的第二集合之间。例如，传感器电极1208A和1208B设置成使得它们在传感器电极1208C和1208D之间交织。在其他实施例中，传感器电极包括一个或多个突出部分，但是传感器电极没有相互交织。此外，网格电极122可在传感器电极之间的一个或多个区域(例如段1206)中具有减小的宽度。在其他实施例中，也可考虑以上未列示的附加形状。在各个实施例中，传感器电极可在各种不同角度具有多于一个突出部分。例如，也可考虑诸如(但不限于)“星形”、“星号”(asterisk)、“圆形”、“菱形”和“椭圆形”之类的形状。在一个或多个实施例中，传感器电极的形状可选择成改进传感器电极与其他传感器电极之间或者传感器电极与输入物体之间的边缘场线。传感器电极可具有一个或多个突出部分(相互垂直或者在相互之间的任何角度)、一个或多个成角度边、一个或多个弯曲边或者以上所述的任何组合。
[0134]本发明的一些实施例可采用下列示例来描述。
[0135]用于电容感测装置的处理系统的第一示例可包括传感器模块，其包括耦合到多个传感器电极和场整形电极的传感器电路。传感器模块可配置成驱动多个传感器电极的每个并用其进行接收，以便同时获取多个传感器电极的每个与输入物体之间的绝对电容的变化的测量；有选择地在第一模式和第二模式操作场整形电极，其中在第一模式和第二模式的至少一个期间，场整形电极配置成将多个传感器电极中的第一传感器电极与多个传感器中的第二传感器电极充分隔离。处理系统可包括确定模块，该确定模块配置成基于绝对电容的变化的测量来确定电容感测装置的感测区中的输入物体的位置信息，其中有选择地在第一模式和第二模式操作场整形电极包括当确定输入物体处于感测区的第二区域中时按第二模式来操作场整形电极而当确定输入物体处于感测区的第一区域中时按第一模式来操作场整形电极，其中感测区的第一区域处于第二区域与感测装置的输入表面之间。
[0136]在第二示例中，第一示例所述的传感器模块还可配置成当工作在第一模式时采用发射器信号来驱动场整形电极并且采用第一传感器电极来接收所产生信号。确定模块还可配置成基于所产生信号来确定位置信息。
[0137]在第三示例中，第一示例所述的传感器模块还可在按照第一模式操作场整形电极时采用第一场整形信号来驱动场整形电极而在按照第二模式操作场整形电极时采用第二场整形信号来驱动场整形电极。第一场整形信号可与第二场整形信号是不同的。
[0138]在第四示例中，第三示例所述的处理系统的第一场整形信号和第二场整形信号可以是变化电压信号，并且在幅度和相位的至少一个方面有所不同。
[0139]在第五示例中，第四示例所述的处理系统的第二场整形信号可具有比第一场整形信号的幅度要大的幅度。
[0140]在第六示例中，第三示例所述的处理系统的第一场整形信号可以是基本恒定电压，以及第二场整形信号是变化电压信号。
[0141]在第七示例中，第一示例所述的处理系统中驱动多个传感器电极并用其进行接收以同时获取多个传感器电极的每个与输入物体之间的绝对电容的变化的测量可包括同时采用发射器信号驱动第一传感器电极和第二传感器电极并且采用第一传感器电极和第二传感器电极接收所产生信号，以及其中工作在第二模式包括采用第二场整形信号来驱动场整形电极，并且其中发射器信号和第二场整形信号在相位和幅度的至少一个方面是相似的。
[0142]在第八示例中，第二示例所述的处理系统中工作在第二模式可包括采用第一场整形信号来驱动场整形电极，以及其中发射器信号和第一场整形信号在相位和幅度的至少一个方面有所不同。
[0143]在第九不例中，输入装置可包括其中包含第一传感器电极和第二传感器电极的多个传感器电极、场整形电极以及耦合到多个传感器电极和场整形电极的处理系统。处理系统可配置成驱动多个传感器电极的每个并用其进行接收，以便同时获取多个传感器电极的每个与输入物体之间的绝对电容的变化的测量；基于绝对电容的变化的测量来确定电容感测装置的感测区中的输入物体的位置信息；以及有选择地在确定输入物体处于感测区的第一区域中时按第一模式来操作场整形电极而在确定输入物体处于感测区的第二区域中时按第二模式来操作场整形电极，其中感测区的第一区域处于第二区域与感测装置的输入表面之间，其中，在第一模式和第二模式的至少一个期间，场整形电极配置成将第一传感器电极与第二传感器电极充分隔尚。
[0144]在第十示例中，第九示例所述的输入装置的处理系统可单独耦合到多个传感器电极的每个传感器电极以及耦合到场整形电极。
[0145]在第十一示例中，第九示例所述的输入装置的场整形电极可设置在第一传感器电极与第二传感器电极之间。
[0146]在第十二示例中，第九示例所述的输入装置的场整形电极可至少部分重叠第一传感器电极之一和第二传感器电极之一。
[0147]在第十三示例中，第九示例所述的输入装置的场整形电极可包括多个场整形元件。
[0148]在第十四示例中，第九示例所述的输入装置的处理系统可配置成当工作在第一模式时采用发射器信号来驱动场整形电极并且采用第一传感器电极来接收所产生信号，以及基于所产生信号来确定位置信息。
[0149]在第十五示例中，第九示例所述的输入装置的处理系统可配置成在按照第一模式来操作场整形电极时采用第一场整形信号来操作场整形电极而在按照第二模式来操作场整形电极时采用第二场整形信号来操作场整形电极，其中第一场整形信号与第二场整形信号是不同的。
[0150]在第十六示例中，第十五示例所述的输入装置的第一场整形信号和第二场整形信号可包括变化电压信号，并且在幅度和相位的至少一个方面有所不同。
[0151]在第十七示例中，第十六示例所述的输入装置的第二场整形信号可具有比第一场整形信号的幅度要大的幅度。
[0152]在第十八示例中，第十五示例所述的输入装置的第一场整形信号是基本恒定电压，以及第二场整形信号是变化电压信号。
[0153]在第十九示例中，第十五示例所述的输入装置还可包括显示装置，其包括配置成被驱动以进行显示更新和电容感测的多个公共电极，并且其中多个传感器电极的每个包括多个公共电极的至少一个公共电极。
[0154]在第二十示例中，一种用于电容感测的方法可包括驱动多个传感器电极的每个并用其进行接收，以便同时获取多个传感器电极的每个与输入物体之间的绝对电容的变化的测量；基于绝对电容的变化的测量来确定电容感测装置的感测区中的输入物体的位置信息；以及有选择地在确定输入物体处于感测区的第一区域中时按第一模式来操作场整形电极而在确定输入物体处于感测区的第二区域中时按第二模式来操作场整形电极，其中感测区的第一区域处于第二区域与感测装置的输入表面之间，其中，在第一模式和第二模式的至少一个期间，场整形电极配置成将第一传感器电极与第二传感器电极充分隔离。
[0155]在第二十一示例中，第十九示例所述的方法还可包括当工作在第一模式时采用发射器信号来驱动场整形电极并且采用第一传感器电极来接收所产生信号，以及基于所产生信号来确定位置信息。
[0156]在第二十二示例中，第十九示例所述的方法还可包括在按照第一模式来操作场整形电极时采用第一场整形信号来驱动场整形电极而在按照第二模式来操作场整形电极时采用第二场整形信号来驱动场整形电极，其中第一场整形信号与第二场整形信号是不同的。
[0157]在第二十三示例中，第二十二示例所述的方法中使用的第一场整形信号和第二场整形信号可包括变化电压信号，并且在幅度和相位的至少一个方面有所不同。
[0158]在第二十四示例中，第二十三示例所述的方法中使用的第二场整形信号可包括比第一场整形信号的幅度要高的幅度。
[0159]在第二十五示例中，第二十二示例所述的方法中使用的第一场整形信号可包括基本恒定电压，以及第二场整形信号可包括变化电压信号。
[0160]因此，提供本文中提出的实施例和示例，以便最好地说明按照本技术及其特定应用的实施例，并且由此使本领域的技术人员能够实施和使用本发明。但是，本领域的技术人员将会知道，上述说明和示例只是用于说明和举例而提出。所提出的描述不是意在穷尽性的或者将本发明局限于所公开的精确形式。
[0161] 鉴于以上所述，本公开的范围通过以下权利要求书来确定。
【主权项】
1.一种具有集成电容感测装置的显示装置，所述显示装置包括: 多个传感器电极，其中各传感器电极包括配置成被驱动以进行显示更新和电容感测的至少一个公共电极； 网格电极，至少部分设置在所述多个传感器电极的第一传感器电极与第二传感器电极之间，所述第一传感器电极和所述第二传感器电极的至少一个由所述网格电极包围，所述网格电极配置成屏蔽所述第一传感器电极和所述第二传感器电极；以及 处理系统，耦合到所述传感器电极和所述网格电极，所述处理系统配置成在第一处理模式调制所述第一传感器电极和所述第二传感器电极，以获取绝对电容的变化的测量，所述绝对电容的变化的测量指示输入物体在所述电容感测装置的感测区中的位置信息，所述位置信息基于所述测量。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述网格电极包括至少一个公共电极。3.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述网格电极与所述两个传感器电极横向间隔开与像素元件的尺寸对应的距离。4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述网格电极重叠所述第一传感器电极和所述第二传感器电极。5.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，在所述第一处理模式中，电浮置公共电极定位在所述第一传感器电极与所述网格电极之间。6.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述网格电极与所述传感器电极共面。7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述网格电极在与所述传感器电极的平面平行的平面中定向。8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述网格电极设置在所述多个传感器电极与所述显示装置的透镜之间。9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述电容感测装置的所述网格电极设置在所述显示装置的滤色器玻璃上。10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述电容感测装置的所述网格电极与所述显示装置的黑色掩模对齐。11.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述网格电极包括: 多个段，其可由所述处理系统单独驱动。12.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，调制所述第一传感器电极和所述第二传感器电极包括采用调制信号来驱动所述第一传感器电极和所述第二传感器电极，其中所述处理系统还配置成采用在相位和幅度的至少一个方面与所述调制信号相似的屏蔽信号来驱动所述网格电极。13.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述处理系统还配置成采用具有基本恒定电压的屏蔽信号来驱动所述网格电极。14.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述处理系统配置成将发射器信号驱动到所述网格电极上，并且配置成从所述多个传感器电极接收包含与所述发射器信号对应的影响的所产生信号。15.如权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述传感器电极具有基本上由所述网格电极所包围的几何形状。16.一种用于输入装置的处理系统，所述处理系统包括: 传感器模块，包括耦合到网格电极的传感器电路，所述网格电极设置在多个传感器电极的第一传感器电极与第二传感器电极之间，所述第一传感器电极和所述第二传感器电极的至少一个由所述网格电极包围，其中所述多个传感器电极的每个包括配置成被驱动以用于进行显示更新和电容感测的至少一个公共电极，所述传感器模块配置成: 在第一操作模式调制所述第一传感器电极和所述第二传感器电极，以获取所述第一传感器电极、所述第二传感器电极和输入物体之间的绝对电容的变化的测量，并且采用配置成屏蔽所述第一传感器电极和所述第二传感器电极的屏蔽信号来驱动所述网格电极。17.如权利要求16所述的处理系统，还包括:配置成基于绝对电容的变化的所述测量来确定所述输入物体的位置信息的检测模块。18.如权利要求16所述的处理系统，其中，所述处理模块配置成在第二操作模式将发射器信号驱动到所述网格电极上，并且配置成从所述多个传感器电极接收包含与所述发射器信号对应的影响的所产生信号。19.如权利要求18所述的处理系统，其中，所述处理模块配置成在第二操作模式执行下列中的至少一个:将所述网格电极耦合到基本恒定电压以及使所述网格电极电浮置；以及 其中，所述处理模块配置成在所述第二操作模式将发射器信号驱动到所述多个传感器电极的所述第一传感器电极，并且从所述多个传感器电极的第二传感器电极来接收包含与所述发射器信号对应的影响的所产生信号。20.如权利要求16所述的处理系统，其中，所述网格电极包括显示装置的至少一个公共电极。21.如权利要求16所述的处理系统，其中，所述网格电极设置在所述显示装置的透镜与有源层之间。22.如权利要求16所述的处理系统，其中，所述传感器模块配置成在第二操作模式将第二屏蔽信号驱动到所述网格电极上，其中所述第一屏蔽信号和所述第二屏蔽信号包括变化电压波形，并且其中所述第一屏蔽信号的所述变化电压波形包括比所述第二屏蔽信号的变化电压波形要高的幅度。23.一种使用电容感测装置来检测输入物体的存在的方法，所述电容感测装置具有设置在多个传感器电极的第一传感器电极与第二传感器电极之间的网格电极，所述第一传感器电极和所述第二传感器电极的至少一个由所述网格电极包围，其中所述多个传感器电极的每个包括显示装置的至少一个公共电极，所述方法包括: 当处于第一操作模式的同时通过驱动到所述第一传感器电极上并且采用所述第一传感器电极进行接收来获取绝对电容感测的变化的测量； 当处于所述第一操作模式的同时采用屏蔽信号来驱动所述网格电极，所述屏蔽信号屏蔽所述第一传感器电极和所述第二传感器电极；以及 基于绝对电容耦合的变化的所述测量来确定位置信息。24.如权利要求23所述的方法，其中，所述网格电极包括所述显示装置的至少一个公共电极。25.如权利要求23或24所述的方法，其中，驱动到所述第一传感器电极上并且采用所述第一传感器电极进行接收包括采用调制信号来驱动所述第一传感器电极，并且其中所述屏蔽信号和所述调制信号在幅度和相位的至少一个方面基本上相似。26.如权利要求23或24所述的方法，还包括将发射器信号驱动到所述网格电极上，并且配置成从所述多个传感器电极接收包含与所述发射器信号对应的影响的所产生信号。
【专利摘要】本文所述的实施例包括具有电容感测装置的显示装置、处理系统以及使用电容感测装置来检测输入物体的存在的方法，其全部包括用于改进绝对感测的网格电极。其他实施例包括具有电容感测装置的显示装置、处理系统以及使用电容感测装置来检测输入物体的存在的方法，其中电容感测装置包括分立传感器电极的矩阵。
【IPC分类】G06F3/041
【公开号】CN105190498
【申请号】CN201480024486
【发明人】P.舍佩列夫, C.A.卢登, J.卢肯奇, S.L.莫林, G.P.塞梅拉罗, J.K.雷诺
【申请人】辛纳普蒂克斯公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年9月16日
【公告号】CN105487732A, CN105511698A, US8970537, US20150091842, US20150286330, US20150293642, US20150293643, WO2015047801A1