技术特征：1.一种inp hemt非线性等效电路模型参数提取方法，其特征在于，该方法具体包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的一种inp hemt非线性等效电路模型参数提取方法，其特征在于，所述小信号等效电路模型参数的提取具体包括：
3.根据权利要求1所述的一种inp hemt非线性等效电路模型参数提取方法，其特征在于，所述eehemt直流模型参数的提取具体包括：
4.根据权利要求1所述的一种inp hemt非线性等效电路模型参数提取方法，其特征在于，所述eehemt交流模型参数的提取具体包括：
5.根据权利要求1所述的一种inp hemt非线性等效电路模型参数提取方法，其特征在于，所述eehemt电荷模型参数的提取具体包括：
技术总结本发明公开了一种InP HEMT非线性等效电路模型的参数提取方法，其特点是采用重新定义EEHEMT模型中部分参数的提取方法，具体包括：1）小信号等效电路模型参数的提取；2）EEHEMT直流模型参数的提取；3）EEHEMT交流模型参数的提取；4）EEHEMT电荷模型参数的提取；5）EEHEMT模型的检验等步骤。本发明与现有技术相比具有无需利用拟合方法获得，使得参数提取过程更加简便，大大缩短了参数提取的时间，得到较为准确的仿真模型，使工作者能够在最短的时间内获得更多的模型参数，并节约建模成本，进一步提高了磷化铟高电子迁移率场效应晶体管的电路设计效率，具有良好的运用前景和商业开发价值。
技术研发人员：徐佳卉,张傲,高建军
受保护的技术使用者：华东师范大学
技术研发日：技术公布日：2024/1/11