一种用于SPINAND的寿命记录方法、芯片及设备与流程

本技术涉及spi nand，具体而言，涉及一种用于spi nand的寿命记录方法、芯片及设备。

背景技术：

1、现有的spi nand flash（串行接口nand flash）主要由nand flash memory core（nand flash存储器核心）、ecc codec（错误检查和纠正编解码器）、cache memory（高速缓存）和serial interface logic接口（串行逻辑接口）组成。根据本领域公知常识可知，nandflash存在使用寿命，以slc（single-level cell，单层存储单元）nand flash为例，slcnand flash支持10万次以内的擦写（即slc nand flash的使用寿命为10万次擦写），在达到slc nand flash的寿命后，bit翻转（数据由1变为0或者由0变为1）的个数会大幅度增加，且bit翻转的个数超过内置ecc的纠正能力，由于现有技术无法检测spi nand的使用寿命，因此现有技术存在由于无法检测nand flash的使用寿命而导致spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用，从而导致bit翻转的个数超过内置ecc codec的纠正能力，部分存储单元的存储数据异常的问题。

2、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种用于spi nand的寿命记录方法、芯片及设备，能够有效地避免出现由于无法检测spi nand的使用寿命而导致spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用的情况，从而有效地解决由于spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用而导致bit翻转的个数超过内置ecc codec的纠正能力，部分存储单元的存储数据异常的问题。

2、第一方面，本技术提供了一种用于spi nand的寿命记录方法，用于记录spi nand的寿命，spi nand包括存储区域，存储区域中划分有擦除次数存储区域，用于spi nand的寿命记录方法包括以下步骤：

3、间歇性地检测更新使能是否打开，更新使能在spi nand开始执行擦除操作时触发打开；

4、在检测到更新使能打开时，将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域，擦除次数信息包括擦除对象的标志信息及擦除次数，擦除次数信息在擦除对象被执行擦除操作时触发更新；

5、在将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域后，关闭更新使能。

6、本技术提供的一种用于spi nand的寿命记录方法，在检测到更新使能打开时将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域，并在写入完成后关闭更新使能，由于该寿命记录方法通过将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域的方式将擦除次数信息的性质由易失性转变为非易失性，而spi nand的使用寿命与其擦除次数相关联，因此该寿命记录方法能够通过记录擦除对象的擦除次数的方式记录spi nand的使用寿命，并通过判断擦除次数信息是否达到spi nand的使用寿命对应的擦除次数的方式检测spi nand的使用寿命是否结束，从而有效地避免出现由于无法检测spi nand的使用寿命而导致spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用的情况，进而有效地解决由于spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用而导致bit翻转的个数超过内置ecc codec的纠正能力，部分存储单元的存储数据异常的问题。

7、可选地，擦除次数存储区域包括多个擦除次数存储块，在检测到更新使能打开时，将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储块的步骤包括：

8、在检测到更新使能打开时，检测当前使用的擦除次数存储块是否被写满；

9、若当前使用的擦除次数存储块被写满，则随机选择一个空的擦除次数存储块，并将缓存的擦除次数信息写入该空的擦除次数存储块；

10、若当前使用的擦除次数存储块未被写满，则将缓存的擦除次数信息写入当前使用的擦除次数存储块。

11、由于该技术方案的擦除次数存储区域包括多个擦除次数存储块，而在当前使用的擦除次数存储块被写满时，该技术方案会随机选择一个空的擦除次数存储块进行缓存的擦除次数信息的写入，因此该技术方案能够避免出现在当前使用的擦除次数存储块被写满且被执行擦除操作后，缓存的擦除次数信息又被写入当前使用的擦除次数存储块中而导致当前使用的擦除次数存储块被连续执行擦除操作的情况，从而有效地延长擦除次数存储块的使用寿命。

12、可选地，用于spi nand的寿命记录方法还包括执行于若当前使用的擦除次数存储块被写满，则随机选择一个空的擦除次数存储块，并将缓存的擦除次数信息写入该空的擦除次数存储块之后的步骤：

13、对已被写满的擦除次数存储块进行擦除操作，以清空该擦除次数存储块。

14、可选地，存储区域的大小与擦除次数存储区域的大小的比例为48:1-52:1。

15、由于每个擦除次数存储区域的大小为固定值，即所有擦除次数存储区域的大小与擦除次数存储区域的数量正相关，因此该技术方案通过使存储区域的大小与擦除次数存储区域的大小的比例位于48:1-52:1内能够有效地避免出现由于擦除次数存储区域的数量过大，而导致擦除次数存储区域占用存储区域的空间过大，存储区域的数据存储量少的情况以及由于擦除次数存储区域的数量过少而导致擦除次数存储区域快速达到其使用寿命的情况。

16、可选地，间歇性地检测更新使能是否打开的步骤包括：

17、根据预设的时间间隔间歇性地检测更新使能是否打开。

18、可选地，时间间隔为1-3s。

19、可选地，擦除对象为存储页、存储块或存储扇区。

20、可选地，擦除次数存储区域包括多个擦除次数存储块，其中一个擦除次数存储块被配置为备份块，在检测到更新使能打开时，将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域的步骤包括：

21、在检测到更新使能打开时，将缓存的擦除次数信息同时写入当前使用的擦除次数存储块和备份块。

22、由于该技术方案在检测到更新使能打开时将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储块和备份块，因此即使出现由于擦除掉电而导致当前使用的擦除次数存储块损坏的情况，该技术方案也可以通过从备份块中读取擦除次数信息的方式获取准确的擦除次数，即该技术方案能够有效地避免出现由于擦除掉电而导致当前使用的擦除次数存储块损坏，存储在该擦除次数存储块内的擦除次数信息丢失的情况，进而有效地提高擦除次数信息和spi nand的使用寿命的准确度。

23、第二方面，本技术还提供了一种存储芯片，该存储芯片包括存储阵列和控制电路，该控制电路用于执行如上述第一方面提供的一种用于spi nand的寿命记录方法中的步骤。

24、本技术提供的一种存储芯片，在检测到更新使能打开时将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域，并在写入完成后关闭更新使能，由于该存储芯片通过将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域的方式将擦除次数信息的性质由易失性转变为非易失性，而spi nand的使用寿命与其擦除次数相关联，因此该存储芯片能够通过记录擦除对象的擦除次数的方式记录spi nand的使用寿命，并通过判断擦除次数信息是否达到spi nand的使用寿命对应的擦除次数的方式检测spi nand的使用寿命是否结束，从而有效地避免出现由于无法检测spi nand的使用寿命而导致spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用的情况，进而有效地解决由于spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用而导致bit翻转的个数超过内置ecc codec的纠正能力，部分存储单元的存储数据异常的问题。

25、第三方面，本技术提供一种电子设备，该电子设备包括存储芯片，该存储芯片包括存储阵列和控制电路，该控制电路用于执行如上述第一方面提供的一种用于spi nand的寿命记录方法中的步骤。

26、本技术提供的一种电子设备，在检测到更新使能打开时将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域，并在写入完成后关闭更新使能，由于该电子设备通过将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域的方式将擦除次数信息的性质由易失性转变为非易失性，而spi nand的使用寿命与其擦除次数相关联，因此该电子设备能够通过记录擦除对象的擦除次数的方式记录spi nand的使用寿命，并通过判断擦除次数信息是否达到spi nand的使用寿命对应的擦除次数的方式检测spi nand的使用寿命是否结束，从而有效地避免出现由于无法检测spi nand的使用寿命而导致spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用的情况，进而有效地解决由于spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用而导致bit翻转的个数超过内置ecc codec的纠正能力，部分存储单元的存储数据异常的问题。

27、由上可知，本技术提供的一种用于spi nand的寿命记录方法、芯片及设备，在检测到更新使能打开时将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域，并在写入完成后关闭更新使能，由于该寿命记录方法通过将缓存的擦除次数信息写入擦除次数存储区域的方式将擦除次数信息的性质由易失性转变为非易失性，而spi nand的使用寿命与其擦除次数相关联，因此该寿命记录方法能够通过记录擦除对象的擦除次数的方式记录spi nand的使用寿命，并通过判断擦除次数信息是否达到spi nand的使用寿命对应的擦除次数的方式检测spi nand的使用寿命是否结束，从而有效地避免出现由于无法检测spi nand的使用寿命而导致spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用的情况，进而有效地解决由于spi nand在达到使用寿命后仍被继续使用而导致bit翻转的个数超过内置ecc codec的纠正能力，部分存储单元的存储数据异常的问题。