数据校正装置及其数据校正方法与流程

本公开的多种实施例涉及数据校正技术，并且更具体地，涉及擦除或勘误表(errata)校正方案。

背景技术：

1、由于暂时或永久的原因，存储在存储介质中的数据可能包含错误，因此可能被损坏。这种检测和校正错误的操作通常称为错误校正操作。错误校正操作包括编码操作过程和解码操作过程。

2、在编码操作过程中，将错误校正码添加到原始数据中。一组原始数据和错误校正码作为码字存储在存储介质中。

3、存储在存储介质中的码字稍后从存储介质中读取。在这种情况下，由于码字中包括的原始数据已经存储在存储介质中，因此它可能包含错误并可能被损坏。在解码操作过程中，可以基于从存储介质读取的码字中包括的错误校正码来检测并校正被损坏的数据中包括的错误，并且最终可以恢复原始数据。

4、可以根据错误校正方案以各种方式定义错误校正码，并且错误校正码的错误校正能力也会变化。当被损坏的数据中包括的错误数量超过错误校正码的错误校正能力时，错误校正操作被视为失败。

技术实现思路

1、本公开的多种实施例涉及改进的勘误表校正方案。

2、根据本公开的实施例，一种校正勘误表的方法可以包括：生成关于分别被视为与存储单元中包括的一个或多个缺陷相对应的缺陷位的第一信息；基于第一信息来生成关于一个或多个缺陷符号的第二信息；基于第二信息来生成关于擦除位置的第三信息；以及基于第三信息，对从存储单元读取的读取码字执行勘误表校正操作。

3、生成第一信息可以包括：将从一个或多个原始测试模式中选择的测试模式存储在存储单元中的第一操作；从存储单元读取作为读取测试模式的测试模式的第二操作；检测所选择的模式与读取测试模式之间不一致的位作为缺陷位的第三操作；以及根据作为第三操作的结果的一个或多个缺陷位生成第一信息的第四操作。

4、原始测试模式可以具有彼此不同的值。

5、生成第一信息可以进一步包括第五操作，对各个原始测试模式重复第一操作至第四操作。

6、通过第五操作生成的第一信息可以包括与各个原始测试模式相对应的片段(piece)。

7、原始测试模式可以具有随机性。

8、这些片段可以是缺陷位图。

9、缺陷位图中的每一个可以包括关于原始测试模式中的相应测试模式与读取测试模式中的相应读取测试模式之间的不一致位的信息。

10、原始测试模式中的每一个可以具有与读取码字相同的大小。

11、第二信息可以是基于关于缺陷位图中的每一个中包括的缺陷位的信息生成的。

12、缺陷符号中的每一个可以指示缺陷位图中包括的相应符号之中的一个或多个符号包括缺陷位。

13、第二信息可以是与读取码字具有相同的大小的缺陷符号图。

14、第三信息可以是将缺陷符号中的每一个视为擦除的擦除定位符信息。

15、勘误表校正操作可以是校正读取码字中包括的至少一个数据符号中包括的至少一个错误或至少一个擦除的操作。

16、该方法可以进一步包括在勘误表校正操作成功时，将经校正的码字存储在存储单元中。

17、该方法可以进一步包括在勘误表校正操作失败时将读取码字存储在存储单元中。

18、读取码字可以是根据里德-所罗门(reed-solomon)方案编码的码字。

19、生成第一信息可以是响应于对读取码字执行的错误校正操作失败而执行的。

20、生成第一信息可以是响应于对读取码字执行的勘误表校正操作失败而执行的。

21、根据本公开的实施例，一种校正擦除的装置可以包括：缺陷符号位置生成单元，被配置为生成关于擦除的位置的第三信息；以及勘误表解码单元，被配置为基于第三信息对从存储单元读取的读取码字执行勘误表校正操作。缺陷符号位置生成单元可以进一步被配置为生成关于分别被视为与存储单元中包括的一个或多个缺陷相对应的缺陷位的第一信息，并基于第一信息来生成关于一个或多个缺陷符号的第二信息。缺陷符号位置生成单元可以基于第二信息来生成第三信息。

22、生成第一信息可以包括：将从一个或多个原始测试模式中选择的测试模式存储在存储单元中的第一操作；从存储单元读取作为读取测试模式的测试模式的第二操作；检测所选择的模式与读取测试模式之间不一致的位作为缺陷位的第三操作；以及根据作为第三操作的结果的一个或多个缺陷位生成第一信息的第四操作。

23、原始测试模式可以具有彼此不同的值。

24、生成第一信息可以进一步包括第五操作，对各个原始测试模式重复第一操作至第四操作。

25、通过第五操作生成的第一信息可以包括与各个原始测试模式相对应的片段。

26、原始测试模式可以具有随机性。

27、这些片段可以是缺陷位图。

28、缺陷位图中的每一个可以包括关于原始测试模式中的相应测试模式与读取测试模式中的相应读取测试模式之间的不一致位的信息。

29、原始测试模式中的每一个可以具有与读取码字相同的大小。

30、缺陷符号位置生成单元可以基于关于缺陷位图中的每一个中包括的缺陷位的信息来生成第二信息。

31、缺陷符号中的每一个可以指示缺陷位图中包括的相应符号之中的一个或多个符号包括缺陷位。

32、第二信息可以是与读取码字具有相同的大小的缺陷符号图。

33、第三信息可以是将缺陷符号中的每一个视为擦除的擦除定位符信息。

34、勘误表校正操作可以是校正读取码字中包括的至少一个数据符号中包括的至少一个错误或至少一个擦除的操作。

35、勘误表解码单元可以进一步被配置为在勘误表校正操作成功时，执行将经校正的码字存储在存储单元中的操作。

36、勘误表解码单元可以进一步被配置为在勘误表校正操作失败时，执行将读取码字存储在存储单元中的操作。

37、读取码字可以是根据里德-所罗门(reed-solomon)方案编码的码字。

38、缺陷符号位置生成单元可以在勘误表解码单元对读取码字执行的错误校正操作失败时生成第一信息。

39、缺陷符号位置生成单元可以在勘误表解码单元对读取码字执行的勘误表校正操作失败时生成第一信息。

40、根据本公开的实施例，一种校正擦除的方法可以包括：生成关于分别被视为与存储单元中包括的一个或多个缺陷相对应的缺陷位的第一信息；基于第一信息来生成关于一个或多个缺陷符号的第二信息；基于第二信息来生成关于擦除位置的第三信息；以及基于第三信息，对从存储单元读取的读取码字执行擦除校正操作。

41、生成第一信息可以包括：将从一个或多个原始测试模式中选择的模式存储在存储单元中的第一操作；从存储单元读取作为读取测试模式的测试模式的第二操作；检测所选择的模式与读取测试模式之间不一致的位作为缺陷位的第三操作；以及根据作为第三操作的结果的一个或多个缺陷位生成第一信息的第四操作。

42、原始测试模式可以具有彼此不同的值。

43、生成第一信息可以进一步包括第五操作，对各个原始测试模式重复第一操作至第四操作。

44、通过第五操作生成的第一信息可以包括与各个原始测试模式相对应的片段。

45、原始测试模式可以具有随机性。

46、这些片段可以是缺陷位图。

47、缺陷位图中的每一个可以包括关于原始测试模式中的相应测试模式与读取测试模式中的相应读取测试模式之间的不一致位的信息。

48、原始测试模式中的每一个可以具有与读取码字相同的大小。

49、第二信息可以是基于关于缺陷位图中的每一个中包括的缺陷位的信息来生成的。

50、缺陷符号中的每一个可以指示缺陷位图中包括的相应符号之中的一个或多个符号包括缺陷位。

51、第二信息可以是与读取码字具有相同的大小的缺陷符号图。

52、第三信息可以是将缺陷符号中的每一个视为擦除的擦除定位符信息。

53、擦除校正操作可以是校正读取码字中包括的至少一个数据符号中包括的至少一个擦除的操作。

54、该方法可以进一步包括在擦除校正操作成功时，将经校正的码字存储在存储单元中。

55、该方法可以进一步包括在擦除校正操作失败时，将读取码字存储在存储单元中。

56、读取码字可以是根据里德-所罗门(reed-solomon)方案编码的码字。

57、生成第一信息可以是响应于对读取码字执行的错误校正操作失败而执行的。

58、生成第一信息可以是响应于对读取码字执行的擦除校正操作失败而执行的。

59、根据本公开的实施例，一种校正擦除的装置可以包括：缺陷符号位置生成单元，被配置为生成关于擦除的位置的第三信息；以及擦除解码单元，被配置为基于第三信息对从存储单元读取的读取码字执行擦除校正操作。

60、缺陷符号位置生成单元可以进一步被配置为生成关于分别被视为与存储单元中包括的一个或多个缺陷相对应的缺陷位的第一信息，并基于第一信息来生成关于一个或多个缺陷符号的第二信息，并且缺陷符号位置生成单元可以基于第二信息来生成第三信息。

61、生成第一信息可以包括：将从一个或多个原始测试模式中选择的模式存储在存储单元中的第一操作；从存储单元读取作为读取测试模式的测试模式的第二操作；检测所选择的模式与读取测试模式之间不一致的位作为缺陷位的第三操作；以及根据作为第三操作的结果的一个或多个缺陷位生成第一信息的第四操作。

62、原始测试模式可以具有彼此不同的值。

63、生成第一信息可以进一步包括第五操作，对各个原始测试模式重复第一操作至第四操作。

64、通过第五操作生成的第一信息可以包括与各个原始测试模式相对应的片段。

65、原始测试模式可以具有随机性。

66、这些片段可以是缺陷位图。

67、缺陷位图中的每一个可以包括关于原始测试模式中的相应测试模式与读取测试模式中的相应读取测试模式之间的不一致位的信息。

68、原始测试模式中的每一个可以具有与读取码字相同的大小。

69、缺陷符号位置生成单元可以基于关于缺陷位图中的每一个中包括的缺陷位的信息来生成第二信息。

70、缺陷符号中的每一个可以指示缺陷位图中包括的相应符号之中的一个或多个符号包括缺陷位。

71、第二信息可以是与读取码字具有相同的大小的缺陷符号图。

72、第三信息可以是将缺陷符号中的每一个视为擦除的擦除定位符信息。

73、擦除校正操作可以是校正读取码字中包括的至少一个数据符号中包括的至少一个擦除的操作。

74、擦除解码单元可以进一步被配置为在擦除校正操作成功时，执行将经校正的码字存储在存储单元中的操作。

75、擦除解码单元可以进一步被配置为在擦除校正操作失败时，执行将读取码字存储在存储单元中的操作。

76、读取码字可以是根据里德-所罗门(reed-solomon)方案编码的码字。

77、缺陷符号位置生成单元可以在擦除解码单元对读取码字执行的错误校正操作失败时生成第一信息。

78、缺陷符号位置生成单元可以在擦除解码单元对读取码字执行的擦除校正操作失败时生成第一信息。