1.一种基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法，其特征在于，所述以萨支唐三段式沟道电流方程为基础，引入跨导系数和沟道长度调制因子，分别建立所述跨导系数、所述沟道长度调制因子和所述萨支唐三段式沟道电流方程中的阈值电压的温度控制函数，得到sic mosfet沟道电流变温模型的模型方案，包括：
3.根据权利要求2所述的基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法，其特征在于，所述sic mosfet沟道电流变温模型的模型方案，通过以下公式表示：
4.根据权利要求3所述的基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法，其特征在于，所述基于sic mosfet数据手册，利用1stopt软件对所述模型方案进行拟合编程，得到所述跨导系数、所述沟道长度调制因子和所述阈值电压的温度控制函数的表达式，包括：
5.根据权利要求3至权利要求4中任一项所述的基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法，其特征在于，所述基于所述模型方案，以及所述跨导系数、所述沟道长度调制因子和所述阈值电压的温度控制函数的表达式，利用cadence软件提供的abm器件函数编辑功能进行建模，得到所述sic mosfet沟道电流变温模型，包括：
6.根据权利要求5所述的基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法，其特征在于，所述利用所述cadence软件对所述sic mosfet沟道电流变温模型进行电磁兼容仿真，确定sic mosfet的电磁兼容特性，包括：
7.根据权利要求5所述的基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法，其特征在于，在所述得到所述sic mosfet沟道电流变温模型之后，所述方法还包括：
8.一种基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模系统，其特征在于，所述系统包括模型方案确定模块、模型参数提取模块、模型实现模块和仿真模块；
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
10.一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现如权利要求1至权利要求7中任一项所述的基于sic mosfet器件特性行为模型的电磁兼容建模方法。