入方法。
[0162]综上所述，本发明范例实施例的数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置能够在无需进行有效页面数据整理下直接将更新数据写入至实体页面中，由此提升数据写入的速度。特别是，对于经常以固定小于一个实体页面(例如，8千字节)的数据量(例如，4千字节)来存取数据的作业系统来说，本发明范例实施例的数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置还能够大幅度地提升数据存取的效能。
[0163]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种数据写入方法，其特征在于，用于将更新数据写入至可复写式非易失性存储器模组中，其中该可复写式非易失性存储器模组具有多个实体页面，该些实体页面轮替地映像多个逻辑单元，该更新数据属于该些逻辑单元之中的第一逻辑单元，该更新数据是从该第一逻辑单元的逻辑偏移地址开始写入，并且每一该些实体页面为该可复写式非易失性存储器模组的数据存取单位，该数据写入方法包括: 将该些实体页面之中的第一实体页面划分为多个储存区段，其中每一该些储存区段具有起始实体偏移地址； 为每一该些储存区段配置状态标记，用以标记每一该些储存区段所储存的数据的有效性； 将该更新数据写入至该第一实体页面的该些储存区段中的至少一储存区段；及 将写入该更新数据的该至少一储存区段所对应的状态标记记录成有效状态。
2.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 在该更新数据的大小非小于该数据存取单位时，将该更新数据写入至该第一实体页面该些储存区段中并且将每一该些储存区段的该状态标记记录成该有效状态。
3.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 在该逻辑偏移地址未对应该些储存区段之中的任一个储存区段的该起始实体偏移地址时，从该可复写式非易失性存储器模组中的其他实体页面中读取属于该第一逻辑单元的有效数据，依据该更新数据所对应的该逻辑偏移地址与该有效数据所对应的其他逻辑偏移地址整理该更新数据与该有效数据以产生有效页面数据，将该有效页面数据写入至该第一实体页面的该些储存区段中并且将每一该些储存区段的该状态标记记录成该有效状态。
4.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 当该更新数据大小小于该至少一储存区段的区段容量时，从该可复写式非易失性存储器模组中的至少一其他实体页面中读取属于该第一逻辑单元的有效数据，依据该更新数据所对应的该逻辑偏移地址与该有效数据所对应的至少一其他逻辑偏移地址整理该更新数据与该有效数据以产生等于该区段容量大小的有效储存区段数据，将该有效储存区段数据写入至该第一实体页面的该至少一储存区段中并且将该至少一储存区段所对应的状态标记记录成该有效状态。
5.根据权利要求4所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 在该逻辑偏移地址未对应该些储存区段之中的任一个储存区段的该起始实体偏移地址时，从该可复写式非易失性存储器模组中的该至少一其他实体页面中读取属于该第一逻辑单元的有效数据，依据该更新数据所对应的该逻辑偏移地址与该有效数据所对应的该至少一其他逻辑偏移地址整理该更新数据与该有效数据以产生等于该区段容量大小的该有效储存区段数据，将该有效储存区段数据写入至该第一实体页面的该至少一储存区段中并且将该至少一储存区段所对应的状态标记记录成该有效状态。
6.根据权利要求4所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 从该可复写式非易失性存储器模组中的其他实体页面中读取属于该第一逻辑单元的有效数据，依据该更新数据所对应的该逻辑偏移地址与该有效数据所对应的该至少一其他逻辑偏移地址整理该更新数据与该有效数据以产生有效页面数据，将该有效页面数据写入至该第一实体页面的该些储存区段中并且将每一该些储存区段的该状态标记记录成该有效状态。
7.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 在该更新数据的该逻辑偏移地址对应该些储存区段之中的其中一个储存区段的该起始实体偏移地址且该更新数据的大小等于该至少一储存区段的区段容量时，将该更新数据写入至该至少一储存区段中并且将对应该其中一个储存区段的该状态标记记录成该有效状态。
8.根据权利要求7所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 从该可复写式非易失性存储器模组中的至少一其他实体页面中读取属于该第一逻辑单元的有效数据，依据该更新数据所对应的该逻辑偏移地址与该有效数据所对应的至少一其他逻辑偏移地址整理该更新数据与该有效数据以产生有效页面数据，将该有效页面数据写入至该第一实体页面的该些储存区段中并且将每一该些储存区段的该状态标记记录成该有效状态。
9.根据权利要求7所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 将该更新数据与无意义数据整理成页面资料写入至该第一实体页面中。
10.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 在该更新数据的大小小于该数据存取单位时，将该更新数据与无意义数据写入至该第一实体页面中。
11.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模组具有缓冲存储器，该数据写入方法还包括: 在该更新数据的大小小于该数据存取单位时，将该更新数据传输至该可复写式非易失性存储器模组中与该缓冲存储器中的无意义数据一起写入至该第一实体页面中。
12.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 在该更新数据的大小小于该数据存取单位时，在不将该更新数据整理成有效页面数据下，直接指示将该更新数据写入至该第一实体页面中。
13.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 将该些储存区段的状态标记记录在区块管理表中。
14.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，还包括: 将该些储存区段的状态标记记录在该些实体页面的冗余位区中。
15.一种内存储存装置，其特征在于，包括: 连接器，用以耦接至主机系统； 可复写式非易失性存储器模组，具有多个实体页面；以及 内存控制器，耦接至该可复写式非易失性存储器模组与该连接器， 其中该内存控制器用以配置多个逻辑单元并且指派该些实体页面来轮替地映像该些逻辑单元， 其中该连接器用以从该主机系统接收更新数据，其中该更新数据属于该些逻辑单元之中的第一逻辑单元并且该更新数据是从该第一逻辑单元的逻辑偏移地址开始写入， 其中该内存控制器将该些实体页面之中的第一实体页面划分为多个储存区段并且为每一该些储存区段配置状态标记，用以标记每一该些储存区段所储存的数据的有效性，其中每一该些储存区段具有起始实体偏移地址， 其中该内存控制器将该更新数据与无意义数据写入至该第一实体页面中， 其中该内存控制器将对应该更新数据的储存区段的该状态标记记录成有效状态，并且将对应该无意义数据的储存区段的该状态标记记录成无效状态。
16.根据权利要求15所述的内存储存装置，其特征在于，当该更新数据大小小于该至少一储存区段的区段容量时，该内存控制器从该可复写式非易失性存储器模组中的至少一其他实体页面中读取属于该第一逻辑单元的有效数据，依据该更新数据所对应的该逻辑偏移地址与该有效数据所对应的至少一其他逻辑偏移地址整理该更新数据与该有效数据以产生等于该区段容量大小的有效储存区段数据，将该有效储存区段数据与该无意义数据写入至该第一实体页面中，以及将对应该有效储存区段数据的储存区段的该状态标记记录成该有效状态。
17.根据权利要求16所述的内存储存装置，其特征在于，当该逻辑偏移地址未对应该些储存区段之中的任一个储存区段的该起始实体偏移地址时，该内存控制器从该可复写式非易失性存储器模组中的其他实体页面中读取属于该第一逻辑单元的有效数据，依据该更新数据所对应的该逻辑偏移地址与该有效数据所对应的该至少一其他逻辑偏移地址整理该更新数据与该有效数据以产生等于该区段容量大小的该有效储存区段数据，将该有效储存区段数据与该无意义数据写入至该第一实体页面中。
18.根据权利要求15所述的内存储存装置，其特征在于，当该更新数据的该逻辑偏移地址对应该些储存区段之中的其中一个储存区段的该起始实体偏移地址且该更新数据的大小等于至少一储存区段的区段容量时，该内存控制器将该更新数据与该无意义数据写入至该第一实体页面中。
19.根据权利要求15所述的内存储存装置，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模组具有缓冲存储器，该内存控制器将该更新数据传输至该可复写式非易失性存储器模组中与该缓冲存储器中的该无意义数据一起写入至该第一实体页面中。
20.根据权利要求15所述的内存储存装置，其特征在于，该内存控制器将该些储存区段的状态标记记录在区块管理表中。
21.根据权利要求15所述的内存储存装置，其特征在于，该内存控制器将该些储存区段的状态标记记录在该些实体页面的冗余位区中。
【专利摘要】本发明提供一种数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置，数据写入方法用于将更新数据写入至具有多个实体页面的闪速存储器模组中，其中每一实体页面为闪速存储器模组的最小写入单位。本方法包括将一个实体页面划分为多个储存区段且为每一储存区段配置一状态标记，用以标记储存区段所储存的数据的有效性。本方法也包括将更新数据写入此些储存区段中的至少一储存区段且修改写入此更新数据的储存区段对应的状态标记，其中在实体页面中储存更新数据的储存区段的状态标记的状态为有效并且非储存更新数据的其他储存区段的状态标记的状态为无效。基此，本方法可缩短写入数据至实体页面的时间。
【IPC分类】G06F12-02, G06F13-16
【公开号】CN104536906
【申请号】CN201510027108
【发明人】叶志刚
【申请人】群联电子股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2011年8月2日