盖瓦磁记录硬盘、盖瓦磁记录硬盘写数据的方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明实施例涉及计算机技术，尤其涉及一种盖瓦磁记录（Shingled Magnetic Recording，简称SMR)硬盘、SMR硬盘写数据的方法及装置。
【背景技术】
[0002] SMR硬盘是一种采用SMR技术的大容量硬盘，能够提升硬盘的磁记录密度达1-2倍 以上，可以将硬盘的单盘容量提升1-2倍以上。
[0003] 与传统硬盘的磁轨（Track)排布不同，现有技术的SMR硬盘的Track是依次覆盖 的，因此，SMR硬盘在写入数据时只能按照Track从小到大的顺序的方向依次顺序写入；同 时，SMR硬盘中的所有Track被分组形成许多独立的磁轨带（band)，每个band包含的扇区 (Sector)的个数相同。这种设计可以实现band之间的随机写入，但是band内只支持顺序 写入，导致现有技术的SMR硬盘在band内的写性能较差。
【发明内容】
[0004] 本发明实施例提供一种SMR硬盘、SMR硬盘写数据的方法及装置，提高SMR硬盘的 与性能。
[0005] 第一方面，本发明实施例提供一种SMR硬盘写数据的方法，其中，所述SMR硬盘包 括多个磁轨带band，所述方法包括：
[0006] 接收第一写数据指令，所述第一写数据指令包括第一待写入数据和所述第一待写 入数据对应的关键字，并且，所述第一写数据指令不包括所述第一待写入数据的地址；
[0007] 从所述多个band中选择第一目标band ;
[0008] 将所述第一待写入数据写入所述第一目标band中；
[0009] 保存所述第一待写入数据对应的关键字与所述第一待写入数据写入所述第一目 标band的地址之间的对应关系，以用于所述SMR硬盘根据所述第一待写入数据对应的关键 字以及所述对应关系获得所述第一待写入数据
[0010] 根据第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述从所述多个band中 选择一个第一目标band包括：
[0011] 根据所述第一待写入数据的大小从所述多个band中选择一个第一目标band。
[0012] 根据第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述从所述多个band中 选择一个第一目标band包括：
[0013] 从所述多个band中顺序选择一个第一目标band。
[0014] 根据第一方面，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述第一写数据指令还 包括所述第一待写入数据的属性；
[0015] 所述从所述多个band中选择一个第一目标band包括：根据所述第一待写入数据 的属性从所述多个band中选择一个第一目标band。
[0016] 根据第一方面，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述方法还包括：
[0017] 接收第二写数据指令，所述第二写数据指令包括第二待写入数据和所述第二待写 入数据对应的关键字，并且，所述第二写数据指令不包括所述第二待写入数据的地址；
[0018] 确定所述第二待写入数据对应的关键字与所述第一待写入数据对应的关键字相 同；
[0019] 从所述多个band中选择第二目标band，所述第二目标band不同于所述第一目标 band ；
[0020] 将所述第二待写入数据写入所述第二目标band中；
[0021] 保存所述第二待写入数据对应的关键字与所述第二待写入数据写入所述第二目 标band的地址之间的对应关系；
[0022] 删除所述第一待写入数据对应的关键字与所述第一待写入数据写入所述第一目 标band的地址之间的对应关系；
[0023] 将所述第一待写入数据标记为无效数据。
[0024] 根据第一方面的第四种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式 中，还包括：
[0025] 从所述多个band中选择第三目标band ;
[0026] 将所述第一目标band中未标记为无效数据的数据写入所述第三目标band中；
[0027] 清除所述第一目标band中的所有数据。
[0028] 第二方面，本发明实施例提供一种盖瓦磁记录SMR硬盘写数据的装置，其中，所述 SMR硬盘包括多个磁轨带band，所述装置包括：
[0029] 接收模块，用于接收第一写数据指令，所述第一写数据指令包括第一待写入数据 和所述第一待写入数据对应的关键字，并且，所述第一写数据指令不包括所述第一待写入 数据的地址；
[0030] 处理模块，用于从所述多个band中选择第一目标band ;
[0031] 写入模块，用于将所述接收模块接收到的所述第一写数据指令包括的所述第一待 写入数据写入所述第一目标band中；
[0032] 保存模块，用于保存所述第一待写入数据对应的关键字与所述第一待写入数据写 入所述第一目标band的地址之间的对应关系，以用于所述SMR硬盘根据所述第一待写入数 据对应的关键字以及所述对应关系获得所述第一待写入数据。
[0033] 根据第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述处理模块具体用于： 根据所述第一待写入数据的大小从所述多个band中选择一个第一目标band。
[0034] 根据第二方面，在第二方面的第二种可能的实现方式中，所述处理模块具体用于： 从所述多个band中顺序选择一个第一目标band。
[0035] 根据第二方面，在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述第一写数据指令还 包括所述第一待写入数据的属性；
[0036] 所述处理模块具体用于：根据所述第一待写入数据的属性从所述多个band中选 择一个第一目标band。
[0037] 根据第二方面，在第二方面的第四种可能的实现方式中，所述接收模块，还用于接 收第二写数据指令，所述第二写数据指令包括第二待写入数据和所述第二待写入数据对应 的关键字，并且，所述第二写数据指令不包括所述第二待写入数据的地址；
[0038] 所述处理模块，还用于确定所述第二待写入数据对应的关键字与所述第一待写入 数据对应的关键字相同；
[0039] 所述处理模块，还用于从所述多个band中选择第二目标band，所述第二目标band 不同于所述第一目标band ;
[0040] 所述写入模块，还用于将所述接收模块接收到的所述第二写数据指令包括的所述 第二待写入数据写入所述第二目标band中；
[0041] 所述保存模块，还用于保存所述第二待写入数据对应的关键字与所述第二待写入 数据写入所述第二目标band的地址之间的对应关系；
[0042] 所述保存模块，还用于删除所述第一待写入数据对应的关键字与所述第一待写入 数据写入所述第一目标band的地址之间的对应关系；
[0043] 所述处理模块，还用于将所述第一待写入数据标记为无效数据。
[0044] 根据第二方面的第四种可能的实现方式，在第二方面的第五种可能的实现方式 中，所述处理模块，还用于从所述多个band中选择第三目标band ;
[0045] 所述写入模块，还用于将所述第一目标band中未标记为无效数据的数据写入所 述第三目标band中；
[0046] 所述处理模块，还用于清除所述第一目标band中的所有数据。
[0047] 第三方面，本发明实施例提供一种盖瓦磁记录SMR硬盘，其中，所述SMR硬盘包括 上述第二方面任意所述的SMR硬盘写数据的装置。
[0048] 采用本发明实施例提供的SMR硬盘、SMR硬盘写数据的方法及装置，SMR硬盘接 收到的第一写数据指令中包括第一待写入数据和所述第一待写入数据对应的关键字，并 且，所述第一写数据指令不包括所述第一待写入数据的地址，SMR硬盘在多个band中为第 一待写入数据选择目标band并进行数据写入，在本发明实施例中第一写数据指令不包括 所述第一待写入数据的地址，因此SMR硬盘可以自己决定存储所述第一待写入数据的目标 band，在将所述第一待写入数据写入第一目标band之后再保存所述第一待写入数据对应 的关键字与所述第一待写入数据写入所述第一目标band的地址之间的对应关系，以用于 所述SMR硬盘根据所述第一待写入数据对应的关键字以及所述对应关系获得所述第一待 写入数据。由于SMR硬盘可以自行决定保存所述第一待写入数据的第一目标band，因此SMR 可以随机写入所述第一待写入数据，从而提高了写数据性能。
【附图说明】
[0049] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发 明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0050] 图1为本发明实施例提供的SMR硬盘写数据的方法的流程图；
[0051] 图2为本发明实施例提供的将待写入数据写入SMR硬盘的原理图；
[0052] 图3为本发明实施例提供的将待写入数据写入SMR硬盘的另一原理图；
[0053] 图4为本发明实施例提供的将待写入数据写入SMR硬盘的又一原理图；
[0054] 图5A为本发明实施例提供的SMR硬盘更新数据的原理图；
[0055] 图5B为本发明实施例提供的SMR硬盘更新数据的另一原理图；
[0056] 图6为本发明实施例提供的盖瓦磁记录SMR硬盘写数据的装置的结构示意图；
[0057] 图7为本发明实施例提供的盖瓦磁记录SMR硬盘的结构示意图；
[0058] 图8为本发明实施例提供的另一种盖瓦磁记录SMR