基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统的制作方法

本实用新型属于报警装置领域，具体涉及一种基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统。

背景技术：

随着各类建筑的不断发展，建筑规模越来越大，层次越来越高，建筑的标准也越来越高。新建的各类大楼都具备人员密集、设备先进、功能多、装饰豪华等特点，因此，火灾自动报警及消防联动系统已成为高层建筑不可缺少的重要组成部分。

随着电子通信技术的发展， 消防联动系统技术发展很快， 现在各个大楼里面几乎都装有这种联动系统，比如检测到火灾后，自动喷淋系统、火灾警铃报警系统等装置都会有系列的应急措施。为了实现联动控制系统的稳定性，联动控制系统多采用ESPEPS电源。然而现有的基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统仅适用于火灾报警，却难以应用于防盗报警。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是针对防盗门的防盗锁易被破坏，防盗效果差的缺陷，为此提供一种基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统，并要求其能避免升压器内部产生的电磁干扰。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统，包括EPS电源、报警线、第一非门、第二非门、第一二极管、第四非门、极性电容、振荡芯片、第一三极管、第二三极管、电铃、升压器和放电电极；

EPS电源与报警线一端连接，报警线另一端与第一非门输入端连接，第一非门输出端与第二非门输入端连接，第二非门输出端与第一二极管负极连接，第一二极管的正极端和EPS电源均与第四非门输入端连接，第四非门输出端分别与第一三极管的基极和触发芯片的复位端，极性电容的正极与EPS电源连接，触发芯片的触发端、放电端和阈值端均与极性电容的正极连接，触发芯片的输出端与第二三极管的基极连接，第二三极管的集电极与升压器连接，第二三极管的发射极与电铃连接；

所述报警线与报警线另一端与第一非门之间设有电位扩展电路；所述电位扩展电路包括一漏电流阻绝电路，具有一输入端耦接该输入信号且具有一输出端耦接该输出信号，其中该漏电流阻绝电路包括：复数级P通道晶体管，其中每一级上述P通道晶体管的源极耦接其下一级上述P通道晶体管的闸极，第一级上述P信道晶体管的闸极耦接该输入信号，最后一级上述P通道晶体管的源极耦接一电源，且最后一级上述P通道晶体管的集极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端；以及一N通道晶体管，具有一闸极耦接该输入信号、一源极耦接一低准位电位、以及一集极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端。

采用本实用新型基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统具有如下技术效果：

报警线一端安装在门上，另一端固定在墙上，当门被打开时，报警线断开，且报警线为导线；报警线补烧断或直接断开后，第一非门的输入端为低电平，第一非门的输出端为高电平，第二非门的输入端为高电平，第二非门的输出端为低电平，第一二极管的负极端为低电平，第一二极管导通，使第四非门的输入端为低电平，第四非门的输出端为高电平，第一三极管导通；触发芯片的复位端为低电平时，触发芯片的输出端始终为低电平，触发芯片的复位端为高电平时，触发芯片的输出端取决于触发芯片的触发端和阈值端的值；第一三极管导通时，触发芯片的触发端和阈值端为低电平，使触发芯片输出高电平；触发芯片的高电平使第二三极管导通，电铃工作，升压器工作；升压器把EPS电源电压升高产生高电压，经过放电电极放出，电击盗窃者。

所述电位扩展电路用于电位范围的扩展，如将0～2v，扩展为0～4v，也可以作反向变换。将即提高电位变换范围的作用，通过电位扩展电路来提高第一非门可接电位的适用范围。

进一步，还包括锁开关、第三非门和第二二极管，EPS电源与锁开关连接，锁开关与第三非门的输入端连接，第三非门的输出端与第二二极管的负极连接，第二二极管的正极与第四非门的输入端连接。在盗窃者用万能钥匙或开锁器开门时，锁开关闭合，第三非门的输入端为高电平，第三非门的输出端为低电平，第二二极管导通，第四非门的输入端为低电平，使电铃报警。

附图说明

图1是本实用新型基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统的电路原理图。

图2是报警线与第一非门之间电位扩展电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明：

如图1所示，本实用新型基于EPS的火灾自动报警及消防联动控制系统，具体包括：包括EPS电源、报警线、第一非门F1、第二非门F2、第一二极管VD1、第四非门F4、锁开关、第三非门F3、第二二极管VD2、极性电容C1、振荡芯片IC1、第一三极管VT1、第二三极管VT2、电铃B、升压器T和放电电极kV；EPS电源与报警线一端连接，报警线另一端与第一非门F1输入端连接，第一非门F1输出端与第二非门F2输入端连接，第二非门F2输出端与第一二极管VD1负极连接，第一二极管VD1的正极端和EPS电源均与第四非门F4输入端连接，第四非门F4输出端分别与第一三极管VT1的基极和触发芯片IC1的复位端，极性电容C1的正极与EPS电源连接，触发芯片IC1的触发端、放电端和阈值端均与极性电容C1的正极连接，触发芯片IC1的输出端与第二三极管VT2的基极连接，第二三极管VT2的集电极与升压器T连接，第二三极管VT2的发射极与电铃B连接，EPS电源与锁开关连接，锁开关与第三非门F3的输入端连接，第三非门F3的输出端与第二二极管VD2的负极连接，第二二极管VD2的正极与第四非门F4的输入端连接。

电位转换器包括一漏电流阻绝电路202以及一反相器204，其作用是将操作于一第一电位区间内的一输入信号IN转换成操作于一第二电位区间内的一输出信号OUT。

第一电位区间可由低准位电位VSS以及一第一电源VDD界定；该第一电源VDD可为该电位转换器2一级电路(供应该输入信号IN者)的供电电源。该第二电位区间可由低准位电位VSS以及一第二电源VCC界定；该第二电源VCC可为该电位转换器2一级电路(接收该输出信号OUT者)的供电电源。于一实施例中，第二电源VCC的电位高于第一电源VDD的电位。

该漏电流阻绝电路202具有一输入端接收该输入信号IN、且具有一输出端供应一中继信号O1。该漏电流阻绝电路202是由该第二电源VCC供电。该反相器204也是由该第二电源VCC供电，用以接收该中继信号O1并将其反相以产生输出信号OUT。以下将该漏电流阻绝电路202的输入端与该输入信号皆以标号IN表示，且将该漏电流阻绝电路202的输出端以及该中继信号皆以标号O1表示。

漏电流阻绝电路202于其输入端IN以及该第二电源VCC间设置有复数级P通道晶体管(包括P1与P2)，使输入端IN以及第二电源VCC之间存在有复数个P信道装置闸极-源极接面。最后一级的上述P通道晶体管(例如，P2)以集极耦接该漏电流阻绝电路202的输出端O1。 此外，漏电流阻绝电路202更包括一个N通道晶体管(包括N1)，以一闸极耦接该输入信号IN、以一源极耦接低准位电位VSS、以及以一集极耦接该漏电流阻绝电路202的该输出端O1。用一第一P通道晶体管P1、一第二P通道晶体管P2、以及一N通道晶体管N1实现漏电流阻绝电路202如图2所示。

以下详述其连接方式：第一P通道晶体管P1具有一闸极耦接该输入信号IN、一集极耦接低准位电位VSS、以及一源极。第二P通道晶体管P2具有一闸极耦接第一P通道晶体管P1的上述源极、一源极耦接第二电源VCC、以及一集极。N通道晶体管N1具有一闸极耦接该输入信号IN、一集极耦接该第二P通道晶体管P2之上述集极、以及一源极耦接该低准位电位VSS。第二P通道晶体管P2的上述集极以及N通道晶体管N1的上述集极耦接在一起供应该中继信号O1输入该反相器204，以产生该输出信号OUT。

在上述设计下，当输入信号IN为低准位时，可使上述复数个P通道晶体管(包括P1与P2)得以导通。导通的最后一级P通道晶体管(P2)会将输出端O1耦接到该第二电源VCC，使中继信号O1为高准位(约VCC)。高准位VCC的中继信号O1会经由反相器204处理后，形成低准位VSS的输出信号OUT。

至于高准位(例如，VDD准位)的输入信号IN则无法与该第二电源VCC产生足够的压差导通上述复数个P通道晶体管(包括P1与P2)。在输入信号IN为高准位VDD的状态下，P通道晶体管P1与P2可确实为不导通状态，不容许漏电流流过。此时，改由N通道晶体管N1被导通。该漏电流阻绝电路202的输出端O1因而被耦接至低准位电位VSS。低准位VSS的中继信号O1会由反相器204接收，形成高准位VCC的输出信号OUT。

当第一电源VDD与第二电源VCC的电位差越大时，可设置越多级的P通道晶体管，以防止漏电流的产生。

在具体实施过程中，锁上防盗门，闭合防护报警器的开关。在报警线完好时，第一三极管VT1截止，触发芯片IC1的复位端持续为低电平，触发芯片IC1的输出端始终为低电平，第二三极管VT2截止，电铃B和升压器T不工作。

如果报警线被烧断，第一非门F1变为低电平，第一非门F1输出高电平，经第二非门F2后变为低电平，使第一二极管VD1导通，且使第四非门F4的输入端为低电平，从而使第四非门F4的输出端为高电平，触发芯片IC1的复位端为高电平，与此同时，第一三极管VT1导通，触发芯片IC1的触发端为低电平，使触发芯片IC1的输出端为高电平，第二三极管VT2导通，电铃B工作，发出警报声。

作为变形，当门锁被撬开时，第三非门F3的输入端为高电平，使第三非门F3的输出端为低电平，第二二极管VD2导通，第四非门F4的输出端为高电平，使触发芯片IC1输出高电平，第二三极管VT2导通，电铃B工作报警。

器件选择：第一非门F1、第二非门F2、第三非门F3和第四非门F4为CD4069，三极管V1为9013型，第二三极管VT2为3DG27，触发芯片IC1为TI公司的555型。

对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本实用新型的保护范围，这些都不会影响本实用新型实施的效果和专利的实用性。