电路系统26-A使得插头接触部B3和B4耦合至音频电路模块24的R和L输出端子。这发生在免持装备30(图6)的插头28被插入到端口 20中时。R和L音频输出信号因此可传送至免持装备30的右和左扬声器34、36。电子设备10的被配置为使这个功能成为可能的齐纳二极管50可以具有在基本上3伏特与5伏特之间的击穿电压。因此，能够由被配置为使这个功能成为可能的免持装备30的麦克风32输出的最大电压小于基本上3至5伏特。技术人员将意识到，能够由麦克风32输出的最大电压应当小于齐纳二极管50的门限电压。当这样的免持装备30被插入到这样的电子设备10中时，第二开关电路系统26-B使得由麦克风32生成并且由电子设备10通过端口接触部B2接收的信号被传送至麦克风信号输出线路52 (图10 )，用于以对本领域的技术人员而言熟悉的方式进行后续处理。在例如移动电话的情境中，由麦克风32生成的信号被移动电话使用用于使会话功能成为可能，即使得该移动电话的用户能够与另一个电话的用户通话。此外，音频输出信号从音频电路模块24被传送至扬声器34、36。
[0081]当被应用至端口接触部B2的电压超过齐纳二极管50的击穿电压时，那么第一开关电路系统26-B使得插头接触部B3和B4耦合至USB电路模块22的D-和D+端子。这发生在USB适配器38(图7)的USB插头40连接至支持USB的输入和/或输出设备并且它的插头28被插入到端口 20中的时候。D-和D+信号因此经由USB适配器38在电子设备10与支持USB的设备之间是可传送的。这是可能的，因为如先前所提到的，齐纳二极管50可以具有在基本上3伏特与5伏特之间的击穿电压。然而，由电子设备10通过端口接触部B2接收的VBUS信号，除去它的微小波动之外，在幅度上基本是5V。
[0082]因此，当被配置为使以上功能成为可能的USB适配器38的USB插头40连接至支持USB的设备并且它的插头28被插入到电子设备10的端口 20时，开关26被触发。在这种情形中，第一开关电路系统26-A使得D-和D+数据信号能够被传送至USB电路模块22的对应端子，并且第二开关电路系统26-B使得由电子设备10经由端口接触部B2接收的VBUS信号被传送至USB电路模块22的VBUS端子。更具体地，当开关26以这个段落中阐述的方式被触发时，使得将M0SFET 54的栅极56耦合至端口接触部B2(图10)的通道的导电性如先前描述的那样增加。这增加了第二通道(将端口接触部B2耦合至麦克风信号输出线路52的输出的第二通道)的电阻。因此，由电子设备10经由端口接触部B2接收的VBUS信号不传送通过第二通道。然而，VBUS信号被传送通过第一通道(将VBUS输出线路72的输出耦合至端口接触部B2的第一通道KVBUS信号、D-信号和D+信号随后由电子设备以对本领域的技术人员而言熟悉的方式加以利用，这些本领域的技术人员将具有USB功能的知识。本质上，这些信号被用来在电子设备10与经由USB适配器38耦合至电子设备10的支持USB的设备之间(在任一方向上)传送数据。此外，VBUS信号电压可以被用来对电子设备10的电池进行充电。
[0083]如已经提到的，图8中所描绘的充电设备42被配置为提供基本上5V的DC电压输出V+。因此，当它的适配器46已经连接至电源并且插头28被插入到电子设备10的端口 20中时，被应用到端口接触部B2的电压超过齐纳二极管50的击穿电压。以与USB适配器38的插头28被插入到端口 20中时类似的方式，开关26被触发。更具体地，第一开关电路系统26-A使得插头接触部B3和B4耦合至USB电路模块22的D-和D+端子，并且第二开关电路系统26-B使得由电子设备10经由端口接触部B2接收的DC电压输出V+如上文那样被传送至USB电路模块22的VBUS端子。然而，因为充电设备42的插头28不支持信号通过插头接触部A3和A4的传送(或者不被提供有这样的插头接触部)，所以D-信号和D+信号不被传送至USB电路模块22或者从USB电路模块22被传送。换句话说，当充电设备42的插头28(连接至电源)被插入在端口 20中时，齐纳二极管50的击穿电压使得充电设备42的DC电压输出V+沿着第二开关电路系统26-B的VBUS输出线路72被传送(这样的DC电压输出V+不被传送通过麦克风信号输出线路52) JC电压输出V+以与上述VBUS信号类似的方式被使用用于对电子设备10的电池进行充电。
[0084]现在将概述前述实施例的各种备选方式。
[0085]更一般地，端口 20包括两部分连接布置的第一部分并且包括多个电接触部，这些电接触部用于与两部分连接布置的第二部分的对应接触部进行耦合。端口 20因此可以具有少于或多于四个电接触部。例如，端口 20可以具有两个电接触部，其中的一个电接触部取决于经由另一个电接触部从外围设备接收的信号的电压幅度而由开关耦合至第一电路模块22或者第二电路模块24。因此，在一些实施例中，端口20可以被配置为与两导体插头(诸如
2.5mm或者3.5mm插头)连接，但是这些尺寸仅是示例性的并且不意图为是限制性的。类似地，外围设备的被配置为与端口 20连接的插头28可以对应地被适配。在端口 20具有例如两个电接触部的情况中，外围设备的被配置为连接至这样的端口的插头28被提供有至少两个电接触部，用于与该端口的这些电接触部耦合。
[0086]图1中的电子设备10已经被描述为包括端口20，外围设备的插头28可以被插入到端口 20中。然而，电子设备10的端口 20可以替代地由插头28取代，并且被配置为连接至电子设备10的外围设备的插头28可以替代地用端口 20取代。
[0087]图9中所描绘的电路不需要必然包括USB电路模块22和音频电路模块24，并且替代地，这些电路模块中的一个或两者可以用另一种类型的电路模块取代。例如，USB电路模块22可以备选地包括被配置为从耦合至端口 20的外围设备接收电力的电力电路模块，并且可以不被配置为实施USB功能。这样的电力电路模块可以被用来对电子设备10的电池进行充电，或者简单地为电子设备供电而不对电池进行充电。
[0088]更宽泛地说，开关26可以被用来将外围设备耦合至第一电路模块22或者第二电路模块24，假如这样的电路模块分别被配置用于与来自耦合到端口 20的外围设备的具有不同电压幅度的信号一起使用。例如，向电子设备10输入第一电压振幅的一个或多个信号的外围设备可以由开关26耦合至第一电路模块22。然而，向电子设备10输入第二电压振幅的信号的外围设备可以由开关26耦合至第二电路模块24。如先前段落中所提到的，这样的第一和第二电路模块可以不同于USB电路模块和音频电路模块。这样的电路模块可以具有任何类型和组合，假如一个这样的电路模块被配置用于与来自外围设备的具有第一电压幅度的信号一起使用，并且另一个电路模块被配置用于与来自外围设备的具有第二更高的电压幅度的信号一起使用。
[0089]绝缘栅场效应晶体管54(其可以是M0SFET)可以具有η-通道类型。当栅极电压为正时，这样的η-通道绝缘栅场效应晶体管的源极与漏极之间的通道是导电的。图10中的电路可以被配置为使得M0SFET 54用η-通道绝缘栅场效应晶体管取代，并且使得当电压没有被应用到端口接触部Β2时，η-通道场效应晶体管的栅极带正电。这可以通过将接地端子58用Vcc电源取代来实现。本领域的技术人样将意识到，当栅极电压减少或者被使得变为负时，源极与漏极之间的通道的导电性减小。因此，当在栅极的方向上比齐纳二极管50的击穿电压更加正极性(more positive)的负电压被应用到端口接触部B2时，信号能够被传输通过n_通道绝缘栅场效应晶体管的源极与漏极之间的通道。然而，当在栅极的方向上比齐纳二极管50的击穿电压更加负极性(more negative)的负电压被应用到端口接触部B2时，电流流动通过齐纳二极管50并且栅极的电压减小。这使得η-通道绝缘栅场效应晶体管内的耗尽区朝向(较少正极性的或者带负电的)栅极被吸引，由此减少了源极与漏极之间的导电通道的宽度。这增加了源极与漏极之间的通道的电阻，使得电信号在源