射频识别读写器的制造方法

文档序号:8412910阅读:534来源:国知局
射频识别读写器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及无线电识别与装置领域,具体而言涉及一种多接口、远距离、低成本、工作稳定的射频识别读写器。
【背景技术】
[0002]传统的自动识别技术,尤其以条形码技术为典型代表,无论在商业领域还是在物流、金融等领域,得到广泛的应用,成为一种重要的信息采集手段。其符号表示方法,已从一维条码发展到二维条码,但条码技术存在一些技术缺陷,如安全性低、信息无法更改、信息读取速度慢、通信与抗干扰能力差等。此外,条码识别技术在多目标识别及高速目标识别方面完全无用武之地,使得条码技术的应用存在很大的限制,已经不能满足当前的应用需求。根据上述出现的问题,射频读写器孕育而生。射频读写器以其读写速率快、识别距离远、数据传输速率高、抗电磁干扰能力强,使用寿命长等优势,在生产管理等方面得到广泛应用。
[0003]在应用实例中,产品上要附有标签,射频识别读写器从这个标签上读取信息。当读写器处于正常工作状态时,读写器发射天线产生的电磁场被耦合到标签上,标签利用这种耦合能量来驱动电路,然后,将处理后信息再次以电磁场的形式耦合到读写器的接收天线,从而被读写器接收处理。

【发明内容】

[0004]本发明目的在于提供一种工作稳定、能够准确地进行信息读取的射频识别识别读写器,适用范围广,实用性强。
[0005]为达成上述目的,本发明所采用的技术方案如下:
一种射频识别读写器,包括射频收发芯片、巴伦电路、功率放大电路、耦合器、第一单刀双掷开关、发射天线、接收天线、衰减器、第二单刀双掷开关、功率检测电路、底层微控制器模块、上层微控制器模块、RS232接口、USB接口和网络接口,其中:
射频收发芯片,用于接收底层微控制器模块的指令处于相应的工作模式,以接收和发射射频信号;
巴伦电路,用于将射频收发芯片所发射的差分信号转换为单端信号;
功率放大电路,用于实现功率放大,提高信号发射的增益;
耦合器,用于在发射模式下将发射信号的一部分发射出去,另一部分耦合到前述功率检测电路,以及在处于接收模式时,将接收信号的一部分送到衰减器,另一部分送到前述功率检测电路;
单刀双掷开关,其一端连接至耦合器,另一端可选择地与发射天线或接收天线连接,实现发射与接收之间的切换;
发射天线,用于完成信号的发射;
接收天线,用于完成信号的接收;
衰减器,用于对经由耦合器传输过来的接收信号进行功率衰减,将衰减后的接收信号送往射频收发芯片;
第二单刀双掷开关,连接于所述耦合器与功率检测电路之间,用于实现发射信号及接收信号的切换传输到功率检测电路;
功率检测电路,用于对经由所述第二单刀双掷开关传输过来的发射信号或接收信号的功率检测,将发射或接收部分的功率信号转换为底层微控制器模块可接收的信号,送往底层微控制器模块;
底层微控制器模块,用于接收上层微控制器模块的指令,控制射频收发芯片工作模式,同时接收射频收发芯片的信号以及接收前述底层微控制器模块发送过来的信号;
上层微控制器模块,用于完成接口指令接收,接收底层微控制器模块的指令并对其进行处理,然后送往接口 ;
RS232接口、USB接口和网络接口均与上层微控制器模块数据连接,其中:RS232接口与USB接口分别用于实现上层微控制器模块与上位机之间通过各自的接口相关协议进行通信,网络接口提供网络接口实现上层微控制器模块与上位机之间进行通信。
[0006]本发明所提出的前述技术方案的优点及其附加的优点,将在下述【具体实施方式】所列明的技术特征或者技术特征的组合中,或者在本发明的实施中加以体现。
【附图说明】
[0007]图1为本发明一实施方式射频识别读写器的示例性结构示意图。
[0008]图2为图1实施例的射频识别读写器中功率放大电路的示意图。
[0009]图3为图1实施例的射频识别读写器中功率检测电路的电路示意图。
[0010]图4为图1实施例的射频识别读写器中底层微控制器模块的电路示意图。
【具体实施方式】
[0011]为了更了解本发明的技术内容,特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
[0012]如图1所示,根据本发明的较优实施例,一种射频识别读写器,包括射频收发芯片101、巴伦电路102、功率放大电路103、耦合器104、第一单刀双掷开关105、发射天线106、接收天线107、衰减器108、第二单刀双掷开关109、功率检测电路111、底层微控制器模块110、上层微控制器模块112、RS232接口 113、USB接口 114和网络接口 115。
[0013]射频收发芯片101,用于接收底层微控制器模块110的指令处于相应的工作模式,以接收和发射射频信号。
[0014]巴伦电路102,用于将射频收发芯片101所发射的差分信号转换为单端信号。
[0015]功率放大电路103,用于实现功率放大,提高信号发射的增益。
[0016]耦合器104,用于在发射模式下将发射信号的一部分发射出去,另一部分耦合到前述功率检测电路111,以及在处于接收模式时,将接收信号的一部分送到衰减器,另一部分送到前述功率检测电路111。
[0017]单刀双掷开关105,其一端连接至耦合器104,另一端可选择地与发射天线106或接收天线107连接,实现发射与接收之间的切换。
[0018]发射天线106,用于完成信号的发射。
[0019]接收天线107,用于完成信号的接收。
[0020]衰减器108,用于对经由耦合器104传输过来的接收信号进行功率衰减,将衰减后的接收信号送往射频收发芯片101。
[0021]第二单刀双掷开关109,连接于所述耦合器104与功率检测电路111之间,用于实现发射信号及接收信号的切换传输到功率检测电路111。
[0022]功率检测电路111,用于对经由所述第二单刀双掷开关109传输过来的发射信号或接收信号的功率检测,将发射或接收部分的功率信号转换为底层微控制器模块110可接收的信号,送往底层微控制器模块110。
[0023]底层微控制器模块110,用于接收上层微控制器模块的指令112,控制射频收发芯片工作模式,同时接收射频收发芯片的信号101以及接收前述底层微控制器模块110发送过来的信号。
[0024]上层微控制器模块112,用于完成接口指令接收,接收底层微控制器模块110的指令并对其进行处理,然后送往接口。
[0025]RS232接口 113、USB接口 114和网络接口 115均与上层微控制器模块112数据连接,其中:RS232接口 113与USB接口 114分别用于实现上层微控制器模块112与上位机之间通过各自的接口相关协议进行通信,网络接口 115提供网络接口实现上层微控制器模块112与上位机之间进行通信。
[0026]作为可选的方式,射频收发芯片101可采用Impini公司的R1000芯片。
[0027]功率放大电路103采用两级放大结构,其中前级放大器采用SIRENZAMICRODEVICES 公司的 SXB-4089Z,后
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