一种emmc读写控制方法及控制系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及移动终端技术领域，尤其涉及一种EMMC读写控制方法及控制系统。
【背景技术】
[0002]目前移动终端普遍采用内嵌式记忆体(Embedded Multi Media Card，简称EMMC)作为存储芯片，然而EMMC有写入次数的限制，当写入次数超过限制时，存在EMMC芯片存在损坏的可能性；当EMMC芯片损坏时，会导致用户保存的文件损坏、系统运行异常、甚至移动终端无法使用。
[0003]在现有技术中，任何对于EMMC的读、写操作是直接面向EMMC芯片的，加之用户使用移动终端频率较高，导致写EMMC的次数在一到两年后就可以到达限制次数，EMMC芯片损坏，大大缩短了 EMMC芯片的使用寿命，从而导致用户的文件损坏、移动终端无法使用等缺陷。
[0004]因此，现有技术有待改进和提尚。
【发明内容】
[0005]鉴于现有技术的不足，本发明目的在于提供一种EMMC读写控制方法及控制系统，为了解决现有技术中移动终端的EMMC的读写次数较多，EMMC芯片使用寿命智囊，导致用户的文件损坏、移动终端无法使用的缺陷。通过本发明提供的技术方案可以对EMMC写入操作进行优化，大大减少实际写入EMMC芯片的次数，使EMMC的寿命延长。
[0006]本发明的技术方案如下:
一种EMMC读写控制方法，其中，方法包括:
A、预先在内存中设置一块缓存区域；
B、当检测到EMMC读写操作，控制将读写操作作用于所述缓存区域；
C、当检测缓存区域中的数据大小超出存储范围或检测到移动终端关机时，将缓存区域中的数据写入EMMC中相应地址中，并删除缓存区域中的所有缓存单元。
[0007]所述EMMC读写控制方法，其中，所述缓存单元包括临时地址和临时数据。
[0008]所述EMMC读写控制方法，其中，所述步骤B具体包括:
B1、检测EMMC读写操作，判断当前操作为读操作或是写操作；
B2、如果当作操作是读操作，获取读操作地址，在缓存区域中查找对应的读操作地址，返回所述读操作地址对应的临时数据，若在缓存区域中查找不到对应的读操作地址，返回EMMC中所述读操作地址对应的数据；
B3、如果当前操作是写操作，获取写操作的地址及数据，将所述写操作的地址对应的数据写入缓存区域中对应的写操作地址的临时数据中。
[0009]所述EMMC读写控制方法，其中，所述步骤B3具体包括:
B31、如果当前操作是写操作，获取写操作的地址及数据；
B32、在缓存区域中查找是否存在缓存单元且该缓存单元的临时地址与所述写操作地址相同；
B33、若存在，则将数据赋值给该缓存单元的临时数据；
B34、若不存在，则在缓存区域中创建一个缓存单元，缓存单元的临时地址设置为所述写操作地址，将数据赋值给临时地址的临时数据。
[0010]所述EMMC读写控制方法，其中，所述步骤C具体包括:
Cl、当检测到缓存区数据大小超出存储范围或检测到移动终端关机时，将临时地址中存储的临时数据写入临时地址对应的EMMC地址中；
C2、删除缓存区域中的所有缓存单元。
[0011]一种EMMC读写控制系统，其中，系统包括:
预先设置模块，用于预先在内存中设置一块缓存区域；
第一检测与控制模块，用于当检测到EMMC读写操作，控制将读写操作作用于所述缓存区域；
第二检测与控制模块，用于当检测缓存区域中的数据大小超出存储范围或检测到移动终端关机时，将缓存区域中的数据写入EMMC中相应地址中，并删除缓存区域中的所有缓存单元。
[0012]所述EMMC读写控制系统，其中，所述系统还包括:所述缓存单元包括临时地址和临时数据。
[0013]所述EMMC读写控制系统，其中，所述第一检测与控制模块具体包括:
检测与判断单元，用于检测EMMC读写操作，判断当前操作为读操作或是写操作；
查找与读取单元，用于如果当作操作是读操作，获取读操作地址，在缓存区域中查找对应的读操作地址，返回所述读操作地址对应的临时数据，若在缓存区域中查找不到对应的读操作地址，返回EMMC中所述读操作地址对应的数据；
数据写入单元，用于如果当前操作是写操作，获取写操作的地址及数据，将所述写操作的地址对应的数据写入缓存区域中对应的写操作地址的临时数据中。
[0014]所述EMMC读写控制系统，其中，所述数据写入单元具体包括:
地址与数据获取单元，用于如果当前操作是写操作，获取写操作的地址及数据；
查找单元，用于在缓存区域中查找是否存在缓存单元且该缓存单元的临时地址与所述写操作地址相同；
第一数据写入单元，用于将数据赋值给该缓存单元的临时数据；
第二数据写入单元，用于在缓存区域中创建一个缓存单元，缓存单元的临时地址设置为所述写操作地址，将数据赋值给临时地址的临时数据。
[0015]所述EMMC读写控制系统，其中，所述第二检测与控制模块具体包括:
检测与控制单元有，用于当检测到缓存区数据大小超出存储范围或检测到移动终端关机时，将临时地址中存储的临时数据写入临时地址对应的EMMC地址中；
删除单元，用于删除缓存区域中的所有缓存单元。
[0016]本发明提供了一种EMMC读写控制方法及控制系统，所述方法包括:预先在内存中设置一块缓存区域；当检测到EMMC读写操作，控制将读写操作作用于所述缓存区域；当检测缓存区域中的数据大小超出存储范围或检测到移动终端关机时，将缓存区域中的数据写AEMMC中相应地址中，并删除缓存区域中的所有缓存单元。本发明通过在内存中设置一块缓存区域，检测EMMC读写操作，并将读写操作作用于所述缓存区域；当缓存区域满时或检测到移动终端关机时，将缓存区域中的数据写入EMMC相应地址中，并清空缓存；从而实现对EMMC写入操作进行优化，大大减少实际写入EMMC芯片的次数，延长EMMC的寿命。
【附图说明】
[0017]图1为本发明的一种EMMC读写控制方法的较佳实施例的流程图。
[0018]图2为本发明的一种EMMC读写控制方法的具体应用实施例的缓存区示意图。
[0019]图3为本发明的一种EMMC读写控制方法的具体应用实施例的读写操作的细化步骤流程图。
[0020]图4为本发明的一种EMMC读写控制方法的具体应用实施例的当缓存区数据超范围或移动终端关机后的细化步骤流程图。
[0021]图5为本发明的一种EMMC读写控制系统的较佳实施例的功能原理框图。
【具体实施方式】
[0022]为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0023]本发明提供了一种EMMC读写控制方法的较佳实施例的，如图1所示，所述方法包括:
步骤S100、预先在内存中设置一块缓存区域。
[0024]具体实施时，预先在内存中设置一块缓存区域，用于将对于EMMC的读写操作转化为对缓存的操作，从而减少了对EMMC的读写次数。具体地，所述缓存区域为一块内存；缓存区域用于创建缓存单元，每个缓存单元包括临时地址和临时数据；譬如，请参阅图2，图2所示为缓存区域的示意图，在图2所示为缓存区域已创建有2个缓存单元，每个缓存单元又包括临时地址和临时数据；其中，所述缓存单元、临时数据、临时地址的大小是固定的。临时地址和临时数据分别是对应于EMMC对应的地址和数据。
[0025]步骤S200、当检测到EMMC读写操作，控制将读写操作作用于所述缓存区域。
[0026]具体实施时，步骤S200具体包括:
步骤S21、检测EMMC读写操作，判断当前操作为读操作或是写操作；
步骤S22、如果当作操作是读操作，获取读操作地址，在缓存区域中查找对应的读操作地址，返回所述读操作地址对应的临时数据，若在缓存区域中查找不到对应的读操作地址，返回EMMC中所述读操作地址对应的数据；
步骤S23、如果当前操作是写操作，获取写操作的地址及数据，将所述写操作的地址对应的数据写入缓存区域中对应的写操作地址的临时数据中。
[0027]具体实施时，步骤S23具体包括:。
[0028]步骤S231、如果当前操作是写操作，获取写操作的地址及数据；
步骤S232、在缓存区域中查找是否存在缓存单元且该缓存单元的临时地址与所述写操作地址相同；
步骤S233、若存在，则将数据赋值给该缓存单元的临时数据；
步骤S234、若不存在，则在缓存区域中创建一个缓存单元，缓存单元的临时地址设置为所述写操作地址，将数据赋值给临时地址的临时数据。
[0029]具体实施时，当需要读EMMC中地址为0x10000000的数据，先在缓存区域中查找是否存在缓存单元且该缓存单元的临时地址为0x10000000，若存在则返回该缓存单元的临时数据；若不存在，则返回EMMC中地址0x10000000对应的数据。
[0030]当需要将数据0x66写至EMMC中地址为0x10000000，先在缓存区域中查找是否存在缓存单元且该缓存单元的临时地址为0x10000000，若存在则将0x66赋值给该缓存单元的临时数据；若不存在，则在缓存区域中创建一个缓存单元，该缓存单元的临时地址为0x10000000，并将0x66赋值给该缓存单元的临时数据。
[0031]进一步地，本发明还提供了一种EMMC读写控制方法的具体应用实施例的读写操作的细化步骤流程图，如图3所示，所述细化步骤包括:
步骤S201、检测EMMC读写操作，若为读操作则进入步骤S202，若为写操作则进入步骤S203 ；
步骤S202、获取读操作地址，在缓存区域中查找是否存在缓存单元且该缓存单元的临时地址与所述读操作地址相同，若存在则返回该缓存单元的临时数据；若不存在，则返回EMMC中所述读操作地址对应的数据；
步骤S203、获取写操作的地址及数据，在缓存区域中查找是否存在缓存单元且该缓存单元的临时地址与所述写操作地址相同，