编程为制造操作的部分。在一些实例中，子块错误阈值可为相对值，例如每一子块210(例如，针对除正被评估的子块外的子块，针对块的一些或所有子块)的平均错误量，或一或多个相邻子块210(例如，紧邻正被评估的子块的一或多个子块、紧邻正被评估的子块的一或多组子块)的错误量，以及与不同子块210相关联的错误量之间的比较结果的其它实例。在一些实例中，在330处的评估可包含确定一或多个子块210上的uecc错误量(例如，在限定页类型上)是否
大于子块阈值。如果在330处，一或多个子块210上的错误量满足子块错误阈值(例如，指示可指示缺陷250的错误条件)，那么方法300可继续进行到335。如果在330处，一或多个子块210(例如，一些或所有子块)上的错误量不满足子块错误阈值(例如，指示可能不指示缺陷250的错误条件)，那么方法300可仅需进行到345。尽管330的操作展示为在320的操作之后，但在一些实例中，相对位置可倒转。
58.在335处，方法300可包含确定存储器系统110的温度(例如，存储器装置130的温度，裸片160的温度)是否满足(例如，小于，小于或等于)阈值，其可或可不为与325相同的评估或类似的评估(例如，使用相同或不同的温度阈值，使用相同或不同的参考温度)。如果在335处，存储器系统110的温度满足阈值(例如，指示所跟踪子块错误与缺陷250相关联的相对较高概率，指示所跟踪子块错误与瞬态相关联的相对较低概率)，那么方法300可继续进行到340。如果在335处，存储器系统110的温度并不满足阈值(例如，指示所跟踪子块错误与缺陷相关联的相对较低概率，指示所跟踪子块错误与瞬态相关联的相对较高概率)，那么方法300可继续进行到345。
59.在340处，方法300可包含将弃用块170。在各种实例中，弃用块170可包含设定块170一般不可用于存取操作或不可用于写入操作的指示。在一些实例中，块170可仍可在只读配置中操作。块170的物理地址可被新的块170(例如，来自替换集区)的物理地址代替，所述新的块的物理地址可被重新映射到l2p表中的逻辑地址。在345处，方法300可包含不弃用子块，且方法可继续进行到350。
60.在350处，方法300可结束。在各种实例中，方法300的结束可或可不包含方法300已结束的指示。在一些实例中，方法300的结束可包含310的读取扫描已结束的指示。在一些实例中，方法300的结束可包含在方法300期间使用的资源(例如，处理资源、高速缓存资源)的重新分配或闲置。
61.通过应用根据如本文所公开的实例的基于拓扑的弃用的这些和其它技术，与不包含针对弃用的基于拓扑的评估的其它技术相比，存储器系统110可具备改进的性能。举例来说，所描述的技术可减少弃用具有与瞬态有关的错误，但仍可以其它方式操作(例如，允许忽略暂时性故障和内部问题)的块170的概率。在一些实例中，实施此类技术可减少备用块170的量(例如，替换集区的量)或以其它方式针对给定寿命周期减少存储器系统110中的预留空间的量。此外，在一些实例中，由于给定量的备用块170的块使用更有效(例如，预留空间的使用更有效)，可延迟转变到只读模式，或可以其它方式延长存储器系统110的寿命周期。
62.图4展示根据如本文所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的存储器系统420的框图400。存储器系统420可为如参考图1到3(例如，存储器系统110)所描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统420或其各种组件(例如，存储器系统控制器115、本地控制器135)可为用于在如本文所描述的存储器系统中执行基于拓扑的弃用的各种方面的构件的实例。举例来说，存储器系统420可包含错误评估组件425、块弃用组件430、操作模式管理组件435、信息传送组件440、温度评估组件445、读取扫描组件450或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
63.错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于确定存储器系统420的存储器单元块的第一子块的第一存取错误量的构件。在一些实例中，错误评估组件425可配置为或
以其它方式支持用于确定存储器单元块的第二子块的第二存取错误量的构件。在一些实例中，块弃用组件430可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于、如由其引发、在符合其条件之后)第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块的构件。
64.在一些实例中，为了支持弃用存储器单元块，块弃用组件430可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于、如由其引发、在符合其条件之后)第二存取错误量与第一存取错误量之间的差满足阈值(例如，符合或超出阈值)而弃用存储器单元块的构件。
65.在一些实例中，为了支持弃用存储器单元块，块弃用组件430可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于、如由其引发、在符合其条件之后)第一存取错误量满足第一阈值(例如，符合或低于第一阈值)且第二存取错误量满足第二阈值(例如，符合或超出第二阈值)而弃用存储器单元块的构件。
66.在一些实例中，操作模式管理组件435可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于、如由其引发、在符合其条件之后)弃用而在只读模式下操作存储器单元块的构件。
67.在一些实例中，为了支持弃用存储器单元块，块弃用组件430可配置为或以其它方式支持用于指示存储器单元块不可用于写入信息的构件，或用于移除存储器单元块可用于写入的指示的构件，或其组合。
68.在一些实例中，为了支持弃用存储器单元块，信息传送组件440可配置为或以其它方式支持用于将存储于存储器单元块中的信息传送到存储器系统420的第二存储器单元块的构件。
69.在一些实例中，温度评估组件445可配置为或以其它方式支持用于确定与第一存取错误量和第二存取错误量相关联的存储器系统420的操作温度的构件。在一些实例中，为了支持弃用存储器单元块，块弃用组件430可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于、如由其引发、在符合其条件之后)第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果以及操作温度满足温度阈值(例如，符合或低于温度阈值)而弃用存储器单元块的构件。
70.在一些实例中，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，在此期间、作为其部分、响应于)存取存储器单元块而识别不可校正错误的构件。在一些实例中，读取扫描组件450可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于、如由其引发、在符合其条件之后)错误评估组件425识别不可校正错误而对存储器单元块发起读取扫描操作(例如，刷新操作或其部分、包含读取扫描的媒体管理操作)的构件。在一些实例中，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于读取扫描组件450发起读取扫描操作(例如，在读取扫描操作期间，作为读取扫描操作的部分，响应于读取扫描操作)而确定第一存取错误量及第二存取错误量的构件。
71.在一些实例中，为了支持确定第一存取错误量，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于确定与第一子块的字线相关联的第一错误量的构件。在一些实例中，为了支持确定第二存取错误量，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于确定与第二子块的字线相关联的第二错误量的构件。
72.在一些实例中，为了支持确定第一存取错误量，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于确定与第一子块相关联的第一错误总量的构件。在一些实例中，为了支持确定第二存取错误量，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于确定与第二子块相关联的第二错误总量的构件。
73.在一些实例中，为了支持确定第一存取错误量，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于确定与读取第一子块的存储器单元相关联的第一不可校正错误量的构件。在一些实例中，为了支持确定第二存取错误量，错误评估组件425可配置为或以其它方式支持用于确定与读取第二子块的存储器单元相关联的第二不可校正错误量的构件。
74.在一些实例中，第一子块和第二子块可共用多个存取线(例如，从第一子块到第二子块均可为共同的位线)。
75.图5展示示出根据如本文中所公开的实例的支持存储器系统中的基于拓扑的弃用的方法500的流程图。方法500的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法500的操作可由如参考图1到4(例如，存储器系统110、存储器系统控制器115、本地控制器135、存储器系统420)所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统或其组件可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述的功能的方面。
76.在505处，方法可包含确定存储器系统的存储器单元块的第一子块的第一存取错误量。可根据如本文中所公开的实例进行505的操作。在一些实例中，可由如参考图4所描述的错误评估组件425执行505的操作的方面。
77.在510处，方法可包含确定存储器单元块的第二子块的第二存取错误量。可根据如本文所公开的实例执行510的操作。在一些实例中，可由如参考图4所描述的错误评估组件425执行510的操作的方面。
78.在515处，方法可包含至少部分地基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块。可根据如本文所公开的实例执行515的操作。在一些实例中，515的操作的方面可由如参考图4所描述的块弃用组件430执行。
79.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行一或多个方法，例如方法500。设备可包含特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)，以用于确定存储器系统的存储器单元块的第一子块的第一存取错误量，确定存储器单元块的第二子块的第二存取错误量，且至少部分地基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块。
80.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，弃用存储器单元块可包含用于至少部分地基于第二存取错误量与第一存取错误量之间的差满足阈值而弃用存储器单元块的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
81.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，弃用存储器单元块可包含用于至少部分地基于第一存取错误量满足第一阈值与第二存取错误量满足第二阈值而弃用存储器单元块的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
82.本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于至少部分地基于弃用而在只读模式下操作存储器单元块的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
83.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，弃用存储器单元块可包含用于
指示存储器单元块不可用于写入信息或移除存储器单元块可用于写入的指示或其组合的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
84.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，弃用存储器单元块可包含用于将存储于存储器单元块中的信息传送到存储器系统的第二存储器单元块的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
85.本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于确定与第一存取错误量和第二存取错误量相关联的存储器系统的操作温度，且至少部分地基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果以及操作温度满足温度阈值而弃用存储器单元块的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
86.本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于至少部分地基于存取存储器单元块而识别不可校正错误、至少部分地基于识别不可校正错误而发起对存储器单元块的读取扫描操作(例如，刷新操作或其一部分，包含读取扫描的媒体管理操作)，且至少部分地基于发起读取扫描操作(例如，作为在读取扫描操作期间存取存储器单元的一部分或响应于在读取扫描操作期间存取存储器单元)而确定第一存取错误量和第二存取错误量的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
87.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，确定第一存取错误量可包含用于确定与第一子块的字线相关联的第一错误量的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，确定第二存取错误量可包含用于确定与第二子块的字线相关联的第二错误量的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
88.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，确定第一存取错误量可包含用于确定与第一子块相关联的第一错误总量的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，确定第二存取错误量可包含用于确定与第二子块相关联的第二错误总量的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
89.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，确定第一存取错误量可包含用于确定与读取第一子块的存储器单元相关联的第一不可校正错误量的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，确定第二存取错误量可包含用于确定与读取第二子块的存储器单元相关联的第二不可校正错误量的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
90.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，第一子块和第二子块共用多个存取线(例如，位线)。
91.应注意，上述方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可重新排列或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自方法中的两个或更多个部分。
92.描述一种设备。设备可包含存储器装置，所述存储器装置包含存储器单元块和与存储器装置耦合的控制器(例如，与存储器装置通信的控制器、存储器装置的控制器、存储器系统控制器115、本地控制器135)。控制器可配置成使设备确定存储器单元块的第一子块的第一存取错误量，确定存储器单元块的第二子块的第二存取错误量，且至少部分地基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块。
93.在一些实例中，控制器可配置成使设备至少部分地基于第二存取错误量和第一存取错误量之间的差满足阈值而弃用存储器单元块。
94.在一些实例中，控制器可配置成使设备至少部分地基于第一存取错误量满足第一阈值且第二存取错误量满足第二阈值而弃用存储器单元块。
95.在一些实例中，控制器可配置成使设备至少部分地基于弃用而在只读模式下操作存储器单元块。
96.在一些实例中，为了弃用块或存储器单元，控制器可配置成使设备指示存储器单元块不可用于写入信息，或移除存储器单元块可用于写入的指示，或其组合。
97.在一些实例中，为了弃用块或存储器单元，控制器可配置成使设备将存储于存储器单元块中的信息传送到存储器装置的第二存储器单元块。
98.在一些实例中，控制器可配置成使设备确定与第一存取错误量和第二存取错误量相关联的存储器装置的操作温度，且至少部分地基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果以及操作温度满足温度阈值而弃用存储器单元块。
99.在一些实例中，控制器可配置成使设备至少部分地基于存取存储器单元块而识别不可校正错误、至少部分地基于识别不可校正错误而发起对存储器单元块的读取扫描操作(例如，刷新操作或其一部分，包含读取扫描的媒体管理操作)，且至少部分地基于发起读取扫描操作而确定第一存取错误量和第二存取错误量。
100.在设备的一些实例中，为了确定第一存取错误量，控制器可配置成使设备确定与第一子块的字线相关联的第一错误量，并且为了确定第二存取错误量，控制器可配置成使设备确定与第二子块的字线相关联的第二错误量。
101.在设备的一些实例中，为了确定第一存取错误量，控制器可配置成使设备确定与第一子块相关联的第一错误总量，且为了确定第二存取错误量，控制器可配置成使设备确定与第二子块相关联的第二错误总量。
102.在设备的一些实例中，为了确定第一存取错误量，控制器可配置成使设备确定与读取第一子块的存储器单元相关联的第一不可校正错误量，并且为了确定第二存取错误量，控制器可配置成使设备确定与读取第二子块的存储器单元相关联的第二不可校正错误量。
103.在设备的一些实例中，第一子块和第二子块共用多个位线。
104.描述一种非暂时性计算机可读媒体。非暂时性计算机可读媒体可存储包含指令的代码，所述指令当由电子装置的处理器执行时使电子装置确定电子装置的存储器单元块的第一子块的第一存取错误量、确定存储器单元块的第二子块的第二存取错误量，且至少部分地基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果而弃用存储器单元块。
105.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，用以弃用存储器单元块的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置至少部分地基于第二存取错误量与第一存取错误量之间的差满足阈值而弃用存储器单元块。
106.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，用以弃用存储器单元块的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置至少部分地基于第一存取错误量满足第一阈值且第二存取错误量满足第二阈值而弃用存储器单元块。
107.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置至少部分地基于弃用而在只读模式下操作存储器单元块。
108.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，用以弃用存储器单元块的指令在由电
子装置的处理器执行时可使电子装置指示存储器单元块不可用于写入信息，或移除存储器单元块可用于写入的指示，或其组合。
109.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，用以弃用存储器单元块的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置将存储于存储器单元块中的信息传送到电子装置第二存储器单元块。
110.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置确定与第一存取错误量和所第二存取错误量相关联的电子装置的操作温度，且至少部分地基于第一存取错误量与第二存取错误量之间的比较结果以及操作温度满足温度阈值而弃用存储器单元块。
111.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置至少部分地基于存取存储器单元块而识别不可校正错误、至少部分地基于识别不可校正错误而发起对存储器单元块的读取扫描操作(例如，刷新操作或其一部分，包含读取扫描的媒体管理操作)，且至少部分地基于发起读取扫描操作而确定第一存取错误量和第二存取错误量。
112.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，用以确定第一存取错误量的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置确定与第一子块的字线相关联的第一错误量，且用以确定第二存取错误量的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置确定与第二子块的字线相关联的第二错误量。
113.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，用以确定第一存取错误量的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置确定与第一子块相关联的第一错误总量，且用以确定第二存取错误量的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置确定与第二子块相关联的第二错误总量。
114.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，用以确定第一存取错误量的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置确定与读取第一子块的存储器单元相关联的第一不可校正错误量，且用以确定第二存取错误量的指令在由电子装置的处理器执行时可使电子装置确定与读取第二子块的存储器单元相关联的第二不可校正错误量。
115.在非暂时性计算机可读媒体的一些实例中，第一子块和第二子块共用多个存取线(例如，位线)。
116.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
117.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可以在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触、或彼此连接、或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触、或彼此连接、或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管
的一或多个中间组件来中断信号在所连接组件之间流动一段时间。
118.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的情况，在所述开路关系中，信号当前无法经由导电路径在组件之间传送，在所述闭路关系中，信号能够经由导电路径在组件之间传送。如果例如控制器的组件将其它组件耦合在一起，那么组件发起以下改变：允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动。
119.术语“隔离”是指其中信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。举例来说，由位于两个组件之间的开关分隔开的所述组件在开关断开的情况下彼此隔离。如果控制器隔离两个组件，那么控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
120.术语“如果”、“当
……
时”、“基于”，或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当
……
时”、“基于”，或“至少部分地基于”用于描述条件性动作、条件性过程，或过程的部分之间的连接，那么术语可互换。
121.术语“响应于”可以指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不是完全地)发生的一个条件或动作。举例来说，可执行第一条件或动作，并且可作为先前条件或动作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作发生之后)而至少部分地发生第二条件或动作。
122.另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指作为先前条件或动作的直接结果而发生的一个条件或动作。在一些实例中，可执行第一条件或动作，并且可作为与是否发生其它条件或动作无关的先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作。在一些实例中，可执行第一条件或动作，并且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某一其它步骤、动作、事件或条件执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”此种其它条件或动作而执行。
123.本文中论述的装置(包含存储器阵列)可形成于例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。衬底或衬底的子区域的导电性可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质掺杂来控制。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来进行。
124.本文所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，且可包括重掺杂半导体区，例如简并半导体区。源极和漏极可通过轻掺杂半导体区或沟道隔开。如果沟道为n型(即，大部分载流子为电子)，那么fet可被称为n型fet。如果沟道为p型(即，大部分载流子为空穴)，那么fet可被称为p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使沟道具有导电性。如果大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极，那么晶体管可被“接通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的
电压被施加到晶体管栅极，那么晶体管可被“断开”或“撤销激活”。
125.本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或图示”，且不“优选于”或“优于”其它实例。具体实施方式包含具体细节以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。
126.在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着短横和在类似组件之间进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述内容适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任何一个。
127.本文所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传送。其它实例和实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的性质，上述功能可以使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任何一个的组合来实施。实施功能的特征还可在物理上位于各个位置处，包含分布成使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
128.举例来说，结合本文的公开内容所描述的各种说明性块和组件可使用设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如，dsp和微处理器的组合、多个微处理器、与dsp核心结合的一或多个微处理器，或任何其它此类配置)。
129.如本文所使用，包含在权利要求书中，如在项目列表(例如，以例如“...中的至少一个”或“...中的一或多个”的短语开头的项目列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所用，短语“基于”不应被理解为指一组封闭条件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所使用，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式解释。
130.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和包含有助于将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可以是可以由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或例如红外线、无线电及微波等无线技术包含于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以
光学方式再现数据。以上组合还包含在计算机可读媒体的范围内。
131.提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。对于所属领域的技术人员来说，对本公开的各种修改将变得显而易见，并且本文中限定的一般原理可以在不脱离本公开范围的情况下应用于其它变化形式。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是应符合与本文所公开的原理和新颖特征一致的最广泛范围。