基准电压优化方法、装置、存储介质和电子设备与流程

本公开涉及电子电气架构，尤其涉及基准电压优化方法、装置、存储介质和电子设备。

背景技术：

1、随着整车电子电气架构(electrical&electronic architecture，eea)的演进，智能座舱与智能驾驶逐步走向融合，相应出现具备智能驾驶、智能座舱功能融合的系统级芯片(system-on-a-chip,soc)。融合soc中，可选集成中央处理器(central processingunit，简称cpu)、图形处理器(graphics processing unit，gpu)、神经网络处理器(neuralprocessing unit，npu)，分别处理中央决策计算、座舱3d显示、视频拼接，以及智能驾驶视觉运算等。处于功能安全考虑，融合soc中处理器簇合封时，供电独立。独立的供电单元，一方面可以提升不同功能域的功能安全等级，实现物理供电隔离，另一方面在共用内存时，会造成不同功能域的参考电压偏差，不利于设备工作的稳定性。

技术实现思路

1、为了解决上述提出的至少一个技术问题，本公开提出了基准电压优化方法、装置、存储介质和电子设备。

2、根据本公开的一方面，提供了一种基准电压优化方法，其包括：

3、获取融合系统级芯片的当前初始基准电压；

4、基于复杂可编程逻辑器件将所述当前初始基准电压进行数字化处理，得到当前待测基准电压；

5、确定所述融合系统级芯片中正在运行的目标处理器簇，以及确定所述目标处理器簇对应的目标内存模块；

6、基于所述当前待测基准电压和所述目标处理器簇对所述目标内存模块的读写操作信息，确定所述目标处理器簇对应的第一基准变动区间；

7、确定所述第一基准变动区间与所述目标处理器簇对应的第一预设基准参考区间是否满足第一预设条件；

8、若不满足，基于所述第一基准变动区间对所述复杂可编程逻辑器件进行控制，以使得所述复杂可编程逻辑器件的输入为当前初始基准电压的情况下，所述复杂可编程逻辑器的输出为第一目标基准电压，所述第一目标基准电压为所述第一基准变动区间的中点值。

9、在一些可能的实施方式中，所述基于所述当前待测基准电压和所述目标处理器簇对所述目标内存模块的读写操作信息，确定所述目标处理器簇对应的第一基准变动区间，包括：

10、在将所述当前待测基准电压进行逐次调小处理，且所述读写操作信息表征读写操作出现错误的情况下，确定所述第一基准变动区间的最小值；

11、在将所述当前待测基准电压进行逐次调大处理，且所述读写操作信息表征读写操作出现错误的情况下，确定所述第一基准变动区间的最大值。

12、在一些可能的实施方式中，所述方法还包括：

13、若所述目标处理器簇为两个时，利用分时复用方式基于所述当前待测基准电压、所述第一处理器簇针对所述目标内存模块的读写操作信息和所述第二处理器簇针对所述目标内存模块的读写操作信息，分别确定所述第一处理器簇对应的第二基准变动区间和所述第二处理器簇对应的第三基准变动区间；

14、基于所述第二基准变动区间和所述第三基准变动区间分别确定所述第一处理器簇对应的第二目标基准电压和所述第二处理器簇对应的第三目标基准电压。

15、在一些可能的实施方式中，所述基于所述第二基准变动区间和所述第三基准变动区间分别确定所述第一处理器簇对应的第二目标基准电压和所述第二处理器簇对应的第三目标基准电压，包括：

16、确定所述第二基准变动区间与所述第一处理器簇对应的第二预设基准参考区间是否满足第二预设条件；

17、若不满足，基于所述第二基准变动区间确定所述第一处理器簇对应的第一虚拟基准电压；

18、确定所述第三基准变动区间与所述第二处理器簇对应的第三预设基准参考区间是否满足第三预设条件；

19、若不满足，基于所述第三基准变动区间确定所述第二处理器簇对应的第二虚拟基准电压；

20、基于所述第一虚拟基准电压和所述第二虚拟基准电压分别确定所述第一处理器簇对应的第二目标基准电压和所述第二处理器簇对应的第三目标基准电压。

21、在一些可能的实施方式中，所述基于所述第一虚拟基准电压和所述第二虚拟基准电压分别确定所述第一处理器簇对应的第二目标基准电压和所述第二处理器簇对应的第三目标基准电压，包括：

22、若所述第一虚拟基准电压和所述第二虚拟基准电压相同，基于所述第一虚拟基准电压对所述复杂可编程逻辑器件进行控制，以使得所述复杂可编程逻辑器件的输入为当前初始基准电压的情况下，所述复杂可编程逻辑器的输出为所述第二目标基准电压，所述第二目标基准电压、所述第三目标基准电压、所述第一虚拟基准电压和所述第二虚拟基准电压相同。

23、在一些可能的实施方式中，所述方法还包括：

24、若所述第一虚拟基准电压和所述第二虚拟基准电压不相同，每间隔第一预设周期，基于所述第一虚拟基准电压对所述复杂可编程逻辑器件进行控制，以使得所述复杂可编程逻辑器件的输入为当前初始基准电压的情况下，所述复杂可编程逻辑器的输出为所述第二目标基准电压，所述第一预设周期为所述第一处理器簇对应的运行周期，所述第二目标基准电压和所述第一虚拟基准电压相同。

25、在一些可能的实施方式中，所述方法还包括：每间隔第二预设周期，基于所述第二虚拟基准电压对所述复杂可编程逻辑器件进行控制，以使得所述复杂可编程逻辑器件的输入为当前初始基准电压的情况下，所述复杂可编程逻辑器的输出为所述第三目标基准电压，所述第二预设周期为所述第二处理器簇对应的运行周期，所述第三目标基准电压和所述第二虚拟基准电压相同。

26、根据本公开的第二方面，提供基准电压优化装置，所述装置包括：

27、当前初始基准电压获取模块，用于获取融合系统级芯片的当前初始基准电压；

28、当前待测基准电压确定模块，用于基于复杂可编程逻辑器件将所述当前初始基准电压进行数字化处理，得到当前待测基准电压；

29、目标处理器簇确定模块，用于确定所述融合系统级芯片中正在运行的目标处理器簇，以及确定所述目标处理器簇对应的目标内存模块；

30、第一基准变动区间确定模块，用于基于所述当前待测基准电压和所述目标处理器簇对所述目标内存模块的读写操作信息，确定所述目标处理器簇对应的第一基准变动区间；

31、第一预设基准参考区间判断模块，用于确定所述第一基准变动区间与所述目标处理器簇对应的第一预设基准参考区间是否满足第一预设条件；

32、第一目标基准电压输出模块，用于若不满足，基于所述第一基准变动区间对所述复杂可编程逻辑器件进行控制，以使得所述复杂可编程逻辑器件的输入为当前初始基准电压的情况下，所述复杂可编程逻辑器的输出为第一目标基准电压，所述第一目标基准电压为所述第一基准变动区间的中点值。

33、根据本公开的第三方面，提供了一种电子设备，包括至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述至少一个处理器通过执行所述存储器存储的指令实现如第一方面中任意一项所述的基准电压优化方法。

34、根据本公开的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有至少一条指令或至少一段程序，所述至少一条指令或至少一段程序由处理器加载并执行以实现如第一方面中任意一项所述的基准电压优化方法。

35、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本公开。

36、实施本公开，具有以下有益效果：

37、获取融合系统级芯片的当前初始基准电压；基于复杂可编程逻辑器件将当前初始基准电压进行数字化处理，得到当前待测基准电压；数字化当前初始基准电压，以方便对当前待测基准电压进行动态调整。确定融合系统级芯片中正在运行的目标处理器簇，以及确定目标处理器簇对应的目标内存模块；基于当前待测基准电压和目标处理器簇对目标内存模块的读写操作信息，确定目标处理器簇对应的第一基准变动区间；基于目标处理器簇对目标内存模块的读写信息对当前待测基准电压进行动态调整，已得到适合适合目标处理器簇的基准电压的变动区间。确定第一基准变动区间与目标处理器簇对应的第一预设基准参考区间是否满足第一预设条件；根据原始基准参考区间即第一预设基准参考区间与第一基准变动区间进行比较，以确定目标处理器簇使用目标内存模块时是否存在风险。若不满足，基于第一基准变动区间对复杂可编程逻辑器件进行控制，以使得复杂可编程逻辑器件的输入为当前初始基准电压的情况下，复杂可编程逻辑器的输出为第一目标基准电压，第一目标基准电压为第一基准变动区间的中点值。在存在风险时，控制复杂可编程逻辑器件对基准电压进行动态调整，以满足目标处理器簇的需求参考电压，减少目标内存模块采样窗口裕量不足的影响，提升融合系统级芯片及所搭载域控的稳定性。

38、根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。