感光装置的制作方法

1.本发明涉及一种感光装置，且特别涉及一种包括透镜的感光装置。


背景技术：

2.屏下指纹感测技术乃是将感光装置配置在电子装置的显示面板的下方。在电子装置检测到使用者接触显示屏幕后，电子装置会控制光源发光以照亮使用者的手指表面。光线会被使用者的手指反射并进入显示面板下方的感光装置，感光装置中的感光元件接收光线并产生信号。在一些感光装置中，通过设置透镜使光线较佳的汇聚在感光元件上。


技术实现要素：

3.本发明提供一种感光装置，能改善透镜形状不均匀的问题与针孔形状不均匀的问题。
4.本发明的至少一实施例提供一种感光装置。感光装置包括第一感光单元、第一准直层、第一透镜以及第一虚设透镜。第一感光单元包括第一感光元件以及第一控制电路。第一控制电路电性连接至第一感光元件。第一准直层位于第一感光元件之上，且具有第一针孔阵列，第一针孔阵列包括第一针孔以及第一虚设针孔。第一透镜阵列位于第一准直层之上，且包括第一透镜与第一虚设透镜。第一透镜在第一方向上重叠于第一感光元件与第一针孔。第一虚设透镜在第一方向上重叠于第一虚设针孔。
5.基于上述，通过第一虚设透镜与第一虚设针孔的设置，能改善透镜形状不均匀的问题与针孔形状不均匀的问题。
附图说明
6.图1a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。
7.图1b是图1a的感光装置的剖面示意图。
8.图2a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。
9.图2b是图2a的感光装置的剖面示意图。
10.图3a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。
11.图3b是图3a的感光装置的剖面示意图。
12.图4a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。
13.图4b是图4a的感光装置的剖面示意图。
14.图5是依照本发明的一实施例的一种感光装置的剖面示意图。
15.图6是依照本发明的一实施例的一种感光装置的剖面示意图。
16.附图标记说明：
17.10,20,30,40,50,60：感光装置
18.100：第一基板
19.110：绝缘层
20.110h,o,o1,o2：开口
21.120：平坦层
22.122：缓冲层
23.130：第一平坦层
24.140：第二平坦层
25.150：第三平坦层
26.210：第一准直层
27.212：第一氧化物层
28.220：第二准直层
29.222：第二氧化物层
30.230：遮光结构
31.232：第三氧化物层
32.a-a’：线
33.be：第一电极
34.cc1：第一控制电路
35.cc2：第二控制电路
36.ch：通道层
37.ch1：第一掺杂区
38.ch2：第二掺杂区
39.ch3：第三掺杂区
40.d：漏极
41.dml1：第一虚设透镜
42.dml2：第二虚设透镜
43.dr1：第一方向
44.dr2：第二方向
45.dr3：第三方向
46.dph1：第一虚设针孔
47.d1,d2：孔径
48.d3：宽度
49.g：栅极
50.gi：栅极绝缘层
51.h1,h2：深度
52.h3,h4：厚度
53.ild：层间介电层
54.ml1：第一透镜
55.ml2：第二透镜
56.ml1a：第一透镜阵列
57.ph1：第一针孔
58.ph2：第二针孔
59.ph1a：第一针孔阵列
60.ps：间隙物
61.psl感光层
62.px1,px2,px3,px4：像素
63.r1,r2：曲率半径
64.s：源极
65.s1：第一侧
66.s2：第二侧
67.se1：第一感光元件
68.se2：第二感光元件
69.su1：第一感光单元
70.su2：第二感光单元
71.t：主动元件
72.te：第二电极
73.tr1：第一沟渠
74.tr2：第二沟渠
75.x1：第一间距
76.x2：第二间距
具体实施方式
77.图1a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。图1b是图1a的感光装置的剖面示意图。感光装置10包括多个像素，而图1a与图1b仅示出了感光装置10的其中一个像素。
78.请参考图1a与图1b，感光装置10包括第一感光单元su1、第一准直层210、第一透镜阵列ml1a。在本实施例中，感光装置10还包括第一基板100、第一平坦层130、第二准直层220、第二平坦层140以及遮光结构230。
79.第一感光单元su1位于第一基板100之上，且包括第一感光元件se1以及第一控制电路cc1。第一感光元件se1可包括任意形式的感光元件。第一控制电路cc1例如包括主动元件或主动元件与被动元件的组合。第一控制电路cc1电性连接至第一感光元件se1。举例来说，第一控制电路cc1中的主动元件电性连接至第一感光元件se1的电极。
80.第一准直层210位于第一感光元件se1之上，且具有第一针孔阵列ph1a。在一些实施例中，第一准直层210的材料包括黑色树脂、黑色金属或其他遮光材料。第一针孔阵列ph1a包括贯穿第一准直层210的第一针孔ph1以及第一虚设针孔dph1。在本实施例中，第一针孔阵列ph1a包括在第二方向dr2与第三方向dr3上排成阵列的第一针孔ph1以及第一虚设针孔dph1。
81.第一针孔ph1在垂直于第一基板100的第一方向dr1上重叠于第一感光元件se1，而第一虚设针孔dph1在第一方向dr1上不重叠于第一感光元件se1。在一些实施例中，第一虚设针孔dph1在第一方向dr1上重叠于第一控制电路cc1。第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1在第二方向dr2上具有相同的第一间距x1，且第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1在第三方向
dr3上具有相同的第二间距x2。第一间距x1与第二间距x2在10微米至30微米的范围内。
82.在一些实施例中，形成第一准直层210的方式包括：形成一遮光材料层，接着于前述遮光材料层的表面形成图案化的光刻胶层，再以前述图案化的光刻胶层为掩模蚀刻前述遮光材料层以形成具有第一针孔阵列ph1a的第一准直层210。
83.在本实施例中，因为要形成第一虚设针孔dph1，前述图案化的光刻胶层不容易出现图形不规律的问题。具体地说，若不需要形成第一虚设针孔dph1，则在形成蚀刻遮光材料层所用的图案化的光刻胶层时，显影液不能均匀的分布于需要设置第一针孔ph1的位置与不需设置第一针孔ph1的位置，进而导致所形成的图案化的光刻胶层的开口形状不一致。在本实施例中，因为要形成第一虚设针孔dph1，蚀刻遮光材料层所用的图案化的光刻胶层不容易出现开口形状不一致的问题，进而使通过前述图案化的光刻胶层所形成的第一针孔阵列ph1a可以有均匀分布的针孔形状与针孔孔径。换句话说，通过第一虚设针孔dph1的设置能改善第一针孔ph1的形状分布不均匀与孔径分布不均匀的问题。
84.在一些实施例中，第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1的孔径d1在2微米至6微米的范围内。在一些实施例中，第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1的深度h1在450埃至850埃的范围内。在一些实施例中，第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1具有相同的孔径d1以及相同的深度h1。在一些实施例中，第一针孔ph1的孔径d1的变异在正负0.2微米以内。
85.在图1a与图1b中，感光装置10的一个像素包括八个第一针孔ph1与八个第一虚设针孔dph1，但本发明不以此为限。第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1的数量与排列方式可以依照实际需求而进行调整。
86.第一平坦层130位于第一准直层210上。在本实施例中，第一平坦层130填入第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1。
87.第二准直层220位于第一准直层210之上。在本实施例中，第二准直层220位于第一平坦层130上，且第一平坦层130位于第一准直层210与第二准直层220之间。第二准直层220具有在第一方向dr1上重叠于第一针孔ph1的第二针孔ph2。第二针孔ph2的孔径d2大于第一针孔ph1的孔径d1。在一些实施例中，第二针孔ph2的孔径d2在3微米至15微米的范围内。在一些实施例中，第二针孔ph2的深度h2在450埃至850埃的范围内。在本实施例中，第二针孔ph2不重叠于第一虚设针孔dph1，且第二准直层220遮蔽第一虚设针孔dph1。
88.在本实施例中，由于第二针孔ph2的孔径d2较第一针孔ph1的孔径d1大，因此，第二准直层220的工艺裕度比第一准直层210大。
89.第二平坦层140位于第二准直层220上。在本实施例中，第二平坦层140填入第二针孔ph2。
90.遮光结构230位于第二平坦层140上。遮光结构230具有在第一方向dr1上重叠于第二针孔ph2、第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1的多个开口o。在一些实施例中，开口o的宽度d3大于第二针孔ph2的孔径d2。
91.在一些实施例中，第二准直层220以及遮光结构230包括与第一准直层210相同的遮光材料，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二准直层220以及遮光结构230包括与第一准直层210不同的遮光材料。
92.第一透镜阵列ml1a位于第一准直层210之上。在本实施例中，第一透镜阵列ml1a位于第二平坦层140上，且设置于遮光结构230的开口o中。在本实施例中，第一透镜阵列ml1a
包括在第二方向dr2与第三方向dr3上排成阵列的第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1，且第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1分别设置于开口o中。
93.第一透镜ml1在第一方向dr1上重叠于第一感光元件se1、第一针孔ph1与第二针孔ph2。第一虚设透镜dml1在第一方向dr1上重叠于第一虚设针孔dph1。第一虚设透镜dml1在第一方向dr1不重叠于第一感光元件se1，且第一虚设透镜dml1在第一方向dr1重叠于第一控制电路cc1。第二准直层220在第一方向dr1上位于第一虚设针孔dph1与第一虚设透镜dml1之间，且遮蔽第一虚设针孔dph1，因此可以避免穿过第一虚设透镜dml1的光线对第一控制电路cc1造成负面影响。
94.第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1在第二方向dr2上具有相同的第一间距x1，且第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1在第三方向dr3上具有相同的第二间距x2。
95.在一些实施例中，形成第一透镜阵列ml1a的方式包括：形成一光刻胶材料层，接着图案化前述光刻胶材料层以形成第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1。
96.在本实施例中，因为要形成第一虚设透镜dml1，第一透镜阵列ml1a不容易出现图形不规律的问题。具体地说，若不需要形成第一虚设透镜dml1，则在形成第一透镜阵列ml1a时，显影液不能均匀的分布在需要设置第一透镜ml1的位置与不需设置第一透镜ml1的位置，进而导致所形成的第一透镜ml1的透镜形状不一致，例如部分第一透镜ml1的表面不够圆。在本实施例中，因为要形成第一虚设透镜dml1，第一透镜阵列ml1a可以有均匀分布的透镜形状与透镜厚度。换句话说，通过第一虚设透镜dml1的设置能改善第一透镜ml1的形状与厚度分布不均匀的问题。在一些实施例中，第一透镜ml1的曲率半径r1的变异在正负0.2微米以内，第一透镜ml1的宽度的变异在正负0.6微米以内，且第一透镜ml1的厚度h3的变异在正负10％的厚度h3以内。
97.在一些实施例中，第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1的曲率半径r1在7微米至25微米的范围内。在一些实施例中，第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1的厚度h3在2微米至6微米的范围内。在一些实施例中，第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1具有相同的曲率半径r1、相同的厚度h3以及相同的材质。
98.图2a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。图2b是图2a的感光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图2a和图2b的实施例沿用图1a和图1b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
99.图2a与图2b的感光装置20和图1a与图1b的感光装置10的主要差异在于：感光装置20的第一平坦层130具有第一沟渠tr1。
100.请参考图2a与图2b，第一平坦层130位于第一准直层210与第二准直层220之间。第一平坦层130具有第一沟槽tr1，且第二准直层220填入第一沟槽tr1中，并接触第一准直层210。第一沟槽tr1适用于将第一平坦层130分成不同的区域，以避免形成第一平坦层130时所产生的应力造成感光装置20弯曲。
101.在一些实施例中，第一平坦层130的第一沟槽tr1重叠于第一虚设针孔dph1，且第二准直层220填入第一虚设针孔dph1中，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一平坦层130的第一沟槽tr1不重叠于第一虚设针孔dph1。在一些实施例中，第一沟槽tr1的宽度在6微米至10微米的范围内。
102.图3a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。图3b是图3a的感光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图3a和图3b的实施例沿用图2a和图2b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。感光装置30包括多个像素，而图3a与图3b仅示出了感光装置30的其中两个像素px1,px2。
103.图3a与图3b的感光装置30和图2a与图2b的感光装置20的主要差异在于：感光装置30的第二平坦层140具有第二沟渠tr2。
104.在本实施例中，感光装置30包括第一感光单元su1与第二感光单元su2。第一感光单元su1与第二感光单元su2分别位于像素px1与像素px2中。第一感光单元su1与第二感光单元su2位于第一基板100之上。第一感光单元su1包括第一感光元件se1以及电性连接至第一感光元件se1的第一控制电路cc1。第二感光单元su2包括第二感光元件se2以及电性连接至第二感光元件se2的第二控制电路cc2。
105.在本实施例中，部分第一透镜ml1在第一方向dr1上重叠于第一感光元件se1与部分第一针孔ph1，另一部分第一透镜ml1在第一方向dr1重叠于第二感光元件se2与另一部分第一针孔ph1。第一虚设透镜dml1在第一方向dr1上分别重叠于对应的第一虚设针孔dph1，且不重叠于第一感光元件se1与第二感光元件se2。
106.第二平坦层140位于第二准直层220上。第二平坦层140具有第二沟槽tr2。第二沟槽tr2适用于将第二平坦层140分成不同的区域，以避免形成第一平坦层140时所产生的应力造成感光装置30弯曲。在一些实施例中，遮光结构230填入第二沟槽tr2中，并接触第二准直层220。
107.在本实施例中，第二平坦层140的第二沟槽tr2与第一平坦层130的第一沟槽tr1分别设置于不同的像素中。在本实施例中，第二平坦层140的第二沟槽tr2重叠于第二感光单元su2，且第一平坦层130的第一沟槽tr1重叠于第一感光单元su1。在一些实施例中，第一沟槽tr1的宽度与第二沟槽tr2的宽度在6微米至10微米的范围内。
108.在本实施例中，感光装置30还包括第三平坦层150。第三平坦层150位于遮光结构230上。第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1位于第三平坦层150上。第一透镜ml1在第一方向dr1上重叠于遮光结构230的开口o，且开口o在第一方向dr1上不重叠于第一虚设针孔dph1。在一些实施例中，第一虚设透镜dml1在第一方向dr1上不重叠于遮光结构230的开口o，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一虚设透镜dml1与第一透镜ml1在第一方向dr1上分别重叠于遮光结构230的开口o。
109.图4a是依照本发明的一实施例的一种感光装置的俯视图。图4b是图4a的感光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图4a和图4b的实施例沿用图3a和图3b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。感光装置40包括多个像素，而图4a示出了感光装置40的其中四个像素px1,px2,px3,px4。
110.图4a与图4b的感光装置40和图3a与图3b的感光装置30的主要差异在于：感光装置40还包括第二基板300与间隙物ps，且第一透镜阵列ml1a设置于第二基板300上。
111.请参考图4a与图4b，感光装置40还包括第二基板300、滤光元件312、滤光元件314以及遮光结构410。
112.第二基板300相对于第一基板100设置。滤光元件312、滤光元件314以及遮光结构410设置于第二基板300上。滤光元件312以及滤光元件314分别设置于像素px2与像素px1中。在一些实施例中，滤光元件312以及滤光元件314包括不同颜色的滤光元件。在图4b中，像素px2与像素px1中设置有滤光元件312以及滤光元件314，然而，并非代表感光装置40的每个像素中皆必须设有滤光元件。具体地说，感光装置40可以于每个像素中设置滤光元件，也可以仅于部分像素中设置滤光元件。
113.遮光结构410设置于滤光元件312以及滤光元件314上，且具有在第一方向dr1上重叠于第二针孔ph2、第一针孔ph1与第一虚设针孔dph1的多个开口o。
114.在本实施例中，第一透镜阵列ml1a位于滤光元件312以及滤光元件314上，且设置于遮光结构410的开口o中。在本实施例中，第一透镜阵列ml1a包括在第二方向dr2与第三方向dr3上排成阵列的第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1，且第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1分别设置于开口o中。滤光元件312以及滤光元件314位于第二基板300与第一透镜ml1之间以及第二基板300与第一虚设透镜dml1之间。
115.在本实施例中，第一基板100与第二基板300之间具有间隙gp。间隙gp具有靠近第一基板100的第一侧s1以及靠近第二基板300的第二侧s2。第一感光元件se1与第二感光元件se2位于间隙gp的第一侧s1与第一基板100之间。第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1位于间隙gp的第二侧s2。在一些实施例中，间隙gp包括空气。在一些实施例中，间隙gp中的空气处于低真空状态。
116.间隙物ps位于第一基板100与第二基板300之间。第一虚设透镜dml1接触间隙物ps的顶面，且第一透镜ml1不接触间隙物ps的顶面。
117.图5是依照本发明的一实施例的一种感光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图4a和图4b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。感光装置50包括多个像素，而图5仅示出了感光装置50的其中两个像素px1,px2。
118.图5的感光装置50和图4a与图4b的感光装置40的主要差异在于：感光装置50还包括第二透镜阵列ml2a。
119.请参考图5，第二透镜阵列ml2a位于第一准直层210之上。在本实施例中，第二透镜阵列ml2a设置于第二准直层220上。在本实施例中，第二透镜阵列ml2a包括在第二方向dr2与第三方向dr3(请参考图4a)上排成阵列的第二透镜ml2与第二虚设透镜dml2。在一些实施例中，第二透镜ml2填入第二准直层220的第二针孔ph2。
120.第一透镜ml1与第二透镜ml2在第一方向dr1上重叠于第一感光元件se1、第二感光元件se2、第一针孔ph1与第二针孔ph2。第二虚设透镜dml2在第一方向dr1上重叠于第一虚设针孔dph1与第一虚设透镜dml1。第一虚设透镜dml1与第二虚设透镜dml2在第一方向dr1不重叠于第一感光元件se1与第二感光元件se2，且第一虚设透镜dml1与第二虚设透镜dml2在第一方向dr1重叠于第一控制电路cc1与第二控制电路cc2。第二准直层220在第一方向dr1上位于第一虚设针孔dph1与第一虚设透镜dml1之间以及第一虚设针孔dph1与第二虚设透镜dml2之间，且遮蔽第一虚设针孔dph1，因此可以避免穿过第一虚设透镜dml1与第二虚设透镜dml2的光线对第一控制电路cc1与第二控制电路cc2造成负面影响。
121.第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1在第二方向dr2(请参考图4a)上具有相同的第一间距x1，且第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1在第三方向dr3(请参考图4a)上具有相同的第二间距x2。类似地，第二透镜ml2与第二虚设透镜dml2在第二方向dr2上具有相同的第一间距x1，且第二透镜ml2与第二虚设透镜dml2在第三方向dr3上具有相同的第二间距x2。
122.在一些实施例中，形成第一透镜阵列ml1a与第二透镜阵列ml2a的方式皆包括：形成一光刻胶材料层，接着图案化前述光刻胶材料层以形成透镜与虚设透镜。在本实施例中，第一透镜阵列ml1a与第二透镜阵列ml2a分别形成于第二基板300上方与第一基板100上方。接着再将第一基板100与第二基板300组合在一起。
123.在本实施例中，通过第一虚设透镜dml1与第二虚设透镜dml2的设置能改善第一透镜ml1与第二透镜ml2的形状与厚度分布不均匀的问题。
124.在一些实施例中，第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1的曲率半径r1以及第二透镜ml2与第二虚设透镜dml2的曲率半径r2在7微米至25微米的范围内。在一些实施例中，第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1的厚度h3以及第二透镜ml2与第二虚设透镜dml2的厚度h4在2微米至6微米的范围内。在一些实施例中，曲率半径r1与曲率半径r2相同或不同，厚度h3与厚度h4相同或不同，且第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1的材质相同或不同于第二透镜ml2与第二虚设透镜dml2的材质。
125.第一透镜ml1与第一虚设透镜dml1位于间隙gp靠近第二基板300的第二侧s2，而第二透镜ml2与第二虚设透镜dml2位于间隙gp靠近第一基板100的第一侧s1。第二透镜ml2在第一方向dr1上重叠于第一透镜ml1，且第二虚设透镜dml2在第一方向dr1上重叠于第一虚设透镜dml1。通过重叠设置的第一透镜ml1与第二透镜ml2，光线可以更好的聚焦于第一感光元件se1与第二感光元件se2。
126.在本实施例中，间隙物ps位于第一基板100与第二基板300之间。第一虚设透镜dml1接触间隙物ps的顶面，且间隙物ps包覆第二虚设透镜dml2。
127.图6是依照本发明的一实施例的一种感光装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图1a和图1b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
128.请参考图6，在本实施例中，感光装置60包括第一感光单元su1、第一准直层210、第一透镜阵列ml1a。在本实施例中，感光装置10还包括第一基板100、第一平坦层130、第二准直层220、第二平坦层140、遮光结构230、第三平坦层150、第一氧化物层212、第二氧化物层222以及第三氧化物层232。
129.第一感光单元su1位于第一基板100之上，且包括第一感光元件se1以及第一控制电路cc1。在本实施例中，第一控制电路cc1包括主动元件t。主动元件t包括栅极g、通道层ch、源极s以及漏极d。
130.通道层ch位于第一基板100之上，且包括第一掺杂区ch1、第二掺杂区ch2以及第三掺杂区ch3，其中第一掺杂区ch1、第二掺杂区ch2以及第三掺杂区ch3例如包括不同的掺杂浓度。第二掺杂区ch2位于第一掺杂区ch1以及第三掺杂区ch3之间。栅极g重叠于第三掺杂区ch3，且栅极绝缘层gi位于栅极g与通道层ch之间。层间介电层ild位于栅极g与栅极绝缘层gi上。源极s以及漏极d位于层间介电层ild上，且源极s以及漏极d电性连接至第一掺杂区
ch1。
131.在一些实施例中，通道层ch为单层或多层结构，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物或是其他合适的材料、或上述材料的组合)或其他合适的材料或上述材料的组合。在一些实施例中，栅极g、源极s以及漏极d的材料包含铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金或其他导电材料。在本实施例中，主动元件t为顶部栅极型薄膜晶体管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件t为底部栅极型薄膜晶体管、双栅极型薄膜晶体管或其他类型的薄膜晶体管。
132.第一感光元件se1包括第一电极be、感光层psl以及第二电极te。第一电极be电性连接至主动元件t的漏极d。在本实施例中，第一电极be与漏极d属于相同膜层，且第一电极be与漏极d一体成形，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一电极be与漏极d属于不同膜层。
133.感光层psl位于第一电极be之上。举例来说，感光层psl直接形成于第一电极be上。在一些实施例中，感光层psl包括半导体堆叠层，例如包括p型半导体、本质半导体以及n型半导体的堆叠层。在其他实施例中，感光层psl的材质包括富硅氧化硅层、富硅氮化硅层、富硅氮氧化硅层、富硅碳化硅层、富硅碳氧化硅层、氢化富硅氧化硅层、氢化富硅氮化硅层、氢化富硅碳化硅层、氢化非晶硅、氢化微晶硅、氢化多晶硅或其组合或其他感光材料。
134.第二电极te位于感光层psl上。举例来说，第二电极te直接形成于感光层psl上。在本实施例中，绝缘层110位于层间介电层ild、感光层psl以及第一电极be上，且第二电极te通过绝缘层110中的开口110h而连接感光层psl。在本实施例中，开口110h在第一方向dr1上重叠于第一针孔ph1。在一些实施例中，第二电极te包括透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物或上述至少二者的堆叠层或其他导电材料。
135.平坦层120位于第二电极te上。缓冲层122位于平坦层120上。第一准直层210位于缓冲层122上。第一氧化物层212位于第一准直层210的表面。第一针孔ph1以及第一虚设针孔dph1贯穿第一准直层210与第一氧化物层212。第一平坦层130位于第一氧化物层212上。第二准直层220位于第一平坦层130上。第二氧化物层222位于第二准直层220的表面。第二针孔ph2贯穿第二准直层220与第二氧化物层222。第二平坦层140位于第二氧化物层222上。遮光结构230位于第二平坦层140上。第三氧化物层232位于遮光结构230的表面。开口o贯穿遮光结构230与第三氧化物层232。第三平坦层150位于第三氧化物层232上。第一透镜阵列ml1a位于第三平坦层150上，且对应于开口o设置。
136.在本实施例中，通过第一虚设透镜dml1的设置能改善第一透镜ml1的形状与厚度分布不均匀的问题。