自适应的寄生电容查找表生成方法、装置和系统与流程

1.本技术涉及集成电路技术领域，特别是涉及自适应的寄生电容查找表生成方法、装置和系统。


背景技术：

2.在集成电路的版图验证中，一个重要的环节是对于导体的寄生电容的提取。当前的电子设计自动化(eda,electronic design automation)软件中，在版图签核(sign off)阶段，一般采用模式匹配(pattern match)作为寄生电容抽取工具。模式匹配是指根据版图设计中抽象出的图形与寄生电容查找表中的电路模板进行匹配得到寄生电容的过程，如果抽象出的图形与寄生电容查找表中的电路模板的尺寸不同，则采用相邻采样点插值的方法。
3.当前模式匹配作为寄生电容抽取工具的相关技术中，电路模板的尺寸全部使用固定采样点，从而制作出用于晶圆厂指定工艺提取寄生电容时，通过模式匹配得到的寄生电容查找表。由于对于所有晶圆厂工艺使用固定相同的一套采样点，现有的固定采样点制作寄生电容查找表的技术方案使得每次工艺变化时，无法针对新的工艺使用适合该工艺的采样点生成模式匹配使用的寄生电容查找表，因而导致在新工艺下电容提取精度变低。
4.针对相关技术中存在固定采样点提取寄生电容生成寄生电容查找表的精度低，与新工艺不适配的问题，目前还没有提出有效的解决方案。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种自适应的寄生电容查找表生成方法、装置和系统，以解决相关技术中固定采样点提取寄生电容生成寄生电容查找表的精度低，与新工艺不适配的问题。
6.第一个方面，本技术提供了一种自适应的寄生电容查找表生成方法，包括：
7.获取电路模板，根据所述电路模板和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，并根据每个所述第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量；
8.在所述第一电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据所述第一采样点生成目标采样点集合，并根据所述目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
9.进一步地，在所述根据每个所述第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量之后，还包括：
10.在所述第一电容变化量大于所述电容变化量区间的最大电容变化量的情况下，根据所述第一电容变化量对应的相邻两个第一采样点确定第二采样点得到第一初始采样点，并根据第一初始采样点对应的第二电容分量确定相邻两个第一初始采样点间的第二电容变化量；其中，所述第一初始采样点包括所述第一采样点和所述第二采样点；
11.在所述第二电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据所述第一初始采样点生成所述目标采样点集合，并根据所述目标采样点集合生成对应的寄生电容查找
表。
12.进一步地，所述根据所述第一电容变化量对应的相邻两个第一采样点确定第二采样点，包括：
13.根据二分法或随机步长法确定采样步长，或者，获取预设的采样步长；
14.根据所述采样步长和工艺文件对所述第一采样点进行采样计算，生成所述第二采样点。
15.进一步地，所述根据第一初始采样点对应的第二电容分量确定相邻两个第一初始采样点间的第二电容变化量之后，还包括：
16.在所述第二电容变化量大于所述最大电容变化量的情况下，根据所述第一采样点确定第一当前采样点，并根据所述第一当前采样点确定相邻两个第一当前采样点间的第一当前电容变化量；
17.重复上述步骤，直至所有第一当前电容变化量位于所述电容变化量区间内，根据所述第一当前采样点得到所述目标采样点集合，并根据所述目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
18.进一步地，在所述根据每个所述第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量之后，还包括：
19.在相邻的两个所述第一电容变化量均小于所述电容变化量区间的最小电容变化量的情况下，去掉两个所述第一电容变化量对应的三个所述第一采样点的中间第一采样点，得到第二初始采样点；
20.根据每个第二初始采样点对应的第三电容分量确定相邻两个第二初始采样点间的第三电容变化量；
21.在所述第三电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据所述第二初始采样点生成目标采样点集合，并根据所述目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
22.进一步地，所述根据所述工艺文件和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，包括：
23.获取预设的固定步长，并获取预设的特征尺寸阈值和预设的电容分量阈值；
24.针对所述电路模板，根据工艺文件、所述特征尺寸阈值以所述固定步长取样确定针对所述电路模板的至少一个固定采样点，并提取所述固定采样点对应的固定电容分量；
25.重复上述步骤，直至所述固定电容分量小于所述电容分量阈值的情况下，根据所有所述固定采样点得到所述第一采样点。
26.第二个方面，本技术提供了又一种自适应的寄生电容查找表生成方法，包括：
27.获取电路模板，根据所述电路模板和预先设定的电容分量阈值确定至少一个第一采样点，并根据每个所述第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量；
28.根据所述第一电容变化量得到最大第一电容变化量；
29.在所述最大第一电容变化量位于预设的电容变化量区间内的情况下，根据所述第一采样点生成目标采样点集合，并提取所述目标采样点集合中的所有目标采样点的寄生电容。
30.进一步地，在所述根据所述第一电容变化量得到最大第一电容变化量之后，还包
括：
31.在所述最大第一电容变化量大于预设的电容变化量区间中的最大电容变化量的情况下，根据工艺文件和预先设定的电容分量阈值确定第二当前采样点，并根据每个所述第二当前采样点确定相邻两个第二当前采样点间的第二当前电容变化量；
32.根据所述第二当前电容变化量得到最大第二当前电容变化量；
33.重复上述步骤，直至所述最大第二当前电容变化量位于预设的电容变化量区间内的情况下，根据所述第二当前采样点生成目标采样点集合，并根据所述目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
34.第三个方面，本技术提供了一种自适应的寄生电容查找表生成装置，包括：获取模块和提取模块；
35.所述获取模块，用于获取电路模板，根据所述电路模板和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，并根据每个所述第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量；
36.所述提取模块，用于在所述第一电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据所述第一采样点生成目标采样点集合，并根据所述目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
37.第四个方面，本技术提供了一种自适应的寄生电容查找表生成系统，包括：终端设备、传输设备以及服务器设备；其中，所述终端设备通过传输设备连接服务器设备；
38.所述服务器设备用于实现上述第一个方面所述的采样点提取方法；
39.所述传输设备用于将电路模板传输至服务器设备；
40.所述终端设备用于加载所述电路模板。
41.第五个方面，本技术提供了一种电子装置，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一个方面或第二个方面所述的自适应的寄生电容查找表生成方法。
42.与相关技术相比，本技术提供的自适应的寄生电容查找表生成方法、装置和系统，通过获取电路模板，根据所述电路模板和预先设定的电容分量的阈值确定第一采样点，并根据每个所述第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量；在所述第一电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据所述第一采样点生成目标采样点集合，并根据所述目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。本技术提供的自适应的寄生电容查找表生成方法可以得到更具代表性的采样点，包括删除冗余的中间第一采样点，根据预设的电容分量阈值和预设的电容变化量区间得到目标采样点集合，同时有针对性地新增采样点，使得最终得到的目标采样点集合对应的采样点数据和寄生电容查找表更符合晶圆厂的工艺尺寸参数，更好的适配不同工艺的精度需求，灵活的解决了针对每个工艺反复生成寄生电容查找表的冗杂工作量，并且提供了更高精度的寄生电容查找表。
43.本技术的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本技术的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
附图说明
44.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
45.图1为一个实施例中自适应的寄生电容查找表生成方法的应用场景图；
46.图2为一个实施例中自适应的寄生电容查找表生成方法的流程示意图；
47.图3为另一个实施例中寄生电容查找表生成方法的流程示意图；
48.图4为又一个实施例中寄生电容查找表生成方法的流程示意图；
49.图5为再一个实施例中寄生电容查找表生成方法的流程示意图；
50.图6为一个实施例中电路模板示意图；
51.图7为一个实施例中自适应的寄生电容查找表生成装置的结构框图；
52.图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
53.为更清楚地理解本技术的目的、技术方案和优点，下面结合附图和实施例，对本技术进行了描述和说明。在本技术中所涉及的术语“第一”、“第二”、“第三”等，只是对相似对象进行区分，并不代表针对对象的特定排序。
54.本技术提供的自适应的寄生电容查找表生成方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，终端设备102通过网络与服务器设备104进行通信。服务器设备104获取终端设备102加载的电路模板，根据该电路模板和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，并根据每个该第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量；服务器设备104在该第一电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据该第一采样点生成目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。其中，终端设备102可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑和便携式可穿戴设备，服务器设备104可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。
55.在本实施例中提供了一种自适应的寄生电容查找表生成方法，图2是本实施例的自适应的寄生电容查找表生成方法的流程图，如图2所示，该流程包括如下步骤：
56.步骤s202，获取电路模板，根据该电路模板和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，并根据每个该第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量。
57.其中，该电路模板可以通过获取用户输入的不同元件及元件间的连接关系得到；该预先设定的电容分量阈值可以根据与该电路模板对应的工艺文件中获取；该工艺文件是指描述特定工艺层次尺寸的说明文件，每一层代表一种掩膜设计，一般包括每个工艺层次的特征尺寸，特别是元件及元件连接关系的最小尺寸，例如主导体的最小宽度(min master width)，从导体的最小宽度(min slave width)，以及主从导体的最小距离(min space btw master and slave)等用于模式匹配(pattern match)的相关信息；第一电容分量的提取可以通过求解麦克斯韦方程或者基于场解算器进行提取；该第一电容变化量根据第一采样点的第一电容分量确定，该第一电容变化量至少有一个。
58.具体地，获取电路模板和工艺文件，根据该工艺文件中与该电路模板对应的主从
导体的特征尺寸，设定第一采样点的起点t
10
，并求解t
10
对应的电容分量c
10
。以等步长的方式增加采样点，如t
11
＝t
10
+t
10
，t
12
＝t
11
+t
10
，并计算每个新增采样点对应的电容分量。当新增的采样点对应的电容分量小于预设的电容分量阈值c
min
时，停止增加采样点，此时获得第一采样点。该第一采样点是一组序列t1＝{t
10
,t
11.
t
12
,t
13
,
…
t
1i
…
}，t
1i
》t
1i-1
；根据每个第一采样点对应的第一电容分量s
11
＝{c
10
,c
11
,c
12
,c
13
,...}确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量δs
11
＝{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}，其中δc
1i
＝|c
1i-c
1i-1
|,i＝1,2,3.....。
59.步骤s204，在该第一电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据该第一采样点生成目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
60.具体地，如果第一采样点对应的所有相邻两个第一电容分量对应的第一电容变化量{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}位于预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}内的情况下，根据该第一采样点生成目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
61.可以理解的是，该预设的电容分量阈值c
min
可以从该实际施工的工艺文件中获取，也可以根据实际工程施工精度要求确定范围，例如可以是1(
±
0.05)e-15f(法拉，电容的国际标准单位)，在本技术对第一采样点的提取当中，当首次出现电容分量小于1(
±
0.05)e-15f时，根据所有提取到的采样点得到第一采样点；该预设的电容分量变化量区间{δc
min
,δc
max
}可以根据实际工程中模式匹配算法与用户指定的目标数据间的电容精度误差确定，例如可以设置为[0，0.0001e-15f]，或者[0.00005e-15f，0.0001e-15f]等。
[0062]
本技术文件中电容分量与寄生电容的含义相同，提取所有目标采样点的寄生电容等价于确定每个目标采样点的电容分量。
[0063]
需要说明的是，在寄生电容查找表生成中可以针对多个预设的电路模板进行，该预设的电路模板可以通过获取用户输入的不同元件及元件间的连接关系得到；上述步骤s202～步骤s204可以对所有预设的电路模板遍历获取工艺文件中的尺寸限制数据从而执行该自适应的寄生电容查找表生成方法，并依据工艺文件记载的尺寸内容生成与该工艺文件对应的寄生电容查找表；上述步骤s202～步骤s204在得到目标采样点集合及对应的寄生电容查找表后，可以用于各晶圆厂对实际工程中的实际版图文件根据模式匹配(pattern match)规则提取寄生电容的场景，通过实际版图文件获取的图形模式(即元件与元件间的连接关系)与寄生电容查找表中记载的电路模板进行匹配，并根据实际版图文件中的图形模式和图形参数(即元件尺寸)找到寄生电容查找表中与该图形模式相匹配的电路模板在不同尺寸下对应的寄生电容分量，或者对尺寸不匹配的电路模板的寄生电容分量进行插值运算，最终得到实际工艺中针对实际版图文件提取出的寄生电容结果。
[0064]
通过上述步骤，根据该工艺文件和预设的电容分量阈值确定电路模板的第一采样点，并提取每个第一采样点对应的第一电容分量{c
10
,c
11
,c
12
,c
13
,...}和相邻两个第一电容分量对应的第一电容变化量{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}，通过判断相邻两个第一电容分量对应的第一电容变化量{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}是否在预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}范围内，根据每个第一电容变化量位于预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}对应的第一采样点得到目标采样点集合和寄生电容查找表，与相关技术中直接根据固定的采样点确定目标采样点集合，从而根据目标采样点集合生成寄生电容查找表的技术方案相比，可以通过修改预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}自适应的调整目标采样点集合以及寄生电容查找表的大小、精度，从而解决了固定采样点提取寄生电容生成寄生电容查找表的效率低、精
度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据和寄生电容查找表大小，从而高效、高精度提取寄生电容。
[0065]
在其中的一些实施例中，在根据每个该第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量之后，还包括：
[0066]
在该第一电容变化量大于该电容变化量区间的最大电容变化量的情况下，根据该第一电容变化量对应的相邻两个第一采样点确定第二采样点得到第一初始采样点，并根据第一初始采样点对应的第二电容分量确定相邻两个第一初始采样点间的第二电容变化量；其中，该第一初始采样点包括该第一采样点和该第二采样点；
[0067]
在该第二电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据该第一初始采样点生成该目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
[0068]
其中，该第二采样点根据第一电容变化量与最大电容变化量确定，该第二采样点至少有一个；该第二采样点在相邻的两个第一采样点间确定。
[0069]
具体地，如果第一采样点对应的相邻两个第一电容分量间的第一电容变化量{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}大于预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}的最大电容变化量δc
max
，则获取每个大于最大电容变化量δc
max
的第一电容分量对应的相邻两个第一采样点，并根据该相邻两个第一采样点确定位于该相邻两个第一采样点间的第二采样点；根据所有第一采样点和所有第二采样点得到该第一初始采样点；根据该第一初始采样点得到对应的电容分量，从而得到与该第一初始采样点对应的第二电容变化量；在该第二电容变化量位于预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}的情况下，根据该第一初始采样点生成该目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
[0070]
通过上述步骤，可以通过电容变化量的最大值max{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}与预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}进行比较迅速判断是否需要新增采样点，并且有针对性地新增采样点，相较于相关技术中根据固定采样点步长确定采样点得到寄生电容查找表的技术方案，本实施例通过最大电容变化量确定新增采样点的技术方案，可以适应具有不同精度需求的晶圆厂的加工工艺，灵活的解决了针对每个工艺反复生成寄生电容查找表的冗杂工作量造成效率低、精度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据和寄生电容查找表大小，从而高效、高精度提取寄生电容。
[0071]
在其中的一些实施例中，根据该第一电容变化量对应的相邻两个第一采样点确定第二采样点，包括：
[0072]
根据二分法或随机步长法确定采样步长，或者，获取预设的采样步长；
[0073]
根据该采样步长和工艺文件对该第一采样点进行采样计算，生成该第二采样点。
[0074]
其中，该二分法确定采样步长是指在两个相邻的该第一采样点之间取中间步长确定采样步长；该随机步长法确定采样步长是指在两个相邻的该第一采样点之间采用随机法确定一个采样步长；根据该采样步长和该工艺文件对该第一采样点进行采样计算生成至少一个该第二采样点，可以是根据采样步长，基于工艺文件中规定的尺寸调整连接距离，例如调整后的连接距离不能超过工艺文件中规定的尺寸，从而根据调整后的连接距离对采样点进行重新采样，生成至少一个该第二采样点；例如，以连接距离作为采样点计算依据为例，该采样步长为2微米，其中一个第一采样点为5微米，则调整后的对应的一个第二采样点为7微米。
[0075]
需要说明的是，在该第一采样点之间确定第二采样点的步骤，每一对相邻的第一采样点之间仅确定一个新增的采样点，有多对相邻的第一采样点间需要新增采样点的情况下，才会有多个新增的采样点，根据所有新增的采样点得到第二采样点。
[0076]
通过上述步骤，根据该工艺文件、采样步长和第一采样点确定第二采样点，可以进一步缩小相邻的第一初始采样点间的电容变化量，使其满足电容变化量区间的要求，从而解决相关技术中固定采样点生成寄生电容查找表的效率低、精度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据和寄生电容查找表大小，从而高效、高精度提取寄生电容。
[0077]
在其中的一些实施例中，在根据第一初始采样点对应的第二电容分量确定相邻两个第一初始采样点间的第二电容变化量之后，还包括：
[0078]
在该第一电容变化量大于最大电容变化量的情况下，根据该第二采样点确定第一当前采样点，并根据该第一当前采样点确定相邻两个第一当前采样点间的第一当前电容变化量；
[0079]
重复上述步骤，直至所有第一当前电容变化量位于该电容变化量区间内，根据该第一当前采样点得到该目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
[0080]
可以理解的是，该第一当前采样点是新增采样点之后的所有当前采样点。
[0081]
通过上述步骤，递归地执行上述新增采样点的步骤，直至所有相邻两个采样点的电容变化量小于最大电容变化量δc
max
，从而得到目标采样点集合和寄生电容查找表，可以在上述第二采样点提取后进一步判断第二采样点当中是否还存在第二电容变化量大于最大电容变化量的情况，从而递归执行得到满足工艺需求的所有采样点并进一步根据所有采样点得到寄生电容查找表，满足不同晶圆厂的不同工艺的精度需求，解决了针对每个工艺反复生成寄生电容查找表的冗杂工作量造成效率低、精度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据得到寄生电容查找表，并防止新增采样点中还存在电容变化量大于最大电容变化量的情况。
[0082]
在其中的一些实施例中，在根据每个该第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量之后，还包括：
[0083]
在相邻的两个该第一电容变化量均小于该电容变化量区间的最小电容变化量的情况下，去掉两个该第一电容变化量对应的三个该第一采样点的中间第一采样点，得到第二初始采样点；
[0084]
根据每个第二初始采样点对应的第三电容分量确定相邻两个第二初始采样点间的第三电容变化量；
[0085]
在该第三电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据该第二初始采样点生成目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
[0086]
需要说明的是，本实施例中根据电容变化量区间的最小电容变化量进行判断的方法，可以与上述实施例中根据电容变化量区间的最大电容变化量进行判断的方法相结合，形成递进的判断逻辑，例如可以是先与该最小电容变化量进行判断，后与该最大电容变化量进行判断；也可以是先与该最大电容变化量进行判断，后与该最小电容变化量进行判断；优选地，在将第一电容变化量先与最小电容变化量进行判断去掉冗余的采样点得到第三采
样点，再将第三采样点与最大电容变化量进行判断新增采样点，并重复与最大电容变化量进行判断新增采样点的步骤，直到所有电容变化量位于电容变化量区间的技术方案，由于在先执行去掉冗余的采样点的步骤中可以得到较少的采样点序列、减小采样点提取所占用的资源和时间，有利于提高后续新增采样点的计算效率，从而从整体上提升寄生电容查找表生成的效率，因此在组合实施例的情况下，优选采用先与最小电容变化量进行判断、后与最大电容变化量进行判断的技术方案，此处不再赘述。
[0087]
通过上述步骤，可以通过电容变化量的最小值min{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}与预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}中的最小电容变化量δc
min
进行比较迅速判断是否需要去掉冗余的采样点，相较于相关技术中根据固定采样点步长确定采样点得到寄生电容查找表的技术方案，本实施例通过最小电容变化量确定去掉冗余的采样点的技术方案，自适应地去掉电容变化量过小的冗余的采样点，可以适应具有不同精度需求的晶圆厂的加工工艺，减小采样点序列和资源占用、提高计算效率，解决了针对每个工艺反复生成寄生电容查找表的冗杂工作量造成效率低、精度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据并进一步得到寄生电容查找表，从而高效、高精度生成寄生电容查找表。
[0088]
在其中的一些实施例中，根据该电路模板和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，包括：
[0089]
获取预设的固定步长，并获取预设的特征尺寸阈值和预设的电容分量阈值；
[0090]
针对该电路模板，根据工艺文件、该特征尺寸阈值以该固定步长取样确定针对该电路模板的至少一个固定采样点，并提取该固定采样点对应的固定电容分量；
[0091]
重复上述步骤，直至该固定电容分量小于该电容分量阈值的情况下，根据所有该固定采样点得到该第一采样点。
[0092]
其中，该特征尺寸阈值可以从应用于实际工艺生成中的工艺文件中获取，也可以通过获取用户输入的特征尺寸阈值得到。
[0093]
通过上述步骤，可以通过预设的固定步长和电路模板提取对应的第一采样点，不同的固定步长得到不同的第一采样点结果，不同的电路模板也可以得到不同的第一采样点结果，从而灵活地满足了寄生电容查找表的制作需求，解决了针对每个工艺反复生成寄生电容查找表的冗杂工作量造成效率低、工艺适配度低的问题，实现了根据采样点步长调整采样点数据并进一步得到寄生电容查找表，从而高效生成寄生电容查找表。
[0094]
需要说明的是，在其中的一些实施例中，在根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表之后，还包括：
[0095]
提取实际版图文件，在该实际版图文件与该寄生电容查找表相匹配的情况下，根据该寄生电容查找表得到该实际版图文件的寄生电容；
[0096]
在该实际版图文件与该寄生电容查找表匹配失败的情况下，根据该寄生电容查找表插值计算得到该实际版图文件的寄生电容。
[0097]
其中，该实际版图文件用于晶圆厂工艺中需要与通过寄生电容查找表生成方法中的步骤生成的寄生电容查找表，根据模式匹配提取实际版图文件中寄生电容的文件；该实际版图文件的电路模板应与该寄生电容查找表中记载的电路模板相同，进一步地，该实际版图文件中的相互连接的主从导体的主导体的最小宽度(min master width)、从导体的最小宽度(min slave width)和主从导体的最小距离(min space btw master and slave)等
的连接关系一致，特征尺寸根据控制变量法确定其中一种特征尺寸为可变量。
[0098]
具体地，以该主从导体的最小距离(min space btw master and slave)为可变量为例，该实际版图文件与该寄生电容查找表匹配失败的情况有三种；其一，在该实际版图文件提取出的最小距离x1《t0，其中，t0表示在该寄生电容查找表中目标采样点集合中的最小距离最小的最小采样点，该最小采样点对应的电容分量为c1；则x1对应的电容分量计算公式为：
[0099]
c(x1)＝δc
max
/2+c1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式1
[0100]
其二，在该实际版图文件提取出的最小距离x2满足ti《x2《t
i+1
的关系，且ti采样点对应的电容分量为ci，ti采样点对应的电容分量为ci，则x2对应的电容分量计算公式为：
[0101]
c(x2)＝ci+(c
i+1-ci)/(t
i+1-ti)*x2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式2
[0102]
其三，在该实际版图文件提取出的最小距离x3满足x3》t
max
，其中，t
max
表示在该寄生电容查找表中目标采样点集合中的最小距离最大的最大采样点，该最大采样点对应的电容分量为c
tmax
，则x3对应的电容分量计算公式为：
[0103]
c(x3)＝c
tmax-δc
min
/2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式3
[0104]
通过上述步骤，在根据该寄生电容查找表进行实际版图文件的寄生电容查找表生成的步骤中，在该实际版图文件与该寄生电容查找表匹配失败的情况下，可以根据该寄生电容查找表中与该实际版图文件提取出的特征尺寸进行插值运算，从而得到最相近的针对该实际版图文件的寄生电容查找表生成结果，从而实现了将生成的高精度的寄生电容查找表应用于实际版图文件采用模式匹配的方式提取寄生电容的场景，解决了根据模式匹配提取寄生电容的方法中效率低、精度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据，从而高效、高精度提取寄生电容。
[0105]
图3是本实施例的另一种寄生电容查找表生成方法的流程图，如图3所示，该流程包括如下步骤：
[0106]
步骤s302，获取工艺文件(tech file)。
[0107]
步骤s304，判断是否遍历了所有电路模板。在遍历了所有电路模板的情况下，结束该寄生电容查找表生成方法；在没有遍历完所有电路模板的情况下，执行步骤s306。其中，该电路模板是指用户输入的预设的元件及元件连接关系，该工艺文件中包含该电路模板中元件的所有不同特征尺寸，该电路模板是在根据寄生电容查找表进行模式匹配时的匹配对象。
[0108]
步骤s306，根据工艺文件得到当前电路模板的第一采样点、对应的第一电容分量和第一电容变化量。第一采样点的采样点序列为t1，对应的第一电容分量为s1，第一电容变化量为δs1。根据工艺文件中对主从导体的特征尺寸限制和电容分量阈值c
min
，如主导体的最小宽度(min master width)，从导体的最小宽度(min slave width)，以及主从导体的最小距离(minspace btw master and slave)等得到起始点t0，将该起始点作为固定步长。基于固定步长针对连接距离space增加采样点ti(i＝1,2,3,
…
)；其中，ti是t0的整数倍。在增加采样点的同时，计算对应采样点的电容值ci。当ci《c
min
时，停止增加采样点，从而得到第一采样点t1＝{t
10
,t
11.
t
12
,t
13
,
…
}，t
1i
》t
1i-1
,以及第一采样点对应的第一电容分量s
11
＝{c
10
,c
11
,c
12
,c
13
,...}，并计算出相邻两个第一采样点对应的第一电容变化量δs
11
＝{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}，其中δc
1i
＝|c
1i-c
1i-1
|,i＝1,2,3.....。
[0109]
步骤s308，针对当前电路模板，判断第一电容变化量是否遍历完成。在遍历了所有第一电容变化量情况下，执行步骤s316；在没有遍历了所有第一电容变化量情况下，执行步骤s310。
[0110]
步骤s310，判断两个相邻第一电容变化量是否都小于最小电容变化量。当前的三个相邻第一采样点序列{t
i-1.
ti，t
i+1
}对应的第一电容变化量δci、δc
i+1
,如果δci《δc
min
且δc
i+1
《δc
min
，i＝1,2,3
……
，执行步骤s312；否则执行步骤s314。
[0111]
步骤s312，去掉中间第一采样点。将δci,δc
i+1
对应的三个第一采样点序列{t
i-1.
ti，t
i+1
}中的中间第一采样点
.
ti去掉，并执行步骤s314。
[0112]
步骤s314，继续获取两个连续的第一电容变化量。读入下一组第一采样点{
.
t
j-1
,tj,t
j+1
}，对应的第一电容变化量δcj，j＝i+2,并执行步骤s308；
[0113]
步骤s316，根据遍历结果生成第三采样点。根据上述步骤s308～步骤s314得到第三采样点序列t3，以及第三采样点序列t3对应的第三电容分量s3，并计算相邻第三采样点间的第三电容变化量δs3，执行步骤s320。
[0114]
步骤s320，判断第三电容变化量是否遍历完成。在遍历了所有第三电容变化量情况下，执行步骤s326；在没有遍历所有电容变化量情况下，执行步骤s322。
[0115]
步骤s322,判断第三电容变化量是否大于最大电容变化量。当前的第三电容变化量δc
3k
(k＝1,2,3
……
),如果δc
3k
》δc
max
，执行步骤s324，否则执行步骤s325。
[0116]
步骤s324，新增采样点。在δc
3k
对应的采样点t
3k
和t
3k-1
之间增加一个采样点t
3εk
，t
3εk
＝(t
3k-1
+t
3k
)/2，计算新增采样点对应的电容分量c
3εk
及δc
3εk
＝|c
3εk-δc
3k-1|、δc
3k
＝|c
3εk-δc
3k
|，执行步骤s325。其中，该新增采样点的采样点步长可以采用二分法计算。
[0117]
步骤s325，获取下一个第三电容变化量。读入下一个电容变化量δc
t
，t＝k+1,执行步骤s320；
[0118]
步骤s326，确定目标采样点集合。根据上述步骤s320～步骤s325得到第一当前采样点，并重复执行上述步骤s320～步骤s325，直至所有第一当前采样点对应的第一当前电容变化量位于电容变化量区间内，根据所有第一当前采样点得到目标采样点集合，并根据目标采样点集合进一步得到寄生电容查找表；执行步骤s304遍历下一个电路模板。
[0119]
在本实施例中提供了又一种自适应的寄生电容查找表生成方法，图4是本实施例的自适应的寄生电容查找表生成方法的流程图，如图4所示，该流程包括如下步骤：
[0120]
步骤s402，获取电路模板，根据该电路模板和预先设定的电容分量阈值确定至少一个第一采样点，并根据每个该第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量。
[0121]
其中，该电路模板可以通过获取用户输入的不同元件及元件间的连接关系得到；该预先设定的电容分量阈值可以根据与该电路模板对应的工艺文件中获取；该工艺文件是指描述特定工艺层次尺寸的说明文件，每一层代表一种掩膜设计，一般包括每个工艺层次的特征尺寸，特别是元件及元件连接关系的最小尺寸，例如主导体的最小宽度(min master width)，从导体的最小宽度(min slave width)，以及主从导体的最小距离(min space btw master and slave)等用于模式匹配(pattern match)的相关信息；第一电容分量的提取可以通过求解麦克斯韦方程或者基于场解算器进行提取；该第一电容变化量根据第一采样点的第一电容分量确定，该第一电容变化量至少有一个。
[0122]
具体地，获取电路模板和工艺文件，根据该工艺文件中与该电路模板对应的主从导体的特征尺寸，以及预设的电容分量阈值c
min
确定第一采样点，该第一采样点是一组序列t1＝{t
10
,t
11.
t
12
,t
13
,
…
t
1i
…
}，t
1i
》t
1i-1；根据每个第一采样点对应的第一电容分量s
11
＝{c
10
,c
11
,c
12
,c
13
,...}确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量δs
11
＝{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}，其中δc
1i
＝|c
1i-c
1i-1|,i＝1,2,3.....。
[0123]
步骤s404，根据该第一电容变化量得到最大第一电容变化量。具体地，从该第一电容变化量中提取出最大第一电容变化量，并记录对应的相邻两个第一采样点和各自的第一电容分量。
[0124]
步骤s406，在该最大第一电容变化量位于预设的电容变化量区间内的情况下，根据该第一采样点生成目标采样点集合，并提取该目标采样点集合中的所有目标采样点的寄生电容。
[0125]
需要说明的是，该最大第一电容变化量位于该电容变化量区间内时，对应的所有采样点的电容变化量一定满足电容变化量区间，从而可以根据所有第一采样点得到目标采样点集合，并进一步得到寄生电容查找表。
[0126]
通过上述步骤，根据该工艺文件和预设的电容分量阈值确定第一采样点序列，并提取每个第一采样点对应的第一电容分量{c
10
,c
11
,c
12
,c
13
,...}和相邻两个第一电容分量对应的第一电容变化量{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}，通过判断相邻两个第一电容分量对应的最大第一电容变化量max{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}是否在预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}范围内，在满足电容变化量区间的情况下，根据每个第一电容变化量对应的第一采样点得到目标采样点集合和寄生电容查找表，与相关技术中直接根据固定的采样点确定目标采样点集合，从而根据目标采样点集合生成寄生电容查找表的技术方案相比，最大第一电容变化量位于该电容变化量区间内时，对应的所有采样点的电容变化量一定满足电容变化量区间，从而可以通过修改预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}自适应的调整目标采样点集合以及寄生电容查找表的大小、精度，解决了固定采样点提取寄生电容生成寄生电容查找表的效率低、精度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据和寄生电容查找表。
[0127]
在其中的一些实施例中，在根据该第一电容变化量得到最大第一电容变化量之后，还包括：
[0128]
在该最大第一电容变化量大于预设的电容变化量区间中的最大电容变化量的情况下，根据工艺文件和预先设定的电容分量阈值确定第二当前采样点，并根据每个该第二当前采样点确定相邻两个第二当前采样点间的第二当前电容变化量；
[0129]
根据该第二当前电容变化量得到最大第二当前电容变化量；
[0130]
重复上述步骤，直至该最大第二当前电容变化量位于预设的电容变化量区间内的情况下，根据该第二当前采样点生成目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
[0131]
可以理解的是，该第二当前采样点是根据最大第一电容变化量确定的；在该最大第一电容变化量大于该电容变化量区间中的最大电容变化量的情况下，该第二当前采样点可以是根据最大第一电容变化量对应的相邻第一采样点之间新增采样点之后的所有当前采样点；可以在上述判断最大第一电容变化量大于最大电容变化量关系之前，获取该第一
采样点对应的最小第一电容变化量，并根据两个相邻的小于该最小电容变化量的最小第一电容变化量，去掉对应的三个采样点中的中间第一采样点，得到第三当前采样点，从而可以减少采样点序列，节约资源，减少提取时间、提高提取效率；或者，可以在上述判断最大第一电容变化量大于最大电容变化量关系之后得到第二当前采样点，并根据该第二当前采样点得到该第三当前采样点，从而根据该第三当前采样点得到目标采样点，此处不再赘述。
[0132]
通过上述步骤，递归地执行上述新增采样点的步骤，直至最大第一电容变化量位于预设的电容变化量区间{δc
min
,δc
max
}内，从而得到目标采样点集合和寄生电容查找表，可以递归执行得到满足工艺需求的采样点及寄生电容查找表，满足不同晶圆厂的不同工艺的精度需求，解决了针对每个工艺反复生成寄生电容查找表的冗杂工作量造成效率低、精度低、工艺适配度低的问题，实现了根据不同精度自适应的调整采样点数据和寄生电容查找表大小，从而高效、高精度提取寄生电容。
[0133]
图5是本实施例的再一种寄生电容查找表生成方法的流程图，如图5所示，该流程包括如下步骤：
[0134]
步骤s502，获取工艺文件(tech file)。
[0135]
步骤s504，判断是否遍历了所有电路模板。在遍历了所有电路模板的情况下，结束该寄生电容查找表生成方法；在没有遍历完所有电路模板的情况下，执行步骤s506。其中，该电路模板是指用户输入的预设的元件及元件连接关系，该工艺文件中包含该电路模板中元件的所有不同特征尺寸，该电路模板是在根据寄生电容查找表进行模式匹配时的匹配对象。
[0136]
步骤s506，根据该工艺文件得到当前电路模板的第一采样点、对应的第一电容分量和第一电容变化量。第一采样点的采样点序列为t1，对应的第一电容分量为s1，第一电容变化量为δs1。根据工艺文件中对主从导体的特征尺寸限制和电容分量阈值c
min
，如主导体的最小宽度(min master width)，从导体的最小宽度(min slave width)，以及主从导体的最小距离(min space btw master and slave)等得到起始点t0，将该起始点作为固定步长。基于固定步长针对连接距离space增加采样点ti(i＝1,2,3,
…
)；其中，ti是t0的整数倍。在增加采样点的同时，计算对应采样点的电容值ci。当ci《c
min
时，停止增加采样点，从而得到第一采样点t1＝{t
10
,t
11.
t
12
,t
13
,
…
}，t
1i
》t
1i-1
,以及第一采样点对应的第一电容分量s
11
＝{c
10
,c
11
,c
12
,c
13
,...}，并计算出相邻两个第一采样点对应的第一电容变化量δs
11
＝{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}，其中δc
1i
＝|c
1i-c
1i-1
|,i＝1,2,3.....。
[0137]
步骤s508，提取最大第一电容变化量。从第一电容变化量δs
11
＝{δc
11
,δc
12
,δc
13
,
…
}中提取最大第一电容变化量，并提取对应的第一采样点。或者，此步骤也可以是根据步骤s512的新增采样点，计算新增电容变化量，并根据新增电容变化量和所有第一电容变化量提取最大第一电容变化量。
[0138]
步骤s510，判断最大第一电容变化量是否大于最大电容变化量。在该最大第一电容变化量大于该电容变化量区间中的最大电容变化量的情况下，说明该第一采样点序列对应的第一电容分量和第一电容变化量不满足精度要求，执行步骤s512；在该最大第一电容变化量小于该电容变化量区间中的最大电容变化量的情况下，说明该第一采样点序列对应的第一电容变化量的上限满足精度要求，执行步骤s513。
[0139]
步骤s512，新增采样点。在该最大第一电容变化量对应的相邻两个第一采样点之
间新增一个采样点，并执行步骤s508。其中，该新增采样点的采样点步长可以采用二分法计算。
[0140]
步骤s513，得到第二当前采样点。根据步骤s508～步骤s512，提取计算后所有的采样点得到第二当前采样点。
[0141]
步骤s514，提取第二当前采样点对应的最小第二当前电容变化量。
[0142]
步骤s516，判断最小第二当前电容变化量是否小于最小电容变化量。在该最小第二当前电容变化量小于该电容变化量区间中的最小电容变化量的情况下，说明该第二当前采样点序列对应的第二当前电容分量和第二当前电容变化量不满足精度要求，执行步骤s518；在该最小第二当前电容变化量大于该电容变化量区间中的最小电容变化量的情况下，说明该第二当前采样点序列对应的第二当前电容变化量的下限满足精度要求，执行步骤s520。
[0143]
步骤s518，去掉最小第二当前电容变化量对应的中间第二当前采样点。
[0144]
步骤s520，确定目标采样点集合。根据上述步骤得到目标采样点集合和寄生电容查找表；执行步骤s504遍历下一个电路模板。
[0145]
应该理解的是，虽然图2-5的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2-5中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。例如，在图5中，步骤s514～步骤s518可以与步骤s508～步骤s512调换，先对最小第一电容变化量进行判断得到第二当前采样点，再判断最大第二当前电容变化量，从而得到目标采样点集合和寄生电容查找表。
[0146]
图6是本实施例的一种电路模板的示意图，如图6所示，该电路模板是根据实际版图文件抽象出的一种图形模式或者是每家eda软件公司根据本公司的提取寄生电容的工具抽象出的图形模式，本实施例中提供了一种与上述第一个方面相对应的针对该电路模板生成目标采样点，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表的自适应的寄生电容查找表生成步骤。该电路模板为一个主导体master和一个从导体slave，两个导体间的连接距离为space(与上述实施例中的最小距离对应)。根据工艺文件中对元件和元件连接关系的限制，得到初始采样点：主导体宽度(master width)0.5微米、从导体宽度(slave width)0.5微米和主从导体间距space为0.5微米。本实施例涉及以下阈值：电容分量阈值c
min
＝0.07(
±
0.0001)e-15f(法拉，电容的国际标准单位),电容变化量区间{δc
min
，δc
max
}：δc
max
＝0.05(
±
0.0001)e-15f,δc
min
＝0.007(
±
0.0001)e-15f，工艺文件中规定连接距离为space的最小间距s
min
＝500纳米＝0.5微米(um)；其中该最小间距将作为固定采样点步长对固定采样点进行采样。
[0147]
第一步：根据最小间距s
min
对固定采样点进行采样并得到第一采样点的过程如下：
[0148]
master width＝{0.5}
[0149]
slave width＝{0.5}
[0150]
space_btw_master_and_slave＝{0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0}
[0151]
则固定采样点及固定采样点的固定电容分量和固定电容变化量如表1所示：
[0152]
表1固定采样点、固定采样点的固定电容分量和固定电容变化量
[0153]
indexspace电容分量(e-15f)电容变化量(e-15f)00.50.174148—110.1109770.06317121.50.0896550.021322320.0786770.01097842.50.0719060.006771530.0672720.004634
[0154]
其中，index为电容分量中的电容分量的序号，第一个电容分量序号为0，对应space为0.5微米的电容分量值c0，c0＝0.174148e-15f；第二个电容分量序号为1，对应space为1微米的电容分量值c1，c1＝0.110977e-15f和第一个电容分量与第二个电容分量的电容变化量δc1,δc
1＝
0.063171e-15f；第三个电容分量序号为2，对应space为1.5微米的电容分量值c2，c2＝0.0.089655e-15f和第二个电容分量与第三个电容分量的电容变化量δc2,δc
2＝
0.021322e-15f；第四个电容分量序号为3，对应space为2.0微米的电容分量值c3，c3＝0.078677e-15f和第三个电容分量与第四个电容分量的电容变化量δc3,δc
3＝
0.010978e-15f；第五个电容分量序号为4，对应space为2.5微米的电容分量值c4，c4＝0.071906e-15f和第四个电容分量与第五个电容分量的电容变化量δc4,δc4＝0.006771e-15f；第六个电容分量序号为5，对应space为3.0微米的电容分量值c5，c5＝0.067272e-15f和第五个电容分量与第六个电容分量的电容变化量δc5,δc5＝0.004634e-15f。
[0155]
上述固定采样点中，当space＝3.0um时，对应的电容分量为0.067272《cmin，无需继续新增采样点，从而根据表1中的固定采样点得到第一采样点。
[0156]
第二步：在相邻的两个该第一电容变化量均小于该电容变化量区间的最小电容变化量的情况下，去掉两个该第一电容变化量对应的三个该第一采样点的中间第一采样点，得到第三采样点。在上述表1中，由于存在相邻的两个电容变化量δc4、δc5满足：δc4＝0.006771e-15f《δc
min
＝0.007(
±
0.0001)e-15f且δc5＝0.004634e-15f《δc
min
＝0.007(
±
0.0001)e-15f，对应的space＝{2.0 2.5 3.0},因此本实施例中需要删除space＝2.5微米对应的采样点。此时所有的电容变化量δc1,δc2,δc3,δc4满足电容变量阈值δc
min
的限定，如表2所示：
[0157]
表2第三采样点、第三采样点的第三电容分量和第三电容变化量
[0158]
indexspace电容分量(e-15f)电容变化量(e-15f)00.50.174148—110.1109770.06317121.50.0896550.021322320.0786770.010978430.0672720.011405
[0159]
第三步：在该第一电容变化量大于该电容变化量区间的最大电容变化量的情况下，根据该第一电容变化量对应的相邻两个第一采样点确定第二采样点。上述表2中，由于δc
1＝
0.063171e-15f》δc
max
＝0.05(
±
0.001)e-15f，因此在本实施例中需要在space为0.5
微米和1微米中间处插入一个新增的采样点，新增采样点对应的space＝(0.5+1)/2＝0.75微米，对应的电容分量为0.131957e-15f，得到对应的结果如表3所示：
[0160]
表3第二采样点、第二采样点的第二电容分量和第二电容变化量
[0161]
indexspace电容分量(e-15f)电容变化量(e-15f)00.50.174148—10.750.1319570.042191210.1109770.0209831.50.0896550.021322420.0786770.010978530.0672720.011405
[0162]
此时所有的电容变化量δc1,δc2,δc3,δc4,δc5都满足电容变化量区间要求{δc
min
,δc
max
}：δcmax＝0.05(
±
0.0001)e-15f,δcmin＝0.007(
±
0.0001)e-15f，采样点提取终止，从而表3所示的space_btw_master_and_slave＝{0.5 0.75 1.0 1.5 2.0 3.0}的采样点即为目标采样点集合，该目标采样点集合的电容分量和电容变化量对应的表3即为最终得到的寄生电容查找表。
[0163]
需要说明的是，在得到满足精度要求的寄生电容查找表后，在晶圆厂的实际应用当中，在找不到精确对应的采样点的情况下，可以根据电容查找表通过线性插值的方法进行寄生电容查找表生成。例如，为了得到上述电路模板的连接距离space为1.8微米时的寄生电容，可以通过1.5微米和2微米的寄生电容线性插值得到1.8微米的寄生电容为0.089655+(0.078677-0.089655)*(1.8-1.5)/(2-1.5)＝0.0830682e-15f。
[0164]
在本实施例中还提供了一种自适应的寄生电容查找表生成装置，该装置用于实现上述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。以下所使用的术语“模块”、“单元”、“子单元”等可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管在以下实施例中所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
[0165]
图7是本实施例的自适应的寄生电容查找表生成装置的结构框图，如图7所示，该装置包括：获取模块10和提取模块30；
[0166]
该获取模块10，用于获取电路模板，根据该电路模板和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，并根据每个该第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量；
[0167]
该提取模块30，用于在该第一电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据该第一采样点生成目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
[0168]
关于自适应的寄生电容查找表生成装置的具体限定可以参见上文中对于自适应的寄生电容查找表生成方法的限定，在此不再赘述。上述自适应的寄生电容查找表生成装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0169]
在本实施例中还提供了一种自适应的寄生电容查找表生成系统，其特征在于，包
括：终端设备102、传输设备以及服务器设备104；其中，该终端设备102通过传输设备连接服务器设备104；
[0170]
该服务器设备104用于实现上述任一项方法实施例中的步骤；
[0171]
该传输设备用于将电路模板传输至服务器设备；
[0172]
该终端设备102用于加载该电路模板。
[0173]
在本实施例中还提供了一种电子装置，包括存储器和处理器，该存储器中存储有计算机程序，该处理器被设置为运行计算机程序以执行上述任一项方法实施例中的步骤。
[0174]
可选地，上述电子装置还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。
[0175]
可选地，在本实施例中，上述处理器可以被设置为通过计算机程序执行以下步骤：
[0176]
s1，获取电路模板，根据该电路模板和预先设定的电容分量阈值确定第一采样点，并根据每个该第一采样点对应的第一电容分量确定相邻两个第一采样点间的第一电容变化量。
[0177]
s2，在该第一电容变化量位于预设的电容变化量区间的情况下，根据该第一采样点生成目标采样点集合，并根据该目标采样点集合生成对应的寄生电容查找表。
[0178]
需要说明的是，在本实施例中的具体示例可以参考上述实施例及可选实施方式中所描述的示例，在本实施例中不再赘述。
[0179]
此外，结合上述实施例中提供的自适应的寄生电容查找表生成方法，在本实施例中还可以提供一种存储介质来实现。该存储介质上存储有计算机程序；该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中的任意一种自适应的寄生电容查找表生成方法。
[0180]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口和数据库。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储提取到的采样点数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种自适应的寄生电容查找表生成方法。
[0181]
本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0182]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强
型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。
[0183]
应该明白的是，这里描述的具体实施例只是用来解释这个应用，而不是用来对它进行限定。根据本技术提供的实施例，本领域普通技术人员在不进行创造性劳动的情况下得到的所有其它实施例，均属本技术保护范围。
[0184]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。