一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法与流程

1.本发明属于制造玻璃基板的窑炉运行寿命技术领域，具体涉及一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法。


背景技术：

2.玻璃制品在显示领域一直有着广泛的应用，没有玻璃工业的支撑，显示器件行业的发展是无法想象的，尽管现在有了其它材料可以在部分使用场合替代玻璃材料，但仍然无法替代玻璃的卓越性能，从传统的彩色显象管工业到现在的平板显示行业，玻璃一直作为关键元器件在显示器件中起着关键作用，实际上是整个器件的框架和载体，也是光学元件，作为平板显示器件的上、下两个基板，都需要精细的微观半导体工艺加工制程。
3.基板玻璃在制造过程中要先将玻璃料方在气电混合窑炉内熔融、澄清、均化，为下道工序提供合格均质的玻璃液。窑炉熔融的玻璃液为无碱高铝硼硅酸盐玻璃，此玻璃制品主要为平板显示用基板玻璃。
4.通常情况下制约基板玻璃熔化窑炉寿命的主要因素就是电加热元件氧化锡电极的消耗导致窑炉寿命到期。


技术实现要素：

5.针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法，步骤简单，能够有效计算基板玻璃窑炉寿命和延长板玻璃窑炉的寿命。
6.本发明是通过以下技术方案来实现：
7.1.一种基板玻璃窑炉寿命估算方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.s1：测量基板玻璃产品中氧化锡的含量和基板玻璃料方中氧化锡的含量，通过氧化物元素守恒原理，计算出氧化锡电极消耗量；
9.s2：根据已拆解的线体对剩余氧化锡电极进行称重，结合每对氧化锡电极原始重量及剩余重量计算出基板玻璃窑炉不同位置氧化锡电极的消耗分配占比；
10.s3：将计算出的氧化锡电极消耗量按照占比分配计算出不同位置的氧化锡电极月消耗尺寸，得到寿命估算结果。
11.进一步，所述步骤s1中测量基板玻璃产品中氧化锡的含量采用电子耦合等离子光谱测试方法。
12.进一步，所述氧化锡电极消耗量的方程式为：
13.m1＝m2+m3-3％～5％(m2+m3)；
14.其中m1为基板玻璃产品中氧化锡的含量，m2为基板玻璃料方中氧化锡的含量，m3为氧化锡电极消耗量，3％～5％是基板玻璃产品和基板玻璃料方中的氧化锡的挥发量。
15.进一步，对所述步骤s2计算得到的数值进行存储，形成消耗占比样本库。
16.进一步，所述氧化锡电极采用密度为6.4～6.6g/cm3，长度为610～630mm。
17.一种基板玻璃窑炉寿命延长方法，包括以下步骤：
18.依据窑炉不同位置氧化锡电极的月消耗尺寸制定梯度化推进氧化锡电极长度，得到单位时间内的梯度化氧化锡电极推进长度数据。
19.进一步，在推进氧化锡电极的过程中，使得池壁砖与氧化锡电极砖始终保持平齐的状态。
20.进一步，所述单位时间的选择根据实际氧化锡电极氧化锡的消耗速度，以及推进频次综合确定
21.与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
22.本发明提供一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法，测量基板玻璃产品中氧化锡的含量和基板玻璃料方中氧化锡的含量，通过氧化物元素守恒原理，计算出氧化锡电极消耗量；根据已拆解的线体对剩余氧化锡电极进行称重，结合每对氧化锡电极原始重量及剩余重量计算出基板玻璃窑炉不同位置氧化锡电极的消耗分配占比；将计算出的氧化锡电极消耗量按照占比分配计算出不同位置的氧化锡电极月消耗尺寸，得到寿命估算结果，根据氧化锡电极月消耗尺寸制定单位时间内推进氧化锡电极的长度，实现有效计算基板玻璃窑炉寿命和延长板玻璃窑炉的寿命目的。
附图说明
23.图1为本发明具体实施例中一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法流程图；
24.图2为本发明具体实施例中池壁砖和氧化锡电极的结构主视图；
25.图3为本发明具体实施例中池壁砖和氧化锡电极的结构侧视图。
26.图中：池壁砖1，氧化锡电极2。
具体实施方式
27.下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
28.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
29.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
30.本发明提供一种基板玻璃窑炉寿命估算方法，包括以下步骤：
31.s1：测量基板玻璃产品中氧化锡的含量和基板玻璃料方中氧化锡的含量，通过氧
化物元素守恒原理，计算出氧化锡电极2消耗量；
32.s2：根据已拆解的线体对剩余氧化锡电极2进行称重，结合每对氧化锡电极2原始重量及剩余重量计算出基板玻璃窑炉不同位置氧化锡电极2的消耗分配占比；
33.s3：将计算出的氧化锡电极2消耗量按照占比分配计算出不同位置的氧化锡电极2月消耗尺寸，得到寿命估算结果。
34.具体的，所述步骤s1中测量基板玻璃产品中氧化锡的含量采用电子耦合等离子光谱测试方法，能够准确快速的测量基板玻璃产品中氧化锡的含量。
35.进一步的，本技术中所述氧化锡电极2消耗量的方程式为：
36.m1＝m2+m3-3％～5％(m2+m3)；
37.其中m1为基板玻璃产品中氧化锡的含量，m2为基板玻璃料方中氧化锡的含量，m3为氧化锡电极2消耗量，3％～5％是基板玻璃产品和基板玻璃料方中的氧化锡的挥发量。
38.本发明提供的一种优选实施例为，对所述步骤s2计算得到的数值进行存储，形成消耗占比样本库；具体的，根据已经拆解的线体，对每对氧化锡电极2在不同位置的氧化锡建立消耗占比样本库，其中采样样本数量越多，估算得到的结果精度则越高。
39.具体的，通过已拆解线体建立不同位置每对氧化锡电极2的消耗占比分配，如表1所示：
40.表1不同位置每对氧化锡电极消耗占比
41.线体1#2#3#4#5#6#第1条10.3％13.2％17.5％21％20％18％第2条9.8％13.6％17.6％22％20％17％第n条..................................................
42.本技术中的基板玻璃窑炉的加热方式为气电混合加热方式，其中所述氧化锡电极2采用密度为6.4～6.6g/cm3，长度为610～630mm。
43.本发明提供一种基板玻璃窑炉寿命延长方法，包括以下步骤：
44.依据窑炉不同位置氧化锡电极2的月消耗尺寸制定梯度化推进氧化锡电极2长度，得到单位时间内的梯度化氧化锡电极2推进长度数据。
45.进一步的，在推进氧化锡电极2的过程中，使得池壁砖1与氧化锡电极2砖始终保持平齐的状态。
46.进一步的，所述单位时间的选择根据实际氧化锡电极2氧化锡的消耗速度，以及推进频次综合确定。
47.本发明提供的一种优选实施例为，氧化锡电极2与池壁砖1的相对位置会影响温度及热量的分布，这是由于氧化锡含量的原因造成，建立氧化锡电极2与池壁砖1的四种不同位置的模型进行模拟仿真，仿真结果如表2所示，
48.表2不同氧化锡电极与池壁砖1相对位置温度及热量分布
[0049][0050]
在氧化锡电极2凸出池壁砖120mm和氧化锡电极2与池壁砖1平齐的状态下角度温度及产生的焦耳热最低，对氧化锡电极2及池壁砖1的侵蚀最小，依据此仿真结果确定氧化锡电极2与池壁砖1的最佳相对位置。
[0051]
根据估算出的窑炉不同位置每对氧化锡电极2的月消耗尺寸，制定相应尺寸的氧化锡电极2推进工艺，氧化锡电极2实际推进工艺如表3所示，始终是氧化锡电极2月消耗多少尺寸，月推进多少尺寸，这样就能保证氧化锡电极2砖与池壁砖1始终保持内侧平齐状态，避免氧化锡电极2推进不及时造成氧化锡电极2砖内缩，池壁砖1凸出侵蚀加剧的状态，以此延长基板玻璃窑炉运行寿命。
[0052]
表3氧化锡电极推进工艺
[0053][0054]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的范围。