统计方法和处理装置与流程

1.本发明涉及统计方法和处理装置。


背景技术：

2.例如专利文献1中公开了一种半导体制造装置，其具有：存储单元，其存储表示基片的处理状态的处理日志数据；和显示控制单元，其显示关于处理日志数据的图表。专利文献1的半导体制造装置所具有的显示图表的显示控制装置具有：显示2轴的处理日志数据的图表的2轴图表显示单元；和显示3轴的处理日志数据的图表的3轴图表显示单元。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2014-154827号公报。


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本发明提供使每个处理装置所使用的消耗能量可视化的技术。
8.用于解决问题的技术手段
9.依照本发明的一个方式提供统计方法，其包括：获取日志信息的步骤，所述日志信息包含由处理基片的处理装置所具有的传感器测量出的、所述处理装置使用了的资源消耗的测量值和测量日期时间；将获取到的所述日志信息中包含的所述资源消耗的测量值和所述测量日期时间保存在存储部中的步骤；和参照所述存储部，对指定的统计期间中的所述测量日期时间所对应的所述资源消耗的测量值进行累计，计算每个所述处理装置的所述资源消耗的累计值的步骤。
10.发明效果
11.依照一个方面，使每个处理装置所使用的消耗能量可视化。
附图说明
12.图1是表示实施方式的基片处理装置的一个例子的概略图。
13.图2是表示实施方式的控制部的硬件结构的一个例子的图。
14.图3是表示实施方式的控制部的功能结构的一个例子的图。
15.图4是表示实施方式的信息收集方法st1的一个例子的流程图。
16.图5是表示实施方式的统计方法st2的一个例子的流程图。
17.图6是表示统计期间的输入画面的一个例子的图。
18.图7是表示实施方式的统计方法st2的统计结果的一个例子的图。
19.图8是实施方式的统计方法st2的统计结果的显示例。
20.图9是实施方式的统计方法st2的统计结果的显示例。
21.图10是表示实施方式的基片处理系统的一个例子的概略图。
22.附图标记说明
[0023]1ꢀꢀ
基片处理装置
[0024]2ꢀꢀ
气体供给部
[0025]
10
ꢀꢀ
处理容器
[0026]
20
ꢀꢀ
气体配管
[0027]
28、29
ꢀꢀ
喷射器
[0028]
30
ꢀꢀ
排气部
[0029]
40
ꢀꢀ
加热部
[0030]
50
ꢀꢀ
冷却部
[0031]
60
ꢀꢀ
温度传感器
[0032]
100
ꢀꢀ
控制部
具体实施方式
[0033]
以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。在各附图中，存在对相同构成部分标注相同的附图标记并省略重复的说明的情况。
[0034]
[基片处理装置]
[0035]
首先，参照图1，对本发明的实施方式的基片处理装置的一个例子进行说明。图1是表示实施方式的基片处理装置1的一个例子的概略图。基片处理装置1是能够将装置自身所使用的资源消耗可视化的处理装置的一个例子。基片处理装置1具有处理容器10、气体供给部2、排气部30、加热部40、冷却部50、温度传感器60和控制部100。
[0036]
处理容器10具备大致圆筒形状。处理容器10包含内筒11、外筒12、复式接头13、喷射器28、29、气体出口15和盖体16。
[0037]
内筒11具有大致圆筒形状。内筒11例如由石英等耐热材料形成。内筒11也称为内管。外筒12具备有顶的大致圆筒形状，同心地设置于内筒11的周围。即，由内筒11和外筒12构成双重筒结构。外筒12例如由石英等耐热材料形成。外筒12也称为外管。
[0038]
复式接头13具有大致圆筒形状。复式接头13支承内筒11和外筒12的下端。复式接头13例如由不锈钢形成。
[0039]
喷射器28、29贯通复式接头13而在内筒11内水平地延伸，在内筒11内以l字状弯曲地向上方延伸。喷射器28、29的根端与气体配管20连接。喷射器28、29具有向内筒11的中央开口的多个气体孔28a、29a。从喷射器28、29供给的气体例如包含成膜气体、清洁气体等的处理气体、非活性气体。
[0040]
气体供给部2包含气体源21、气体供给管线14、流量控制器25和气体配管20。气体源21为气体的供给源，例如可以包含成膜气体源、清洁气体源、非活性气体源。
[0041]
气体源21经由气体供给管线14与流量控制器25连接。在气体供给管线14设置有开闭阀23。控制气体从气体源21的供给和供给停止。流量控制器25将从气体源21供给的气体控制为规定流量，流向气体配管20。流量控制器25例如为质量流量控制器。
[0042]
在气体配管20，在喷射器28、29侧设置有开闭阀27，在流量控制器25侧设置有开闭阀26。通过开闭阀26、27的阀体的开闭，控制各种气体的供给/供给停止和气体的切换。
[0043]
从气体源21输出的气体，经由气体配管20从喷射器28、29所具有的气体孔28a、29a
在水平方向上被释放到处理容器10内的反应区域即内筒11内。
[0044]
气体出口15形成于复式接头13。在气体出口15连接有排气配管32。供给到处理容器10内的处理气体经由气体出口15被排气部30排气。
[0045]
排气部30包含排气装置31、排气配管32和压力控制器33。排气装置31例如为干式泵、涡轮分子泵等真空泵。排气配管32将气体出口15与排气装置31连接。压力控制器33插设于排气配管32，通过调节排气配管32的流动性来控制处理容器10内的压力。压力控制器33例如为自动压力控制阀。
[0046]
盖体16气密地封闭复式接头13的下端的开口。盖体16例如由不锈钢形成。在盖体16上经由保温筒17载置有晶片舟皿18。保温筒17和晶片舟皿18例如由石英等耐热材料形成。晶片舟皿18将多个晶片w在铅垂方向上隔开规定间隔地保持为大致水平。晶片舟皿18通过升降机构19使盖体16上升而被送入(装载)处理容器10内，收纳在处理容器10内。晶片舟皿18通过升降机构19使盖体16下降而从处理容器10内被送出(卸载)。
[0047]
加热部40包含隔热材料41、发热体42和外壳43。隔热材料41具有大致圆筒形状，设置于外筒12的周围。隔热材料41以氧化硅和氧化铝为主成分而形成。发热体42呈线状，呈螺旋状或者曲折状设置于隔热材料41的内周。外壳43以覆盖隔热材料41的外周的方式设置。外壳43保持隔热材料41的形状并且加强隔热材料41。外壳43由不锈钢等金属形成。此外，为了抑制加热部40对外部的热影响，也可以在外壳43的外周设置水冷夹套(未图示)。该加热部40通过发热体42发热，来对处理容器10内进行加热。
[0048]
冷却部50向处理容器10供给冷却流体，对处理容器10内的晶片w进行冷却。冷却流体例如可以是空气。冷却部50例如在热处理之后使晶片w快速降温时向处理容器10供给冷却流体。此外，冷却部50例如在进行除去处理容器10内的沉积膜以进行清洁时向处理容器10内供给冷却流体。冷却部50具有流体流路51、吹出孔52、分配流路53、流量调节部54、排热口55。
[0049]
流体流路51在隔热材料41与外壳43之间在高度方向上形成有多个。流体流路51例如是在隔热材料41的外侧沿周向形成的流路。
[0050]
吹出孔52从各流体流路51贯通隔热材料41而形成，对外筒12与隔热材料41之间的空间吹出冷却流体。
[0051]
分配流路53设置于外壳43的外部，将冷却流体分配地供给到各流体流路51。流量调节部54插设于分配流路53，调整对流体流路51供给的冷却流体的流量。
[0052]
排热口55设置于多个吹出孔52的上方，将供给到外筒12与隔热材料41之间的空间的冷却流体排出到基片处理装置1的外部。排出到基片处理装置1的外部的冷却流体例如由热交换器冷却后再次被供给到分配流路53。但是，被排出到基片处理装置1的外部的冷却流体也可以不再次被利用而被排出。
[0053]
温度传感器60检测处理容器10内的温度。温度传感器60例如在内筒11内在高度方向上以均等的间隔设置多个，检测内筒11内的多个高度的温度。
[0054]
基片处理装置1具有各种传感器。作为基片处理装置1所具有的传感器，能够举出温度传感器60、流量控制器25。流量控制器25监视并调节从气体源21供给的气体的流量。
[0055]
[控制部]
[0056]
控制部100控制基片处理装置1的工作。控制部100例如为计算机。以下，对控制部
100的硬件结构和功能结构进行说明。
[0057]
(硬件结构)
[0058]
下面，参照图2，对实施方式的控制部100的硬件结构的一个例子进行说明。控制部100具有cpu(central processing unit：中央处理器)101、rom(read only memory：只读存储器)102、ram(random access memory：随机存取存储器)103、i/o端口104、操作面板105、hdd106(hard disk drive：硬盘驱动器)。各部通过总线b连接。
[0059]
cpu101基于被读入ram103的各种程序和规定成膜处理、清洁处理等处理的步骤的信息即处理方案，控制基片处理装置1的各种工作和成膜处理、清洁处理等处理。程序中包含执行信息收集方法的程序和执行统计方法的程序。cpu101基于被读入ram103的这些程序，执行信息收集方法和统计方法。
[0060]
rom102由eeprom(electrically erasable programmable rom：电可擦可编程只读存储器)、闪存、硬盘等构成，是存储cpu101的程序、方案等的存储介质。ram103作为cpu101的工作区域等发挥功能。
[0061]
i/o端口104从安装于基片处理装置的各种传感器获取检测温度、压力、气体流量等的各种传感器的值，并发送到cpu101。此外，i/o端口104向基片处理装置1的各部输出cpu101所输出的控制信号。此外，i/o端口104与供操作者(用户)操作基片处理装置1的操作面板105连接。
[0062]
hdd106为辅助存储装置，也可以包含处理方案、程序等。此外，hdd106中也可以保存各种传感器测量出的测量值的日志信息。
[0063]
(功能结构)
[0064]
下面，参照图3，对实施方式的控制部100的功能结构的一个例子进行说明。控制部100具有处理执行部111、信息收集部112、运算部113、操作接收部114、显示控制部115和存储部116。
[0065]
处理执行部111控制由基片处理装置1执行的成膜处理、清洁处理等处理的执行。信息收集部112获取包含由基片处理装置1所具有的各种传感器测量出的测量值和测量日期时间的日志信息。信息收集部112获取从开始执行处理方案起至执行结束为止所收集的日志信息。例如，在成膜处理时，日志信息中包含在基片处理装置1中将基片送入(装载)、收纳在处理容器10内并进行成膜后，至将基片送出(卸载)为止所使用的资源消耗的测量值。例如，在清洁处理时，日志信息中包含在基片处理装置1中至清洁完成为止所使用的资源消耗的测量值。在本说明书中“资源消耗”是指基片处理装置1中所使用的气体(处理气体、非活性气体吹扫气体等)、冷却水等热交换介质、电功率(加热器电功率、rf电功率、dc电功率、排气电功率等)、压缩空气等在基片处理装置1中消耗的能量(消耗能量)。
[0066]
信息收集部112将获取到的日志信息中包含的资源消耗的测量值与测量日期时间相关联地保存在存储部116的测量值数据库117。例如，信息收集部112将日志信息中包含的气体流量、冷却水等热交换介质的流量、各种电功率量、压缩空气的流量等在基片处理装置1中消耗的能量的测量值与测量日期时间相关联地保存在测量值数据库117。
[0067]
另外，信息收集部112获取包含基片处理装置1执行的基片处理等各种处理中使用的已处理晶片的个数和处理日期时间的日志信息。信息收集部112将获取到的日志信息中包含的已处理晶片的个数与处理日期时间相关联地存储在测量值数据库117中。已处理晶
片包含产品晶片、监视晶片、仿真晶片等各种晶片。产品晶片是在晶片上制造半导体装置的基片的一个例子。监视晶片需要在处理间进行调整时所使用的晶片，仿真晶片是测试晶片。产品晶片比监视晶片和仿真晶片价格高，各种晶片的价格存储于存储部116的单价表118。而且，在单价表118中，包含各种气体的单价、冷却水的单价和加热器电功率量的单价等。
[0068]
信息收集部112可以将日志信息保存在控制部100的内部存储器(ram103等)，也可以经由网络保存在与控制部100连接的外部存储器。外部存储器例如可以是由云服务提供的存储器(云上的存储器)。
[0069]
运算部113参照存储部116的测量值数据库117，将在指定的统计期间的测量日期时间所使用的资源消耗的测量值进行累计，计算每个基片处理装置1的统计期间的资源消耗的累计值。而且，运算部113也可以参照存储部116的单价表118，根据统计期间的资源消耗的累计值和各资源消耗的单价来计算在统计期间所使用的资源消耗的费用(金额)。此外，运算部113也可以参照测量值数据库117，计算在统计期间的处理日期时间所使用的已处理晶片的个数的累计值。运算部113也可以基于在统计期间所使用的资源消耗的费用和已处理产品晶片的个数的累计值，计算统计期间的每个已处理产品晶片的费用(以下，也称为每个晶片的费用。)。由运算部113得到的统计结果保存在存储部116的统计表119中。
[0070]
操作接收部114接收用户操作。操作接收部114将用户为了要求显示统计结果而进行的操作所选择的统计期间，决定为指定的统计期间。但是，操作接收部114也可以自动地决定所指定的统计期间。
[0071]
显示控制部115是表示统计结果，即在指定的统计期间所使用的资源消耗的累计值。显示控制部115也可以显示将指定的统计期间分为若干小期间而在每个小期间所使用的资源消耗的累计值。显示控制部115也可以显示指定的统计期间的每个晶片的费用。这些信息能够以图表或者表格的方式进行显示。由此，能够将指定的统计期间的每个基片处理装置1的消耗能量和费用可视化，并提供给用户。
[0072]
另外，处理执行部111、运算部113和显示控制部115的功能通过cpu501执行从hdd106展开到ram103的程序来实现。信息收集部112和操作接收部114的功能由i/o端口104和操作面板105实现。存储部116由rom102、ram103、hdd106或者外部存储装置时实现。
[0073]
[信息收集方法]
[0074]
下面，参照图4的表示信息收集方法st1的一个例子的流程图，对实施方式的信息收集方法st1的一个例子进行说明。本处理主要由控制部100的信息收集部112执行。
[0075]
当本处理开始时，信息收集部112判断处理执行部111是否开始进行处理(步骤s1)。当处理执行部111按照处理方案指示处理开始时，晶片舟皿18通过升降机构19使盖体16上升而被送入(装载)处理容器10内，收纳在处理容器10内。此外，对处理容器10内供给各种气体、冷却水、加热器电功率等。
[0076]
信息收集部112从处理开始起开始收集基片处理装置1所具有的各种传感器的测量值的日志信息(步骤s2)。作为所收集的测量值的一个例子，能够举出处理气体流量、n2气体流量、冷却水总流量、加热器电功率量。n2气体流量中包含在基片处理装置1的处理容器10内使用的吹扫气体和在装载锁定室(未图示)使用的吹扫气体。连同测量值一起，收集测量日期时间。测量日期时间可以是各种传感器测量到测量值的日期时间，也可以是信息收集部112获取各种传感器测量出的测量值的日期时间。此外，测量日期时间可以是年月日的
信息，也可以除了年月日之外还包含时间的信息。
[0077]
信息收集部112可以收集在基片处理装置1中使用了的已处理晶片的个数。即，收集的日志信息可以包含已处理晶片的个数。已处理晶片的个数包含产品晶片的个数、监视晶片的个数、仿真晶片的个数。连同已处理晶片的个数一起，收集处理日期时间。处理日期时间可以是已处理晶片被处理的日期时间，也可以是信息收集部112获取已处理晶片的个数的日期时间。此外，处理日期时间可以是年月日的信息，也可以除了年月日之外还包含时间的信息。
[0078]
信息收集部112判断处理执行部111是否结束处理(步骤s3)。信息收集部112反复执行步骤s2、s3的处理并持续收集测量值，直至判断为处理已结束。当处理执行部111按照处理方案指示处理结束时，晶片舟皿18通过升降机构19使盖体16下降而向处理容器10外送出(卸载)。此外，停止向处理容器10内供给各种气体、冷却水、加热器电功率等。
[0079]
信息收集部112根据处理的结束判断来结束各种传感器的测量值的收集，将所收集的日志信息保存在存储部116的测量值数据库117中(步骤s4)，结束本处理。此外，步骤s4的处理也可以在步骤s2与s3之间进行。
[0080]
由此，各种传感器测量出的测量值与测量日期时间相关联的日志信息117a被积蓄在测量值数据库117中。此外，已处理晶片个数与处理日期时间相关联的日志信息117b被积蓄在测量值数据库117中。
[0081]
[统计方法]
[0082]
下面，参照表示图5的实施方式的统计方法st2的一个例子的流程图，对实施方式的统计方法st2的一个例子进行说明。本处理主要由控制部100的运算部113、操作接收部114和显示控制部115执行。
[0083]
当本处理开始时，操作接收部114判断是否选择了统计期间(步骤s11)。图6表示统计期间的输入画面的一个例子。当根据用户的画面操作选择统计期间的开始日和结束日期时间，操作接收部114判断为选择了统计期间，确定统计期间，运算部113在指定的统计期间中执行统计处理(步骤s12)。此外，在图5中，在步骤s1、s2中进行用户的画面操作之前不开始进行统计处理。然而，并不限于此，运算部113也可以自动地确定统计期间，开始统计处理。
[0084]
运算部113在统计处理中，参照存储于存储部116的测量值数据库117内的日志信息，计算指定的统计期间中的测量日期时间所对应的资源消耗的测量值的累计值。例如，如图6所示，在指定的统计期间为2020年7月18日～2020年8月22日的情况下，运算部113从测量值数据库117提取该统计期间中的测量日期时间所对应的测量值，并将提取出的资源消耗的测量值进行累计。
[0085]
图7的(a)表示将本发明的统计方法st2的统计结果保存而成的统计表119的一个例子。在图7的(a)中，作为资源消耗的种类的一个例子，示出了sih2cl2气体、nh3气体、hf气体、f2气体、n2气体、冷却水总流量、加热器电功率量，将各周的资源消耗的累计值作为各资源消耗的统计结果保存。但是，资源消耗的种类为一个例子，并不限于此。此外，资源消耗的累计值并不限于将指定的统计期间分为小期间，计算各小期间的资源消耗的累计值，也可以计算统计期间的资源消耗的累计值。
[0086]
显示控制部115显示统计结果(步骤s13)。显示控制部115可以自动地显示统计结
果，也可以根据用户的显示要求而在用户终端进行显示。图8是实施方式的统计方法st2的统计结果的显示的一个例子。图8的(a)以棒状图显示图7的(a)的统计表119中保存的每周的统计结果。据此，按统计期间即2020年7月18日～2020年8月22日的每周将由基片处理装置1使用的资源消耗的累计值显示在画面中。由此，基片处理装置1的消耗能量能够可视化，能够对用户提供可容易地掌握每周的消耗能量的推移的环境。此外，由于将资源消耗的每个种类的消耗能量按每周进行显示，因此用户也能够容易地掌握各资源消耗的使用量的推移。
[0087]
图8的(b)将图7的(a)的统计结果按每周以折线图进行表示。各种气体、冷却水、加热器的各资源消耗的每周的累计值的单位和范围(各资源消耗的累计值的最大值与最小值之差)不同。因此，当用户从显示画面选择想要查看详情的资源消耗的种类时，显示控制部115能够将所选择的资源消耗的种类显示为适合于显示的范围的纵轴，而不显示未选择的资源消耗的种类的纵轴范围。
[0088]
接着，运算部113判断是否要求费用显示(步骤s14)。运算部113也可以根据用户按压画面上的费用显示的图标或按钮，而判断为要求费用显示。运算部113在判断为没有要求费用显示的情况下，结束本处理。运算部113在判断为要求费用显示的情况下，当用户要求每个期间的费用显示时行进到步骤s15，当要求每个晶片的费用显示时行进到步骤s16。以下，分为步骤s15和s16分别进行2个种类的费用显示，但不限于此，当要求费用显示时，也可以在画面上自动地显示每个期间的费用和每个晶片的费用这两者。在本发明中，例如，也可以为，当用户选择了图9的(a)的“总结”的标签401时，行进到步骤s15，计算指定的统计期间(图9的期间404)的费用，显示图9的(a)的费用显示的画面。此外，也可以为，当用户选择了图9的(b)的“费用/晶片”的标签402时，行进到步骤s16，计算统计期间的每个晶片的费用，显示图9的(b)的每个产品晶片的费用显示的画面。此外，当选择图9的(a)的“装置画面”的标签403时，显示作为统计对象的基片处理装置1的结构图。此外，当选择了显示数据选择按钮405时，能够显示用户所选择的资源消耗的数据。
[0089]
运算部113根据每个期间的费用显示的要求来计算每个期间的费用。图7的(b)是单价表118的一个例子。运算部113将图7的(a)所示的每周的资源消耗的统计结果乘以单价表118的资源消耗的各单价，计算各资源消耗的每周的费用的总额。在图7的(a)和(b)的例子中，运算部113将各周的sih2cl2气体、nh3气体、hf气体、f2气体、n2气体、冷却水总流量、加热器电功率量的各资源消耗的统计结果乘以sih2cl2气体等的各单价来计算每周的费用的累计值。由此，根据各资源消耗的使用量和各资源消耗的单价将资源消耗的使用量换算为费用，能够进行可视化。图7的(c)是将统计期间分为5周，将每周的资源消耗的使用量换算为费用(金额)的结果保存而得的统计表119的一个例子。即，在统计表119中，除了图7的(a)所示的信息之外，还可以保存图7的(c)的信息。在图7的(c)的例子中，在统计表119中，连同每周的费用一起，存储有晶片(产品晶片、监视晶片、仿真晶片)的每周的处理个数的累计值。
[0090]
图9的(a)使用图7的(a)的各资源消耗的使用量和(b)的各资源消耗的单价计算各资源消耗的费用，将统计期间分为每周，统计每周的基片处理装置1的全部资源消耗的费用的累计值，将所得到的全部资源消耗的费用的累计值按每周用棒状图进行显示。此外，晶片(产品晶片、监视晶片、仿真晶片)的每周的处理个数由折线图显示。图9的(a)的纵轴(左)表
示费用，纵轴(右)表示晶片的处理个数。
[0091]
在图9的(a)中，将图7的(c)所示的统计表119的每周的费用和各种晶片的处理个数的累计值以图表的方式显示。而且，在图9的(a)中，显示作为统计对象的基片处理装置1的每周的运转率。运转率例如可以根据统计期间中的运转时间和空闲时间的比例来计算，也可以通过其他方法来计算。也可以代替图9的(a)的图表，而以图7的(a)和(c)所示的表格方式来显示统计结果。据此，将统计期间即2020年7月18日～2020年8月22日分为每周，将按每个基片处理装置1统计出的每周的费用显示在画面中。由此，将基片处理装置1所使用所谓各周的消耗能量换算为费用的结果，即，使用金额能够可视化，能够容易地掌握每周的费用的推移。
[0092]
由此，能够对用户提供将图8的(a)的图表所示的每个期间的资源消耗的使用量(消耗能量)和图9的(a)的图表所示的每个期间的资源消耗的使用金额(费用)可视化地进行比较的环境。即，通过分为每个期间将基片处理装置1所使用的消耗能量和运行费用可视化，用户能够比较并考量优先费用和基片处理装置1的运转率中的哪一者，能够对用户提供可选择最佳的装置运用的环境。
[0093]
至此，将安装于基片处理装置1的传感器的测量值作为日志信息积蓄在存储部中，但所收集的日志信息中，没有提示可供用户掌握每个基片处理装置1使用何种程度的资源消耗、产生了何种程度的费用的信息。
[0094]
对此，根据本发明的统计方法st2，对指定的统计期间自动地进行规定期间(例如每周、每月、每年等)的资源消耗的使用量的统计和该使用量向费用的换算，并以图表或者表格的方式进行显示。由此，用户基于该统计结果的显示内容，能够容易地掌握全部资源消耗的使用量的推移和费用的推移。此外，能够显示对资源消耗的使用量的每个期间的累计值进行了费用换算时的各个项目的负荷率。例如，在图8的(a)中显示资源消耗的使用量的类型。因此，用户不仅能够容易地掌握全部资源消耗的每周的推移，还能够容易地掌握各资源消耗的每周的推移。
[0095]
运算部113在步骤s14中判断为要求每个晶片的费用显示时，计算每个晶片的费用。运算部113将图7的(a)所示的每周的各资源消耗的累计值乘以各单价来计算每周的费用的累计值。运算部113将计算出的费用的累计值除以存储在图7的(c)的统计表119中的产品晶片的每周的累计个数。由此，能够计算每周的每个晶片的费用。
[0096]
图9的(b)用折线图按每周显示计算出的每个晶片的费用。由此，按统计期间即2020年7月18日～2020年8月22日的每周将每个产品晶片的费用显示在画面中。由此，基片处理装置1所使用的各周的每个产品晶片的费用能够可视化，能够容易地掌握每个产品晶片的费用的推移。但是，不限于每个产品晶片的费用，也可以计算并显示每批次的费用。在执行了步骤s15和步骤s16的处理后，返回步骤s14，当步骤s14中判断为没有显示要求时，结束本处理。
[0097]
另外，在实施方式中，虽然将统计期间分为每周进行了统计，但对于指定的统计期间的统计单位例如能够采用每周、每月、每年等。此外，统计单位可以由用户选择，也可以自动地设定。
[0098]
根据以上说明的统计方法st2，能够显示在每个基片处理装置1的统计期间中使用的资源消耗的累计量和使用量的推移。此外，将资源消耗的使用量的累计量换算为费用，在
每个基片处理装置1的统计期间显示费用和费用的推移。此外，通过显示资源消耗的使用量的类型，不仅能够容易地掌握全部资源消耗的使用量的推移，还能够容易地掌握各资源消耗的使用量的推移。不仅显示全部资源消耗的费用，也可以显示各资源消耗的费用。
[0099]
[基片处理系统]
[0100]
关于本发明的信息收集方法st1和统计方法st2，以由与每个基片处理装置1对应地设置的控制部100执行上述方法为例进行了说明。然而，并不限于此，也可以如图10所示，在将多个基片处理装置1和控制部300经由网络n连接而成的基片处理系统200中，由控制部300执行上述方法。
[0101]
即，在至此为止的说明中，在与设置于各工厂f、g、h
……
的多个基片处理装置1a～1f
……
分别对应地设置的控制部100a～100f
……
中执行了各基片处理装置1a～1f的日志信息的信息收集方法st1和统计方法st2。
[0102]
然而，也可以为，控制部100a～100f
……
执行信息收集方法st1，收集各基片处理装置1a～1f
……
的日志信息，控制部300执行统计方法st2。该情况下，所收集的日志信息从控制部100a～100f
……
被发送到控制部300。控制部300能够对基片处理装置1a～1f
……
的每个装置计算并显示资源消耗的使用量(消耗能量)和费用。
[0103]
由此，能够比较基片处理装置1a～1f
……
的各装置的消耗能量和费用。由此，在执行各种工序的装置(例如，基片处理装置1a执行成膜工序，基片处理装置1b执行蚀刻工序)设置于工厂内的状况下，能够掌握各种基片处理装置1的运转状况。
[0104]
由此，能够在消耗能量方面和费用方面以统一的标准比较各个种类的基片处理装置1的状态。此外，能够在消耗能量方面和费用方面比较同一种类的基片处理装置1的机体差异。此外，控制部300通过以各工厂单位统计消耗能量和费用，能够实现考虑了实际运用的消耗能量和费用的统计和可视化。
[0105]
当前，在追求世界性的环境负荷降低时，通过显示每个基片处理装置1的气体等的资源的消耗能量和每个基片处理装置1的每个晶片或每批次的费用，能够给出环保的进行基片处理装置1的运用的指标。例如，参照费用显示，用户能够比较100％使用加热器的电功率的情况和以更少的电功率量节能运转的情况。由此，用户能够知晓通过运转方法能够何种程度地降低费用、能够何种程度地减轻环境负荷，能够相应地实施用于实现环保的能量使用的装置运用。
[0106]
另外，控制部300基于各工厂的日志信息，能够统计各工厂的消耗能量和费用。例如，n2气体能够以同一工厂内的多个基片处理装置1总体地被供给。由此，控制部300通过统计各工厂单位中消耗能量和费用，能够实现考虑了实际运用的消耗能量和费用的统计和可视化。
[0107]
应当认为，本次公开的实施方式的统计方法和处理装置在所有方面均为例示而并非限定性的。实施方式在不脱离所附的权利要求及其主旨的情况下，能够以各种方式变形和改良。上述多个实施方式中记载的内容能够在不矛盾的范围内加入其他结构，此外，能够在不矛盾的范围内进行组合。
[0108]
本发明的基片处理装置可以为实施规定的处理(例如，成膜处理、蚀刻处理、清洁处理等)的装置，并不限于图1所示的基片处理装置1。此外，本发明的基片处理装置也可以为使用等离子体的装置。